KR102302922B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 전극봉의 외주면과 전극봉이 관통하는 제2전극판의 관통공의 외주면 사이의 간격을 1.5㎜∼20㎜로 형성한다. 그러면, 가스의 분해율이 향상되어, 기판에 증착되는 막의 증착률이 향상되므로, 기판에 증착되는 막의 질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.

Description

기판처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 제1전극판의 전극봉의 외주면과 전극봉이 관통하는 제2전극판의 관통공 내주면 사이의 간격을 최적으로 설정한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하기 위해서는 기판의 표면에 특정물질을 증착하여 박막을 형성하는 증착공정, 감광성 물질을 이용하여 형성된 박막 중 선택된 영역을 노출시키거나, 은폐시키는 포토공정, 선택된 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등을 수행한다.
상기 반도체 제조공정들은 각 공정에 적합하도록 최적으로 설계된 기판처리장치에서 수행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착공정 또는 식각공정을 수행하는 기판처리장치가 많이 사용되고 있다.
플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)하는 일반적인 기판처리장치는 기판이 투입되어 처리되는 공간을 형성하는 챔버를 구비한다.
상기 챔버의 내부 하면측에는 기판을 지지하는 지지유닛이 승강가능하게 설치되고, 외부 상면에는 기판에 형성할 박막의 특성에 따른 가스를 공급하는 가스공급부가 설치된다.
상기 챔버의 내부 상면측에는 상기 가스공급부에서 공급된 가스를 기판측으로 균일하게 공급하기 위한 제1전극판이 설치되고 상기 제1전극판의 하면에는 복수의 전극봉이 돌출 형성된다. 그리고, 상기 제1전극판의 하측에는 제2전극판이 설치되고, 상기 제2전극판에는 상기 전극봉의 하측 부위가 삽입 위치되는 관통공이 형성된다.
그리하여, 상기 가스공급부의 가스가 상기 제1전극판의 하측으로 분사되도록 하면서, RF 전원을 상기 제1전극판을 통하여 상기 전극봉에 인가하면, 상기 전극봉과 상기 제2전극판의 상기 관통공 사이에서 플라즈마 방전이 발생하고, 플라즈마 방전에 의해 이온화되는 가스의 분자들이 기판에 증착되어 박막을 형성한다. 즉, 상기 전극봉의 외주면과 상기 관통공의 내주면 사이의 공간이 플라즈마 방전공간인 것이다.
이때, 상기 전극봉의 외주면과 상기 관통공의 내주면 사이의 간격이 좁으면, 플라즈마에 의한 가스의 분해율이 낮아지는 문제점이 있고, 상기 전극봉의 외주면과 상기 관통공의 내주면 사이의 간격이 넓으면, 플라즈마의 방전상태가 불안정해지는 문제점이 있다. 그러면, 증착속도가 저하되고, 막질이 저하된다.
이로 인해, 플라즈마 방전공간인 상기 제1전극판의 상기 전극봉의 외주면과 상기 제2전극판의 상기 관통공의 내주면 사이의 간격에 대한 최적의 설정 값이 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 방전공간을 형성하는 제1전극판의 전극봉의 외주면과 제2전극판의 관통공의 내주면 사이의 간격을 최적으로 설정하여, 증착속도를 향상시킴과 동시에 막질을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 투입되어 처리되는 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극판; 상기 챔버의 내부에 설치되며 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통공이 형성된 제2전극판을 포함하고, 상기 전극봉의 외주면과 상기 관통공의 내주면 사이의 간격은 1.5㎜∼20㎜인 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치는 전극봉의 외주면과 전극봉이 관통하는 제2전극판의 관통공의 외주면 사이의 간격을 1.5㎜∼20㎜로 형성한다. 그러면, 가스의 분해율이 향상되어, 기판에 증착되는 막의 증착률이 향상되므로, 기판에 증착되는 막의 질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 제1전극판과 제2전극판의 분해 사시도.
도 3은 도 2의 결합 저면도.
도 4는 도 1의 "A"부 확대도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 제1전극판의 전극봉과 제2전극판의 관통공 사이의 간격에 따른 증착률을 보인 도.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1전극판의 전극봉과 제2전극판의 관통공을 보인 결합 저면도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"위에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 제1전극판과 제2전극판의 분해 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 기판(50)이 처리되는 공간인 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방되어 하측에 위치된 본체(111)와 하면이 개방되어 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 하단면(下端面)이 결합되는 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다.
이하, 챔버(110)를 포함한 다른 구성요소들의 면 및 방향을 지칭함에 있어서, 도 1에 도시된 방향을 기준으로, 챔버(110)의 상측을 향하는 면 및 방향을 "상면 및 상측"이라 하고, 하측을 향하는 면 및 방향 "하면 및 하측"이라 한다.
상호 결합된 본체(111)와 리드(115)가 챔버(110)를 형성하므로, 챔버(110)의 상면 및 하면이 각각 본체(111)의 하면 및 리드(115)의 상면임은 당연하다.
챔버(110)의 내부 하면측에는 기판(50)을 지지하는 지지유닛(120)이 승강가능하게 설치될 수 있다. 지지유닛(120)은 기판(50)이 안치되는 서셉터 등과 같은 안치수단(121), 상측은 안치수단(121)의 하면에 결합되고 하측은 챔버(110)의 외측으로 노출된 지지축(123), 지지축(123)을 승강 또는 회전시키는 구동부(125) 및 지지축(123)을 감싸는 형태로 설치되어 지지축(123)과 챔버(110) 사이를 실링하는 벨로즈(127) 등을 포함할 수 있다. 구동부(125)에 의하여 기판(50)이 안치되는 안치수단(121)이 승강하므로, 기판(50)에 형성할 박막의 특성에 따라 기판(50)의 위치를 조절할 수 있다.
리드(115)의 외부 상면에는 기판(50)에 형성할 박막의 특성에 따른 가스를 공급하는 가스공급부(130)가 설치될 수 있고, 가스공급부(130)는 제1가스공급부(131)와 제2가스공급부(135)를 포함할 수 있다.
제1가스공급부(131)는 리드(115)와 후술할 가스분사유닛(140)의 상부측을 형성하는 제1전극판(141)과의 사이에 형성된 공간(142)으로 가스를 공급할 수 있고, 제2가스공급부(135)는 제1전극판(141)의 내부에 형성된 유로(141c)로 가스를 공급할 수 있다.
이때, 제1가스공급부(131)는 반응가스를 포함하는 제1가스를 공급할 수 있고, 제2가스공급부(135)는 상기 제1가스와 조성이 다르거나, 공급조건이 다른 제2가스를 공급할 수 있다. 제1가스공급부(131)가 상기 제2가스를 공급하고, 제2가스공급부(135)가 상기 제1가스를 공급할 수 있음은 당연하다.
챔버(110)에는 기판(50)을 반입 또는 반출하기 위한 출입구(미도시)가 형성될 수 있고, 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(112)가 형성될 수 있고, 그리고, 상기 출입구는 선택적으로 개폐될 수 있다.
리드(115)의 내부 상면측에는 가스공급부(130)에서 공급된 상기 제1가스 및 상기 제2가스를 확산시켜 기판(50)측으로 공급하는 가스분사유닛(140)이 착탈가능하게 설치될 수 있다. 가스분사유닛(140)은 기판(50)이 안치되는 안치수단(121)과 대향하는 것이 바람직하다.
가스분사유닛(140)에 대하여 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2의 결합 저면도이고, 도 4는 도 1의 "A"부 확대도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 제1전극판의 전극봉과 제2전극판의 관통공 사이의 간격에 따른 증착률을 보인 도이다.
도시된 바와 같이, 가스분사유닛(140)은 제1전극판(141), 전극봉(143), 제2전극판(145) 및 절연부재(147)를 포함할 수 있다.
제1전극판(141)은 알루미늄 등과 같은 금속으로 형성되어 소정 두께를 가지는 판 형상으로 형성될 수 있고, 리드(115)의 내부 상면측에 결합될 수 있다. 제1전극판(141)은 접지전극의 기능을 할 수 있으며, 리드(115)를 통해 전기적으로 접지될 수 있다.
제1전극판(141)의 테두리측에는 상측으로 벤딩 형성된 벤딩테(141a)가 형성될 수 있으며, 벤딩테(141a)에 의하여, 리드(115)와 제1전극판(141) 사이에는 제1가스공급부(131)에서 공급된 상기 제1가스가 확산되는 공간(142)이 형성될 수 있다.
제1전극판(141)에는 상하 방향으로 복수의 관통로(141b)가 형성될 수 있고, 관통로(141b)의 상단부는 공간(142)과 연통될 수 있다. 그리고, 제1전극판(141)의 관통로(141b)의 하단부측에 전극봉(143)이 일체로 형성될 수 있다. 전극봉(143)은 제1전극판(141)에 착탈가능하게 결합될 수도 있으며, 전극봉(143)을 제1전극판(141)에 착탈할 수 있도록 전극봉(143)의 외주면 및 관통공(141b)의 하단부측 외주면에는 상호 맞물려서 결합되는 나사선(螺?螺)이 각각 형성될 수 있다.
전극봉(143)의 내부에는 전극봉(143)의 길이방향을 따라 분사로(143a)가 형성될 수 있고, 분사로(143a)는 관통로(141b)를 매개로 공간(142)과 연통될 수 있다. 그러므로, 공간(142)으로 유입된 상기 제1가스는 관통로(141b)를 통하여 분사로(143a)로 공급될 수 있다.
제1전극판(141)의 내부에는 제2가스공급부(135)에서 공급된 상기 제2가스가 유입되어 흐르는 유로(141c)가 형성될 수 있고, 유로(141c)의 상기 제2가스는 제1전극판(141)의 하면에 형성되어 유로(141c)와 연통된 복수의 분사공(141d)을 통하여 분사될 수 있다. 이때, 분사공(141d)은 각각의 전극봉(143)을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다.
제1전극판(143)의 하면에는 판 형상의 제2전극판(145)이 결합될 수 있다.
제2전극판(145)에는 전극봉(143)의 하단부측이 위치하는 관통공(145a)이 형성될 수 있다. 이때, 관통공(145a)의 내주면과 전극봉(143)의 외주면 사이에는 방전공간(PDS)인 공간이 형성될 수 있다. 그러면, 분사공(141d)을 통하여 분사되는 상기 제2가스는 플라즈마 방전공간(PDS)으로 유입되어 기판(50)측으로 분사되는 형태가 됨은 당연하다.
전극봉(143)과 제2전극판(145)의 관통공(145a)은 동심을 이루는 것이 바람직하다.
제2전극판(145)의 관통공(145a)과 전극봉(143) 사이의 주위에서 플라즈마가 발생하면, 플라즈마 방전공간(PDS)으로 공급된 상기 제2가스는 플라즈마에 의하여 활성화되어 기판(50)으로 분사되고, 상기 제1가스는 전극봉(143)의 분사로(143a)를 통하여 기판(50)으로 하향 분사된다. 이로 인해, 활성화된 상기 제2가스가 상기 제1가스와 반응함으로써 기판(50) 상에 박막층이 형성될 수 있다.
제1전극판(141)과 제2전극판(145) 사이에는 세라믹 등으로 형성된 절연판(미도시)이 설치될 수 있다. 상기 절연판은 제1전극판(141)과 제2전극판(145) 사이를 절연하거나 전위차를 유지시키는 역할을 한다.
상기 절연판이 설치될 경우, 상기 절연판에는 전극봉(143)이 관통하는 관통공(미도시)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 절연판의 상기 관통공과 상기 전극봉(143) 사이에는 상기 제2가스가 통과할 수 있도록 간격이 형성되어야 함은 당연하다.
제2전극판(145)의 하면 테두리부측 및 측면에는 세라믹으로 형성된 절연부재(147)가 착탈가능하게 결합될 수 있다. 절연부재(145)는 제2전극판(145)과 리드(115)를 전기적으로 절연시킬 수 있다.
전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 적절하지 않으면, 기판(50)에 증착되는 막의 질이 저하될 수 있다. 더 구체적으로 설명하면, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 좁으면, 플라즈마에 의한 가스의 분해율이 낮아지고, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 넓으면, 플라즈마의 방전상태가 불안정해지므로, 기판(50)에 증착되는 막의 질이 저하될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)을 적절하게 형성하여, 가스의 분해율을 향상시킬 수 있도록 마련된다.
더 구체적으로는, 전극봉(143)과 제2전극판(145)의 관통공(145a)을 원형으로 형성한 다음, 전극봉(143)과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)을 1.5㎜∼20㎜로 형성할 수 있다.
그러면, 도 5에 도시된 바와 같이, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)에 따라 기판(50)에 증착되는 막의 증착률을 측정하였을 때, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 1.5㎜∼20㎜일 때, 기판(50)에 막이 증착되는 증착률(Å/Min)은 약 400∼1650(Å/Min) 으로 측정되었다. 상기 증착률은 대단히 증착속도가 빠른 것으로, 가스의 분해율이 우수함을 알 수 있다.
특히, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 4㎜∼17㎜일 때, 증착률(Å/Min)은 약 750∼1650(Å/Min)으로 우수하였고, 전극봉(143)의 외주면과 제2전극판(145)의 관통공(145a)의 내주면 사이의 간격(D)이 7㎜∼13mm일 때, 증착률(Å/Min)은 약 1400∼1650(Å/Min)으로 대단히 우수하였다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1전극판의 전극봉과 제2전극판의 관통공을 보인 결합 저면도로서, 도 3과의 차이점만을 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전극봉(243) 및 제2전극판(245)의 관통공(245a)을 타원형으로 형성할 수도 있고, 도 7에 도시된 바와 같이, 전극봉(343) 및 제2전극판(345)의 관통공(345a)을 각각 모서리부가 라운딩진 사각형으로 형성할 수도 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 전극봉(243, 343) 및 제2전극판(245, 345)의 관통공(245a, 345a)의 경우에도, 도 5에서 설명한 증착률과 비슷한 결과가 나왔다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보인 단면도로서, 도 1과의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 제1전극판(141)이 상기 플라즈마 전원공급부와 접속되어 플라즈마전극의 기능을 하고, 제2전극판(145)이 접지전극의 기능을 할 수도 있다. 이때, 제1전극판(141)은 절연부재(147)에 의하여 절연되고, 제2전극판(145)은 리드(115)를 통해 전기적으로 접지될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
111: 챔버
115: 리드
140: 가스분사유닛
141: 제1전극판
143: 전극봉
145: 절연판
145: 제2전극판

Claims (4)

  1. 기판이 투입되어 처리되는 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극판;
    상기 챔버의 내부에 설치되며 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통공이 형성된 제2전극판을 포함하고,
    상기 전극봉의 외주면과 상기 관통공의 내주면 사이의 간격은 7㎜∼13㎜인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극봉 및 상기 관통공은 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극봉 및 상기 관통공은 타원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극봉 및 상기 관통공은 각각 모서리부가 라운딩진 사각형으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080303744A1 (en) 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101206975B1 (ko) * 2006-06-29 2012-11-30 주식회사 원익아이피에스 플라즈마를 발생시키는 샤워헤드를 구비한 반도체공정장치
KR101160906B1 (ko) * 2010-03-17 2012-06-28 최대규 용량 결합 플라즈마 반응기
JP5851149B2 (ja) * 2011-08-08 2016-02-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
KR101239109B1 (ko) * 2011-09-23 2013-03-06 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버
KR101703768B1 (ko) * 2011-11-02 2017-02-08 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR102061749B1 (ko) * 2012-12-27 2020-01-02 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR101844325B1 (ko) * 2013-07-25 2018-05-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080303744A1 (en) 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system

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