JP4918224B2 - 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置 - Google Patents

透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4918224B2
JP4918224B2 JP2005013682A JP2005013682A JP4918224B2 JP 4918224 B2 JP4918224 B2 JP 4918224B2 JP 2005013682 A JP2005013682 A JP 2005013682A JP 2005013682 A JP2005013682 A JP 2005013682A JP 4918224 B2 JP4918224 B2 JP 4918224B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
transparent conductive
conductive film
film forming
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005013682A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006203022A (ja
Inventor
良明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Shell Sekiyu KK
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Shell Sekiyu KK filed Critical Showa Shell Sekiyu KK
Priority to JP2005013682A priority Critical patent/JP4918224B2/ja
Priority to KR1020077016656A priority patent/KR101352412B1/ko
Priority to US11/814,527 priority patent/US20090203194A1/en
Priority to CN2006800029126A priority patent/CN101107695B/zh
Priority to PCT/JP2006/300888 priority patent/WO2006077986A1/ja
Priority to EP06712113.7A priority patent/EP1860685B1/en
Publication of JP2006203022A publication Critical patent/JP2006203022A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4918224B2 publication Critical patent/JP4918224B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、ＭＯＣＶＤ法により透明導電膜を多層構造で基板上に形成するための製膜装置に関する。
太陽電池作製工程の中で透明導電膜の製膜工程として、スパッタ法と有機金属化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）法が使用されている。ＭＯＣＶＤ法は、低温（２００℃以下）で反応が進行することと、化学的成長法であるため、スパッタ法のように下層の薄膜構成層にエネルギー粒子の衝撃によるダメージを与えるものとは異なり、他の薄膜構成層に機械的なダメージを与えないマイルドな作製方法である。
ＣＩＧＳ系の薄膜太陽電池を作製する場合、入射光側から見ると、透明導電膜は薄膜構成層の上部に製膜する。ＭＯＣＶＤ法で製膜する透明導電膜はバッファ層の効果（機能）を補う作用を持っているが、スパッタ法の場合は逆にバッファ層にダメージ（損傷）を与えてしまい太陽電池の性能を低下させてしまうことが知られている。
従来、ＭＯＣＶＤ法で透明導電膜を製膜する方法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。ここでは、基板を加熱された支持体上で加熱し、真空排気し約２０分間放置し温度を均一とした後に、約３０分間ＭＯＣＶＤ法によって透明導電膜を約１μｍ製膜する方法が示されている。ＭＯＣＶＤ法製膜装置については、特許文献３に記載されており、石英の反応管内にガス導入口からガスが導入され、反応管内のガスはガス排気口から排気されるものとなっている。そして、反応管内にはカーボン製のサセプタが配置されており、基板はこのサセプタの上にセットされる。また、サセプタ及び基板は、反応管の外部に設置された高周波コイルにより、誘導加熱される構造となっている。この製膜装置では、基板には主に有機金属化合物としてアルキルアルミニウムを使用している。前記ＭＯＣＶＤ法製膜装置は透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するものではなく、大面積の透明導電膜を製膜することはできないという問題点があった。また、半導体薄膜の連続製膜装置として、複数の反応室を設けてこれらで順次製膜する連続製膜装置が開示されている（例えば、特許文献４参照）が、この連続製膜装置は半導体薄膜を製膜するもので、ＭＯＣＶＤ法で透明導電膜を製膜するものではなく、このような半導体薄膜の連続製膜装置をＭＯＣＶＤ法による透明導電膜の連続製膜装置に直ちに転用することは難しいという問題があった。
特公平６−１４５５７号公報 特開平６−２０９１１６号公報 特開平２−１２２５２１号公報 特許第２８４２５５１号公報
更に、前記従来のＭＯＣＶＤ法製膜装置として、図５に示すような、アルキル亜鉛用のＭＯＣＶＤ法製膜装置と、図６に示すような、この装置専用のノズルが使用されてきた。
この装置は基板をバッチ処理する装置であり、先ず、基板（透明導電膜以外のＣＩＧＳ系薄膜太陽電池に必要な光吸収層、バッファ層が基板上に製膜されたものを以下、基板という。）を導入するために、チャンバーを大気開放する。そして、ホットプレート上に基板を設置した後、チャンバーを真空状態にする。基板が設定温度に上昇するのを待って、原料導入ポートから原料（例えば、有機金属化合物、例えば、ジエチル亜鉛：Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、ジボラン：Ｂ2 Ｈ6 、純水：Ｈ2 Ｏ）を導入しキャリヤガスを使用して、夫々の原料に対応するノズルから前記原料が基板上に噴射される。基板上に透明導電膜を一定時間（一定の膜厚に）製膜した後、原料の供給を停止する。そして、チャンバーを大気開放し（大気に戻し）基板を取り出す。バッチ処理であるため、その後、次の基板をホットプレート上に設置する。以後、前記と同様の操作を繰り返すことにより前記基板上への透明導電膜の形成を行う。以下１〜３の特徴を有していた。
１．ノズルの特徴は、図６に示すように、有機金属化合物、ジボラン及び、純水を真空中で均一に噴射させる構造である。ノズルの温度はホットプレートからの熱で成長中に上昇して、ノズルに成長物が堆積するため、ノズルのメインテナンスが必要となるという問題があった。また、従来のノズルの構造では、有機金属化合物と水とジボランの噴出部に隙間があるためにノズルの裏及びチャンバー上部迄生成物が堆積し原料の利用効率が低く、頻繁にメインテナンスが必要となるという問題があった。
２．金属ホットプレートに直接基板を置いて透明導電膜を成長させるため、ホットプレートの熱分布が直接透明導電膜の分布に繋がり、ホットプレートの熱分布が不均一の場合には、透明導電膜のシート抵抗等が不均一になるという問題があった。
３．チャンバーが１つのため、基板の処理速度が遅く、製膜速度が遅いという問題があった。
本発明は前記問題点を解消するため、本発明の第１の目的は、原料の利用効率を向上させると共に、メインテナンスの必要性をより少なくすることである。第２の目的は、シート抵抗が均一な透明導電膜を製膜することである。第３の目的は、高品質な膜質を保持したまま製膜速度を向上させることである。
（１）本発明は、前記問題点を解決するためのもので、製膜室内部を真空排気後、基板を加熱しながら有機金属化合物とジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）と水（水蒸気）を気相で反応させる有機金属化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型半導体からなる透明導電膜を前記基板上に形成する透明導電膜製膜装置に関するものである。
そして、ジボランを導電率調整のためのドーパントとして、不活性ガスをキャリアガスとして使用し、有機金属化合物と純水を製膜原料とし、有機金属化合物、ジボラン、純水の前記３つの原料を同時に又は夫々個別に噴射するパイプ状で、その噴射側に複数の噴射孔を設けたノズルを複数個、隙間なく同一平面内に並設したプラナー構造のノズル群を装置内部に設置し、前記ノズル群のノズルとノズルの間に隙間なく冷却パイプを夫々設けることにより前記ノズル群を冷却するノズル冷却機構を設けたことを特徴とするものである。
（２）本発明は、大気中で基板をセッターに装着する基板装着部と、真空排気を行う仕込み部と、基板を加熱しながら有機金属化合物とジボラン（Ｂ2 Ｈ6）と水（水蒸気）を気相で反応させる有機金属化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型半導体からなる透明導電膜を前記基板上に多層構造で形成するための製膜処理部を複数有する多層製膜処理部と、真空中の前記多層構造の透明導電膜が形成された基板を大気圧に戻す取り出し部と、前記セッターから前記多層構造の透明導電膜が形成された基板を取り外す基板取外し部と、前記基板取外し部において多層構造の透明導電膜が形成された基板が取り外されたセッターを前記基板装着部へリターンさせるセッターリターン部とからなり、前記各部を順次移動しながら基板上に前記多層のｎ型半導体からなる透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するインライン型の多層透明導電膜連続製膜装置に関するものである。
そして、前記多層製膜処理部の各製膜処理部は、ジボランを導電率調整のためのドーパントとして、不活性ガスをキャリアガスとして使用し、有機金属化合物と純水を製膜原料とし、有機金属化合物、ジボラン、純水の前記３つの原料を同時に又は夫々個別に噴射するパイプ状で、その噴射側に複数の噴射孔を設けたノズルを複数個、隙間なく同一平面内に並設したプラナー構造のノズル群を装置内部に設置し、前記ノズル群のノズルとノズルの間に隙間なく冷却パイプを夫々設けることにより前記ノズル群を冷却するノズル冷却機構を設けたことを特徴とするものである。
（３）本発明は、前記仕込み部に予備加熱機構を、前記取り出し部に基板冷却機構を夫々設け、製膜処理部を複数有することで、必要な膜厚を多層構造で製膜しつつ、製膜速度を向上した前記（２）に記載の多層透明導電膜連続製膜装置である。
（４）本発明は、前記セッターが、基板を固定し、製膜装置内各部を移送するための製造治具で、熱伝導度の高い部材であるカーボンコンポジットからなり、その表面に熱伝導性及び機械的強度の高い金属被膜であるニッケルメッキを施すと共に、セッター上に基板固定用のピンを設けた前記（２）に記載の多層透明導電膜連続製膜装置である。
本発明は、前記多層製膜処理部の各製膜処理部における有機金属化合物、ジボラン、純水の３つを同時に又は夫々個別に噴射するパイプ状で、その噴射側に複数の噴射孔を設けたノズルを複数個、隙間なく同一平面内に並設したプラナー構造のノズル群を装置内部に設置し、前記ノズル群を冷却するノズル冷却機構を設けることにより、前記ノズル間が隙間のない１枚構造となり、反応生成物がノズルに堆積するのを防止することができると共に、原料の利用効率を向上することができる。更に、反応生成物がノズルに堆積するのを防止することにより、メインテナンスの必要性をより少なくすることができる。
本発明は、前記セッターに、熱伝導度の高い部材（カーボンコンポジット）を用い、その表面に熱伝導性及び機械的強度の高い金属被膜（例えば、ニッケルメッキ）を施すことにより、均一な透明導電膜を製膜することができる。また、前記セッター上に基板固定用のピンを設けることによって、任意の大きさの基板を処理できる。
本発明は、前記仕込み部に予備加熱機構を、前記取り出し部に基板冷却機構を夫々設け、製膜処理部を複数有し多層膜を製膜しても膜質を劣化させずに、製膜速度を向上させることができる。
本発明の一実施形態は、基板に多層のｎ型半導体からなる多層透明導電膜を連続的に製膜する多層透明導電膜連続製膜装置であり、図１に示すように、大気中で基板Ａをセッター７ａに装着する基板装着部２と、真空排気を行う仕込み部３と、基板を加熱しながら有機金属化合物（例えば、ジエチル亜鉛：Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ）とジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）と純水（水蒸気）を気相で反応させ有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型半導体からなる透明導電膜（例えば、ＺｎＯ）を前記加熱された基板上に形成する製膜処理部を複数（４１〜４ｎ）有する多層製膜処理部４と、前記多層の透明導電膜が形成された基板を大気開放する（大気に戻す）取り出し部５と、前記セッター７ａから前記多層の透明導電膜が形成された基板Ａを取り外す基板取り外し部６と、前記基板取り外し部において多層の透明導電膜が形成された基板が取り外されたセッター７ａを前記基板装着部２へリターンさせるセッターリターン部７とからなり、前記各部を順次移動しながら連続的に基板に多層のｎ型半導体からなる多層透明導電膜を連続的に製膜する。
図１に示す、前記多層製膜処理部４の各製膜処理部４１…４ｎにおいては、ＺｎＯからなる透明導電膜を製膜する場合は、以下のような化学反応が起こる。
主反応は、以下の１、２のとおりであり、
１．Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＋２Ｈ2 Ｏ→Ｚｎ（ＯＨ）2 ＋２Ｃ2 Ｈ6
２．Ｚｎ（ＯＨ）2 →ＺｎＯ＋Ｈ2 Ｏ
ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）がわずかにＺｎＯ中に取り込まれる。
詳細には、
Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＋Ｈ2 Ｏ＋ｎＢ2 Ｈ6 →ＺｎＯ：Ｂ＋２Ｃ2 Ｈ6 ＋ｎＢ2 Ｏ3 で、ｎはごくわずかである。
前記図１に示す、多層製膜処理部の各製膜処理部４１…４ｎは、図２に示す、前記ＭＯＣＶＤ反応を発生する反応物質を噴射する板状（一枚構造）で、且つ、ノズル冷却機能を有する複合ノズル（ノズル群）４Ａを具備し、前記複合ノズル４Ａは有機金属化合物及びジボランを噴射する第１のノズル４ａと純水を噴射する第２のノズル４ｂと冷却用パイプ４ｃからなり夫々が独立しており、これらは、夫々断面形状が略四角形のパイプからなり、第１のノズル４ａ、第２のノズル４ｂ、冷却用パイプ４ｃの順に相互に隙間なく密着して配置（設置）した平板状のプラナー構造で、第１のノズル４ａ及び第２のノズル４ｂの下面（基板設置する側の面）に一定間隔で夫々の反応物質を噴射するための小孔（噴射孔）ｈが設けてある。なお、前記ノズルは、有機金属化合物、ジボラン、純水の３つを１つのノズルから同時に噴射する方式又は有機金属化合物、ジボラン、純水を夫々個別に噴射する方式にすることもできる。前記ノズル４ａ、４ｂ、冷却用パイプ４ｃの断面形状は、相互に隙間なく密着するものであれば、円形等の他の形状でもよい。また、冷却用パイプは、一例であり、図の本数よりも少なく設置することも多く設置することも可能であり、前記のようにノズル群の間に冷却パイプを挿入せずに、ノズル群の噴射側と反対側（裏面）に前記ノズル群に接して冷却パイプ群又は板状の冷却器を設けて、ノズル群全体を冷却する構造でもよく、複合ノズルを独立に、直接冷却できる構造となっていることが特徴である。
この冷却用パイプ４ｃがノズル４ａ、４ｂを冷却して、これらノズル近傍における製膜原料である、有機金属化合物、ジボラン及び純水の反応を抑制する。ノズル４ａ、４ｂと冷却用パイプ４ｃは互いに隙間なく密着した平板状（一枚）構造であるため、原料がノズルの裏や、チャンバー上部に堆積することがない（防着板の機能を有する）ので、原料の使用量が削減する。なお、前記実施例では、透明導電膜としてＺｎＯを製膜する場合について説明したが、酸化アルミＡｌ2 Ｏ3 を製膜する場合は、原料の有機金属化合物はＡｌ（Ｃn Ｈ2n＋1 ）3 好ましくは、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 又はＡｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を使用する。
前記セッター７ａは、基板を固定し、製膜装置内各部を移送するための製造治具で、熱伝導度の高い部材（カーボンコンポジット）からなり、機械的強度が弱いカーボン素材の機械的強度増強のため、その表面に熱伝導度及び機械的強度の高い金属被膜（例えば、ニッケルメッキ）を施す。また、任意の大きさの基板に対応するために基板固定用のピンを設置する。
前記仕込み部３に基板の上面からヒーターにより加熱する予備加熱機構３Ａを、前記取り出し部５に基板の下面から冷却板により冷却する基板冷却機構５Ａを夫々設ける。
図２に示す、本発明の多層透明導電膜連続製膜装置の前記多層製膜処理部４の各製膜処理部４１…４ｎに設置される複合ノズル４Ａ（以下、本発明の複合ノズル４Ａという。）により透明導電膜を製膜した場合と、図６に示す、従来の製膜装置のノズルにより透明導電膜を製膜した場合の透明導電膜の原料の利用効率の比較を下記表１に示す。
Figure 0004918224
表１に示すように、本発明の複合ノズル４Ａの方が従来の製膜装置のノズルと比べて原料の利用効率が良いことが判明した。
本発明の多層透明導電膜連続製膜装置における熱伝導度の高いカーボンコンポジットからなるセッターを使用して透明導電膜を製膜した場合と、従来の製膜装置の加熱用ホットプレート上にそのまま基板をセットして透明導電膜を製膜した場合の透明導電膜の膜特性（シート抵抗の分布）の比較を図３に示す。図３に示すように、本発明の多層透明導電膜連続製膜装置におけるカーボンコンポジットからなるセッターを使用する方が従来の製膜装置の加熱用ホットプレート上にそのままセットする場合と比べて透明導電膜の膜特性（シート抵抗の分布）がより均一であることが判明した。なお、シート抵抗は６〜８〔Ω／□〕範囲で均一に分布している。
本発明の仕込み部３に予備加熱機構３Ａを、取り出し部５に基板冷却機構５Ａを夫々設けた多層透明導電膜連続製膜装置を使用して透明導電膜を製膜した場合と、従来の製膜装置を使用して透明導電膜を製膜した場合の基板処理速度の比較を下記表２に示す。
Figure 0004918224
表２に示すように、本発明の多層透明導電膜連続製膜装置の方が従来の製膜装置と比べて製膜時間が短いことが判明した。
本発明の多層透明導電膜連続製膜装置を使用して透明導電膜を製膜したＣＩＳ系薄膜太陽電池と、従来の製膜装置を使用して透明導電膜を製膜したＣＩＳ系薄膜太陽電池の太陽電池特性の比較を下記表３に示す。
Figure 0004918224
表３に示すように、本発明の多層透明導電膜連続製膜装置の方が従来の製膜装置と比べて太陽電池特性が向上していることが判明した。
更に、本発明のノズルを使用して透明導電膜を連続的に製膜した場合と従来のノズルを使用して透明導電膜をバッチ式で製膜した場合の膜質（シート抵抗）と製膜回数との関係を、図４に示す。
従来のノズル（図６参照。）を使用してバッチ式で繰り返し製膜を行った場合と、本発明のノズル（図２参照。）を使用して連続的に製膜を行った場合の透明導電膜のシート抵抗を比較すると、図４に示すように、従来のノズルを使用した場合、製膜回数が増加するにつれて、ノズルが加熱され、基板上への原料供給が減少することで膜厚が薄くなるため、透明導電膜のシート抵抗が増加し、太陽電池の変換効率が低下するという問題点があったが、本発明のノズルを使用して連続的に製膜を行った場合には、ノズルの冷却機構によって透明導電膜のシート抵抗は一定を示すことが証明された。
本発明の多層透明導電膜連続製膜装置の構成図である。 本発明の多層透明導電膜連続製膜装置の多層製膜処理部の各製膜処理部に設置される複合ノズルの構造を示す図である。 本発明の多層透明導電膜連続製膜装置における熱伝導度の高いカーボン素材からなるセッターを使用して透明導電膜を製膜した場合と、従来の製膜装置の加熱用ホットプレート上に基板をそのままセットして透明導電膜を製膜した場合の透明導電膜の膜特性（シート抵抗の分布）の比較図である。 本発明のノズルを使用して製膜した透明導電膜と従来のノズルを使用して製膜した透明導電膜との繰り返し製膜時の膜質と製膜回数の関係を示す図である。 従来のＭＯＣＶＤ製膜装置の構成図である。 従来のＭＯＣＶＤ製膜装置のノズルの構造を示す図である。
１ 多層透明導電膜連続製膜装置
２ 基板装着部
３ 仕込み部
３Ａ 予備加熱機構
４ 多層製膜処理部
４１ 製膜処理部
４ｎ 製膜処理部
４Ａ 複合ノズル
４ａ 有機金属化合物とジボラン噴射ノズル
４ｂ 水噴射ノズル
４ｃ 冷却用パイプ
５ 取り出し部
５Ａ 基板冷却機構
６ 基板取外し部
７ セッターリターン部
７ａ セッター
Ａ 基板

Claims (4)

  1. 製膜室内部を真空排気後、基板を加熱しながら有機金属化合物とジボラン（Ｂ2 Ｈ6）と水（水蒸気）を気相で反応させる有機金属化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型半導体からなる透明導電膜を前記基板上に形成する透明導電膜製膜装置であって、
    ジボランを導電率調整のためのドーパントとして、不活性ガスをキャリアガスとして使用し、有機金属化合物と純水を製膜原料とし、有機金属化合物、ジボラン、純水の前記３つの原料を同時に又は夫々個別に噴射するパイプ状で、その噴射側に複数の噴射孔を設けたノズルを複数個、隙間なく同一平面内に並設したプラナー構造のノズル群を装置内部に設置し、前記ノズル群のノズルとノズルの間に隙間なく冷却パイプを夫々設けることにより前記ノズル群を冷却するノズル冷却機構を設けたことを特徴とする透明導電膜製膜装置。
  2. 大気中で基板をセッターに装着する基板装着部と、真空排気を行う仕込み部と、基板を加熱しながら有機金属化合物とジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）と水（水蒸気）を気相で反応させる有機金属化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型半導体からなる透明導電膜を前記基板上に多層構造で形成するための製膜処理部を複数有する多層製膜処理部と、真空中の前記多層構造の透明導電膜が形成された基板を大気圧に戻す取り出し部と、前記セッターから前記多層構造の透明導電膜が形成された基板を取り外す基板取外し部と、前記基板取外し部において多層構造の透明導電膜が形成された基板が取り外されたセッターを前記基板装着部へリターンさせるセッターリターン部とからなり、前記各部を順次移動しながら基板上に前記多層のｎ型半導体からなる透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するインライン型の多層透明導電膜連続製膜装置であって、
    前記多層製膜処理部の各製膜処理部は、ジボランを導電率調整のためのドーパントとして、不活性ガスをキャリアガスとして使用し、有機金属化合物と純水を製膜原料とし、有機金属化合物、ジボラン、純水の前記３つの原料を同時に又は夫々個別に噴射するパイプ状で、その噴射側に複数の噴射孔を設けたノズルを複数個、隙間なく同一平面内に並設したプラナー構造のノズル群を装置内部に設置し、前記ノズル群のノズルとノズルの間に隙間なく冷却パイプを夫々設けることにより前記ノズル群を冷却するノズル冷却機構を設けたことを特徴とする多層透明導電膜連続製膜装置。
  3. 前記仕込み部に予備加熱機構を、前記取り出し部に基板冷却機構を夫々設け、製膜処理部を複数有することで、必要な膜厚を多層構造で製膜しつつ、製膜速度を向上したことを特徴とする請求項２に記載の多層透明導電膜連続製膜装置。
  4. 前記セッターは、基板を固定し、製膜装置内各部を移送するための製造治具で、熱伝導度の高い部材であるカーボンコンポジットからなり、その表面に熱伝導性及び機械的強度の高い金属被膜であるニッケルメッキを施すと共に、セッター上に基板固定用のピンを設けたことを特徴とする請求項２に記載の多層透明導電膜連続製膜装置。
JP2005013682A 2005-01-21 2005-01-21 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置 Expired - Fee Related JP4918224B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005013682A JP4918224B2 (ja) 2005-01-21 2005-01-21 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置
KR1020077016656A KR101352412B1 (ko) 2005-01-21 2006-01-20 투명 도전막 제막 장치, 다층 투명 도전막 연속 제막 장치및 이의 제막방법
US11/814,527 US20090203194A1 (en) 2005-01-21 2006-01-20 Transparent conductive film deposition apparatus, film deposition apparatus for continuous formation of multilayered transparent conductive film, and method of forming the film
CN2006800029126A CN101107695B (zh) 2005-01-21 2006-01-20 透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法
PCT/JP2006/300888 WO2006077986A1 (ja) 2005-01-21 2006-01-20 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置並びにその製膜方法
EP06712113.7A EP1860685B1 (en) 2005-01-21 2006-01-20 Transparent conductive film forming apparatus, multilayer transparent conductive film continuously forming apparatus and method of film forming therewith

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005013682A JP4918224B2 (ja) 2005-01-21 2005-01-21 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006203022A JP2006203022A (ja) 2006-08-03
JP4918224B2 true JP4918224B2 (ja) 2012-04-18

Family

ID=36692366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005013682A Expired - Fee Related JP4918224B2 (ja) 2005-01-21 2005-01-21 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090203194A1 (ja)
EP (1) EP1860685B1 (ja)
JP (1) JP4918224B2 (ja)
KR (1) KR101352412B1 (ja)
CN (1) CN101107695B (ja)
WO (1) WO2006077986A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090116809A (ko) * 2007-03-02 2009-11-11 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 진공 코팅 장치
DE102008039337A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Besprühen, Verfahren dazu sowie organisches elektronisches Bauelement
US8071165B2 (en) 2008-08-08 2011-12-06 International Solar Electric Technology, Inc. Chemical vapor deposition method and system for semiconductor devices
DE102009026300A1 (de) * 2009-07-31 2011-02-10 Solibro Gmbh Herstellungsverfahren und Herstellungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmsolarzellen
CN101696492B (zh) * 2009-10-23 2011-10-26 北京航空航天大学 一种制备掺铝氧化锌透明导电薄膜的装置及方法
CN102479877A (zh) * 2010-11-19 2012-05-30 金元求 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池
CN102296285A (zh) * 2011-09-09 2011-12-28 汉能科技有限公司 一种线列式有机金属化合物气相淀积系统及方法
JP5964713B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-03 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP6320824B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 株式会社東芝 ガス供給管、およびガス処理装置
US10533264B1 (en) 2015-12-02 2020-01-14 General Graphene Corp. Apparatus for producing graphene and other 2D materials
CN107164745A (zh) * 2017-05-11 2017-09-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6915771A (ja) * 1968-10-30 1970-05-04
US4128075A (en) * 1973-08-27 1978-12-05 Hobeg Hochtemperaturreaktor-Brennelement G.M.B.H Apparatus for coating fuel fertile or absorber material containing particles for high temperature fuel elements
US6331260B1 (en) * 1990-01-24 2001-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force VD process and apparatus for producing stand-alone thin films
DE69128080T2 (de) * 1990-05-18 1998-02-26 Hitco Technologies Inc., Gardena, Calif. Werkstoffe für cdv-verfahren
JPH0467617A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長用ノズルおよび気相成長装置
US5741615A (en) * 1992-04-24 1998-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Light receiving member with non-single-crystal silicon layer containing Cr, Fe, Na, Ni and Mg
JP2842551B2 (ja) * 1995-02-28 1999-01-06 三洋電機株式会社 半導体薄膜の製造装置
JP3649267B2 (ja) * 1996-10-11 2005-05-18 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド
US5950925A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Ebara Corporation Reactant gas ejector head
JP2001023907A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 成膜装置
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
JP4268303B2 (ja) * 2000-02-01 2009-05-27 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型基板処理装置
EP1289025A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-05 Universite De Neuchatel Procédé de dépot d'une couche d'oxyde sur un substrat et cellule photovoltaique utilisant ce substrat
KR100515052B1 (ko) * 2002-07-18 2005-09-14 삼성전자주식회사 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition

Also Published As

Publication number Publication date
CN101107695B (zh) 2011-11-16
WO2006077986A1 (ja) 2006-07-27
CN101107695A (zh) 2008-01-16
KR101352412B1 (ko) 2014-01-21
KR20070095962A (ko) 2007-10-01
US20090203194A1 (en) 2009-08-13
EP1860685A4 (en) 2010-07-28
EP1860685B1 (en) 2017-07-19
EP1860685A1 (en) 2007-11-28
JP2006203022A (ja) 2006-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4918224B2 (ja) 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置
EP4191688A1 (en) Coating apparatus, method and system, solar cell, module, and power generation system
EP1424735B1 (en) Method for forming light-absorbing layer
US9157145B2 (en) Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources
US8865259B2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
WO2012170166A2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
TWI488313B (zh) 用於大規模處理覆蓋玻璃基板的基於ｃｉｓ和／或ｃｉｇｓ的薄膜的熱管理和方法
US20110262641A1 (en) Inline chemical vapor deposition system
TWI521729B (zh) 用於製造銅銦二硒化物半導體薄膜的方法
KR101044772B1 (ko) 대면적 하향식 ｃｉｇｓ 고속성막공정 시스템 및 방법
JP4703782B2 (ja) 半導体構成要素、特にソーラーセルの金属裏側コンタクトの製造方法
JP6092386B2 (ja) 熱的な方法におけるガラス変形の回避
US20120031604A1 (en) System and method for fabricating thin-film photovoltaic devices
CN102738261A (zh) 衬底处理装置、太阳能电池的制造方法及衬底的制造方法
CN101755330A (zh) 具有线性源的群集工具
US20120315724A1 (en) Method and apparatus for deposition of selenium thin-film and plasma head thereof
KR101237466B1 (ko) 셀렌화에 의한 광흡수층 제조장치
KR101268910B1 (ko) 코팅모재에 대한 ＣＶＤ ＳｉＣ 코팅방법
JP2001214276A (ja) 堆積膜形成装置
EP2430209A1 (en) Process for synthesizing a thin film or composition layer via non-contact pressure containment
WO2011135420A1 (en) Process for the production of a compound semiconductor layer
JP2002064065A (ja) 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池
JP2005072215A (ja) 堆積膜形成装置
JPH06260669A (ja) 半導体素子連続製造装置
TW201225310A (en) Manufacturing method for pre-coated precursor layers of thin-film solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080110

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080730

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20081010

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120120

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120130

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4918224

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees