CN102479877A - 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 - Google Patents
太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102479877A CN102479877A CN2010105709548A CN201010570954A CN102479877A CN 102479877 A CN102479877 A CN 102479877A CN 2010105709548 A CN2010105709548 A CN 2010105709548A CN 201010570954 A CN201010570954 A CN 201010570954A CN 102479877 A CN102479877 A CN 102479877A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- substrate
- cell manufacturing
- manufacturing installation
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种太阳能电池制造装置,包括:真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,该载体装载多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,其特征在于,所述太阳能电池制造装置在以形成多个通孔的覆盖板覆盖所述基板地设置于所述载体上的状态下进行实施干蚀刻,从而在基板表面形成多个微突起。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池,尤其涉及用于制造太阳能电池的太阳能电池制造装置及其系统以及太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是将太阳光转化为电能的装置,使用称为P型半导体和N型半导体的2个种类的半导体发电。
光照射到太阳能电池内部产生电子和空穴,产生的电荷移动至P型半导体、N型半导体,根据此现象P型半导体、N型半导体之间产生电位差(光电动势),此时太阳能电池上连接负荷就会有电流流动。
太阳能电池根据使用的材质大体上分为使用硅材质和化合物材质的两种,硅材质的太阳能电池分为单晶、多晶系硅和非结晶系硅。
目前,太阳能发电系统通常使用的是硅材质的太阳能电池。尤其结晶系硅质的单晶及多晶太阳能电池,因其变换效率佳、可靠性高而被广泛使用。
这种单晶硅质的太阳能电池虽具有效率高等优点,但是还具有制造费用高的缺点。
与此相比,多晶硅质的太阳能电池相比单晶硅基板效率低,但是具有制造费用低廉、可大量生产等优点
如上所述,结晶系材质的太阳能电池,尤其是多晶材质的太阳能电池,因制造低廉、制造简单等优点,其需求正日益提高,而且为完善其效率低的缺点,需要多种解决方案。
发明内容
本发明的目的是提供太阳能电池制造装置,及其系统以及太阳能电池,在结晶系材质的基板表面形成多个微突起,以显著降低反射率来提高太阳能电池效率。
为实现所述的本发明的目的,本发明的太阳能电池制造装置,包括:真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,其中所述载体装载有多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;以及电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,在将形成有多个通孔的覆盖板设置于所述载体以覆盖所述基板的状态下,所述太阳能电池制造装置实施干蚀刻以在基板表面形成多个微突起。
其中,在所述真空腔室的外部或者内部以覆盖板覆盖所述基板。
其中,形成于所述覆盖板的通孔为狭缝。
其中,优选地,形成所述通孔的狭缝的宽度W小于或等于自所述覆盖板的底面至所述基板的距离H的二分之一。
其中,所述通孔具有上下贯通所述覆盖板的柱状形状;在其上端及下端中的至少之一形成有被切开而成向外扩张的切开部。
其中,在所述通孔的上端及下端均形成有所述切开部,形成于下端的切开部更大。
其中,所述覆盖板包括:板状部件,形成多个所述通孔;以及保持间隔部件,设置于所述板状部件边缘,用于保持所述板状部件与所述基板的距离。
其中,所述保持间隔部件为绝缘材质,其中,所述保持间隔部件为透明的石英材质。
其中,优选地,所述板状部件的底面至所述基板的表面的距离为5.0mm~30.0mm。
其中,优选地,所述多个通孔的开口总和为所述板状部件表面积的5%~40%。
其中,在所述板状部件的底面至基板的距离中,优选围绕中央部分的周边部分的距离比中央部分的距离更小。
其中,所述板状部件被构成为上面形成平面,底面向上面方向凹陷。
其中,所述板状部件被构成为具有一定厚度,且自所述周边部分至所述中央部分逐渐凸起。
其中,在所述板状部件的底面形成有曲面或段差。
其中,结合所述板状部件和所述保持间隔部件,优选地,以在所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面相交的部分形成大于90°的角度。
其中,结合所述板状部件和所述保持间隔部件,以使所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面形成平缓的曲面。
其中,所述保持间隔部件的内面俯视观察呈矩形,在所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面相交的部分,优选地,所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面形成大于90°的角度。
其中,所述保持间隔部件的各边与其相邻的边的内面相互形成平缓的曲面。
其中,所述干蚀刻是反应离子蚀刻。
本发明提供太阳能电池制造系统包括:一个以上工序模组;以及基板交换模组,相互交换通过所述工序模组完成工序的基板和将要进行工序的基板。
其中太阳能制造系统包括:移送装置,将装载有将要实施工序的多个基板的载体从所述基板交换模组传送至任意一个所述的工序模组,将装载有已经完成工序的多个基板的载体从任意一个所述的工序模组传送至所述基板交换模组,
其中,所述基板交换模组及所述移送装置在大气压下运行。
还包括缓冲模组,临时装载从所述工序模组导出的载体和/或由所述基板交换模组传送的载体。
其中,在所述基板交换模组或所述缓冲模组,以所述覆盖板覆盖所述基板。
本发明还提供根据权利要求20所述的太阳能电池制造装置制造的太阳能电池。
根据本发明的太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池,在以形成有多个通孔的覆盖板覆盖基板的状态下,进行干蚀刻,从而可以在基板表面形成均匀的微突起。
尤其,在根据本发明的太阳能电池的基板表面即受光面均匀地形成微突起,由此可显著地降低基板的反射率,使太阳能电池的效率极大化。
而且,根据本发明的太阳能电池制造装置,提供了关于形成有多个通孔的覆盖板的最佳结构,从而具有在基板的受光面可以形成更为均匀的微突起的优点。
而且,根据本发明的太阳能电池制造装置,处理大型基板或一次性地处理多个基板时,由于随着大面积化而导致中央部分和周边部分的工序条件有所区别,从而导致了在现有技术中存在对基板的处理不均匀的问题,然而根据本发明的太阳能电池制造装置,改善了中央部分及周边部分的覆盖板的结构,从而在处理多个基板时,根据其位置而导致的基板处理不均匀性的问题可以得到改善。
附图说明
图1是太阳能电池的一实施例概念示意图;
图2是根据本发明的太阳能电池制造装置的截面示意图;
图3是图2的太阳能电池制造装置所使用的覆盖板立体示意图;
图4是图3的IV-IV方向的截面示意图;
图5a及图5b是图2太阳能电池制造装置所使用的变形的覆盖板截面图;
图6是图2的太阳能电池制造装置使用的变形的另一覆盖板的部分截面示意图;
图7是部分显示图2的太阳能电池制造装置所使用的变形的另一覆盖板的平面示意图。
具体实施方式
以下,结合附图对本发明的太阳能电池制造装置及其系统以及太阳能电池进行详细说明。
首先,简要说明适用本发明的太阳能电池。具体如下:
适用本发明的太阳能电池100的一实施例,如图1所示,其包括:硅基板110;半导体层120,形成于硅基板110的受光面;防反射膜130,形成于半导体层120;第一电极140,形成于防反射膜130;以及第二电极150,形成于硅基板110的底面。
硅基板110为单晶或多晶硅,具有P型或者N型半导体特性。此时,半导体层120具有的半导体特性与硅基板110的半导体特性相反。
硅基板110为单晶时,由引上法等形成;多晶时,切割由铸造法形成的硅锭而制造。
另外,作为降低受光面的反射率来提高硅基板110效率的方法,优选地,对其受光面进行粗糙化,即在受光面形成多个微突起220。
作为在硅基板110表面形成微突起220的方法有使用碱性水溶液或者酸性水溶液的湿蚀刻方法,以及使用如反应离子蚀刻(Reactive IonEtching)那样的干蚀刻等方法。
在此,湿蚀刻方法依赖于硅的结晶结构,在具有不规则结晶结构的多晶硅基板上形成均匀的微突起220有一定难度。
与此相比,干蚀刻方法不受硅基板的结晶结构的影响,都可适用,并且具有可均匀地形成微突起220的优点。优选地,通过干蚀刻在基板100的受光面形成微突起220。
以下,对根据本发明的太阳能电池制造装置进行详细说明。
如图2所示,根据本发明的太阳能电池制造装置300被设置为通过干蚀刻在基板100的受光面形成微突起220,其包括:形成有腔门320的真空腔室310;载体支撑部件330,设置于真空腔室310,直接地或者通过载体230支撑基板110;气体喷射部340,设置于载体支撑部330的上侧,用于喷射气体;电源施加部,施加电源以使真空腔室310能够形成等离子。
真空腔室310被设置为能够实施干蚀刻,其可以具有如可相互分离地结合以形成真空的空间等多种结构。
载体支撑部330被设置为直接地或者通过载体230支撑基板110,例如硅基板110装载于载体230时,载体230搭载于载体支撑部330。在此,载体230被设置为装载多个基板110并移送基板110,其可具有多种结构。
气体喷射部340被设置为在真空腔室310内喷射气体以实施干蚀刻,其可具有多种结构。
电源施加部被设置为用于实施干蚀刻。根据不同工序,其可以具有多种结构。作为一个实施例,可以构成为使真空腔室310及气体喷射部340进行接地,并对载体支撑部330施加RF电源360。
另外,优选地,为了在基板110的受光面形成多个均匀的微突起220,将形成有多个通孔的覆盖板设置于所述载体以覆盖所述基板,然后实施干蚀刻。
覆盖板240将气体、等离子化的气体、以及与基板110反应产生的化合物等封锁在覆盖板240及载体230之间的空间内,从而在基板110的受光面可均匀地形成多个微突起220。
尤其,封锁在覆盖板240及载体230之间的物质中,与基板110反应而产生的部分化合物附着于基板110的受光面,附着的化合物作为掩膜,在基板110的受光面形成多个微突起220。
为形成用于封锁气体、等离子化的气体、以及与基板等反应产生的化合物等的空间,覆盖板可以被设置为在载体230上与基板110相隔距离H等,其还可具有多种结构。
即,如图2及图3所示,覆盖板240可以包括:板状部件242,形成有多个通孔241;保持间隔部件243,设置在板状部件边缘,用于保持板状部件和基板110的间隔,即保持距离H。
为形成有多个通孔241,板状部件242可使用板(plate)或网(mesh)状结构等多种部件,可使用对等离子具有较强耐性的铝、铝合金等金属材质,陶瓷材质、玻璃材质等多种材质。
而且,形成于板状部件242的通孔241,如图3所示,可根据设计进行选择,可具有狭缝形状。在此,构成通孔的多个狭缝可形成在板状部件242中且相互平行地排列,其末端与平行设置的相邻狭缝的末端平行或相互错开。
此时,对于覆盖板240而言,即在板状部件242形成的通孔241为狭缝时,形成通孔241的狭缝的宽度W优选为覆盖板240的底面至基板110的距离H的二分之一以下。
根据实验,形成通孔241的狭缝的宽度W为覆盖板240的底面至基板110的距离的二分之一以下时,狭缝的图案不会转印至基板110上、不形成色差,能够均匀地形成微突起220。
而且,如图4所示,通孔241上下贯通覆盖板240,即板状部件242的柱状形状,优选在上端及下端中的至少一个上形成有被切开而成的向外扩张的切开部246、247。
在此,在通孔241的上端及下端均形成切开部246、247,优选在下端形成的更大切开部247。
另外,形成于通孔241的切开部246、247,其面可形成平缓的曲面或平面。在此,切开部246、247形成的平缓的曲面的曲率半径优选的是至少为0.5mm以上。如对形成微突起220没有影响,考虑到加工可能性,可形成更大的尺寸。
作为形成切开部246、247的一实施例,狭缝的宽度W为3mm,板状部件241的厚度为6mm时,则在板状部件241的上面,其垂直深度分别可以约为0.9mm。
由于形成有切开部246、247,因而在其附近可防止产生不稳定的等离子,因此可良好的进行基板处理。
而且,板状部件242的底面至基板110的表面之间的距离H优选为5.0mm~30.0mm。
如果板状部件242的底面至基板110的表面的距离H过大,会抵消设置覆盖板240的效果;如果过小,将出现通孔241的图案转印至基板110而产生斑点等问题。
而且,形成于板状部件242的多个通孔241的开口总和优选为板状部件242表面积的5%~40%。
针对形成于板状部件242的多个通孔241的开口总和,如果开口率过大,则没有封锁气体、等离子化的气体、以及与基板等的反应生成的化合物等的效果;如果开口率过低,则会有对气体、等离子化的气体供给不足的问题。
保持间隔部件243被设置为在板状部件242及载体230之间形成空间从而使得板状部件242与载体230,即与基板110的表面保持一定的距离H的结构,其可形成多种结构。
而且,如图5a及5b所示,优选地,在板状部件242的底面至基板110的距离H中,与中央部分的距离相比,围绕中央部分的周边部分的距离更小。
如上所述的板状部件242的底面至基板110的距离H,如图5a及5b所示,如果与中央部分的距离相比围绕中央部分的周边部分的距离更小时,针对位于中央部分的基板110以及位于周边部分的基板110,可无色差地更均匀地形成微突起220。
在此,如图5a所示,板状部件242被形成为上面为平面,底面向上面方向凹陷;或如图5b所示,板状部件242被形成为具有一定厚度的板,从周边部分至中央部分凸起等,但板状部件242也可以具有其他各种形状结构。
尤其,板状部件242的底面可形成曲面或者段差。
而且,板状部件242的底面设置有至少一个能够稳定地维持与基板110之间的距离H的柱状体或壁体。
而且,对于板状部件242的底面至基板110的距离H,作为将围绕中央部分的周边部分的距离设置成小于中央部分的距离的方法,装载基板110时,可以将中央部分装载成高于围绕中央部分的周边部分。
即,针对板状部件242的底面至基板110的距离H,作为将围绕中央部分的周边部分的距离设置成小于中央部分的距离的方法,在装载有基板110的载体支撑部330或载体230的上面,在与各基板110对应的位置,将围绕中央部分的周边部分的高度设置成高于中央部分的高度。
另外,板状部件242的底面和保持间隔部件243的内面的结合角度小于90°时,在其附近会发生异常放电或者强放电,从而会阻碍在基板110表面形成微突起220。
由此,如图6所示,在板状部件242的底面和保持间隔部件243相交的部分248上,优选地,板状部件242的底面和保持间隔部件243形成大于90°的角度。
在此,结合所述板状部件242和所述保持间隔部件243时,使板状部件242的底面和保持间隔部件243的内面形成平缓的曲面。在此,平缓的曲面的曲率半径优选为约大于2mm。
另外,板状部件242的底面和保持间隔部件243的底面与各面形成大于90°的平面。
而且,当保持间隔部件243的各边的内面与相邻边的内面在相交的部分形成小于90°的角度时,如上所述,在其附近会发生异常放电或者强放电,从而阻碍在基板110的表面形成微突起220。
由此,如图7所示,保持间隔部件243的内面从俯视方向观察时呈矩形,保持间隔部件243的各边的内面与相邻边的内面在相交的部分249优选形成大于90°的角度。
在此,保持间隔部件243的各边内面与相邻的边的内面可形成平缓的曲面。在此,平缓的曲面的曲率半径优选约大于2mm。
而且,保持间隔部件243的各边的内面和相邻的边的内面可形成大于90°角度的平面。
另外,板状部件242可使用金属材质,但为防止在板状部件242上通电,优选使用绝缘材质。
在此,保持间隔部件243可采用石英材质等透明的材质,从而可对由板状部件242及载体230形成的空间进行观察。
而且,虽然说明了保持间隔部件243与板状部件242结合的结构,但是也可以不与板状部件242结合,而与载体230结合,或可分离地设置于载体230上。
而且,当处理多个基板110时,为确保对各基板110的处理的一致性,在覆盖板240的底面和载体230之间形成或设置一个以上隔离壁(未图示),用于分隔载体230及覆盖板240形成的空间,从而将载体230及覆盖板240所形成的空间分隔为多个。
另外,具有所述结构的太阳能电池制造装置300,可用于太阳能电池制造系统的工序模组。
即,根据本发明的太阳能电池制造系统,包括:所述的一个以上太阳能电池制造装置的工序模组;基板交换模组,将载体230上的完成工序的基板110交换成将要实施工序的基板110。
基板交换模组被构成为:在载体230上装载将要实施工序的基板110或导出已经完成工序的基板110,但还可以具有多种结构。基板交换模组可以被构成为在载体230上,以将要实施工序的基板110自动或手动交换已经完成工序的基板110。
另外,根据本发明的太阳能电池制造系统包括移送装置,用于在实施工序时,将装载多个基板110的载体230从基板交换模组转送至任意一个工序模组,将装载有已经完成工序的多个基板100的载体230从任意一个工序模组转送至基板交换模组。
在此,基板交换模组及移送装置可以在大气压下运行,此时,针对工序模组,在实施工序所需的真空压和因交换载体而开放的大气压之间出现压力转换。
另外,太阳能电池制造系统还包括缓冲模组,用于临时装载从工序模组导出的载体230和/或从基板交换模组转送的载体230。
只要是能够临时保管载体230的结构,缓冲模组均可以采用,并且与基板交换模组相同,可在大气压下运行。
如上所述的太阳能电池制造系统的结构为依次设置基板交换模组和工序模组的流线式(in line type)结构,以及沿着以移送机械臂进行移送的移送路径排列多个工序模组的群组式(cluster type)结构。
在此,移送机械臂被构成为能够沿导轨移动,用于移送装载有基板110的基板交换模组、工序模组、以及缓冲模组。
根据具有上述结构的太阳能电池制造装置制造的太阳能电池,详细说明如下。
根据本发明的太阳能电池制造装置以通过干蚀刻在硅基板110的受光面形成多个微突起220为目的,其特征在于:以覆盖板240覆盖基板110后,实施干蚀刻,在基板110的受光面形成微突起220。
此时,覆盖板240可以在载体230搭载至载体支撑部330前或者之后覆盖基板110。
但是当覆盖板240在基板110搭载至载体支撑部330之后覆盖基板110时,需要在真空腔室310内部设置覆盖及去除覆盖板240的结构,因此真空腔室310的结构会变得复杂。
由此,更优选地,在真空腔室310的外部,覆盖板240设置于装载有基板110的载体230上,然后再将其搭载至真空腔室310内的载体支撑部330。
尤其,覆盖板240在基板交换模组或者缓冲模组中,由覆盖板240覆盖基板110。
另外,所述太阳能电池制造装置实施的工序条件根据基板110的材质、太阳能电池结构等可具有多种结构。
对用于形成多数微突起220的工序条件的一实施例说明如下。
注入到真空腔室110的气体是包括F以及Cl的气体,例如包括CHF3、Cl2、O2、SF6等的气体,可使用18~25sccm的CHF3、48~52sccm的Cl2、9~11sccm的O2、75~82sccm的SF6。其中可以还包括H2O。
反应压力约为7Pa~8Pa,施加的电源约为500W左右,工序时间约为3分钟-10分钟。
另外,如上所述,在基板110的受光面上通过干蚀刻形成微突起220后,为了进行形成半导体层等后续工序,有必要去除附着在基板110的化合物。
作为去除附着于基板的化合物的方法,具有:将基板110浸于装有水等去除液的容器内然后施加超声波以去除化合物的方法;以及将基板110浸于装有HF水溶液的容器内进行去除的方法。
另外,在基板110的表面形成多个微突起220后,基板110依次通过半导体层形成步骤、反射膜形成步骤及电极形成步骤被制成太阳能电池。
另外,以上以结晶系硅基板的受光面进行粗糙化的方案对根据本发明的太阳能电池制造装置及其系统进行了说明,但是除结晶系硅基板以外,本发明还可以适用非结晶系硅基板、玻璃基板、金属、塑料等基板而不受基板材质的限制,只要是以粗糙地形成基板表面为目的均可适用。
以上仅对可以实施本发明的部分优选实施例进行了说明,本发明的范围不限于所述的实施例,所述说明的本发明的技术思想和以其基础的技术思想都属于本发明的保护范围。
Claims (25)
1.一种太阳能电池制造装置,包括:真空腔室,形成有腔门;载体支撑部,设置于所述真空腔室,搭载有载体,其中所述载体装载有多个结晶系硅基板;气体喷射部,设置于所述载体支撑部上侧,用于喷射气体;以及电源施加部,施加电源使真空腔室内产生等离子,其特征在于,
在将形成有多个通孔的覆盖板设置于所述载体以覆盖所述基板的状态下,所述太阳能电池制造装置实施干蚀刻以在基板表面形成多个微突起。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
在所述真空腔室的外部或者内部以覆盖板覆盖所述基板。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
形成于所述覆盖板的通孔为狭缝。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
形成所述通孔的狭缝的宽度W小于或等于自所述覆盖板的底面至所述基板的距离H的二分之一。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述通孔具有上下贯通所述覆盖板的柱状形状;在其上端及下端中的至少之一形成有被切开而成向外扩张的切开部。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
在所述通孔的上端及下端均形成有所述切开部,
形成于下端的切开部更大。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,所述覆盖板包括:
板状部件,形成有多个所述通孔;以及
保持间隔部件,设置于所述板状部件边缘,用于保持所述板状部件与所述基板的距离。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述保持间隔部件为绝缘材质。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述保持间隔部件为透明的石英材质。
10.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述板状部件的底面至所述基板的表面的距离为5.0mm~30.0mm。
11.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述多个通孔的开口总和为所述板状部件表面积的5%~40%。
12.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
在所述板状部件的底面至基板的距离中,围绕中央部分的周边部分的距离比中央部分的距离更小。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述板状部件被构成为上面形成平面,底面向上面方向凹陷。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述板状部件被构成为具有一定厚度,且自所述周边部分至所述中央部分逐渐凸起。
15.根据权利要求12所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
在所述板状部件的底面形成有曲面或段差。
16.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述板状部件和所述保持间隔部件被结合以在所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面相交的部分形成大于90°的角度。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述板状部件和所述保持间隔部件被结合以使所述板状部件的底面和所述保持间隔部件的内面形成平缓的曲面。
18.根据权利要求7所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述保持间隔部件的内面俯视观察呈矩形,
在所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面相交的部分,所述保持间隔部件的各边的内面与其相邻的边的内面形成大于90°的角度。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,
所述保持间隔部件的各边与其相邻的边的内面相互形成平缓的曲面。
20.根据权利要求1至19任一项所述的太阳能电池制造装置,其特征在于,所述干蚀刻是反应离子蚀刻。
21.一种太阳能电池制造系统,包括:
一个以上根据权利要求1至19任一项所述的太阳能电池制造装置的工序模组;以及
基板交换模组,相互交换通过所述工序模组完成工序的基板和将要进行工序的基板。
22.根据权利要求21所述的太阳能制造系统,其特征在于,包括:
移送装置,将装载有将要实施工序的多个基板的载体从所述基板交换模组传送至任意一个所述的工序模组,将装载有已经完成工序的多个基板的载体从任意一个所述的工序模组传送至所述基板交换模组,其中,所述基板交换模组及所述移送装置在大气压下运行。
23.根据权利要求22所述的太阳能制造系统,其特征在于,还包括缓冲模组,临时装载从所述工序模组导出的载体和/或由所述基板交换模组传送的载体。
24.根据权利要求23所述的太阳能制造系统,其特征在于,
在所述基板交换模组或所述缓冲模组,以所述覆盖板覆盖所述基板。
25.一种根据权利要求20所述的太阳能电池制造装置制造的太阳能电池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105709548A CN102479877A (zh) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105709548A CN102479877A (zh) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102479877A true CN102479877A (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=46092433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010105709548A Pending CN102479877A (zh) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102479877A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107919262A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置 |
CN108054245A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-05-18 | 常州比太黑硅科技有限公司 | 一种干法制绒设备工艺反应腔 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693211A (en) * | 1985-01-10 | 1987-09-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Surface treatment apparatus |
JP2004031723A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20040035532A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-26 | Soon-Jong Jung | Etching apparatus for use in manufacturing a semiconductor device and shield ring for upper electrode thereof |
US7128975B2 (en) * | 2003-01-28 | 2006-10-31 | Kyocera Corporation | Multicrystalline silicon substrate and process for roughening surface thereof |
CN101107695A (zh) * | 2005-01-21 | 2008-01-16 | 昭和砚壳石油株式会社 | 透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法 |
CN101719479A (zh) * | 2008-10-09 | 2010-06-02 | 金炳埈 | 移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装置 |
CN101859723A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-13 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交换方法以及基板处理装置 |
CN102024674A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 金炳埈 | 基片处理装置及为此使用的覆盖构件 |
-
2010
- 2010-11-19 CN CN2010105709548A patent/CN102479877A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693211A (en) * | 1985-01-10 | 1987-09-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Surface treatment apparatus |
JP2004031723A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20040035532A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-26 | Soon-Jong Jung | Etching apparatus for use in manufacturing a semiconductor device and shield ring for upper electrode thereof |
US7128975B2 (en) * | 2003-01-28 | 2006-10-31 | Kyocera Corporation | Multicrystalline silicon substrate and process for roughening surface thereof |
CN101107695A (zh) * | 2005-01-21 | 2008-01-16 | 昭和砚壳石油株式会社 | 透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法 |
CN101719479A (zh) * | 2008-10-09 | 2010-06-02 | 金炳埈 | 移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装置 |
CN101859723A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-13 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交换方法以及基板处理装置 |
CN102024674A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 金炳埈 | 基片处理装置及为此使用的覆盖构件 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107919262A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置 |
CN107919262B (zh) * | 2016-10-06 | 2020-03-10 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置 |
CN108054245A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-05-18 | 常州比太黑硅科技有限公司 | 一种干法制绒设备工艺反应腔 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8293558B2 (en) | Method for releasing a thin-film substrate | |
US20170345957A1 (en) | Three-dimensional thin film semiconductor substrate with through-holes and methods of manufacturing | |
CN101842910B (zh) | 用于制造光电转换器件的方法 | |
TWI511308B (zh) | 製造部分透明之太陽能板之裝置及方法 | |
CN101882646B (zh) | 薄膜太阳能电池沉积夹具 | |
JP2011517136A (ja) | ウェーハベースのソーラパネルの作製方法 | |
US20130171808A1 (en) | Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing | |
KR101957832B1 (ko) | 기판처리장치 | |
CN102460716A (zh) | 高生产率多孔半导体制造设备 | |
TW201003778A (en) | Dry etching apparatus | |
KR101100284B1 (ko) | 박막 증착 장치 | |
CN102714227A (zh) | 用于高效锥体三维太阳能电池的结构和方法 | |
EP2254162A2 (en) | A light-transmission thin film solar module and a process for the manufacturing thereof | |
CN101880868A (zh) | 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒 | |
CN103125016A (zh) | 具有纹理形成面的硅基板及其制造方法、包含硅基板的太阳能电池 | |
CN102222723A (zh) | 太阳能电池制造方法及采用该方法制造的太阳能电池 | |
CN102479877A (zh) | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 | |
CN102024674B (zh) | 基片处理装置及为此使用的覆盖构件 | |
CN101859801B (zh) | 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 | |
WO2010102306A1 (en) | Method for releasing a thin-film substrate | |
KR101447162B1 (ko) | 박막증착을 위한 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한미세결정질 실리콘 박막의 증착방법 | |
US20150125986A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
CN102569497A (zh) | 在基板上形成减反射膜的方法、太阳能电池片及制备方法 | |
JP2006332509A (ja) | 粗面化法 | |
CN211079326U (zh) | 一种兼容大尺寸硅片的pecvd石墨载板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120530 |