KR102287656B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 리드와 제1플레이트 사이의 공간인 확산공간에 설치된 제2플레이트가 제1플레이트를 지지하는 지지부재에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러면, 리드와 제2플레이트 사이의 간격 및 제2플레이트와 제1플레이트 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트에서 분사되는 공정가스도 더욱 균일하므로, 기판에 균일한 막이 형성되는 효과가 있다.

Description

기판처리장치 {Substrate Processing Apparatus}
본 발명은 하나의 지지부재를 이용하여 공정가스를 확산시키는 제1플레이트와 제2플레이트를 지지한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 막을 증착하는 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그래피(Photolithography) 공정, 선택된 영역의 막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각 공정 등을 수행한다.
그리고, 증착 공정 등은 원료물질의 종류나 막의 특성에 따라 다양한 방식으로 진행되며, 각 공정의 특성에 맞게 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치에서 진행된다.
기판에 막을 증착하는 기판처리장치는, 증착하기 위한 빔이나 가스의 흐름을 만들어내면서 물질을 증발시키거나, 때려서 기판 상에 막을 형성하는 물리 기상 증착(PVD: Physical Vapor Deposition) 장치와 기체 상태의 원료 물질을 가열한 기판 상에 공급하고 기판 표면에서의 화학 반응에 의하여 막을 형성하는 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor deposition) 장치로 대별된다.
최근에는 저온 공정이 가능하고, 막의 질 및 공정 특성이 우수한 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 공정이 많이 사용되고 있다.
종래의 기판처리장치에 대하여, 플라즈마 화학 기상 장치를 예로 들어 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 종래의 기판처리장치의 구성을 보인 개략 단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간인 챔버를 형성하는 본체(11)를 포함할 수 있고, 본체(11)는 상면이 개방된 하부본체(11a)와 하면이 개방되며 하부본체(11a)의 상단면(上端面)에 하단면(下端面)이 결합되는 상부본체(11b)를 포함할 수 있다.
하부본체(11a)의 내부에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지유닛(13)이 승강가능하게 설치되고, 상부본체(11b)의 상면에는 본체(11)의 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스공급관(15)이 설치된다.
상부본체(11b)에는 백킹 플레이트(Backing Plate)(21)가 설치되고, 백킹 플레이트(21)에는 연결부재(23)를 매개로 샤워 헤드(25)가 지지 설치된다. 이때, 백킹 플레이트(21)와 샤워 헤드(25) 사이에는 공정가스가 확산되는 확산공간(22)이 형성된다.
상세히 설명하면, 가스공급관(15)의 상측 부위는 상부본체(11b)를 관통하여 상부본체(11b)의 외측에 위치되고, 하측 부위는 백킹 플레이트(21)를 관통하여 확산공간(22)과 연통된다. 그러면, 공정가스가 가스공급관(15)을 통하여 확산공간(22)으로 유입되고, 확산공간(22)으로 유입된 공정가스는 확산되어 샤워 헤드(25)에 형성된 복수의 분사공(25a)을 통하여 기판(50)측으로 균일하게 공급된다.
그리고, 기판(50)의 면적이 커짐에 따라 샤워 헤드(25)의 면적도 커지고, 이로 인해 샤워 헤드(25)의 중앙부측이 자중 등에 의하여 처지게 된다. 그러면, 기판(50)의 상면과 샤워 헤드(25) 사이의 간격이 기판(50)의 상면 부위에 따라 상이하므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하된다.
샤워 헤드(25)의 중앙부측이 하측으로 처지는 것을 방지하기 위하여, 지지부재(27)를 이용하여 샤워 헤드(25)의 중앙부측을 백킹 플레이트(21)측으로 당겨서 지지한다.
그리고, 확산공간(22)으로 유입된 공정가스가 더욱 확산되어 샤워 헤드(25)의 분사공(25a)을 통하여 공급될 수 있도록, 확산공간(22)에는 배플 플레이트(미도시)가 설치될 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 기판처리장치는, 상기 배플 플레이트가 하측으로 처지는 것을 방지하는 아무런 수단이 없으므로, 백킹 플레이트(21)와 상기 배플 플레이트 사이의 간격 및 상기 배플 플레이트와 샤워 헤드(23) 사이의 간격이 상기 배플 플레이트의 부위에 따라 상이하다.
그러면, 상기 배플 플레이트에서 분사되는 공정가스가 불균일하게 되고, 이로 인해 샤워 헤드(25)에서 분사되는 공정가스가 불균일하게 되므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하되는 단점이 있다.
기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2013-0120787호 등에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 지지부재를 이용하여 공정가스를 확산시키는 제1플레이트와 제2플레이트가 처지는 것을 방지함으로써, 기판에 균일한 막을 형성할 수 있는 기판처리장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상면이 개방된 본체; 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드; 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트; 상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지하는 하나 이상의 지지부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상면이 개방된 본체; 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드; 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트; 상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지함과 동시에 상기 리드와 상기 제2플레이트 사이의 간격 또는 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격을 조절하는 하나 이상의 지지부재를 포함할 수 있다.
또한, 기판처리장치는 상면이 개방된 본체, 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드, 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트, 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트, 상기 리드를 관통하고 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지하는 복수의 지지부재를 포함하고, 상기 지지부재는, 상부측은 상기 리드를 관통하고 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재, 상부측은 상기 제1지지부재의 하부측에 결합되고, 하부측은 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하며, 상기 제2지지부재는 그 상부측과 하부측의 사이에서 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상면이 개방된 본체, 상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드, 상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트, 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트, 상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지함과 동시에 상기 리드와 상기 제2플레이트 사이의 간격 또는 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격을 조절하는 하나 이상의 지지부재를 포함하며, 상기 지지부재는 복수개 마련되고, 상부측은 상기 리드에 지지되고, 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재, 상부측은 상기 제1지지부재의 하부측에 결합되고, 하부측은 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하며, 상기 제2지지부재는 그 상부측과 하부측의 사이에서 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 기판처리장치는, 리드와 제1플레이트 사이의 공간인 확산공간에 설치된 제2플레이트가 제1플레이트를 지지하는 지지부재에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러면, 리드와 제2플레이트 사이의 간격 및 제2플레이트와 제1플레이트 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트에서 분사되는 공정가스도 더욱 균일하므로, 기판에 균일한 막이 형성되는 효과가 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 구성을 보인 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 리드, 제1플레이트 및 제2플레이트의 확대도.
도 4는 도 3에 도시된 "A"부 확대도.
도 5는 도 3에 도시된 지지부재의 분해 사시도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 지지부재의 사시도.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"위에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 상호 결합되어 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간인 챔버(111a)를 형성하는 본체(111)와 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다. 이때, 챔버(111a)는 진공상태로 유지되어 기판(50)이 처리된다.
본체(111)는 상면이 개방되고, 리드(115)는 하면이 개방되며, 본체(111)의 상단면(上端面)과 리드(115)의 하단면(下端面)이 상호 결합된다. 이때, 본체(111)와 상단면(上端面)과 리드(115)의 하단면(下端面) 사이에는 진공이 누설되는 것을 방지하는 실링부재(117)가 개재될 수 있다.
본체(111)에는 기판(50)을 투입 및 배출하기 위한 투입구(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 투입구는 선택적으로 개폐될 수 있다.
본체(111)의 내부에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지유닛(120)이 승강가능하게 설치될 수 있다. 지지유닛(120)은 서셉터(121)를 포함할 수 있으며, 서셉터(121)의 내부에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있다. 그리고, 리드(115)의 상면에는 챔버(111a)로 공정가스를 주입하기 위한 가스공급관(130)이 설치될 수 있다.
도 2의 미설명 부호 180은 리드(115)의 상측에 설치되어 가스공급관(130) 등을 보호하는 커버이다. 이때, 리드(115)와 커버(180) 사이의 공간은 대기압 상태임은 당연하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에는 가스공급관(130)을 통하여 챔버(111a)로 유입된 공정가스가 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 균일하게 공급될 수 있도록 안내하는 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)가 리드(115)측에 지지 설치된다.
제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 지지구조에 대하여 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 리드, 제1플레이트 및 제2플레이트의 확대도이고, 도 4는 도 3에 도시된 "A"부 확대도이며, 도 5는 도 3에 도시된 지지부재의 분해 사시도이다.
도시된 바와 같이, 제1플레이트(141)는 리드(115)의 내부 상면에 결합되며, 리드(115)와 제1플레이트(141) 사이에는 가스공급관(130)을 통하여 유입된 공정가스가 확산되는 확산공간(142)이 형성된다. 확산공간(142)이 형성될 수 있도록, 제1플레이트(141)의 테두리부에는 수직으로 기립된 측벽(141a)이 형성될 수 있다.
제1플레이트(141)에는 복수의 분사공(141b)이 형성될 수 있으며, 리드(115)의 상면측을 통하여 공급된 공정가스는 확산공간(142)에서 확산된 후, 분사공(141b)을 통하여 챔버(111a)로 균일하게 분사된다. 따라서, 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 공정가스가 균일하게 분사된다.
평판디스플레이의 면적이 대형화됨에 따라 기판처리장치도 대형화되며, 이에 따라 기판(50)의 면적과 대응되게 제1플레이트(141)의 면적도 넓어진다. 그런데, 기판(50)이 처리되는 챔버(111a)의 압력은 대단히 고압이므로, 제1플레이트(141)가 압력 및 자중 등에 의하여 하측으로 처질 수 있다. 특히, 제1플레이트(141)의 중앙부측이 하측으로 많이 처질 수 있다.
제1플레이트(141)가 처져서, 기판(50)의 상면과 제1플레이트(141) 사이의 간격이 기판(50)의 상면 부위에 따라 상이하면, 기판(50)으로 분사되는 공정가스가 불균일하므로, 기판(50)에 형성되는 막의 균일도가 저하된다.
제1플레이트(141)가 처지는 것을 방지하기 위하여, 지지부재(150)가 마련된다.
상세히 설명하면, 지지부재(150)의 상단부측은 리드(115)의 상면에 지지되고, 하단부측은 제1플레이트(141)에 결합되어, 제1플레이트(141)가 처지는 것을 방지한다.
지지부재(150)는 제1플레이트(141)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수도 있고, 제1플레이트(141)의 부위 중, 많이 처지는 제1플레이트(141)의 부위에 설치될 수 있다.
그리고, 지지부재(150)는 제1플레이트(141)의 부위 중, 많이 처지는 제1플레이트(141)의 부위가 리드(115)와 더 가까이 위치될 수 있도록 조절할 수 있다. 이는 후술한다.
리드(115)에 의하여 제1플레이트(141)가 견고하게 지지될 수 있도록, 리드(115)는 제1플레이트(141) 보다 고강성을 가지는 것이 바람직하다.
지지부재(150)는 상호 결합된 제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 포함할 수 있다.
상세히 설명하면, 제1지지부재(151)는 원기둥 형상으로 형성되며 하측 부위가 리드(115)를 관통하는 제1몸체(152), 제1몸체(152)의 상단부에 형성되며 제1몸체(152)의 직경보다 큰 직경으로 형성되어 리드(115)의 상면 부위에 걸리는 머리부(153) 및 제1몸체(152)의 하측 부위 외주면에 형성되며 제2지지부재(155)에 삽입 결합되는 복수의 걸림돌기(154)를 포함할 수 있다.
제2지지부재(155)는 하면이 밀폐된 원통형의 제2몸체(156), 제2몸체(156)의 상면에서 상측으로 돌출 형성되며 제1몸체(152)의 하측 부위가 삽입 지지되는 지지관(157), 제2몸체(156)의 하면에서 하측으로 돌출 형성되며 제1플레이트(141)에 결합되는 결합바(158)를 포함할 수 있다.
제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 상호 결합할 수 있도록, 제2몸체(156)의 외경은 지지관(157)의 외경 보다 크게 형성되며, 제2몸체(156)의 내주면과 지지관(157)의 외주면이 접하는 형태로 지지관(157)이 상측으로 연장 형성된다. 그리고, 지지관(157)에는 지지관(157)의 길이방향으로 따라 출입로(157a)가 형성되고, 제2몸체(156)의 상면에는 출입로(157a)의 하단부와 연통된 삽입홈(156a)이 형성된다. 또한, 제2몸체(156)의 내부에는 삽입홈(156a)과 연통되며 제1몸체(152)의 하측 부위 및 걸림돌기(154)가 삽입되는 삽입공간(156b)(도 4 참조)이 형성된다.
그리하여, 제1몸체(152) 및 걸림돌기(154)를 지지관(157)의 내부 및 출입로(157a)와 각각 대향되게 위치시킨 상태에서, 제1지지부재(151)를 하강시키면 걸림돌기(154)가 삽입홈(156a)에 삽입된다. 이러한 상태에서, 제1지지부재(151)를 더 하강시켜 회전시키면, 걸림돌기(154)가 삽입공간(156b)을 형성하는 제2몸체(156)의 상면 부위 또는 지지관(157)의 하단면(下端面)에 걸리므로, 제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)가 상호 결합되는 것이다.
제1지지부재(151)와 제2지지부재(155)를 분리하고자 할 경우에는, 걸림돌기(154)가 삽입홈(156a)에 위치되도록 제1지지부재(151)를 회전시킨 다음, 제1지지부재(151)를 상측으로 이동시키면 된다.
지지관(157)에 제1몸체(152)의 하측 부위가 삽입 지지되므로, 제1지지부재(151)는 제2지지부재(155)에 안정되게 삽입 결합된다. 그리고, 걸림돌기(154)는 제1지지부재(151)가 승강함에 따라, 출입로(157a)를 출입한다.
제1플레이트(141)에는 결합바(158)가 결합되는 결합공(141c)이 형성될 수 있고, 결합바(158)의 외주면 및 결합공(141c)의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선이 형성될 수 있다. 그러면, 제2지지부재(155)를 정역회전시킴에 따라 결합공(141c)에 삽입 결합되는 결합바(158)의 삽입 깊이를 조절할 수 있다. 그러므로, 전술한 바와 같이, 필요에 따라 제1플레이트(141)의 소정 부위를 리드(115)와 더 가까이 위치시킬 수 있고, 리드(115)와 제1플레이트(141)이 사이의 간격을 조절할 수 있다.
확산공간(142)에는 공정가스가 챔버(111a)로 더욱 균일하게 분사되도록 안내하는 복수의 분사공(145a)이 형성된 제2플레이트(145)가 설치될 수 있다.
즉, 확산공간(142)으로 공급된 공정가스가 제2플레이트(145)에 의하여 균일하게 확산되어 제1플레이트(141)측으로 공급되므로, 제1플레이트(141)에서 챔버(111a)로 분사되는 공정가스는 더욱 확산된다. 따라서, 기판(50)의 전면(全面)에 걸쳐서 공정가스가 더욱 균일하게 분사된다. 전술한, 평판디스플레이의 대형화 및 기판(50)이 처리되는 챔버(111a) 내부의 압력이 고압인 이유로 제2플레이트(145)도 압력 및 자중에 의하여 처질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 지지부재(150)를 이용하여 제2플레이트(145)가 처지는 것을 방지한다.
상세히 설명하면, 제2플레이트(145)에는 제2지지부재(155)의 지지관(157)이 관통하는 관통공(145b)이 형성되고, 관통공(145b)과 접하는 제2플레이트(145)의 부위는 지지관(157) 보다 큰 직경으로 형성된 제2몸체(156)의 상면에 접촉 지지된다. 제2몸체(156)로 인하여, 제2플레이트(145)가 처지는 것이 방지되므로, 리드(115)와 제2플레이트(145) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격은 제2플레이트(145)의 전체면에 걸쳐서 균일하다. 따라서, 제2플레이트(145)에서 제1플레이트(141)의 분사공(141b)측으로 분사되는 공정가스가 균일하므로, 제1플레이트(141)에서 기판(50)측으로 분사되는 공정가스도 균일하다.
제2플레이트(145)는 제1플레이트(141)와 동심을 이루면서 배치되고, 전술한 바와 같이, 지지부재(150)는 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수 있다. 그리고, 제1플레이트(141) 및 제2플레이트(145)의 부위 중, 많이 처지는 부위에 지지부재(150)가 설치될 수 있다.
제2지지부재(155)의 제2몸체(156)의 두께를 적절하게 조절하거나, 제2지지부재(156)의 길이를 적절하게 조절하면, 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 리드(115) 사이의 간격을 조절할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 리드(115)에는 전원(151)이 접속될 수 있으며, 리드(115)는 제1플레이트(141)와 전기적으로 접속될 수 있다. 그리고, 지지유닛(120)의 서셉터(121)는 전기적으로 접지되어 양극의 기능을 할 수 있다.
그러면, 제1플레이트(141)와 서셉터(121)의 사이의 챔버(111a)의 영역에 전기장이 형성되고, 챔버(111a)에 형성된 전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌하면서 플라즈마가 형성되어 기판(50)에 증착되는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는, 리드(115)와 제1플레이트(141) 사이의 공간인 확산공간(142)에 설치된 제2플레이트(145)가 지지부재(150)에 지지되어 처지는 것이 방지된다. 그러므로, 리드(115)와 제2플레이트(145) 사이의 간격 및 제2플레이트(145)와 제1플레이트(141) 사이의 간격이 각각 균일하므로, 제2플레이트(145)에서 분사되는 공정가스가 균일하다. 따라서, 제1플레이트(141)에서 분사되는 공정가스도 균일하므로, 기판(50)에 균일한 막이 형성된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 5와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 지지관(257)이 관통하는 제2플레이트(245)의 내주면측에는 계단진 단면(段面)(245c)이 형성될 수 있다. 단면(245c)은 제2플레이트(245)에 수직하는 수직면(245ca)과 수직면(245ca)의 상면에서 내측으로 연장 형성되어 제2플레이트(245)와 평행하는 수평면(245cb)을 포함할 수 있다. 수직면(245ca)은 제2몸체(256)의 외면에 접촉 지지되고, 수평면(245cb)은 제2몸체(256)의 상면에 접촉 지지될 수 있다. 따라서, 제2플레이트(245)가 제2몸체(256)에 견고하게 지지된다.
도 6에 도시된 상태에서는, 수평면(245cb)의 내주면에 의하여 형성되는 공간이 관통공(245b)이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 4와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 또 실시예에 따른 기판처리장치는, 제2플레이트(345)의 하면과 제2지지부재(355)의 제2몸체(356)의 상면 사이에는 스페이서(360)가 개재될 수 있다.
스페이서(360)는 제2플레이트(345)가 설치되는 위치를 조절할 수 있다. 즉, 리드(311)와 제2플레이트(345) 사이의 간격 또는 제2플레이트(345)와 제1플레이트(341) 사이의 간격을 조절할 수 있다. 그리고, 제2플레이트(345)의 부위 중, 많이 처지는 제2플레이트(345)의 부위에 국부적으로 설치될 수 있다. 스페이서(360)는 복수개가 적층된 형태로 개재될 수 있음은 당연하다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 지지부재의 사시도로서, 도 5와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 지지부재(450)의 제1지지부재(451)의 제1몸체(452)의 하단부측 외주면 및 제2지지부재(455)의 지지관(457)의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선이 형성될 수 있다. 그러면, 제1지지부재(451)를 정역회전시킴에 따라 상호 삽입 결합되는 제1지지부재(451)와 제2지지부재(455)에 삽입 길이를 조절할 수 있으므로, 전술한 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트의 위치를 간편하게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트의 부위 중, 많이 처지는 부위를 상기 리드측과 가까이 위치시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도로서, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 제1지지부재(551)의 머리부(553)와 리드(515) 사이에는 스페이서(560)가 개재될 수 있다. 그러면, 제1플레이트(541) 및 제2플레이트(545)의 부위 중, 많이 처지는 부위를 리드(515)과 가까이 위치시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
111: 본체
115: 리드
120: 지지유닛
130: 가스공급관
141: 제1플레이트
145: 제2플레이트
150: 지지부재

Claims (4)

  1. 상면이 개방된 본체;
    상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드;
    상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트;
    상기 리드를 관통하고 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지하는 복수의 지지부재를 포함하고,
    상기 지지부재는,
    상부측은 상기 리드를 관통하고 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재;
    상부측은 상기 제1지지부재의 하부측에 결합되고, 하부측은 상기 제1플레이트에 결합되어 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하며,
    상기 제2지지부재는 그 상부측과 하부측의 사이에서 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 상면이 개방된 본체;
    상기 본체의 개방된 상면에 결합된 리드;
    상기 리드의 내부 상면과 이격되어 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제1플레이트;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 설치되고, 복수의 분사공이 형성된 제2플레이트;
    상기 리드에 지지되어 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트를 지지함과 동시에 상기 리드와 상기 제2플레이트 사이의 간격 또는 상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 사이의 간격을 조절하는 하나 이상의 지지부재를 포함하며,
    상기 지지부재는 복수개 마련되고,
    상부측은 상기 리드에 지지되고, 하부측은 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 위치된 제1지지부재;
    상부측은 상기 제1지지부재의 하부측에 결합되고, 하부측은 상기 제1플레이트에 결합되어 상기 제1플레이트를 지지하는 제2지지부재를 포함하며,
    상기 제2지지부재는 그 상부측과 하부측의 사이에서 제2플레이트를 관통하면서 상기 제2플레이트를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1지지부재는 제1몸체와 상기 제1몸체의 상면에 상기 제1몸체의 직경보다 큰 직경으로 형성되어 상기 리드에 걸려서 지지되는 머리부를 포함하고,
    상기 제2지지부재는, 내부에 상기 제1몸체의 하측 부위가 삽입 결합되는 제2몸체; 상기 제2몸체의 외경 보다 작은 외경을 가지면서 상기 제2몸체의 상면에서 연장 형성되고, 상기 제2플레이트를 관통하며, 상기 제1몸체의 하측 부위가 삽입되는 지지관; 상기 제2몸체의 하면에서 연장 형성되어 상기 제1플레이트에 결합되는 결합바를 포함하며,
    상기 지지관을 관통하는 상기 제2플레이트의 부위는 상기 제2몸체의 상면에 접촉 지지된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1몸체의 하측 부위 외면에는 복수의 걸림돌기가 형성되고,
    상기 지지관에는 상기 걸림돌기가 출입하는 출입로가 형성되며,
    상기 제2몸체의 상면에는 상기 출입로와 연통된 삽입홈이 형성되고, 내부에는 상기 삽입홈과 연통되며 상기 걸림돌기가 삽입되어 걸리는 삽입공간이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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