KR100769522B1 - 화학기상증착장치의 샤워헤드 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (1)
- 샤워헤드(400)와 히터(50)가 내설될 수 있도록 챔버내부(11)를 갖는 챔버(10)와, 반응가스가 외부로부터 유입되도록 일측에 가스 인 포트(21)를 마련하고, 이를 상기 챔버(10) 상면과 체결수단에 의해 결합되어 밀폐되는 챔버리드(20)와, 상기 유입된 반응가스가 챔버리드(20)의 하면에 부설되어 저온영역부를 형성하며, 하단에 설치된 통공(31)에 의해 분배되는 블록플레이트(30)와, 상기 분배된 반응가스가 웨이퍼(60) 표면에 분사될 수 있도록, 다수개의 분사홀(410)을 형성하며, 이를 챔버리드(20)와 체결 고정되도록 외주면을 따라 형성된 다수개의 체결공(420)을 갖고, 샤워 헤드 하방 면상 중앙에 돌출부(430)가 형성되는 한편, 상기 돌출부 내측으로 메인홀(411)및 보조홀(412)의 하단 개구부가 형성되는 유도홈(440)이 마련되는 샤워헤드(400)와,이때 상기 웨이퍼(60)가 상면에 안착되고, 하면에는 히터지지대(51)를 갖는 히터(50)가, 상기 샤워헤드(400)와 일정간격을 두고 챔버내부(11)에 설치되는 화학기상증착장치(1)의 샤워헤드를 구성함에 있어서,분사홀(410)은 상방 면상 중앙에 등간격으로 상,하,좌,우 배열되어 형성된 메인홀(411)과, 상기 메인홀(411)들 사이에 메인홀(411)과 이격되게 교차하며 등간격으로 상,하,좌,우 배열되어 형성되는 다수개의 보조홀(412)로 이원화시켜 반응가스의 분사각에 대한 사각지역을 해소하게 형성되고,메인홀(411)과 보조홀(412)의 하방 개구부 끝단에 면취부(450)가 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 샤워헤드.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060104157A KR100769522B1 (ko) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 화학기상증착장치의 샤워헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060104157A KR100769522B1 (ko) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 화학기상증착장치의 샤워헤드 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040063047A Division KR20060014495A (ko) | 2004-08-11 | 2004-08-11 | 화학기상증착장치의 샤워헤드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060114312A KR20060114312A (ko) | 2006-11-06 |
KR100769522B1 true KR100769522B1 (ko) | 2007-11-06 |
Family
ID=37652085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060104157A KR100769522B1 (ko) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 화학기상증착장치의 샤워헤드 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100769522B1 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100917475B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-09-14 | 홍인표 | 샤워헤드를 채용한 증착장치 |
KR20200040397A (ko) | 2018-10-10 | 2020-04-20 | 안범모 | 접합부품, 반도체 제조 공정용 접합부품 및 반도체 제조 공정 장비 |
KR20200045785A (ko) | 2018-10-23 | 2020-05-06 | 안범모 | 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품 |
KR20200063844A (ko) | 2018-11-28 | 2020-06-05 | (주)포인트엔지니어링 | 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품 |
KR20200097021A (ko) | 2019-02-07 | 2020-08-18 | (주)포인트엔지니어링 | 온도 조절 장치 |
KR20200109620A (ko) | 2019-03-13 | 2020-09-23 | (주)포인트엔지니어링 | 접합부품 |
KR20210020436A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-24 | (주)포인트엔지니어링 | 접합부품 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10150026A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Ltd | アッシング装置 |
US20020187647A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-12-12 | Rajinder Dhindsa | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
US6553932B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes |
-
2006
- 2006-10-25 KR KR1020060104157A patent/KR100769522B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10150026A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Ltd | アッシング装置 |
US6553932B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes |
US20020187647A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-12-12 | Rajinder Dhindsa | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100917475B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-09-14 | 홍인표 | 샤워헤드를 채용한 증착장치 |
KR20200040397A (ko) | 2018-10-10 | 2020-04-20 | 안범모 | 접합부품, 반도체 제조 공정용 접합부품 및 반도체 제조 공정 장비 |
KR20200045785A (ko) | 2018-10-23 | 2020-05-06 | 안범모 | 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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