JP3649267B2 - 反応ガス噴射ヘッド - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜気相成長装置に用いる反応ガス噴射ヘッドに係り、特に、チタン酸バリウム/ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を気相成長させるのに好適な反応ガス噴射ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体産業における集積回路の集積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダから、将来のギガビットオーダを睨んだDRAMの研究開発が行われている。かかるDRAMの製造のためには、小さな面積で大容量が得られる素子が必要である。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘電率が10以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に替えて、誘電率が20程度である五酸化タンタル(Ta2O5 )薄膜、あるいは誘電率が300程度であるチタン酸バリウム(BaTiO3 )、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )又はこれらの混合物であるチタン酸バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視されている。このような金属酸化物薄膜を気相成長させる際には、1又は複数の有機金属化合物のガス原料と酸化ガスとを混合し、一定の温度に加熱した被成膜基板に噴射する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、有機金属化合物ガスと酸化ガスの混合ガスを安定供給できる温度域は狭く、基板へ導く途中で温度の不均一などがあるとガスの凝縮や分解が起こりやすい。ここで、例えば混合ガスの流路が長くなると、原料ガスと酸化ガスの混合ガスが流路の温度変動の影響を受けやすく、基板へ到達する前の早期反応により析出物を生成しやすくなる。このように生成した析出物は、ガス放出孔を閉塞させたり、あるいは下流に流れて基板を汚染する原因となる。
【0004】
また、原料ガスと酸化ガスの混合をノズルを出てから行うようにした場合、ノズル穴での詰まりは減少させることができるが、基板に至る短い過程で均一な混合状態を得るのが難しい。充分な混合状態を得ようとすると、ノズル穴を細かく分布させたり、基板までの距離を大きくするなどの必要があり、装置の複雑化や肥大化を招き、実用的でない。
【0005】
本発明は、上述した事情に鑑みて為されたもので、濃度や成分の均一な混合ガスを早期反応を防止しつつ安定した状態で基板に向けて均一に噴射することができる反応ガス噴射ヘッドを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、多数のガス噴射孔を有するノズル盤と背板の間に環状の第1混合空間及び円盤状の第2混合空間を形成する噴射ヘッド本体と、前記背板側から前記噴射ヘッド本体に接続されて前記第1混合空間に少なくとも2種の反応ガスを供給するガス供給配管とを備え、前記ノズル盤と背板の間には、前記ガス供給配管からの前記少なくとも2種の反応ガスを個別に前記第1混合空間の周辺部に導くガス分配流路が形成され、前記第1混合空間の周辺部は、前記少なくとも2種の反応ガスを偏向させて前記第2混合空間の縁部から中心部に向かうガスの流れを形成するように構成されていること特徴とする反応ガス噴射ヘッドである。
【0007】
ガス分配流路の形状は、適宜のもの、例えば、放射状が採用され、また単に平板の間の隙間により形成してもよい。このような構成により、少なくとも2種の反応ガスはガス分配流路によりそれぞれ独立にガス混合空間の周辺部まで導入され、さらにガス混合空間の中心側へ流れる。この周辺部では各々のガスが周方向に拡散しつつ中心に向かってほぼ180度向きが変わるので激しく流れが乱され、効率的に混合が行われる。ガス混合空間への流入過程では、流れが円盤状空間の縁部から中心に向かうと同時に混合空間へ流入したガスは、ノズル盤の多数のノズル孔を通して混合ガスが順次噴出するため、基板へ向けての均一なガス噴射が得られる。
【0008】
請求項2に記載の発明は、前記第1混合空間の周辺部には傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッドである。
請求項3に記載の発明は、前記ノズル盤と前記背板の間には少なくとも2枚の分配板が配置され、これらの背板及び分配板の間に前記ガス分配流路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッドである。これにより、例えば、これらの部材に溝や突条を形成することにより、簡単な構成で任意の形状のガス分配流路を形成することができ、単にこれらの間の隙間をそのまま用いてもよい。また、背板と分配板、及び分配板どうしの密着性を維持すれば、分配板と背板の間の熱伝導を良好にし、分配板の温度を背板により間接的に制御することができる。従って、内部に熱媒体流路を形成せずにガス分配流路の温度制御を精密に行ってガス分配流路での反応ガスの凝縮や分解を抑制することができる。
【0009】
請求項4に記載の発明は、前記ガス分配流路の開口部間隔は、周長で45mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッドである。なお、前記ガス混合空間内の前記分配板と前記ノズル盤の間に、多数のガス分散孔を有する分散板が設けられていることが好ましく、これにより、ノズル盤の上流にガス分散空間が形成され、ノズル盤面上流側でのガス混合の促進と共に圧力分布を均一化し、これによりノズル盤から基板へ向けてのガス噴射の均一化が図られる。
【0010】
請求項5に記載の発明は、前記第1混合空間と前記第2混合空間の境界部には、周方向に延びる狭隘部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッドである。なお、前記ガス混合空間の周辺部の壁は、前記ガス分配流路出口から前記ガス混合空間の中央部に向かうに従い内側に向かうように傾斜していることが好ましく、これにより、ガス混合空間の周辺部では強い乱流を発生させ、各々のガスが周方向に拡散しながら混合する。更に縁部の急角度の偏向により、ガス混合空間の中心側に向けて濃度分布の均一な一様なガスの流れを生成することができる。
【0011】
請求項6に記載の発明は、前記ガス分配流路及び前記ノズル盤とを所定温度に維持するための温度維持手段が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッドである。これにより、ガス分配流路及びノズル盤の温度制御を精密に行って、その結果、輻射や伝熱で間接的に加熱される混合空間やガス分散板を含め、ガス分配流路及び各ノズル流路での反応ガスの凝縮や分解を抑制することができる。
【0012】
なお、前記反応ガスの流路断面積を、下流になるに従い減少するようにしてもよい。つまり、供給配管、ガス分配流路、ガス分散孔及び前記ガス噴射孔の各流路断面積(の各地点での総和)をS1,S2,S3,S4 とすると、
S1>S2,S3>S4
の関係が成立するようにする。これにより、分配板を通してその周囲の混合空間に均一に分配させると共に、混合空間の圧力を均一にしてガス噴射孔からのガス噴出を均一なものにすることができる。
また、上記ガス混合空間の周辺部と上記ガス混合空間の中央部の間に周方向に延びる狭隘部を形成してもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図1ないし図6を参照して、本発明の一つの実施の形態を説明する。この薄膜気相成長装置は、成膜室10を構成する釜状の容器本体12と、容器底部14の中央に開口する筒状部16内を昇降可能なサセプタ(基板保持手段)18と、容器本体12の頂部に取り付けられたシャワーヘッド(原料ガス噴射ノズル)20とを備えている。
【0014】
これら容器本体12、底部14及び筒状部16とシャワーヘッド20には、オイルのような熱媒体を流通させる熱媒体流路22,24,26,28a,28cが形成され、これらの流路は外部配管30を介して、ポンプ等の抽送手段32、及びヒータ等の加熱手段34からなる熱媒体ユニット36に流通している。また、必要箇所を冷却するために冷却水循環ユニットが設けられている(図示せず)。容器底部14には、生成ガスを排気する排気孔38が開口し、これは図示しない真空ポンプに連結している。
【0015】
サセプタ18は支持軸40を介して成膜室10の下方に配置された昇降装置42に連結され、これにより筒状部16の中を昇降する。筒状部16の所定高さには、搬送用のロボット44を有するロボット室46に向かう位置に基板搬送口48が開口しており、これはベローズ(通路)50を介してロボット室46のゲート52に接続されている。この基板搬送口48にはパージガス供給口54が開口している。サセプタ18には基板Wを加熱するためのヒータ56が設けられ、所定位置に取り付けられた基板温度センサの検出値に基づいて該ヒータ56への電力を調整して基板温度を一定に維持するようにしている。
【0016】
シャワーヘッド20は、成膜対象の基板Wに対向して配置されるノズル盤60と背板62及び周壁64によってほぼ円盤状のガス混合空間66を形成する噴射ヘッド本体68と、前記背板62側から前記噴射ヘッド本体68に接続されて前記ガス混合空間66に少なくとも2種の反応ガスを供給するガス供給配管70とを備えている。ガス供給配管70は同軸の多重管であり、中心にはノズル盤面に達する熱電対(温度センサ)72が挿入されている。
【0017】
ノズル盤60は、基板Wよりやや大きい径に設定され、上側に延びる上記周壁64と一体に形成されており、これによりノズル盤60の上側に凹所を形成している。図6に示すように、ノズル盤60には、多数のジェットノズル形状のガス噴射孔74を有するノズル要素76が装着され、上記熱媒体流路28aが各ノズル要素76を取り囲むように形成されている。28b,28b’は各々の熱媒体のノズル盤60への出入口である。上記凹所には、以下に説明するように、複数の平板状部材が順次装着されている。
【0018】
ノズル盤60の上側には、多数のガス分散孔78を有する分散板80が配置され、ノズル盤60との間にガス分散空間82が形成されている。分散板80の縁部には上下に延びる筒状壁84が形成されて、上下にガス混合空間を形成している。ガス分散孔78は、ノズル盤60のガス噴射孔74と互い違いになるように配置されており、その総流路断面積S3はガス噴射孔74の総流路断面積S4より大きく設定されている。分散板80の筒状壁84の上端に接するように背板62が装着され、背板62の中央には、同軸の多重管である上記ガス供給配管が挿入されている。
【0019】
周壁64の内面、背板62の上面、ガス供給配管70の外面を覆うように外被86が設けられ、これと周壁64の間にはシールリング88が配されて内部を密閉している。この外被86と背板62の上面及びガス供給配管70の外面の間には、図5に示すように熱媒体流路28cが形成されており、ガス供給配管70と分配板92,94とを加熱している。
【0020】
背板62と分散板80の間の空間には、図2に示すように、それぞれ上面に放射状の溝(ガス分配流路)90が形成された上下2枚の分配板92,94が装着されている。これらの溝90は、この例では各分配板92,94において同数が周方向同位置に軸対称に形成されている。ガス供給配管70の外側のガス供給路96は上側の分配板92と背板62の間の溝90に、内側のガス供給路98は上下の分配板92,94の間の溝90に、それぞれ分配板92,94の中央のガス分配凹所100を介して連通するようになっている。
【0021】
分配板92,94の外周と分散板80の筒状壁84の間には環状の第1混合空間66aが形成され、下側の分配板94と分散板80の間には円盤状の第2混合空間66bが形成され、これらの第1混合空間66aと第2混合空間66bがガス混合空間66を構成している。この例では、筒状壁84の内面が分散板80に向かうに従い内側に向く傾斜面102となっており、分配板92,94の溝90から放出されたガスを混合し反射して第2混合空間66bにスムースに導くようになっている。なお、上側の分配板92と背板62、及び分配板92,94どうしは溝以外の箇所では密着しており、背板62との熱伝導性を良好にしている。背板62は熱媒体流路28cにより所定の温度に維持されているので、分配板92,94の温度も原料ガスの凝縮や分解が起きない温度に維持される。
【0022】
このシャワーヘッドにおいては、反応ガス、すなわち、原料ガスと酸化ガスの流路は、その管路断面積が、下流に向かうに従い順次減少するように設定されている。すなわち、ガス供給配管70の2つの供給路96,98の断面積の和S1、2つの分配板92,94の溝90の断面積の総和S2、分散板80のガス分散孔78の断面積の総和S3、ノズル盤60のガス噴射孔74の断面積の総和S4の間には、
S1>S2,S3>S4
と関係がある。これにより、これらの各流路、即ち分配板92,94の各溝90やガス分散空間でのガスの背圧を維持して圧力変動を抑えるように制御し、ガス噴射孔74からの面内均一なガス噴射が得られる。
【0023】
また、分配板92,94の溝の数については、ガス量の周方向の分布の均一性を確保するために多く設けることが好ましいが、加工工数の点からは少ない方が好ましい。本例では、分配板周縁部の溝90の開口部間隔が、周長で45mmより小さければ全く問題がないことが分かっている。
【0024】
このように構成された反応ガス噴射ヘッドの作用を説明する。反応ガス、すなわち、原料ガスと酸化ガスは、図示しない供給源からガス供給配管70にそれぞれ導入される。原料ガスは、例えば、Ba(DPM)2 、Sr(DPM)2 及びTi(i−OC3H7)4 等の有機金属化合物を溶剤に溶解したものが混合されて気化され、Ar等のキャリアガスに搬送させられたものであり、酸化ガスは、例えば、O2 ,N2O ,H2O等の酸素含有ガス、あるいはこれにオゾナイザにより生成されたオゾン(O3)を含むようにしたものである。
【0025】
反応ガスは、ガス供給配管70(本例では原料ガスは供給路96から、酸化ガスは供給路98)から導入され、ガス分配凹所100、溝90を介してそれぞれ独立に環状の第1混合空間66aに噴射され、傾斜面102に当たって偏向して円盤状の第2混合空間66bに中央に向けて流入する。原料ガスと酸化ガスは、この過程で拡散・混合されるが、特に第1混合空間66aにおいては、溝90の先端から周方向に広がりながら出口が絞られた傾斜面102に沿って下降する複雑な流れとなるので、流れの乱れが形成されて充分に撹拌され、均一に混合される。
【0026】
一方、第2混合空間66bでは、ガスは周囲から流入して中心に向かい、その過程で分散板80のガス分散孔78から順次分散空間82に流入する。この分散空間82では、流量の多い周辺部では流路断面積が大きく、流量が少ない中心部では流路断面積が小さいので、流れがスムースで圧力変動や乱流が生じにくい。分散空間82では、分散板80及びノズル要素76による断面積の変化(S3>S4)の作用によって背圧を維持し、ほぼ均一で安定な圧力分布が達成されており、各ノズル76要素のガス噴射孔74から均一な反応ガスの噴射が行われる。
【0027】
上記において、熱媒体は熱媒体ユニット36から熱媒体配管30を介してノズル盤60、周壁64、及び外被86と背板62の間の熱媒体流路28に供給されており、これにより各部を所定温度に維持している。背板62と上側の分配板92、及び分配板92,94どうしは溝90以外の箇所で密着させられており、分配板92と背板62及び分配板92,94どうしの間の熱伝導が良好な状態になっている。従って、分配板92,94の温度を背板62により間接的に制御し、ガス分配流路90の温度制御を精密に行ってガス分配流路90での反応ガスの凝縮や分解を抑制することができる。
【0028】
図7は、この発明の他の実施の形態を示すものである。この実施の形態においては、第1混合空間66aと第2混合空間66bの境界部に狭隘部104を形成している。すなわち、同図(a)の実施の形態では、下側の分配板94の下面縁部に周方向に延びる凸部106が形成され、一方、同図(b)の実施の形態では、分散盤80の上面の傾斜壁102の下部に、周方向に延びる凸部108が形成されている。狭隘部104の流路断面積は、第1混合空間66aのそれと同じかより小さい適宜の値を選択する。
【0029】
このような構成により、第1混合空間66aの背圧を維持して、外周から中心へ向けた第2混合空間66bへのガスの流入を周方向で均一に制御し、第2混合空間66bにおいて均一で安定な圧力分布を形成することができる。従って、分散板80から分散空間82に至るガス流れの面内均一性を予め確保して、最終的にノズル盤60の各噴射孔74からのガス流れの面内均一性を高めることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、少なくとも2種の反応ガスをガス分配流路によりそれぞれ独立にガス混合空間の周辺部まで導入してからガス混合空間の中心側へ偏向させて強制的に混合しさらに、ガス混合空間への流入過程では、流れが円盤状空間の縁部から中心に向かうので、圧力変動や乱流の発生が起きにくく、混合ガスの反応や分解が抑制される。従って、ノズル孔より濃度や成分を均一とした反応生成物や不純物の無い反応ガスを基板に向けて噴射して、品質の良い成膜を安定して行なうことができ、これによって、反応ガスの温度に対する安定条件の厳しい高誘電率の誘電体薄膜の形成への対応も容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の薄膜気相成長装置の概略を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例の反応ガス噴射ヘッドの断面図である。
【図3】本発明の反応ガス噴射ヘッドを分解して示す斜視図である。
【図4】本発明の反応ガス噴射ヘッドの分配板を示す図である。
【図5】図2のA−A矢視図である。
【図6】ノズル要素の要部断面図である。
【図7】本発明の他の実施例の反応ガス噴射ヘッドの断面図である。
【符号の説明】
28 熱媒体流路
36 熱媒体ユニット
60 ノズル盤
62 背板
66 ガス混合空間
68 噴射ヘッド本体
70 ガス供給配管
74 ガス噴射孔
78 ガス分散孔
80 分散板
90 ガス分配流路
92,94 分配板
102 傾斜壁
104 狭隘部
Claims (6)
- 多数のガス噴射孔を有するノズル盤と背板の間に環状の第1混合空間及び円盤状の第2混合空間を形成する噴射ヘッド本体と、前記背板側から前記噴射ヘッド本体に接続されて前記第1混合空間に少なくとも2種の反応ガスを供給するガス供給配管とを備え、
前記ノズル盤と背板の間には、前記ガス供給配管からの前記少なくとも2種の反応ガスを個別に前記第1混合空間の周辺部に導くガス分配流路が形成され、
前記第1混合空間の周辺部は、前記少なくとも2種の反応ガスを偏向させて前記第2混合空間の縁部から中心部に向かうガスの流れを形成するように構成されていることを特徴とする反応ガス噴射ヘッド。 - 前記第1混合空間の周辺部には傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッド。
- 前記ノズル盤と前記背板の間には少なくとも2枚の分配板が配置され、これらの背板及び分配板の間に前記ガス分配流路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッド。
- 前記ガス分配流路の開口部間隔は、周長で45mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッド。
- 前記第1混合空間と前記第2混合空間の境界部には、周方向に延びる狭隘部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッド。
- 前記ガス分配流路及び前記ノズル盤とを所定温度に維持するための温度維持手段が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス噴射ヘッド。
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