CN107919262B - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107919262B CN107919262B CN201710003243.4A CN201710003243A CN107919262B CN 107919262 B CN107919262 B CN 107919262B CN 201710003243 A CN201710003243 A CN 201710003243A CN 107919262 B CN107919262 B CN 107919262B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tray cover
- substrate processing
- tray
- processing apparatus
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 63
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 63
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种利用等离子在基板表面形成多个凹凸部的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，其特征在于，包括：上侧开口的工序腔室(100)，以及结合于所述腔室主体(110)且形成密闭的处理空间(S)，并且通电接地的上部盖板(120)；及基板支承部(130)，设置于所述工序腔室(100)，施加多个RF电源，并且支承安置有多个基板(10)的托盘(20)；及气体喷射部(140)，设置于所述处理空间(S)的上侧，喷射用于执行基板处理的气体；及托盘封盖部(150)，可上下移动地设置于所述工序腔室(100)，形成多个开口部(152)，使借助于所述气体喷射部(140)喷射的气体流入；及上下移动部(200)，设置于所述工序腔室100上侧，为了防止向所述工序腔室(100)装入和移出所述托盘(20)时受到干涉，将所述托盘封盖部(150)上下移动；及多个通电部件(160)，将所述托盘封盖部(150)及所述上部盖板(120)通电连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置(Substrate processing apparatus)，尤其涉及一种利用等离子在基板表面形成多个凹凸部的基板处理装置。
背景技术
基板处理装置是一种由真空腔室和基板支承架构成的装置，真空腔室形成有密闭的内部空间，基板支承架设置于真空腔室内从而安置基板，向内部空间注入处理气体的同时，施加电源从而蚀刻或沉积基板表面。
借助于所述基板处理装置处理的基板有半导体用晶片、LCD板用玻璃基板、太阳能用基板等。
作为所述基板处理装置的一例，有一种基板处理装置，在基板支承架上安置太阳能用基板后，覆盖在基板上侧形成多个开口部的封盖部件，在基板表面执行真空处理，从而使基板表面形成微小的凹凸部。
如上所述，作为利用保护部件在基板表面形成多个凹凸部的基板处理装置，韩国公开专利公报公开了第10-2011-0029621号专利。
另外，利用保护部件在基板表面形成凹凸部的以往基板处理装置是在保护部件与多个基板一起安置于托盘的状态下，向工序腔室装入和移出。
并且，执行工序时，使保护部件上升至一定温度，执行工序前，需要加热保护部件的时间，根据额外需要的为了使保护部件温度上升的时间，从而增加全部工序时间，存在造成生产量效率降低的问题。
另外，以往的基板处理装置一般结构为，向支承托盘的托盘支承部施加RF电源，使工序腔室和花洒接地从而执行工序等，施加一个以上的RF电源，从而在保护部件覆盖的空间中形成等离子从而执行工序。
但是，以往的基板处理装置是在保护部件安置在绝缘体托盘上的状态下移送，根据RF电源的施加，执行工序时与腔室内的其他部件无电连接，使保护部件在工序腔室内成为通电浮动(floating)状态，在除了保护部件及托盘之间空间的其他空间也形成等离子，从而存在工序效率低下的问题。
发明内容
(要解决的问题)
本发明的目的是为了解决所述的问题，为了在基板表面上形成微小的凹凸部，将形成有多个开口的托盘封盖部设置于工序腔室内，只在托盘封盖部及托盘之间的空间形成等离子从而执行工序，以至提供一种可以较快地提升工序效率的基板处理装置。
本发明的另一个目的在于，为了在基板表面上形成微小的凹凸部，将形成有多个开口的托盘封盖部设置于工序腔室内，可上下移动地设置托盘封盖部，从而提供一种可以执行最佳工序的基板处理装置。
(解决问题的手段)
本发明是为了达成上述的本发明的目的而创造，本发明公开一种基板处理装置，其特征在于，包括：上侧开口的工序腔室100，及包括结合于所述腔室主体110并形成密闭的处理空间S，并且通电接地的上部盖板120；及基板支承部130，设置于所述工序腔室100，施加一个以上的RF电源，并且支承安置有一个以上基板10的托盘20；及气体喷射部140，设置于所述处理空间S的上侧，喷射用于执行基板处理的气体；及托盘封盖部150，可上下移动地设置于所述工序腔室100，形成多个开口部152，使借助于所述气体喷射部140喷射的气体流入；及上下移动部200，设置于所述工序腔室100上侧，为了防止向所述工序腔室100装入和移出所述托盘20时受到干涉，将所述托盘封盖部150上下移动；及一个以上通电部件160，将所述托盘封盖部150及所述上部盖板120通电连接。
所述通电部件160由多个构成，在所述托盘封盖部150及所述上部盖板120之间沿着所述托盘封盖部150的边缘设置。
所述通电部件160是随着所述托盘封盖部150和所述上部盖板120之间间隔的减少而可弯曲的、具有伸缩性的束带。
所述通电部件160根据所述托盘封盖部150和所述上部盖板120之间间隔的减少，具有向所述托盘封盖部150上面中央部分可弯曲的材质。
所述通电部件160的一端结合于所述托盘封盖部150的上面边缘部分，是借助于将多个通电部件160结合于所述托盘封盖部150的通电部件结合部154结合。
所述托盘封盖部150的结构为，平面形状为直四角形。
所述通电部件160由多个构成，所述通电部件160弯曲时，为了防止与邻接的通电部件160形成干涉，在对应于所述托盘封盖部150顶点的区域上，以比剩余区域大的间隔配置。
所述通电部件160由多个构成，所述通电部件160弯曲时，为了防止与邻接通电部件160形成干涉，在最接近所述托盘封盖部150的直四角形顶点配置的所述通电部件160与所述托盘封盖部150的边缘形成倾斜从而配置。
所述上下移动部200包括：一个以上的升降杆210，结合于所述托盘封盖部150，并且贯通所述上部盖板120；及上下驱动部230，驱动所述升降杆210的上下移动，使所述托盘封盖部150上下移动。
所述上下移动部200还包括：多个升降杆210；及杆连接部220，在所述上部盖板120的上侧与所述多个升降杆210结合，并且借助于所述上下驱动部230驱动上下移动。
所述杆连接部220包括：主杆连接部222，与所述上下驱动部230结合；及子杆连接部224，为了将所述上下驱动部230和所述多个升降杆210之间进行连接，从所述主杆连接部222起分离从而与升降杆210结合。
所述升降杆210与所述杆连接部(220)结合，并且相对于所述杆连接部220可进行相对水平移动。
所述基板处理装置执行反应性离子蚀刻工序。
(发明的效果)
根据本发明的基板处理装置，为了在基板表面上形成微小的凹凸部，将形成有多个开口的托盘封盖部设置于工序腔室内，从而不再需要提升在工序腔室外部冷却的托盘封盖部的温度的工序时间，具有减少整体工序时间从而增大生产效率的优点。
并且，根据本发明的基板处理装置，将托盘封盖部可上下移动地设置，从而具有根据工序条件可以调整高度，可以执行最佳工序的优点。
并且，根据本发明的基板处理装置，设置于工序腔室外部，结合于构成将托盘封盖部上下移动的上下移动部的部件之间时，在结合部位上，部件一部分向水平方向可移动结合，从而减少构成由自重、热等变化引起的上部盖板变形的上下移动部的部件之间的磨损或压力，具有加长维护时间以及减少维护费用的优点。
并且，根据本发明的基板处理装置，将托盘封盖部通电接地，从而只在托盘封盖部及托盘之间的空间形成等离子，由此相对较小输出的增加电源也稳定，有可以执行均匀基板处理以及较快提升工序效率的优点。
此时，根据本发明的基板处理装置，通过较强导电性的束带将托盘封盖部接地，从而具有不仅在工序腔室内的托盘封盖部上下方向移动，还可以稳定维持接地状态的优点。
附图说明
图1a及图1b是根据本发明的基板处理装置示出的截面图。
图2是图1a及图1b的基板处理装置中示出的上下移动部的立体图。
图3是图2的Ⅰ-Ⅰ方向截面图。
图4是图1a及图1b的基板处理装置中示出的上下移动部的变形例的立体图。
图5是示出图2的上下移动部的平面图。
图6是示出根据本发明第1实施例的上下移动部的结构一部分的立体图。
图7a是扩大图2的A部分从而示出根据本发明第2实施例的上下移动部的立体图。
图7b是图7a的分解立体图。
图8是图11的Ⅱ-Ⅱ方向截面图。
图9是图11的Ⅲ-Ⅲ方向截面图。
图10是将根据本发明第3实施例的上下移动部的结构一部分扩大示出的扩大立体图。
图11是图10的分解立体图。
图12是将根据本发明第3实施例的上下移动部的结构一部分扩大示出的正面图。
图13是将图2的B部分扩大示出的扩大图。
图14是将图13的结构一部分示出的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的基板处理装置进行说明。
根据本发明的基板处理装置，如图1a至图13所示，包括：形成密闭的处理空间S的工序腔室100；及基板支承部130，设置于所述工序腔室100，施加多个的RF电源，并且支承安置有多个基板10的托盘20；及气体喷射部140，设置于所述处理空间S的上侧，喷射用于执行基板处理的气体；及托盘封盖部150，可上下移动地设置于所述工序腔室100，形成多个开口部152，使借助于所述气体喷射部140喷射的气体流入。
此处，作为基板处理对象的基板10如果是需要执行在表面形成多个微小凹凸部的工序的基板，任何基板都可以。特别是，也可以是通过蚀刻需要在表面形成微小凹凸部的单晶硅、多晶硅等太阳电池用基板。
所述托盘20的结构为，将多个基板10，特别是移送多个基板10的结构，根据基板10的种类和真空处理工序，其材质和形状可以具有多重结构。此处，托盘20使用的是类似于硼硅玻璃(pyrex)的较强等离子材质，作为一种在基板10安置的状态下用于将基板10移送的结构，基板10直接安置在基板支承部130上也当然不是必须的。
所述工序腔室100作为一种形成用于基板处理的密闭内部空间的结构，根据基板处理工序可以是多种结构，如图1所示，所述工序腔室100的结构可以是，包括腔室主体110和上部盖板120，腔室主体110的上侧开口，并且形成多个闸门，上部盖板120与腔室主体110相互可拆卸结合从而形成处理空间S。此处，依据本发明的基板处理装置执行的基板处理工序具代表性的是蚀刻工序，特别是RIE(反应性离子蚀刻)工序。
此时，优选为，所述工序腔室100的腔室主体110和上部盖板120中至少一个是通电接地的。
并且，所述工序腔室100设置有如下用于执行真空处理工序的装置，气体喷射部140，从气体供给装置(未图示)收到供给向内部空间S喷射处理气体，及基板支承部130，基板10通过托盘20安置，排气系统，用于调节内部空间S内的压力以及排气。
所述基板支承部130的结构为，在与工序腔室100电绝缘的状态下设置，施加多个RF电源，支承安置有多个基板10的托盘20，也可以是多种结构。
另外，所述基板支承部130为了执行基板处理，在工序腔室100和气体喷射部140接地时，可以施加一个或两个RF电源。
所述基板支承部130的结构为，可以与腔室主体110以多种结构结合，作为一例，可以从腔室主体110的下侧向上侧与工序腔室100结合。
此时，优选为，所述腔室主体110和基板支承部130需要相互电绝缘，在腔室主体110和基板支承部130的结合面之间，设置一个具有绝缘材质的多个绝缘部件(未图示)。
并且，在所述腔室主体110和所述基板支承部130之间的结合部位，设置多个的密封部件，为了维持内部空间S与外部隔离的密闭状态。
另外，所述基板支承部130的结构为，设置多个用于将托盘20上下移动的提升杆132，使借助于搬送机器人(未图示)的托盘20可以装入或移出。
所述气体喷射部140的结构为，设置于处理空间S的上侧，并且喷射用于执行基板处理的气体，根据喷射气体的种类、数字等可以具有多种结构。
所述气体喷射部140，优选为，设置于上部盖板120，从而与上部盖板120一起通电接地。
所述托盘封盖部150根据其使用目的可以是多种结构，如图1a至图4所示，由一种金属板151构成，从而形成多个开口部152，使气体通过。
所述开口部152的结构为，从气体喷射部140喷射的气体可以由多种图案及大小形成，使基板处理在基板10上面执行。
另外，这是举例为了达到规定的目的从而使用的情况，所述托盘封盖部150借助于在安置基板10的托盘20中间空间形成的等离子，将基板10表面被蚀刻的残渣物质锁在托盘封盖部150和托盘20的中间空间，从而残渣物质附着在基板10的表面，形成微小凹凸部等。
此时，考虑到锁住残渣的效果及由残渣引起的凹凸部形成速度，所述托盘封盖部150和托盘20之间的距离优选为维持在5mm-30mm。
并且，所述托盘封盖部150根据基板处理工序可以使用多种材质，优选为，使用等离子较强的材质，可以具有铝或合金材质。
另外，如图1a及图1b所示，根据本发明的基板处理装置还包括一个将托盘封盖部150上下移动的上下移动部200，目的是在托盘20向工序腔室100内装入或移出时，为了防止与设置于处理空间S的托盘封盖部150形成干涉。
此处，所述图1a及图1b为了方便说明，将托盘封盖部150的上下移动进行了夸张式的图示。
所述上下移动部200的结构为，将托盘封盖部150相对于工序腔室100上下移动，也可以是多种结构。
作为一例，所述上下移动部200包括：多个的升降杆210，结合于托盘封盖部150的上面，并且贯通工序腔室100的上部盖板120；及上下驱动部230，设置于上部盖板120的上侧，并且驱动升降杆210的上下移动。
所述升降杆210的结构为，结合于托盘封盖部150的上面从而上下移动，以至托盘封盖部150上下移动，也可以是多种结构。
所述上下驱动部230的结构为，驱动升降杆210的上下移动，也可以是多种结构。
所述上下驱动部230的结构为，与上部盖板120的上侧，即可以从处理空间S的外部与升降杆210结合。
作为一例，如果所述上下驱动部230可以使杆连接部220上下方向直线运动，就可以应用于多种驱动系统，作为一例，所述上下驱动部230可以是以油压、气压等为驱动力的压力气缸，但不受其所限定。
作为一例，所述上下移动部200包括多个升降杆210。
此时，所述上下移动部200还包括一个杆连接部220，从工序腔室100的上侧与多个升降杆210结合。
所述杆连接部220的结构为，连接多个的升降杆210之间，可以是多种结构。
作为一例，所述杆连接部220包括：主杆连接部222，与上下驱动部230结合；及子杆连接部224，为了连接上下驱动部230和多个升降杆210之间，从主杆连接部222起分离与升降杆210结合。
所述主杆连接部222的结构为，如图2所示，用于将多个升降杆210结合于一个上下驱动部230，可以是多种结构。
作为一例，所述主杆连接部222可以是与上下驱动部230结合，并且是自身垂直于上下方向(Z方向)的X轴方向的杆部(rod)。
所述子杆连接部224的结构为，为了连接上下驱动部230和升降杆210之间，从主杆连接部222分离与升降杆210结合，可以是多种结构。
作为一例，若所述主杆连接部222是垂直于上下方向(Z方向)的X轴方向的杆部(rod)情形，子杆连接部224可以是连接升降杆210和主杆连接部222之间的杆部，并且是自身沿Y轴方向的杆部(rod)。
此时，优选为，所述子杆连接部224以主杆连接部222为中心对称分离，在分离的两端与一对升降杆210结合。
所述子杆连接部224可以通过升降杆210和螺栓部件300结合，但不受其所限定。
所述杆连接部220与一个上下驱动部230和多个升降杆210分别结合，从而可以同步升降杆210的上下方向移动。
另外，如图4所示，所述上下移动部200包括多个上下驱动部230。
具体来说，所述上下移动部200包括：中央驱动部230a，驱动对应于托盘封盖部150的上面中央部的升降杆210的上下移动；及外廓驱动部230b，驱动对应于托盘封盖部150的上面外廓部的升降杆210的上下移动。
此时，所述杆连接部220包括：中央杆连接部220a，连接对应于托盘封盖部150的上面中央部的升降杆210之间；及外廓杆连接部220b，连接对应于托盘封盖部150的上面外廓部的升降杆210之间。
此时，所述中央杆连接部220a由主杆连接部222a和子杆连接部224a构成。
相同地，所述外廓杆连接部220b当然可以由主杆连接部222b和子杆连接部224b构成。
所述中央驱动部230a可以通过所述中央杆连接部220a驱动对应于中央部的升降杆210的上下移动。
相同地，外廓驱动部230b可以通过所述外廓杆连接部220b驱动对应于外廓部的升降杆210的上下移动。
本发明包括多个上下驱动部230，托盘封盖部150的中央部和外廓部的升降程度可以留有差异，可以防止从托盘封盖部150的中央部由于自重产生的下垂现象。
另外，如图7至图9所示，所述上下移动部200还可包括:引导部240，引导升降杆210沿上下方向移动。
所述引导部240包括：一对导杆242，自身沿垂直方向设置在升降杆210的两侧；及引导移动部件244，与升降杆210结合从而与升降杆210一起沿上下方向移动，并且形成一对贯通孔，使一对导杆242可相对移动地插入。
如图7至图9所示，所述引导部240可以设置于上部盖板120上侧的下部构造物252与上部构造物254之间。
此时，所述引导移动部件244在升降杆210和杆连接部224之间与升降杆210和杆连接部224分别通过螺栓部件300结合，但不受其所限定。
另外，所述升降杆210与位于处理空间S内部的托盘封盖部150的上面固定结合，杆连接部件220和上下驱动部230位于处理空间S的外部，若发生根据自重、热等的变化引起的上部盖板120变形(水平方向膨胀/收缩或上下方向弯曲等)，如图5所示，则会发生以上部盖板120的中央M为中心的升降杆210的水平方向位置变化(箭头方向)。
所述升降杆210的水平方向位置变化可能导致由于升降杆210、引导部240及杆连接部220之间的结合部位的压力引起的磨耗或类似摩擦的损伤。
作为一例，优选为，所述升降杆210对于杆连接部220可相对水平移动地与杆连接部220结合。
为了使所述升降杆210可相对水平移动地结合，如图5所示，第1结合部位C1和第2结合部位C2中至少一个需要在结合的部件之间，向水平方向可线形移动地结合。
所述第1结合部位C1意味着主杆连接部222和子杆连接部224之间的结合部位，第2结合部位C2意味着子杆连接部224和升降杆210之间的结合部位。
以下，参照图6根据本发明第1实施例的上下移动部200进行详细说明。
此处，在图6的图面上省略了引导部240和设置引导部240的上部构造物254和下部构造物252。
在所述第1实施例中，所述子杆连接部224和升降杆210在第2结合部位C2结合，通过两个线形引导部向相互垂直相交的方向移动，且可进行水平方向的相对移动。
具体地说，所述上下移动部200包括：第1线形引导部262，设置于所述升降杆210和所述杆连接部220之间，并且使所述升降杆210相对于所述杆连接部220在平面上可向第1方向移动，及多个第2线形引导部264，设置于所述第1线形引导部262和所述升降杆210之间，从而使所述升降杆210相对于所述第1线形引导部262在所述平面上，可向与所述第1方向垂直的第2方向移动。
此处，所述第1线形引导部262和第2线形引导部264可以由用于线形移动的LM导轨构成，但不受其所限定。
如图6所示，所述第1线形引导部262设置于升降杆210和杆连接部220的子杆连接部224之间，只要能使升降杆210在平面上向第1方向(Y轴方向)可进行移动，可以具有多种结构。
具体地说，所述第1线形引导部262包括：移动部件262a，与升降杆210固定结合从而线形移动；及固定部件262b，与移动部件262a通过引导槽G可相对移动地结合，从而固定结合于子杆连接部224。
所述引导槽G作为移动部件262a的向导，用于使升降杆210可向第1方向(Y轴方向)移动，只要在平面上向第1方向(Y轴方向)形成，则可以具有多种形状。
所述第2线形引导部264的结构为，设置于第1线形引导部262和杆连接部220之间，是要能在平面上使第1线形引导部262向与第1方向垂直的第2方向移动，可以具有多种结构。
具体地说，所述第2线形引导部264包括：移动部件264a，与第1线形引导部262固定结合从而进行线形移动；及固定部件262b，与移动部件262a通过引导槽G可相对移动地结合，从而固定结合于杆连接部220的子杆连接部224。
所述引导槽G作为移动部件264a的向导，用于使第1线形引导部262可向第2方向(X轴方向)移动，只要是在平面上向与第1方向(Y轴方向)垂直的第2方向(X轴方向)移动，则可以具有多种形状。
根据第1实施例的上下移动部200的结构设置为，将引导部262、264以上下叠层方式设置于杆连接部220的子杆连接部224和升降杆210之间，并且引导部262、264沿相互垂直相交的方向可进行线形移动，从而使升降部210相对于子杆连接部224向水平方向可相对移动。
另外，根据所述第1实施例的上下移动部200即使在子杆连接部224和升降杆210之间设置了引导部240，也可以适用于此种情形。
作为一例，所述第1线形引导部262和第2线形引导部264可以设置于子杆连接部224和引导部240之间或引导部240和升降杆210之间。
作为另一例，所述第1线形引导部262和第2线形引导部264可分别设置于引导部240和升降杆210之间以及引导部240和子杆连接部224之间。
以下，参照图7至图9，对根据本发明第2实施例的上下移动部200进行详细说明。
所述第2实施例中，所述子杆连接部224和升降杆210在第2结合部位C2使用多个螺栓部件300结合并且可沿水平方向进行相对移动。
即，根据第2实施例的上下移动部200与第1实施例不同，使用以用于线形移动的线形模块替代使各部件结合的螺栓部件300，将升降杆210与杆连接部220结合，并且相对于杆连接部220可相对水平移动。
具体地说，如图8及图9所示，根据第2实施例的上下移动部200替代第1线形引导部262及第2线形引导部264，并且包括多个的螺栓部件300，通过形成于子杆连接部224的贯通孔与升降杆210固定结合，使升降杆210和杆连接部220结合。
此时，优选为，所述贯通孔的直径D在贯通孔中比螺栓部件300的外径d大。
由此，所述螺栓部件300在贯通孔的直径D内进行水平方向的移动时具有自由度，与杆连接部220没有摩擦从而与升降杆210一起移动。
所述贯通孔的形状为，根据上部盖板120的变形方向和变形程度可以是圆形、椭圆形或槽形等多种形状。
另外，如图7至图9所示，所述上下移动部200额外包括引导部240时，优选为，所述上下移动部200包括，多个的第1螺栓部件300a，将子杆连接部224和引导移动部件244结合；及多个的第2螺栓部件300b，将引导移动部件244和升降杆210结合。
所述第1螺栓部件300a通过形成于子杆连接部224的贯通孔固定结合于引导移动部件244。
此时，所述贯通孔的直径D在贯通孔中比螺栓部件300的外径d大。
由此，所述第1螺栓部件300a沿水平方向移动时具有一定自由度，可以与引导移动部件244一起移动。
所述第2螺栓部件300b通过形成于引导移动部件244的贯通孔固定结合于升降杆210。
此时，所述贯通孔的直径D在贯通孔中比螺栓部件300的外径d大。
由此，所述第2螺栓部件300b沿水平方向移动时具有一定自由度，可以与升降杆210一起移动。
以下，参照图10至图12，对根据本发明第3实施例的上下移动部200进行详细说明。
所述第3实施例中，所述子杆连接部224和升降杆210在第1结合部位C1和第2结合部位C2分别结合，并且可沿水平方向进行相对移动。
具体地说，所述上下移动部200包括：多个第3线形引导部266，设置于所述主杆连接部222和所述子杆连接部224之间，将所述子杆连接部224相对于所述主杆连接部222在平面上可沿第1方向移动，及多个的第4线形引导部268，设置于所述子杆连接部224和所述升降杆210之间，将所述升降杆210相对于所述子杆连接部在所述平面上可沿与所述第1方向垂直的第2方向移动。
此处，所述第3线形引导部266和第4线形引导部268可以由用于线形移动的LM导轨构成，但不受其所限定。
具体地说，如图10所示，所述第3线形引导部266包括：移动部件266a，与子杆连接部224固定结合从而进行线形移动；及固定部件266b，通过移动部件266a和引导槽G可相对移动地结合从而固定结合于主杆连接部222。
所述引导槽G作为移动部件266a的向导，用于使子杆连接部224向第1方向(X轴方向)可进行移动，只要是在平面上向第1方向形成，可以具有多种形状。
此时，优选为，所述引导槽G使第1方向与主杆连接部222的长度方向(X轴方向)平行。
相同地，如图12所示，所述第4线形引导部268包括：移动部件268a，与升降杆210固定结合从而进行线形移动；及固定部件268b，通过移动部件268a和引导槽G可相对移动地结合，从而固定结合于子杆连接部224。
所述引导槽G作为移动部件268a的向导，用于使升降杆210向垂直于第1方向(X轴方向)的第2方向(Y轴方向)移动，只要是在平面上向第2方向(Y轴方向)形成，可以具有多种形状。
另外，本发明通过上述线形引导部和螺栓部件300的组合，将升降杆210与杆连接部220结合，并且相对于杆连接部220可进行相对水平移动。
再一次说，在上述的第3实施例中，所述上下移动部200包括多个螺栓部件300，替代第4线形引导部268，通过形成于子杆连接部224的贯通孔与升降杆210固定结合，将升降杆210和子杆连接部224结合。
此时，所述螺栓部件300如上述实施例所示，此时，贯通孔的直径D在贯通孔中比螺栓部件300的外径d大。
并且，若所述上下移动部200额外包括引导部240，如第2实施例所示，上下移动部200包括2个螺栓部件300a、300b。
另外，作为本发明的其他变形例图面上没有图示，所述上下移动部200包括至少一个浮动接头(floating joint、未图示)，其在第2结合部位C2设置于升降杆210和杆连接部220之间，为了使升降杆210相对于杆连接部220可相对水平移动地结合。
所述浮动接头的结构为，在升降杆210和杆连接部220之间的结合部位，设置于杆连接部220和升降杆210之间，从而可以使杆连接部220的升降杆210可进行球面摇动和相对水平移动，也可以具有多种结构。
此处，所述浮动接头属于一般使用的接头，目的在于，将作为驱动部的气缸的输出端部分和被驱动部的运转体之间连接时，若发生偏心，则补正其偏心，气缸的运转时，为了防止气缸和运转体之间过负荷引起的寿命缩短。
作为一例，所述浮动接头包括：球头螺栓，固定结合于升降杆210的一端，并且插入具备在杆连接部220的结合口。
此时，所述结合口由向水平方向形成的狭缝形状构成，相对于球头螺栓的杆连接部220可以相对水平移动。
另外，所述浮动接头等的结构为，可对应于上部盖板120的热变形等设置的，代替根据其设置位置可向任意方向旋转的浮动接头，以结合点为标准只允许一轴旋转，以及使用可以水平方向移动的铰链接头。
并且，所述上部盖板120在真空压时，以中央部为中心可能会发生凹陷弯曲的现象，因而结合在所述第2结合部位C2，使所述子杆连接部224和升降杆210也可向水平方向及垂直方向移动。
另外，根据本发明的基板处理装置包括：多个的导电性材质的通电部件160，将托盘封盖部150和上部盖板120通电连接。
所述通电部件160由多个构成，可以在托盘封盖部150和上部盖板120之间沿着侧面部设置。
并且，如图13所示，所述通电部件160借助于托盘封盖部150的上方移动，根据托盘封盖部150和上部盖板120之间间隔的减少，由朝向托盘封盖部150的上面中央并且具有可弯曲的材质的束带构成。
所述通电部件160由易弯曲的束带构成，托盘封盖部150不仅可以上下移动，还具有可以维持托盘封盖部150和上部盖板120之间的通电连接的优点。
此时，如图14所示，优选为，所述通电部件160在朝向托盘封盖部150的上面中央弯曲时，与邻接的通电部件160不干涉配置。
作为一例，所述通电部件160由多个构成，通电部件160弯曲时，为了防止与邻接的通电部件160形成干涉，在对应于托盘封盖部150顶点区域的间隔K2的设置，要比剩余区域的间隔K1大。
作为其他一例，所述通电部件160由多个构成，通电部件160弯曲时，为了防止与邻接的通电部件160形成干涉，配置于最接近托盘封盖部150的直四角形终点的通电部件160与托盘封盖部150的边缘倾斜(θ)配置。
另外，所述通电部件160的一端借助于通电部件结合部154结合于托盘封盖部150的上面边缘。
所述通电部件结合部154为了将多个通电部件160一次性结合于托盘封盖部150，对应形成于托盘封盖部150的开口部152的区域开放，由设置于托盘封盖部150上面边缘的直四角形框架部件构成。
此时，所述通电部件结合部154的结构为，框架部件一体形成或借助于多个部件的结合形成。
所述框架部件的结构为，在框架部件和托盘封盖部150的上面之间具有通电部件160的状态下，依靠类似螺栓等结合部件155将通电部件160设置于托盘封盖部150的边缘。
根据本发明的基板处理装置，将托盘封盖部150通过上部盖板120引导接地，从而只用托盘20和托盘封盖部150之间的多个空间形成等离子，具有相对借助于小输出的施加电源也可以执行基板处理的优点。
并且，根据输出施加电压的减少，发生电弧放电的可能性低，具有可以明显降低基板处理不良可能性的优点。
即，如果所述托盘封盖部150通电接地，实际上只在托盘封盖部150和基板支承部130之间形成等离子，从而在基板处理时，推测：由于要求的需求电力的减小从而使基板处理效果得到极大提高。
以上不过是关于根据本发明可以体现的优选实施例的一部分进行的说明，本发明的范围不能限定于上述实施例进行解释，上述说明的本发明的技术思想和其根本为一体的技术思想全部包括在本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工序腔室(100)，包括上侧开口的腔室主体(110)及，结合于所述腔室主体(110)并形成密闭的处理空间(S)，并且通电接地的上部盖板(120)；
基板支承部(130)，设置于所述工序腔室(100)，施加多个RF电源，并且支承安置有多个基板(10)的托盘(20)；及
气体喷射部(140)，设置于所述处理空间(S)的上侧，喷射用于执行基板处理的气体；
托盘封盖部(150)，可上下移动地设置于所述工序腔室(100)，形成多个开口部(152)，使借助于所述气体喷射部(140)喷射的气体流入；
上下移动部(200)，设置于所述工序腔室(100)上侧，为了防止向所述工序腔室(100)装入或移出所述托盘(20)时形成干涉，将所述托盘封盖部(150)上下移动；
多个通电部件(160)，将所述托盘封盖部(150)及所述上部盖板(120)通电连接；
所述多个通电部件(160)，在所述托盘封盖部(150)及所述上部盖板(120)之间沿着所述托盘封盖部(150)的边缘配置；
所述多个通电部件(160)具有随着所述上下移动部(200)的驱动而所述托盘封盖部(150)和所述上部盖板(120)之间的间隔减少时，向所述托盘封盖部(150)的中央内侧可弯曲的材质；
所述上下移动部(200)包括：
多个升降杆(210)，结合于所述托盘封盖部(150)，并且贯通所述上部盖板(120)；
上下驱动部(230)，驱动所述升降杆(210)的上下移动，使所述托盘封盖部(150)上下移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述通电部件(160)是可弯曲的、具有伸缩性的束带。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述通电部件(160)的一端依靠将多个通电部件(160)结合于所述托盘封盖部(150)的通电部件结合部(154)，结合于所述托盘封盖部(150)上面的边缘部分。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述托盘封盖部(150)为，平面形状是直四角形，
所述通电部件(160)由多个构成，当所述通电部件(160)弯曲时，为了防止与邻接的通电部件(160)产生干涉，配置结构为,对应于所述托盘封盖部(150)顶点的区域上的间隔以比剩余区域的间隔大。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述托盘封盖部(150)为，平面形状是直四角形，
所述通电部件(160)由多个构成，当所述通电部件(160)弯曲时，为了防止与邻接通电部件(160)形成干涉，在最接近所述托盘封盖部(150)的直四角形顶点配置的所述通电部件(160)与所述托盘封盖部(150)的边缘形成一定倾斜。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述上下移动部(200)还包括：
多个升降杆(210)；以及
杆连接部(220)，在所述上部盖板(120)的上侧与所述多个升降杆(210)结合，并且依靠所述上下驱动部(230)进行上下移动。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述杆连接部(220)包括：
主杆连接部(222)，与所述上下驱动部(230)结合；及
子杆连接部(224)，为了将所述上下驱动部(230)和所述多个升降杆(210)之间进行连接，从所述主杆连接部(222)分离而与升降杆(210)结合。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述升降杆(210)与所述杆连接部(220)结合，并且相对于所述杆连接部(220)可进行相对水平移动。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置执行反应性离子蚀刻工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0129025 | 2016-10-06 | ||
| KR1020160129025A KR102095991B1 (ko) | 2016-10-06 | 2016-10-06 | 기판처리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107919262A CN107919262A (zh) | 2018-04-17 |
| CN107919262B true CN107919262B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=61898555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710003243.4A Active CN107919262B (zh) | 2016-10-06 | 2017-01-04 | 基板处理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102095991B1 (zh) |
| CN (1) | CN107919262B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110890266B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-09-23 | 广州立景创新科技有限公司 | 音圈马达表面处理方法和设备 |
| CN117059532B (zh) * | 2023-10-11 | 2023-12-26 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 一种刻蚀设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3898600B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2007-03-28 | 京セラ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| CN102024674A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 金炳埈 | 基片处理装置及为此使用的覆盖构件 |
| KR20120047414A (ko) * | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 김병준 | 기판처리장치 및 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법 |
| CN102479877A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-05-30 | 金元求 | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 |
| CN204905225U (zh) * | 2014-11-14 | 2015-12-23 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978859B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2010-08-31 | 피에스케이 주식회사 | 할로우 캐소드 플라즈마 발생장치 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리장치 |
-
2016
- 2016-10-06 KR KR1020160129025A patent/KR102095991B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-01-04 CN CN201710003243.4A patent/CN107919262B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3898600B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2007-03-28 | 京セラ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| CN102024674A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 金炳埈 | 基片处理装置及为此使用的覆盖构件 |
| KR20120047414A (ko) * | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 김병준 | 기판처리장치 및 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법 |
| CN102479877A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-05-30 | 金元求 | 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池 |
| CN204905225U (zh) * | 2014-11-14 | 2015-12-23 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180038216A (ko) | 2018-04-16 |
| KR102095991B1 (ko) | 2020-04-23 |
| CN107919262A (zh) | 2018-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7988817B2 (en) | Lift pin driving device and a flat panel display manufacturing apparatus having same | |
| KR101088289B1 (ko) | 탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템 | |
| JP2008270721A (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
| CN107919262B (zh) | 基板处理装置 | |
| CN107919276B (zh) | 基板处理装置 | |
| KR20100115722A (ko) | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 | |
| US20030178150A1 (en) | Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device and method for driving the same | |
| KR101282554B1 (ko) | 실드 부재, 그 구성 부품 및 실드 부재를 구비한 기판 탑재대 | |
| KR20090086786A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR100843107B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| KR20130074145A (ko) | 트레이교환모듈, 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| KR101277031B1 (ko) | 로드 포트 장치 | |
| TWI497626B (zh) | 真空處理裝置 | |
| KR100589703B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| KR100843106B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| KR102389972B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR100738873B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
| KR101362455B1 (ko) | 리프트 핀 구동장치 및 이를 구비한 평판표시소자 제조장치 | |
| KR101256485B1 (ko) | 기판처리장치의 공정챔버 | |
| KR100891614B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학기상 증착장치 | |
| KR102408386B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101361711B1 (ko) | 공정챔버의 지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
| KR102102922B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20230173932A (ko) | 기판지지모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
| TW202416414A (zh) | 基板處理裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |