KR102248657B1

KR102248657B1 - 기판처리장치

Info

Publication number: KR102248657B1
Application number: KR1020140066670A
Authority: KR
Inventors: 정석철; 김경민; 이명진; 이용현
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2014-06-02
Filing date: 2014-06-02
Publication date: 2021-05-07
Also published as: KR20150139052A

Abstract

본 발명은 기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 기판이 탑재 지지되는 지지유닛; 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스공급관; 상기 지지유닛과 상기 가스공급관 사이에 배치된 제1플레이트; 및 상기 가스공급관과 상기 제1플레이트의 사이에 배치된 제2플레이트를 포함하되, 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격이 조절되는 기판처리장치에 관한 것이다.

Description

기판처리장치{Substrate Processing Apparatus}

본 발명은 가스를 기판의 전체 부위로 균일하게 공급하기 위한 플레이트들 사이의 간격을 조절할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.

반도체 소자 또는 평판디스플레이의 제조시에는 기판에 특정 물질을 증착하는 공정이 요구된다.

기판에 특정 물질의 막을 증착하기 위한 기판처리장치에는 기체 상태의 원료 물질을 가열된 기판상에 공급하고 기판 표면에서의 화학 반응에 의하여 막을 형성하는 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor deposition) 장치가 있다. 최근에는 상대적으로 저온 공정이 가능하고, 막의 질 및 공정 특성이 우수한 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion)가 많이 사용되고 있다.

일반적으로, 기판처리장치는 내부에 기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버를 포함한다.

상기 챔버의 내부 하측 부위에는 기판이 탑재 지지되는 지지유닛이 설치되고, 내부 상측 부위는 가스를 공급하는 가스공급유닛과 연통된다. 가스는 기판에 형성하기 위한 막의 특성에 따른 공정가스(또는 소스가스)와 희석가스(또는 반응가스)가 혼합된 가스일 수 있다.

그리고, 상기 지지유닛과 상기 가스공급유닛 사이의 상기 챔버의 부위에는 가스를 상기 지지유닛에 탑재 지지된 기판의 전체 부위로 균일하게 공급하기 위한 복수의 분사공이 형성된 플레이트가 설치된다. 이때, 기판의 전체 부위로 가스를 더욱 균일하게 공급하기 위하여, 상기 플레이트를 상하로 2개 배치하여 설치하기도 한다. 그리고, 상기 분사공은 소정의 패턴으로 상기 플레이트에 각각 형성된다.

기판이 대형화됨에 따라 상기 플레이트도 기판과 대응되게 대형화되는데, 이로 인해, 상기 플레이트의 중앙부측이 자중, 압력 또는 열 등에 의하여 처지는 등과 같은 변형이 발생한다. 그러면, 기판과 상기 플레이트 사이의 간격이 기판의 부위에 따라 상이하게 되므로, 상기 플레이트에서 상기 기판으로 분사되는 가스가 기판의 부위에 따라 불균일하게 된다. 이로 인해, 기판에 형성되는 막의 균일도가 저하되는 문제점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여, 상기 플레이트의 중앙부측이 처지는 것을 방지하는 지지부재가 상기 챔버에 설치된다.

상기 플레이트가 2개 설치된 경우, 상측의 상기 플레이트와 하측의 상기 플레이트 사이의 간격이 적절하여야, 상측의 상기 플레이트의 상기 분사공의 패턴이 하측의 상기 플레이트의 상기 분사공의 패턴에 영향을 주어, 가스를 상기 기판의 전체 부위로 더욱 균일하게 공급할 수 있다.

그러나, 상기와 같은 종래의 기판처리장치는 상측의 상기 플레이트와 하측의 상기 플레이트 사이의 간격을 조절할 수 있는 아무런 수단이 없으므로, 가스를 기판측으로 균일하게 공급하는데 제약이 따른다.

기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2006-0092886호 등에 개시되어 있다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.

본 발명의 다른 목적은 가스를 확산시켜 기판측으로 공급하는 플레이트들 사이의 간격을 조절할 수 있도록 구성하여, 가스를 기판측으로 균일하게 공급할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 투입되어 처리되는 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 내부 일면측에 설치되어 상기 챔버로 유입된 가스를 상기 기판으로 공급하는 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트; 상기 제1플레이트와 상기 챔버의 일면 사이에 배치되어 상기 제1플레이트와의 간격 조절이 가능하게 설치되며, 상기 챔버로 유입된 가스를 상기 제1플레이트로 공급하는 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트를 포함할 수 있다.

일측은 상기 챔버의 일면에 지지되고, 타측은 상기 제1플레이트에 결합되어 상기 제1플레이트를 지지하는 복수의 지지부재; 일측은 상기 챔버의 일면에 지지되고, 타측은 상기 제2플레이트에 결합되어 상기 제2플레이트를 지지함과 동시에 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하는 복수의 지지/조절부재를 더 포함할 수 있다.

상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 동심을 이루고, 상기 지지부재는 상기 지지/조절부재 보다 상기 제2플레이트의 중심과 더 가까이 위치될 수 있다.

상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트는 동심을 이루고, 상기 지지부재는 상기 지지/조절부재 보다 상기 제2플레이트의 중심과 더 멀리 위치될 수 있다.

상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이 및 상기 제2플레이트와 상기 챔버의 일면 사이 중, 적어도 어느 하나의 부위에는 간격유지부재가 개재될 수 있다.

상기 제2플레이트와 상기 챔버의 일면 사이에 위치된 상기 지지/조절부재의 부위에는 상기 지지/조절부재를 감싸는 형태로 간격유지부재가 개재될 수 있다.

상기 간격유지부재에는 가스가 통과하는 통공이 형성될 수 있다.

상기 챔버의 일면과 상기 제2플레이트 사이의 간격은 1~2 mm, 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격은 5~7 mm, 상기 제1플레이트와 상기 기판 사이의 간격은 2~3mm일 수 있다.

상기 챔버의 일면과 상기 제2플레이트 사이의 간격은 5~7 mm, 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격은 1~2 mm, 상기 제1플레이트와 상기 기판 사이의 간격은 2~3mm일 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 기판이 탑재 지지되는 지지유닛; 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스공급관; 상기 지지유닛과 상기 가스공급관 사이에 배치된 제1플레이트; 상기 가스공급관과 상기 제1플레이트의 사이에 배치된 제2플레이트; 및 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제1플레이트에 결합된 지지부재를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 기판이 탑재 지지되는 지지유닛; 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스공급관; 상기 지지유닛과 상기 가스공급관 사이에 배치된 제1플레이트; 상기 가스공급관과 상기 제1플레이트의 사이에 배치된 제2플레이트; 및 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제2플레이트에 결합된 조절부재를 포함할 수 있다.

상기와 같은 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상호 간격을 가지면서 설치된 제1플레이트와 제2플레이트의 간격을 적절하게 조절할 수 있다. 이로 인해, 제2플레이트의 분사공의 패턴이 제1플레이트의 분사공의 패턴에 영향을 주므로, 제1플레이트에서 분사되는 가스가 기판의 전체 부위로 더욱 균일하게 분사된다. 따라서, 기판에 더욱 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 2는 도 1의 "A"부 확대도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1플레이트와 제2플레이트의 단면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1플레이트와 제2플레이트의 단면도.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.

"위에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 2는 도 1의 "A"부 확대도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간을 형성하는 챔버(110)를 포함할 수 있고, 챔버(110)는 상호 결합된 본체(111)와 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다. 본체(111)는 상면이 개방될 수 있고, 리드(115)는 하면이 개방될 수 있으며, 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)과 리드(115)의 개방된 하단면(下端面)이 상호 결합될 수 있다.

챔버(110)는 상호 결합된 본체(111)와 리드(115)를 포함하므로, 챔버(110)의 하면은 본체(111)의 하면을 의미하고, 챔버(110)의 상면은 리드(115)의 상면을 의미하며, 챔버(110)의 측면은 본체(111)와 리드(115)의 측면을 의미함은 당연하다.

챔버(110)로 투입된 기판(50)은 고온의 진공분위기에서 처리된다. 이때, 챔버(110)가 고온의 진공분위기를 유지할 수 있도록, 상호 결합된 본체(111)의 상단면(上端面)과 리드(115)의 하단면(下端面) 사이에는 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다. 그리고, 챔버(110)에는 기판(50)을 투입 및 배출하기 위한 투입구(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 투입구는 선택적으로 개폐될 수 있다.

챔버(110)의 내부 하측 부위에는 기판(50)의 가열에 필요한 열을 발생하는 열원(熱源)(미도시)이 설치될 수 있고, 상기 열원의 상측에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지유닛(120)이 설치될 수 있다. 지지유닛(120)은 서셉터(121)를 포함할 수 있으며, 서셉터(121)는 승강가능하게 설치될 수 있다. 그리고, 서셉터(121)의 내부에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있다.

챔버(110)의 상면에는 챔버(110)로 가스를 주입하기 위한 가스공급관(131)이 관통 설치될 수 있고, 가스는 기판(50)에 형성하기 위한 막의 특성에 따른 공정가스(또는 소스가스)와 희석가스(또는 반응가스)가 혼합된 가스일 수 있다.

챔버(110)의 내부 상부측에는 가스공급관(131)을 통하여 챔버(110)로 유입된 가스를 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 균일하게 공급하기 위한 제1플레이트(141)가 설치될 수 있고, 제1플레이트(141)에는 복수의 분사공(141a)이 소정 패턴으로 형성될 수 있다.

제1플레이트(141)는 단면(斷面) 형상이 대략 "┗┛" 형상으로 형성될 수 있으며, 상단면(上端面)이 챔버(110)의 내부 상면인 리드(115)의 내부 상면에 결합 지지될 수 있다. 그러면, 리드(115)의 상면과 제1플레이트(141) 사이에는 가스공급관(131)을 통하여 유입된 가스가 확산되는 확산공간(142)이 형성될 수 있다.

제1플레이트(141)는 서셉터(121)와 대향하는 것이 바람직하다. 그러므로, 리드(115)의 상면을 통하여 유입된 가스는 확산공간(142)에서 확산된 후, 분사공(141a)을 통하여 기판(50)의 전체 부위로 균일하게 분사되므로, 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 균일한 두께의 막이 형성된다.

리드(115)의 상면과 제1플레이트(141) 사이의 공간인 확산공간(142)에는 가스가 기판(50)의 전체면으로 더욱 균일하게 분사될 수 있도록 안내하는 제2플레이트(145)가 설치될 수 있고, 제2플레이트(145)에는 복수의 분사공(145a)이 소정 패턴으로 형성될 수 있다. 그러면, 확산공간(142)으로 유입된 가스는, 제2플레이트(145)에 의하여 확산되어 제1플레이트(141)측으로 분사되고, 이로 인해 제1플레이트(141)에서 기판(50)으로 분사되는 가스는 더욱 확산된다. 그러므로, 가스가 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 더욱 균일하게 분사된다.

제1플레이트(141)와 제2플레이트(145)는 동심을 이루면서 배치될 수 있다. 제1플레이트(141)와 제2플레이트(145)가 동심을 이루므로, 제1플레이트(141)과 중심(O)과 제2플레이트(145)의 중심(O)이 동일함은 당연하다.

평판디스플레이의 면적이 대형화됨에 따라 기판처리장치도 대형화되며, 이에 따라 기판(50)의 면적과 대응되게 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 면적도 넓어진다. 그리고, 기판(50)이 투입되어 처리되는 챔버(110)의 내부는 고온 및 고압이므로, 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)가 자중, 압력 또는 열 등에 의하여 하측으로 처질 수 있다. 특히, 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 중앙부측이 하측으로 많이 처질 수 있다.

제1플레이트(141)가 처져서, 기판(50)의 상면과 제1플레이트(141) 사이의 간격이 기판(50)의 상면 부위에 따라 상이하면, 기판(50)으로 분사되는 가스가 기판(50)의 부위에 따라 불균일하므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하된다.

그리고, 제1플레이트(141)와 제2플레이트(145) 사이의 간격이 상이하면, 제2플레이트(145)에서 제1플레이트(141)로 분사되는 가스가 제1플레이트(141)의 부위에 따라 불균일하므로, 제1플레이트(141)에서 기판(50)측으로 분사되는 가스가 기판(50)의 부위에 따라 불균일하게 분사된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 제1플레이트(141)가 처지는 것을 방지하기 위한 지지부재(151)를 포함할 수 있고, 제2플레이트(145)가 처지는 것을 방지하기 위한 지지/조절부재(155)를 포함할 수 있다.

상세히 설명하면, 지지부재(151)는 몸체부(151a)와 머리부(151b)를 가지는 볼트 형태로 형성될 수 있다. 머리부(151b)는 챔버(110)의 상면에 지지될 수 있고, 몸체부(151a)는 챔버(110)의 상면 및 제2플레이트(145)를 관통하여 제1플레이트(141)에 결합될 수 있다. 그리고, 지지/조절부재(155)는 몸체부(155a)와 머리부(155b)를 가지는 볼트 형태로 형성될 수 있다. 머리부(155b)는 챔버(110)의 상면에 지지될 수 있고, 몸체부(155a)는 제2플레이트(145)에 결합될 수 있다.

지지부재(151) 및 지지/조절부재(155)는 각각 복수개로 마련되어, 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)가 가장 많이 처지는 부위에 각각 집중적으로 배치될 수 있다. 그러므로, 지지부재(151) 및 지지/조절부재(155)에 의하여 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)가 각각 처지는 것이 방지된다.

제1플레이트(141)가 제2플레이트(145)의 하측에 위치되어 상기 열원과 더 가까이 위치되므로, 제1플레이트(141)가 열에 의한 영향을 더 많이 받는다. 그러면, 제1플레이트(141)의 중앙부측이 제2플레이트(145)의 중앙부측에 비하여 더 많이 하측으로 처질 수 있으므로, 지지부재(151)가 지지/조절부재(155) 보다 제2플레이트(145)의 중심(O)과 더 가까이 위치되는 것이 바람직하다.

물론, 지지부재(151)가 지지/조절부재(155) 보다 제2플레이트(145)의 중심(O)에서 더 멀리 위치되게 설치될 수도 있다.

제1플레이트(141)와 제2플레이트(145) 사이의 간격이 적절하여야, 제2플레이트(145)의 분사공(145a)의 패턴이 제1플레이트(141)의 분사공(141a)의 패턴에 영향을 주어 가스를 기판(50)의 전체 부위로 균일하게 분사할 수 있다.

이를 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 제2플레이트(145)는 제1플레이트(141)와의 간격 조절이 가능하게 설치될 수 있으며, 지지/조절부재(155)를 이용하여 제1플레이트(141)와 제2플레이트(145) 사이의 간격을 조절할 수 있다.

상세히 설명하면, 지지/조절부재(155)의 몸체부(155a)의 하단부측 외주면에는 나사선이 형성될 수 있다. 그리고, 제2플레이트(145)에는 몸체부(155a)의 하단부측이 결합되는 결합공(145b)이 형성될 수 있으며, 결합공(145b)에는 몸체부(155a)의 나사선과 맞물리는 나사선이 형성될 수 있다. 그리하여, 지지/조절부재(155)를 정역회시키면, 제2플레이트(145)가 제1플레이트(141)에 대하여 승강하므로, 제1플레이트(141)와 제2플레이트(145) 사이의 간격을 조절되는 것이다.

제1플레이트(141)의 중앙부측이 하측으로 처졌을 때, 제1플레이트(141)의 중앙부측를 지지부재(151)를 이용하여 상측으로 상승시킬 수 있다. 이를 위하여, 지지부재(151)의 몸체부(151a)의 하단부측 외주면에도 나사선이 형성될 수 있고, 제1플레이트(141)에는 내주면에 나사선 형성된 결합공(141b)이 형성될 수 있다. 그리하여, 몸체부(151a)의 나사선과 결합공(141b)의 나사선이 상호 맞물린다.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 상호 간격을 가지면서 설치된 제1플레이트(141)와 제2플레이트(145)의 간격을 적절하게 조절할 수 있다. 이로 인해, 제2플레이트(145)의 분사공(145a)의 패턴이 제1플레이트(141)의 분사공(141a)의 패턴에 영향을 주므로, 제1플레이트(141)에서 분사되는 가스가 기판(50)의 전면(全面)으로 균일하게 분사된다.

더 구체적으로 설명하면, 공정 갭(Gap)인 리드(115)의 상면과 제2플레이트(145) 사이의 간격(LI), 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격(L2) 및 제1플레이트(141)와 기판(50) 사이의 간격(L3)을 적절하게 조절하여, 기판(50)의 전면(全面)으로 가스가 균일하게 분사되게 할 수 있다.

예를 들면, 기판(50)의 중앙부측에 많은 양의 가스가 증착되고, 기판(50)의 테두리부측에 적은 양의 가스가 증착되는 경우, 간격(L1)은 좁히고, 간격(L2)은 넓히며, 간격(L3)은 좁혀서 기판(50)의 전면에 걸쳐서 균일한 증착되게 할 수 있다.

그러면, 기판(50)의 테두리부측에 가스가 더 증착되므로, 기판(50)의 전면에 걸쳐서 가스가 균일하게 증착되는 것이다. 즉, 기판(50)의 증착 상태에 따라, 간격(L1)과 간격(L2) 및 간격(L3)을 조절하면, 기판(50)의 전면에 걸쳐서 가스를 균일하게 증착할 수 있다.

이때, 리드(115)의 상면과 제2플레이트(145) 사이의 간격(LI)은 1~2 mm, 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격(L2)은 5~7 mm, 제1플레이트(141)와 기판(50) 사이의 간격(L3)은 2~3mm인 것이 바람직하다. 그리고, 기판(50)의 증착에 사용되는 가스는 SiH4와 H2의 혼합가스일 수 있고, SiH4와 N2 또는 NH3 일 수 있다.

다른 예를 들면, 기판(50)의 중앙부측에 적은 양의 가스가 증착되고, 기판(50)의 테두리부측에 많은 양의 가스가 증착되는 경우, 간격(L1)은 넓히고, 간격(L2)은 좁히며, 간격(L3)은 좁혀서 기판(50)의 전면에 걸쳐서 균일한 증착되게 할 수 있다.

그러면, 기판(50)의 중앙부측에 가스가 더 증착되므로, 기판(50)의 전면에 걸쳐서 가스가 균일하게 증착되는 것이다. 즉, 기판(50)의 증착 상태에 따라, 간격(L1)과 간격(L2) 및 간격(L3)을 조절하면, 기판(50)의 전면에 걸쳐서 가스를 균일하게 증착할 수 있다.

이때, 리드(115)의 상면과 제2플레이트(145) 사이의 간격(LI)은 5~7 mm, 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격(L2)은 1~2 mm, 제1플레이트(141)와 기판(50) 사이의 간격(L3)은 2~3mm인 것이 바람직하다. 그리고, 기판(50)의 증착에 사용되는 가스는 SiO, SiH4 및 N2O일 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1플레이트와 제2플레이트의 단면도로서, 도 1과의 차이점만을 설명한다.

도시된 바와 같이, 제1플레이트(341)와 제2플레이트(345) 사이 및 제2플레이트(345)와 챔버(310)의 상면 사이에는 간격유지부재(360)가 각각 개재되거나, 간격유지부재(360)가 선택적으로 개재될 수 있다.

제1플레이트(341)와 제2플레이트(345) 사이의 간격유지부재(361)에 의하여 제2플레이트(345)의 하강 거리가 제한되므로, 제1플레이트(341)와 제2플레이트(345)가 유지해야 할 최소한의 간격이 설정될 수 있다. 그리고, 제2플레이트(345)와 챔버(310) 사이의 간격유지부재(365)에 의하여 제2플레이트(345)의 상승 거리가 제한되므로, 제1플레이트(341)와 제2플레이트(345)가 유지해야 할 최대한의 간격이 설정될 수 있다.

간격유지부재(361, 365)는 제2플레이트(345)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치되는 것이 바람직하다. 그리고, 간격유지부재(360)에는 가스가 통과하는 통공(361a, 365a)이 형성될 수도 있다.

제1플레이트(341)와 제2플레이트(345) 사이의 간격유지부재(361)는 하면이 제1플레이트(341)에 결합되거나, 상면이 제2플레이트(345)에 결합될 수 있다. 그리고, 제2플레이트(345)와 챔버(310)의 상면 사이의 간격유지부재(365)는 하면이 제2플레이트(345)에 결합되거나, 상면이 챔버(310)의 상면에 결합될 수 있다.

간격유지부재(361)의 하면 및 상면이 제1플레이트(341) 및 제2플레이트(345)와 각각 접촉할 경우에는, 간격유지부재(361)에 의하여 제2플레이트(345)가 하측으로 처지는 것이 방지될 수도 있다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1플레이트와 제2플레이트의 단면도로서, 도 5와의 차이점만을 설명한다.

도시된 바와 같이, 제2플레이트(445)와 챔버(410)의 상면 사이에 설치된 간격유지부재(465)는 링 형상으로 형성되어, 지지/조절부재(455)의 몸체부(455a)를 감싸는 형태로 설치될 수 있다. 그러면, 제2플레이트(445)의 분사공(445a)이 상대적으로 간격유지부재(465)의 간섭을 덜 받으므로, 가스가 제1플레이트(441)측으로 균일하게 공급될 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

110: 챔버
111: 본체
115: 리드
141: 제1플레이트
145: 제2플레이트
151: 지지부재
155: 지지/조절부재

Claims

기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버;
상기 챔버의 내부에서 기판이 탑재 지지되는 지지유닛;
상기 챔버에 가스를 공급하는 가스공급관;
상기 지지유닛과 상기 가스공급관 사이에 배치된 제1플레이트;
상기 가스공급관과 상기 제1플레이트의 사이에 배치된 제2플레이트; 및
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제1플레이트에 결합된 지지부재를 포함하며,
상기 지지부재는 상기 제 1 플레이트의 중앙부측을 상기 제2플레이트를 향하여 상승시키고,
상기 제1플레이트는 나사선 형성된 결합공을 가지며, 상기 지지부재는 상기 결합공에 체결된 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 지지부재는 상기 제2플레이트를 관통하여 상기 제1플레이트에 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 지지부재는 상기 제1플레이트의 중앙부를 상측으로 상승시켜서 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제1플레이트에 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제2플레이트에 결합된 조절부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판이 투입되어 처리되는 공간이 형성되는 챔버;
상기 챔버의 내부에서 기판이 탑재 지지되는 지지유닛;
상기 챔버에 가스를 공급하는 가스공급관;
상기 지지유닛과 상기 가스공급관 사이에 배치된 제1플레이트;
상기 가스공급관과 상기 제1플레이트의 사이에 배치된 제2플레이트; 및
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하도록 상기 제2플레이트에 결합된 조절부재를 포함하며,
상기 조절부재는 상기 제 2 플레이트와의 결합부위를 상기 가스공급관을 향하여 상승시키고,
상기 제2플레이트는 나사선 형성된 결합공을 가지며, 상기 조절부재는 상기 결합공에 체결된 기판처리장치.
제4항에 있어서,
상기 조절부재는 상기 제2플레이트와 결합된 부위를 상기 제1플레이트에 대해 승강시켜서 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제4항에 있어서,
상기 지지부재는 상기 조절부재 보다 상기 제2플레이트의 중심과 더 가까이 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제4항에 있어서,
상기 지지부재는 상기 조절부재 보다 상기 제2플레이트의 중심과 더 멀리 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이 및 상기 제2플레이트와 상기 챔버의 사이 중, 적어도 어느 하나의 부위에는 간격유지부재가 개재된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.