KR100589703B1

KR100589703B1 - 플라즈마 처리장치

Info

Publication number: KR100589703B1
Application number: KR1020040075687A
Authority: KR
Inventors: 이승호; 장경환; 이혁범; 권순기; 정부용
Original assignee: (주)아이씨디
Priority date: 2004-09-21
Filing date: 2004-09-21
Publication date: 2006-06-19
Also published as: KR20060026815A

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 상부전극 조립체의 중앙부 처짐을 방지하는 스페이스 바를 구비하여, 상부전극 조립체 자체의 하중 및 가스의 압력차에 의한 처짐을 방지하여 상부전극 조립체의 처짐에 의한 기계적 손상을 방지하며, 균일한 플라즈마를 형성하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.

플라즈마, 상부전극 조립체, 하부전극, 처짐

Description

플라즈마 처리장치{Plasma treatment apparatus}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 단면도.

도 2는 스페이스 바의 사시도.

도 3은 베이스전극의 하면을 나타내는 사시도.

도 4는 배플전극의 하면을 나타내는 사시도.

도 5는 샤워헤드의 상면을 나타내는 사시도.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 단면도.

도 7은 리프트핀의 분해사시도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

30..상부전극 조립체 31..베이스전극 33..배플전극

36..샤워헤드 40..하부전극 50..스페이스 바

110..승강수단 120..구동장치 130..리프트핀 플레이트

150..리프트핀

100, 200..플라즈마 챔버

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 처리장치에서 상부전극 조립체의 중앙부 처짐을 방지하는 스페이스 바에 관한 것이다.

최근 반도체 소자, LCD, 유기EL, PDP(Plasma Display Panel) 등과 같은 구성부품들은 구조 또는 구성이 보다 정밀해지므로, 이러한 구성부품들의 제조 공정에서는 고정밀 처리 제어가 필요한데, 이러한 고정밀 처리 제어가 가능한 장치 중에 일반적으로 플라즈마 처리 장치가 각광받고 있다.

플라즈마 처리 장치로는 유도성 결합 플라즈마 소스(Inductively coupled plasma source), 마이크로파 플라즈마 소스(Microwave plasma source), 또는 용량성 결합 플라즈마 소스(Capacitively coupled plasma source)를 사용하는 장치가 있는데, 일반적으로 용량 결합형 평판 플라즈마 처리 장치가 널리 사용된다.

용량 결합형 평판 플라즈마 처리 장치는, 챔버내에 한 쌍의 평행 평판 전극(상부 및 하부 전극)이 배치되며 배기계가 연결되고, 또한 평행 평판 전극에는 고주파 전원이 접속되어 있다. 이러한 장치에서는, 배기계의 배기에 의해 진공도를 최대한 높여 챔버내의 불순물을 제거하고, 진공상태로 된 챔버내로 처리 가스를 투입하여 적절한 압력으로 상승시킨 다음, 전극 중 적어도 한쪽에 고주파 전압을 인가하여 전극사이에 고주파 전기장을 형성하여, 이 고주파 전기장에 의해 처리 가스로 플라즈마를 형성시켜 코팅, 에칭(etching), 애싱(ashing), 클리닝 등의 플라즈마 처리를 실시한다.

이 경우, 플라즈마 챔버는 균일한 플라즈마를 형성하기 위해 상부전극과 하 부전극이 일정한 간격을 유지해야 한다. 종래에는 플라즈마 처리를 하는 피처리물이 소형이므로, 상부전극 및 하부전극도 이에 대응하여 소형으로 제작되었다. 따라서, 상부전극의 테두리를 따라 스페이스 바를 설치하여도, 상부전극의 처짐이 발생하지 않아, 상·하부 전극 간에 일정한 간격을 유지하는데 어려움이 없었다.

그러나, 최근에는 LCD 기판 등이 점차 대형화되는 추세에 있으므로, 플라즈마 챔버에서 처리되는 기판의 대형화에 대응하여, 챔버 내의 상부전극과 하부전극도 점차 대형화되고 있다. 이 경우, 플라즈마 챔버의 상부에 설치되는 상부전극을 종래의 방식대로 테두리를 따라 지지하면, 전극의 대형화에 따른 자체 하중 및 상부전극을 통해 인입되는 가스의 압력차에 의해 상부전극의 중앙부에서 처짐이 발생한다.

상부전극의 중앙부에서 처짐이 발생하면, 상부전극과 하부전극 간에 테두리와 중앙부의 간격이 일정하지 않아서, 균일한 플라즈마가 형성되지 않아 피처리물에 균일한 처리를 할 수 없으며, 또한 처짐에 의해 상부전극에 기계적으로도 무리가 발생하여 수명이 짧아지는 여러가지 문제점이 수반된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 창안된 것으로서, 플라즈마 처리장치에서 상부전극의 처짐을 방지하는 스페이스 바를 구비하여, 상부전극과 하부전극 간에 일정한 간격을 유지함으로써, 균일한 플라즈마를 형성하고 상부전극의 처짐을 방지하여 기계적 손상을 막는 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 소정 간격 이격되어 나란하게 적층되는 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드를 구비한 상부전극 조립체; 상기 상부전극 조립체와 대향하는 하부전극; 및 상기 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드 사이의 가장자리와 중앙부에 개재되어 상기 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드 상호간의 간격을 균일하게 유지시키는 복수의 스페이스 바를 포함한다.

바람직하게, 상기 베이스전극의 하면에는 가장자리와 중앙부에 체결홈이 형성되고, 상기 배플전극에는 상기 베이스전극의 체결홈에 상응하는 위치에 관통공이 형성되며, 상기 베이스전극과 배플전극 사이에 개재된 스페이스 바의 일단에는 상기 배플전극의 관통공을 관통하여 상기 베이스전극의 체결홈에 나사결합되는 수나사가 형성되고, 그 타단에는 상기 배플전극을 지지하기 위한 볼트가 상기 배플전극의 관통공을 통해 체결되도록 암나사가 형성된다.

더욱 바람직하게, 상기 배플전극의 하면에는 가장자리와 중앙부에 체결홈이 형성되고, 상기 샤워헤드에는 상기 배플전극의 체결홈에 상응하는 위치에 관통공이 형성되며, 상기 배플전극과 샤워헤드 사이에 개재된 스페이스 바의 일단에는 상기 샤워헤드의 관통공을 관통하여 상기 배플전극의 체결홈에 나사결합되는 수나사가 형성되고, 그 타단에는 상기 샤워헤드를 지지하기 위한 볼트가 상기 샤워헤드의 관통공을 통해 체결되도록 암나사가 형성된다.

본 발명에 따르면, 상기 스페이스 바와 상기 각 전극 및 샤워헤드가 상호 통 전된다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 플라즈마에 의해 처리되는 피처리물을 승강시키는 승강수단이 더 구비된다.

상기 승강수단은, 복수의 지지바에 의해 상기 챔버의 하부에 연결되는 구동 플레이트; 상기 구동 플레이트에 고정되는 구동장치; 상기 구동장치에 의해 승강운동되는 구동바; 상기 구동바에 연결되어 승강운동을 하는 리프트핀 플레이트; 및 상기 리프트핀 플레이트의 상면에 일단이 고정되어 연동하며, 타단은 상기 하부전극에 형성된 핀 홀을 관통하여 상기 피처리물을 지지하는 복수의 리프트핀;을 포함한다.

바람직하게, 상기 리프트핀은, 상기 리프트핀 플레이트의 상면에 연결되는 베이스; 상기 베이스에 일단이 연결되어 상부를 향해 연장되어 있는 몸통바; 상기 몸통바의 타단에 연결되어 상기 피처리물을 지지하는 헤드;를 포함한다.

여기서, 상기 헤드가 마찰계수가 높은 열가소성 수지 또는 세라믹으로 제조된 것이 바람직하다.

또한, 상기 리프트핀 중에서 상기 피처리물의 중앙부를 지지하는 리프트핀이 다른 리프트핀에 비해 길이가 1~5㎜ 짧을 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되는 것은 아니며, 본 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 적절하 게 정의되었다. 따라서, 이들의 용어나 단어는 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 그러므로, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해해야 한다.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 단면을 나타낸다.

도면을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 뚜껑(10)과 본체(20)를 구비한 플라즈마 챔버(100)로 이루어지며, 플라즈마 챔버(100)는 내부에 상부전극 조립체(30)와 하부전극(40)을 구비하여 플라즈마를 발생시켜 대상물(미도시)에 소정의 처리를 하게 된다.

상기 상부전극 조립체(30)는 소정 간격 이격되어 상호 나란하게 적층된 베이스전극(31), 배플전극(33), 및 샤워헤드(36)를 구비하며, 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)가 순서대로 나란하게 배열되어 구성된다. 비록 도면에는 도시되지 않았지만, 플라즈마 챔버(100)에는 외부로부터 플라즈마 반응가스가 공급되는 가스공급부와 상부전극 조립체(30)로 전력을 공급하는 전력공급부가 더 구비되며, 이러한 가스공급부와 전력공급부는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채용될 수 있다.

베이스전극(31)은 상부전극 조립체(30)의 최상부에 위치하는데, 챔버 내부의 걸림턱(22)에 의해 지지되는 세라믹 또는 엔지니어링 플라스틱과 같은 절연체(60)에 의해 가장자리를 따라 지지된다. 베이스 전극(31)과 절연체(60)사이 및, 절연체 (60)와 챔버 본체(20) 사이에는 실링부재(62)가 삽입되어 베이스전극(31) 상부와 하부 사이의 기밀을 유지한다. 베이스전극(31)은 외부로부터 공급된 가스의 압력을 견디는 역할을 하며, 하나 이상의 가스 인입부(미도시)가 형성되어 반응가스를 배플전극(33)방향으로 배출하며, 또한 외부로부터 공급된 전력을 배플전극(33)으로 전달하게 된다.

배플전극(33)은 베이스전극(31)의 하부에 위치하는데, 하나 이상의 반응가스 분산홀(미도시)이 형성되어 샤워헤드(36)방향으로 반응가스를 분산시키며, 베이스전극(31)에서 전달받은 전력을 샤워헤드(36)로 전달하게 된다.

샤워헤드(36)는 상부전극 조립체(30)의 최하부에 위치하는데, 하나 이상의 반응가스 분산홀(미도시)이 형성되어 샤워헤드(36)하부의 챔버(100)내부로 반응가스를 균일하게 분산시키며, 전력을 플라즈마 챔버(100)내부로 전달하여 하부전극(40)과의 사이에서 고전압이 걸리게 한다. 바람직하게 샤워헤드(36)는 산화막처리를 하여 플라즈마에 의한 손상을 방지한다. 샤워헤드(36)는 가장자리를 따라 세라믹과 같은 밀페부재(70)에 의해 샤워헤드(36) 상부와 하부 사이의 기밀이 유지되어, 반응가스가 샤워헤드(36)의 분산홀만을 통해서 분산되게 하여, 챔버(100) 내에서 반응가스의 균일한 분산을 가능하게 한다.

상부전극 조립체(30)를 구성하는 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)는 가장자리뿐만 아니라 중앙부도 스페이스 바(50)에 서로 연결되는데, 스페이스 바(50)는 볼트와 같은 체결부재(38)에 의해 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)와 연결된다. 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)의 가장자리뿐만 아니라 중앙부도 스페이스 바 (50)에 의해 연결되므로, 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)는 전체에 걸쳐 상호간의 간격뿐만 아니라 하부전극(40)과의 간격도 일정하게 유지되어 반응가스의 균일한 분산이 가능하게 된다.

도 2는 스페이스 바(50)를 나타내는데, 도면을 참조하면, 스페이스 바(50)는 소정길이를 가지며, 바람직하게 일단에는 수나사(54)가 형성되고, 타단에는 내부에 암나사(56)가 형성된다. 스페이스 바(50)는 전도성 물질로 제조되는 것이 바람직하며, 그 재질은 한정되지 않는데, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 채택될 수 있다.

도 3 내지 도 5는 상부전극(30)을 이루는 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)의 표면을 나타낸다.

도면을 참조하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 최상부에 위치하는 베이스전극(31)의 하면에는 종래의 가장자리를 따라 형성된 체결홈(32')뿐만 아니라 중앙부에도 복수의 체결홈(32)이 형성되며, 상기 체결홈(32)의 내주면에는 나사산이 형성된다.

베이스전극(31)의 하부에 위치한 배플전극(33)의 하면에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 종래의 가장자리를 따라서 형성된 관통공(34')뿐만 아니라, 베이스전극(31)의 체결홈(32)과 대응하는 위치에 관통공(34)이 형성되며, 상기 관통공(34)에는 나사산이 형성되지 않는다.

따라서, 스페이스 바(50)는 일단에 형성된 수나사(54)가 베이스전극(31)의 하면에 형성된 체결홈(32)에 체결되며, 타단에 형성된 암나사(56)는 배플전극(33) 에 형성된 관통공(34)을 관통한 볼트와 같은 체결부재(38)와 체결되어, 스페이스 바(50)가 베이스전극(31) 및 배플전극(33)과 연결된다. 후술하는 배플전극(33)과 샤워헤드(36) 사이의 스페이스 바(50)도 동일한 방식으로 체결되어 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36) 상호간의 간격뿐만 아니라, 하부전극(40: 도1 참조)간의 간격도 균일하게 유지한다.

또한, 배플전극(33)의 하면에는 종래의 가장자리를 따라서 형성된 체결홈(35')뿐만 아니라 중앙부에 별도의 체결홈(35)이 형성되며, 체결홈(35)의 내주면에는 나사산이 형성되어, 전술한 바와 같이 스페이스 바(50)의 수나사(54)가 체결된다.

상부전극 조립체(30)의 최하부에 위치하는 샤워헤드(36)의 상면에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 종래의 가장자리를 따라서 형성된 관통공(37')뿐만 아니라 중앙부에 관통공(37)이 형성되는데, 상기 관통공(37)은 배플전극(33)의 하면에 형성된 체결홈(35)과 대응하는 위치에 형성된다. 관통공(37)에는 배플전극(33)의 관통공(34)과 마찬가지로 나사산이 형성되지 않으며, 전술한 바와 같이 볼트와 같은 체결부재(도 1 참조: 38)가 관통하여 스페이스 바(도 2 참조: 50)의 암나사와 체결된다.

상기 각 전극(31)(33) 또는 샤워헤드(36)의 중앙부에 형성된 체결홈(32)(35) 또는 관통공(34)(37)의 배열은 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채택될 수 있는데, 바람직하게는 중앙부에 등간격으로 배열되어, 스페이스 바(50)가 배플전극(33) 또는 샤워헤드 (36)의 하중을 일정하게 분산하여 지탱하여, 상부전극 조립체(30)를 구성하는 베이스전극(31), 배플전극(33), 및 샤워헤드(36) 상호간의 간격뿐만 아니라, 하부전극(40: 도 1 참조)과의 간격도 균일하게 유지하도록 한다.

상부전극(10)을 이루는 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)는 챔버(100) 내부의 플라즈마에 의한 손상을 방지하기 위해서 표면에 일반적으로 산화막 처리를 한다. 산화막 처리를 하기 전에 스페이스 바(50)가 체결되는 각 전극(31)(33) 또는 샤워헤드(36)의 체결홈(32)(35) 또는 관통공(34)(37)에는 산화방지처리를 하여, 스페이스 바(50)와 각 전극(31)(33) 및 샤워헤드(36)가 연결되는 경우에 전기가 통하게 하는 것이 바람직하다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에서, 피처리물(A)을 챔버(200)내에서 승강시키는 승강수단(110)을 나타낸다.

도면을 참조하면, 승강수단(110)은 복수의 지지바(112)에 의해 플라즈마 챔버(200) 하부에 연결되는 구동 플레이트(114), 구동 플레이트(114)에 고정되는 구동장치(120), 구동장치(120)에 의해 승강운동되는 구동바(122), 구동바(122)에 연결되어 승강운동을 하는 리프트핀 플레이트(130), 및 리프트핀 플레이트(130)의 상면에 일단이 고정되어 연동하며, 타단은 하부전극(140)에 형성된 핀 홀(142)을 관통하여 피처리물(A)을 지지하는 리프트핀(150)을 구비한다.

본 발명에서 구동장치(120)는 구동 플레이트(114)에 고정되며, 구동 플레이트(114)는 복수의 지지바(112)에 의해 플라즈마 챔버(200)의 하부에 연결된다. 상기 구동장치(120)는 리프트핀 플레이트(130)의 정밀한 승강운동을 위해서 스텝모터 또는 서보모터로 이루어지는 것이 바람직하다.

구동장치(120)는 구동바(122)를 승강운동시키게 되는데, 구동바(122)의 일단이 직접 구동장치(120)에 연결될 수도 있으며, 본 발명의 실시예처럼 모터와 같은 구동장치(120)의 구동축에 타이밍 벨트(126)가 연결되고, 타이밍 벨트(126)의 다른 쪽 끝단은 스크류와 같은 구동바(122)에 연결되어, 모터와 같은 구동장치(120)의 구동력을 구동바(122)로 전달할 수 있다. 타이밍 벨트(126)는 고무와 같은 합성수지로 제조되는 것이 바람직하며, 모터와 같은 구동장치(120)의 구동축과 스크류와 같은 구동바(122) 사이에서 처지지 않고 타이트하게 연결되도록 적당한 길이를 갖는다. 스크류와 같은 구동바(122)의 다른쪽 끝단은 리프트핀 플레이트(130)의 하면에 연결되어 리프트핀 플레이트(130)를 상하로 승강시킨다. 이러한 리프트핀 플레이트(130)를 승강시키는 구조는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채용될 수 있다.

도 7은 상기 승강수단(100)에서 리프트핀(150)을 나타내는데, 도면을 참조하면, 리프트핀 플레이트(130)의 상면에는 상부를 향해 연장되어 뻗어 있는 복수의 리프트핀(150)이 설치된다. 상기 리프트핀(150)은 리프트핀 플레이트(130)의 상면에 연결되는 베이스(152), 베이스(152)에 일단이 연결되어 상부를 향해 연장되어 있는 몸통바(154), 몸통바(154)의 타단에 연결되어 피처리물을 지지하는 헤드(156)를 포함한다. 리프트핀(150)은 플라즈마 챔버(200)내의 하부전극(140)에 형성된 복수의 핀 홀(142)을 관통하여, 리프트핀 플레이트(130)와 연동하여 승강운동을 하게 되며, 끝단에 피처리물(A)을 지지하여 승강운동시키게 된다.

베이스(152)는 리프트핀 플레이트(130)의 상면에 형성된 수나사(미도시)에 체결되도록 하면에 암나사(153)가 형성된다.

몸통부(154)의 일단은 용접 등의 방법에 의해 베이스(152)와 연결된다. 몸통부(154)는 플라즈마에 견딜 수 있는 재질로 제조되는 것이 바람직하며, 본 발명에서는 스테인레스로 제조된다.

상기 몸통부(154)의 타단에는 수나사(155)가 형성되어 헤드(156)의 하면에 형성된 암나사(157)와 체결된다. 헤드(156)의 상면에는 피처리물(A)이 위치하게 되는데, 피처리물(A)의 위치가 어긋나거나, 또는 추락하는 것을 방지하기 위해 적당한 마찰계수를 갖는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 적절한 마찰계수를 갖는 열가소성 수지 또는 세라믹으로 제조된다. 헤드(156)는 본 발명에서는 반구의 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적절하게 변형되어 채택될 수 있다.

리프트핀(150)은 피처리물을 지지하기에 적당한 갯수로 설치된다. 도 6에 과장되게 도시된 바와 같이, 리프트핀 플레이트(130)의 상면에 고정된 리프트핀(150)중에서 피처리물의 정중앙을 지지하는 리프트핀(150')은 피처리물의 가장자리를 지지하는 리프트핀(150)에 비해 길이가 1~5㎜ 정도 짧은 것이 바람직하다. 왜냐하면, 플라즈마 챔버(200)내에서 소정의 처리가 끝나게 되면 피처리물의 중앙부에 강한 정전기 차징이 발생하는데, 정전기 제거를 위해서 피처리물을 상승시키는 경우에 정중앙의 리프트핀(150')이 가장자리를 지지하는 리프트핀(150)과 동시에 상승하게 되면 피처리물에 깨짐 등의 파손이 발생하기 때문이다.

상기 하부전극(140)과 리프트핀 플레이트(130)는 벨로우즈와 같은 신축관이음(160)에 의해 연결되는데, 벨로우즈와 같은 신축관이음(160)은 하부전극(140)에 형성된 핀 홀(142)과 동심원이 되도록 설치된다. 따라서, 리프트핀(150)(150')은 벨로우즈와 같은 신축관이음(160)의 내부에서 승강운동을 하게 된다. 벨로우즈와 같은 신축관이음(160)은 적절한 재질로 제조되는데, 스테인레스로 제조되는 것이 바람직하다.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치에 따르면, 플라즈마 챔버 내의 상부전극의 처짐을 방지하는 스페이스 바를 구비하여, 상부전극과 하부전극간에 일정한 간격을 유지함으로써 균일한 플라즈마를 형성할 수 있고, 또한 처짐에 의한 상부전극의 기계적손상을 방지하여 상부전극의 수명을 늘릴 수 있다.

Claims

소정 간격 이격되어 나란하게 적층되는 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드를 구비한 상부전극 조립체;

상기 상부전극 조립체와 대향하는 하부전극; 및

상기 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드 사이의 가장자리와 중앙부에 개재되어 상기 베이스전극, 배플전극 및 샤워헤드 상호간의 간격을 균일하게 유지시키는 복수의 스페이스 바를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 1항에 있어서,

상기 베이스전극의 하면에는 가장자리와 중앙부에 체결홈이 형성되고,

상기 배플전극에는 상기 베이스전극의 체결홈에 상응하는 위치에 관통공이 형성되며,

상기 베이스전극과 배플전극 사이에 개재된 스페이스 바의 일단에는 상기 배플전극의 관통공을 관통하여 상기 베이스전극의 체결홈에 나사결합되는 수나사가 형성되고, 그 타단에는 상기 배플전극을 지지하기 위한 볼트가 상기 배플전극의 관통공을 통해 체결되도록 암나사가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 2항에 있어서,

상기 배플전극의 하면에는 가장자리와 중앙부에 체결홈이 형성되고,

상기 샤워헤드에는 상기 배플전극의 체결홈에 상응하는 위치에 관통공이 형성되며,

상기 배플전극과 샤워헤드 사이에 개재된 스페이스 바의 일단에는 상기 샤워헤드의 관통공을 관통하여 상기 배플전극의 체결홈에 나사결합되는 수나사가 형성되고, 그 타단에는 상기 샤워헤드를 지지하기 위한 볼트가 상기 샤워헤드의 관통공을 통해 체결되도록 암나사가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 1항 내지 제 3항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서,

상기 스페이스 바와 상기 각 전극 및 샤워헤드가 상호 통전되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 4항에 있어서,

플라즈마에 의해 처리되는 피처리물을 승강시키는 승강수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 5항에 있어서, 상기 승강수단은,

복수의 지지바에 의해 상기 챔버의 하부에 연결되는 구동 플레이트;

상기 구동 플레이트에 고정되는 구동장치;

상기 구동장치에 의해 승강운동되는 구동바;

상기 구동바에 연결되어 승강운동을 하는 리프트핀 플레이트; 및

상기 리프트핀 플레이트의 상면에 일단이 고정되어 연동하며, 타단은 상기 하부전극에 형성된 핀 홀을 관통하여 상기 피처리물을 지지하는 복수의 리프트핀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 6항에 있어서, 상기 리프트핀은,

상기 리프트핀 플레이트의 상면에 연결되는 베이스;

상기 베이스에 일단이 연결되어 상부를 향해 연장되어 있는 몸통바;

상기 몸통바의 타단에 연결되어 상기 피처리물을 지지하는 헤드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 7항에 있어서,

상기 헤드는 열가소성 수지 또는 세라믹으로 제조된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
제 6항에 있어서,

상기 리프트핀 중에서 상기 피처리물의 중앙부를 지지하는 리프트핀이 다른 리프트핀에 비해 길이가 1~5㎜ 짧은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.