KR101160906B1 - 용량 결합 플라즈마 반응기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 용량 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 용량 결합 플라즈마 반응기는 피처리 기판을 지지하는 기판 지지대가 내부에 구비되는 반응기 몸체; 상기 반응기 몸체에 구비되는 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 결합되어 플라즈마 방전을 유도하는 제2 전극을 포함한다. 본 발명의 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기에 의하면, 결합 설치된 두 개의 전극 사이에서 방전이 이루어져 플라즈마를 발생시킨다. 또한 다양한 크기 및 형태의 피처리 기판에 따라 전극의 크기를 조절할 수 있다. 또한 균일한 대면적의 플라즈마를 이용하여 피처리 기판을 보다 균일하게 처리할 수 있다.

Description

용량 결합 플라즈마 반응기{CAPACITIVELY COUPLED PLASMA REACTOR}
본 발명은 용량 결합 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 구체적으로는 대면적의 플라즈마를 보다 균일하게 발생하여 대면적의 피처리 대상에 대한 처리 효율을 향상시킬 수 있는 용량 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다. 용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 그러나 대형화되는 피처리 기판을 처리하기 위하여 용량 결합 전극을 대형화하는 경우 전극의 열화에 의해 전극에 변형이 발생되거나 손상될 수 있다. 이러한 경우 전계 강도가 불균일하게 되어 플라즈마 밀도가 불균일하게 될 수 있으며 반응기 내부를 오염시킬 수 있다. 유도 결합 플라즈마 소스의 경우에도 유도 코일 안테나의 면적을 크게 하는 경우 마찬가지로 플라즈마 밀도를 균일하게 얻기가 어렵다.
최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판이나 유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 피처리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질의 개발되고 있는 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리 기판에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 더욱이 레이저를 이용한 다양한 반도체 제조 장치가 제공되고 있다. 레이저를 이용하는 반도체 제조 공정은 피처리 기판에 대한 증착, 식각, 어닐닝, 세정 등과 같은 다양한 공정에 넓게 적용되고 있다. 이와 같은 레이저를 이용한 반도체 제조 공정의 경우에도 상술한 문제점이 존재한다.
피처리 기판의 대형화는 전체적인 생산 설비의 대형화를 야기하게 된다. 생산 설비의 대형화는 전체적인 설비 면적을 증가시켜 결과적으로 생산비를 증가시키는 요인이 된다. 그럼으로 가급적 설비 면적을 최소화 할 수 있는 플라즈마 반응기 및 플라즈마 처리 시스템이 요구되고 있다. 특히, 반도체 제조 공정에서는 단위 면적당 생산성이 최종 재품의 가격에 영향을 미치는 중요한 요인의 하나로 작용한다.
본 발명의 목적은 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생 및 유지할 수 있는 용량 결합 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 처리하고자하는 피처리 기판의 형태에 따라 전극의 형상을 다르게 하여 대면적의 플라즈마를 발생시키는 용량 결합 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 용량 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 용량 결합 플라즈마 반응기는 피처리 기판을 지지하는 기판 지지대가 내부에 구비되는 반응기 몸체; 상기 반응기 몸체에 구비되는 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 결합되어 플라즈마 방전을 유도하는 제2 전극을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 일면에 적어도 하나의 돌기부가 형성되고, 상기 제2 전극은 적어도 하나의 개구부가 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 돌기부가 상기 제2 전극의 개구부의 내부에 포함되도록 결합된다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 플라즈마 반응기는 무선 주파수 전원을 제공하는 전원 공급원을 포함하고, 상기 전원 공급원은 제1 전극 또는 제2 전극에 연결되고 전원 공급원이 연결되지 않은 나머지 전극은 접지된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극은 처리하고자하는 기판의 형태에 따라 사각 또는 원 형상의 매쉬 구조로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극은 하나의 전극판 또는 복수 개의 전극판이 결합된 전극 어셈블리 중 어느 하나이다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 플라즈마 반응기는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 절연판이 더 구비된다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 플라즈마 반응기는 전류의 상호 균형을 자동으로 조절하는 적어도 하나의 전류 균형 회로를 포함하여 상기 전극 어셈블리에 포함된 복수 개의 전극판에 균일한 전류를 공급하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 플라즈마 반응기는 전원 공급원으로부터 무선 주파수를 공급받는 급전라인은 하나의 입력노드와 두 개의 출력노드를 갖는 제1, 2 급전라인으로 분기된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1, 2 급전라인의 상기 출력노드는 상기 복수 개의 전극판에 연결되거나 다시 두 개의 출력노드를 갖도록 분기된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1, 2 급전라인은 병렬로 인접하게 설치하여 전류의 상호 균형을 조절한다.
본 발명의 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기에 의하면, 결합 설치된 두 개의 전극 사이에서 방전이 이루어져 플라즈마를 발생시킨다. 또한 다양한 크기 및 형태의 피처리 기판에 따라 전극의 크기를 조절할 수 있다. 또한 균일한 대면적의 플라즈마를 이용하여 피처리 기판을 보다 균일하게 처리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 반응기의 전극 구조를 도시한 확대 단면도이다.
도 3은 제1, 2 전극 및 절연판의 결합 관계를 도시한 사시도이다.
도 4 및 도 5는 다양한 형상의 제2 전극판과 제1 전극판이 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 서로 다른 크기의 개구부가 형성된 제2 전극판을 도시한 평면도이다.
도 8은 개구부의 단면을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 상부단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제2 전극 어셈블리에서 서로 다른 크기의 개구부를 갖는 전극판이 설치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 11은 전류균형분배회로에 연결된 복수 개의 전극판을 도시한 평면도이다.
도 12는 제2 전극 어셈블리에 포함된 전극판에 전류를 균형적으로 공급하기 할 수 있도록 설치된 급전라인을 도시한 도면이다.
도 13 및 도 14은 병렬로 인접하게 설치하여 전류를 균형적으로 공급하기 위한 급전라인을 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다양한 형상의 제2 전극판과 제1 전극판이 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 18 및 도 19는 서로 다른 크기의 개구부가 형성된 제2 전극판을 도시한 평면도이다.
도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 제2 전극 어셈블리에서 서로 다른 크기의 개구부를 갖는 전극판이 설치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 21은 전류균형분배회로에 연결된 복수 개의 전극판을 도시한 평면도이다.
도 22는 제2 전극 어셈블리에 포함된 전극판에 전류를 균형적으로 공급하기 할 수 있도록 설치된 급전라인을 도시한 도면이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 반응기의 전극 구조를 도시한 확대 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(11), 가스 공급부(20), 제1 전극판(30) 및 제2 전극판(35)을 구비한다. 반응기 몸체(11)의 내부에는 피처리 기판(13)이 놓이는 기판 지지대(12)가 구비된다. 가스 공급부(20)는 반응기 몸체(11)의 상부에 구비된다. 가스 공급부(20)는 하나의 가스 입구(21)와 복수 개의 가스 분사구(23)가 구비된다. 가스 공급원(미도시)으로부터 제공되는 공정 가스는 가스 공급부(20)의 가스 입구(21)로 제공되고 내부의 배플(22)을 통과하고 가스 분사구(23)를 통해 반응기 몸체(11) 내부로 공급된다. 가스 공급부(20)의 하부에는 반응기 몸체(11) 내부로 플라즈마를 유도하기 위한 제1, 2 전극판(30, 35)이 구비된다. 제1 전극판(30)은 일면에 복수 개의 돌기부(32)가 균일하게 형성된다. 돌기부(32)의 주변으로는 가스 공급부(20)의 가스 분사구(23)에 대응되는 통공(33)이 구비된다. 제2 전극판(35)은 복수 개의 개구부(37)가 포함되어 형성된다. 개구부(37)는 플라즈마가 생성되는 공간이다. 본 발명에서의 제2 전극판(35)은 전체적으로는 사각형이고, 내부는 매쉬 구조로 형성된다. 제2 전극판(35)은 복수 개의 개구부(37)가 일정한 간격으로 배열되고, 개구부(37)의 내부에 제1 전극판(30)의 돌기부(32)와 통공(33)이 위치되도록 제1 전극판(30)의 하부에 결합된다.
플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(11)와 그 내부에 피처리 기판(13)이 놓이는 기판 지지대(12)가 구비된다. 반응기 몸체(11)는 진공펌프(8)에 연결된다. 반응기 몸체(11)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작될 수 있다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 탄소나노튜브가 공유 결합된 복합 금속을 사용할 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 제작될 수도 있다. 또 다른 대안으로 반응기 몸체(11)를 전체적 또는 부분적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 반응기 몸체(11)는 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작될 수 있다. 반응기 몸체(11)의 구조는 피처리 기판(13)에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다.
플라즈마 반응기(10)의 내부에는 피처리 기판(13)을 지지하기 위한 기판 지지대(12)가 구비된다. 기판 지지대(12)는 바이어스 전원 공급원(46)(서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 바이어스 전원 공급원이 연결될 수 있다)에 연결되어 바이어스 된다. 바이어스 전원 공급원(46)이 공통 임피던스 정합기(48)(또는 각각의 임피던스 정합기)를 통하여 기판 지지대(12)에 전기적으로 연결된다. 기판 지지대(12)의 이중 바이어스 구조는 플라즈마 반응기(10)의 내부에 플라즈마 발생을 용이하게 하고, 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 향상 시킬 수 있다. 또는 기판 지지대(12)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 그리고 기판 지지대(12)는 정전척을 포함할 수 있다. 또는 기판 지지대(12)는 히터를 포함할 수 있다. 기본적으로 기판 지지대(12)는 고정형 또는 수직으로 승하강이 가능한 구조로 구성된다. 또는 기판 지지대(12)는 전극 어셈블리와 평행하게 선형 또는 회전 이동 가능한 구조를 갖는다. 이러한 이동 가능한 구조에서 기판 지지대(12)를 선형 또는 회전 이동하기 위한 구동 메커니즘을 포함할 수 있다. 반응기 몸체(11)의 하부에 가스의 균일한 배기를 위하여 배기 배플(미도시)이 구성될 수 있다.
전원 공급원(40)은 제2 전극판(35)에 연결되어 무선 주파수 전원을 공급한다. 여기서, 전원 공급원(40)으로부터 발생된 주파수 전원은 임피던스 정합기(43)를 통해 제2 전극판(35)으로 공급된다. 또한 제1 전극판(30)은 접지로 연결된다. 가스 공급부(20)를 통해 제1 전극판(30)의 통공(33)으로 공정가스가 공급되면 제1 전극판(30)의 돌기부(32)와 제2 전극판(35)의 개구부(37) 사이에서 방전이 발생되어 플라즈마가 발생된다. 발생된 플라즈마는 제2 전극판(35)의 개구부(37)를 통해 피처리 기판(13)으로 하강하여 피처리 기판(13)을 처리한다. 여기서, 전원 공급원(40)이 제1 전극판(30)에 연결되면 제2 전극판(35)이 접지됨으로써 제1, 2 전극판(30, 35) 사이에서 방전이 발생되도록 한다. 본 발명에서는 하나의 전원 공급원(40)을 사용하였으나, 복수 개의 전원 공급원(40)을 연결할 수도 있다. 또한 복수 개의 전원 공급원(40)은 동일한 무선 주파수 또는 서로 다른 무선 주파수를 제공할 수 있다.
도 3은 제1, 2 전극 및 절연판의 결합 관계를 도시한 사시도이다.
다시 도 1, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극판(30)과 가스 공급부(20) 사이에 전기적 절연을 위한 제1 절연판(50)이 구비된다. 제1 전극판(30)과 제2 전극판(35) 사이에도 전기적 절연을 위한 제2 절연판(52)이 더 구비된다. 이때 제2 절연판(52)은 제2 전극판(35)과 동일한 매쉬 형태로 형성되어 제1 전극판(30)과 제2 전극판(35) 사이를 절연시킨다. 제1 전극판(30) 및 제2 전극판(35)은 글래스 형태의 피처리 기판(13)을 효율적으로 처리하기 위해 사각 형태로 형성되고, 제2 절연판(52) 또한 제2 전극판(35)과 동일한 사각 형태로 형성된다.
도 4 및 도 5는 다양한 형상의 제2 전극판과 제1 전극판이 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35)은 하나의 전원 입력단(36)과 복수 개의 개구부(37)가 구비된다. 전원 입력단(36)은 제2 전극판(35)에 전원이 연결되고, 제1 전극판(30)이 접지된 경우, 제2 전극판(35)에 무선 주파수를 공급하기 위한 구성이다. 이때 전원 입력단(36)은 하나 이상이 구비될 수 있다. 개구부(37)는 도면에 도시된 바와 같이, 사각형, 원형, 육각형 등과 같이 다양한 형태로 형성될 수 있다. 또한 제2 전극판(35)의 개구부(37)의 형태와 동일한 형태로 제1 전극판(30)의 돌기부(32)를 형성할 수 있다. 제1 전극판(30)의 돌기부(32) 형태를 제2 전극판(35)의 개구부(37) 형태와 동일하게 형성함으로써 돌기부(32)와 개구부(37) 사이에서 균일한 플라즈마가 발생될 수 있도록 한다. 도면에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35)의 개구부(37) 형태가 사각형, 원형, 육각형 등으로 형성된 경우 제1 전극판(30)의 돌기부(32) 형태도 사각형, 원형, 육각형 등으로 형성된다.
도 6 및 도 7은 서로 다른 크기의 개구부가 형성된 제2 전극판을 도시한 평면도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35)의 개구부(37) 크기는 동일할 수도 있고 서로 다르게 형성될 수 있다. 개구부(37)는 일정한 비율로 크기가 다를 수도 있고 랜덤한 크기로 형성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 예를 들어, 개구부(37)의 크기는 제2 전극판(35)의 외측에서 내측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성될 수 있고, 제2 전극판(35)의 외측에서 내측으로 갈수록 점점 커지도록 형성될 수도 있다. 이렇듯 개구부(37)의 크기를 다르게 형성함으로써 개구부(37)를 통과하는 플라즈마의 양을 조절할 수 있어 피처리 기판(13)의 중심영역과 주변영역의 처리 효율을 조절할 수 있다.
도 8은 개구부의 단면을 도시한 단면도이다.
예를 들어 개구부(37)가 원형인 경우 개구부(37)의 상부지름(r1)과 하부지름(r2)의 길이를 같거나 다르게 형성할 수 있다. 개구부(37)의 상부지름(r1)과 하부지름(r2)을 같거나 다르게 형성함으로써 개구부(37)를 통과하는 플라즈마의 분포 정도를 조절할 수 있다. 즉, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 개구부(37)의 상부지름(r1)과 하부지름(r2)을 같게 형성하여 플라즈마가 균일하게 분포될 수 있다. 또한 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 개구부(37)의 하부지름(r2)을 상부지름(r1)보다 크게 형성하여 플라즈마가 개구부(37)를 통과하면서 보다 넓게 분포될 수 있다. 또한 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 개구부(37)의 상부지름(r1)을 하부지름(r2)보다 크게 형성하여 플라즈마가 개구부(37)를 통과하면서 보다 집중적으로 분포될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 상부단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35a)의 개구부(37a)는 상단의 크기보다 하단의 크기가 더 작게 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극판(35a)의 개구부(37a) 내부에 제1 전극판(30)의 돌기부(30)가 완전하게 포함되도록 제1 전극판(30)을 설치한다. 제1 전극판(30)의 돌기부(32)와 제2 전극판(35a)의 개구부(37) 사이에서 유도된 플라즈마는 개구부를 통해 피처리 기판(13)으로 이동되기 때문에 개구부 하단의 크기를 조절하여 통과되는 플라즈마의 양도 조절이 가능하다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제2 전극 어셈블리에서 서로 다른 크기의 개구부를 갖는 전극판이 설치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 복수 개의 제2 전극판(35)이 결합되어 제2 전극 어셈블리(39)를 형성한다. 여기에서, 가스 공급부(20)와 제1 전극판(30)은 상기에 설명과 동일한 형태로 형성된다. 제2 전극 어셈블리(39)는 제1 실시예 또는 제2 실시예에 따라 형성된 제2 전극판(35)으로 구성될 수 있다. 제2 전극 어셈블리(39)는 사각의 매쉬 형태로 형성된 제2 전극판(35)이 복수 개가 결합되어 형성된다. 복수 개의 제2 전극판(35)은 크기가 동일하거나 다를 수도 있다. 제2 전극 어셈블리(39)는 각각의 제2 전극판(35)이 거치되면서 제2 전극판(35)들 사이를 절연시키기 위한 절연 프레임(70)을 포함한다. 절연 프레임(70)은 전체적으로 사각형으로 형성되고, 내부에 격자로 형성된 프레임 사이에 사각형의 제2 전극판(35)들을 설치한다.
제2 전극 어셈블리(39)는 동일한 크기의 개구부(37)가 구비되거나 서로 다른 크기의 개구부(37)가 구비된 제2 전극판(35)이 결합되어 제2 전극 어셈블리(39) 전반에 걸쳐 플라즈마의 통과량을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극 어셈블리(39)의 외측에 설치되는 제2 전극판(35)의 개구부(37)는 내측에 설치되는 제2 전극판(35)의 개구부(37)에 비해 크기가 더 작게 형성된다. 즉, 제2 전극 어셈블리(39)는 외측에서 내측으로 갈수록 점점 개구부(37)의 크기가 커지기 때문에 피처리 기판(13)의 중심영역과 주변영역 처리 효율을 다르게 조절할 수 있다. 제2 전극 어셈블리(39)의 외측에서 내측으로 갈수록 점점 개구부(37)의 크기가 커지도록 복수 개의 제2 전극판(35)들을 설치할 수 있다.
도 11은 전류균형분배회로에 연결된 복수 개의 전극판을 도시한 평면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 전원 공급원(40)으로부터 발생된 무선 주파수 전원은 임피던스 정합기(43)와 전류 균형 분배 회로(65)를 통해 제2 전극 어셈블리(39)에 구성된 복수 개의 제2 전극판(35)으로 공급된다. 즉, 전류 균형 분배 회로(65)를 통해 복수 개의 제2 전극판(35)으로 공급되는 전류는 자동적으로 상호 균형을 이루게 된다.
도면에는 도시하지 않았으나, 복수 개의 제2 전극판(35)을 하나의 그룹으로 형성하고, 각 그룹별로 전원 공급원(40)과 임피던스 정합기(43)를 설치할 수 있다. 이때 각 그룹별로 연결된 전원 공급원(40)은 동일한 주파수를 제공하거나 서로 다른 주파수를 제공할 수 있다. 또한 복수 개의 제2 전극판(35) 각각에 별도로 전원 공급원(40)을 연결하여 무선 주파수 전원을 공급할 수도 있다. 제2 전극판(35)을 그룹별로 분리하거나 각각의 제2 전극판(35)에 별도로 전원 공급원(40)을 연결함으로써 분리된 전원 공급원(40)을 쉽게 교체할 수 있어 유지 보수가 용이하다.
도 12는 제2 전극 어셈블리에 포함된 전극판에 전류를 균형적으로 공급하기 할 수 있도록 설치된 급전라인을 도시한 도면이고, 도 13 및 도 14은 병렬로 인접하게 설치하여 전류를 균형적으로 공급하기 위한 급전라인을 도시한 도면이다.
도 12, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35)에 전원을 연결하는 경우 제2 전극 어셈블리(39)에 전원 공급원(40)을 연결할 수 있다. 전원 공급원(40)으로부터 발생된 주파수 전원은 임피던스 정합기(43)를 통하여 복수 개의 제2 전극판(35)의 전원 입력단(36)으로 각각 제공된다. 이때 제2 전극판(35)으로 공급되는 주파수 전원은 전류 균형 회로(미도시)를 통해 균일하게 공급된다. 본 발명에서는 전류 균형회로가 아닌 급전라인(60)을 병렬로 인접하게 설치하여 전류를 균일하게 공급할 수도 있다.
예를 들어, 제1 노드(60a)(N001)에 전원 공급원(40)이 연결된다. 제1 노드(60a)(N001)는 제1 급전라인(62)에 연결되고, 제1 급전라인(62)은 제2 노드(62a)에서 두 개의 제2 급전라인(64)으로 분기된다. 다시 하나의 제2 급전라인(64)은 제3 노드(64a)(N010)에서 두 개의 제3 급전라인(66)으로 분기되고, 나머지 제2 급전라인(64)은 제4 노드(64b)(N020)에서 두 개의 제4 급전라인(68)으로 분기된다. 여기서, 제1노드(60a)는 전원 공급원(40)으로부터 무선 주파수가 공급되고, 나머지 각 노드(62a, 64a, 64b)는 무선 주파수가 입력되는 가상의 급전 포인트가 된다. 이러한 방식으로 급전라인은 말단에 16개의 급전 포인트(N111, N112, N121, N122, N211, N212, N221, N222, N411, N412, N421, N422, N311, N312, N321, N322)가 형성되도록 분기된다. 말단의 급전 포인트는 각각 제2 전극판(35)의 전원 입력단(36)에 연결된다. 다시 말해, 하나의 제1 급전라인(62)이 하나의 노드에서 두 개의 급전라인(60)으로 분기된다. 분기된 급전라인(60)은 제2 전극판(35)에 연결되거나 다시 하나의 노드에서 두 개의 급전라인(60)으로 분기되는 과정을 반복하여 제2 전극판(35)에 연결된다. 여기서, 분기된 급전라인(60)은 병렬로 인접하게 설치되어 각각의 급전라인에 흐르는 전류의 상호 작용에 의해 각 급전라인에 균일하게 공급된다. 그러므로, 병렬로 인접하게 설치된 급전라인에 의해 각 제2 전극판(35)에 연결되는 급전포인트(N111, N112, N121, N122, N211, N212, N221, N222, N411, N412, N421, N422, N311, N312, N321, N322)에서는 동일한 전류량이 보장된다. 도 14에 도시된 바와 같이, 두 개의 급전라인(60)을 병렬로 인접하게 설치하여 각 급전라인으로 전류를 균형적으로 공급한다. 여기서, 분기된 급전라인에는 전류 균형 회로를 통해 무선 주파수를 공급할 수도 있다.
또한 인접하게 병렬로 설치된 급전라인(60)이 내부에 포함되도록 마그네틱 코어(미도시)를 설치하여 마그네틱 코어에 의해 자기장을 공유하면서 전류가 균형있게 흐를 수 있도록 한다. 또한 마그네틱 코어에 급전라인(60)을 권선하여 전류를 균형적으로 공급할 수도 있다. 또한 각 제2 전극판(35)과 전원 공급원(40) 사이에는 누설 전류의 보상을 위한 캐패시터(미도시)가 연결될 수 있다.
도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따른 전극판이 설치된 플라즈마 반응기의 상부단면도이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제1 전극판(30b)과 제2 전극판(35b) 및 제2 절연판(52b)은 상기에 설명한 제1 실시예 또는 제2 실시예와 동일한 구조를 갖는바, 피처리 기판(13)이 웨이퍼인 경우에 처리 효율을 향상시키기 위해 원형으로 형성된다. 원형의 제1 전극판(30b)은 일면에 복수 개의 돌기부(32b)가 구비된다. 돌기부(32b)의 주변으로는 가스 공급부(20)의 가스 분사홀(23)에 대응되는 통공(33b)이 구비된다. 또한 제2 전극판(35)은 복수 개의 개구부(37b)가 일정한 간격으로 배열되고, 개구부(37b)의 내부에는 제1 전극판(30b)의 돌기부(32b)와 통공(33b)이 위치되도록 제1 전극판(30)의 하부에 결합된다. 제2 전극판(52b)은 제1 전극판(30b)과 제2 전극판(35b) 사이를 절연시킨다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다양한 형상의 제2 전극판과 제1 전극판이 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35b)의 개구부(37b) 내부에는 제1 전극판(30b)의 돌기부(32b)와 통공(33b)이 위치되도록 제1 전극판(30b)의 하부에 결합된다. 제2 전극판(35)의 개구부(37) 내부는 플라즈마가 생성되는 공간이다. 또한 제2 전극판(35b)의 개구부(37b) 형상과 동일한 형상으로 제1 전극판(30b)의 돌기부(32b)를 형성하여 효율적인 플라즈마가 유도될 수 있도록 한다. 예를 들어, 개구부(37b) 및 돌기부(32b)는 육각형 또는 사각형등과 같이 다양한 형태로 형성 가능하다. 제2 전극판(35b)은 중심에 무선 주파수 전원이 공급되기 위한 전원 입력단(36b)을 구비한다.
도 18 및 도 19는 서로 다른 크기의 개구부가 형성된 제2 전극판을 도시한 평면도이다.
도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 전극판(35b)의 개구부(37b) 크기는 동일하거나 서로 다르게 형성될 수 있다. 개구부(37b)는 일정한 비율로 크기가 다를 수도 있고 랜덤한 크기로 형성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 예를 들어, 개구부(37b)의 크기는 제2 전극판(35b)의 외측에서 내측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성될 수 있고, 제2 전극판(35b)의 외측에서 내측으로 갈수록 점점 커지도록 형성될 수도 있다. 이렇듯 개구부(37b)의 크기를 다르게 형성함으로써 개구부(37b)를 통과하는 플라즈마의 양을 조절할 수 있어 피처리 기판(13b)의 중심영역과 주변영역의 처리 효율을 조절할 수 있다.
도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 제2 전극 어셈블리에서 서로 다른 크기의 개구부를 갖는 전극판이 설치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 원형의 제2 전극판은 복수 개의 전극판부재(38)가 결합된 제2 전극 어셈블리(39a)일 수도 있다. 제2 전극 어셈블리(39)는 제1 실시예 또는 제2 실시예에 따라 형성된 전극판부재(38)로 구성될 수 있다. 본 발명에서의 제2 전극 어셈블리(39a)는 중심에 전원 입력단(38a)을 구비한 동일한 크기의 부채꼴 형상을 갖는 전극판부재(38)가 복수 개 결합된다. 전극판부재(38)는 크기가 동일할 수도 있고, 동일하지 않지 않을 수도 있다. 여기서, 가스 공급부(20)와 제1 전극판(30)은 상기에 설명과 동일한 형태로 형성된다. 제2 전극 어셈블리(39a)는 각각의 전극판부재(38)가 거치되면서 전극판부재(38)들 사이를 절연시키기 위한 절연 프레임(70a)을 포함한다. 절연 프레임(70a)은 전체적으로 원형으로 형성되어 내부에 전극판부재(38)들이 설치된다.
여기서, 제2 전극 어셈블리(39a)는 다양한 크기의 개구부(37)가 형성된 전극판부재(38)를 복수 개 결합하여 형성될 수도 있다. 개구부(37c)의 크기에 따라 방전 공간 및 통과되는 플라즈마의 양을 조절할 수 있게 된다. 즉, 제2 전극 어셈블리(39a)의 중심으로 갈수록 개구부(37c)의 크기를 크거나 작게 형성한 전극판부재(38)를 구비할 수 있다.
도 21은 전류균형분배회로에 연결된 복수 개의 전극판을 도시한 평면도이다.
도 21에 도시된 바와 같이, 전원 공급원(40)으로부터 발생된 무선 주파수 전원은 임피던스 정합기(43)와 전류 균형 분배 회로(65)를 통해 제2 전극 어셈블리(39)에 구성된 복수 개의 전극판부재(38)로 공급된다. 즉, 전류 균형 분배 회로(65)를 통해 복수 개의 전극판부재(38)로 공급되는 전류는 상호 균형을 이루게 된다.
도 22는 제2 전극 어셈블리에 포함된 전극판에 전류를 균형적으로 공급하기 할 수 있도록 설치된 급전라인을 도시한 도면이다.
도 22에 도시된 바와 같이, 전류 균형 분배 회로(65)에 의해 균일하게 분배된 전류는 하나의 급전포인트(A)를 통해 복수 개의 전극판부재(38)로 전류를 공급할 수 있다. 이때 급전포인트(A)에서는 상기에 설명된 도 13과 동일한 방식으로 분기된 급전라인(60)을 설치하여 자동적으로 전류가 균형을 이룰 수 있도록 한다. 여기서, 전류 균형 분배 회로(65)를 구비하지 않고, 하나의 급전라인(60)으로 전원을 공급하고, 분기된 급전라인(60)을 병렬로 인접하게 설치함으로써 복수 개의 전극판부재(38)에 균일한 전류를 공급할 수도 있다. 급전라(60)인을 병렬로 인접하게 설치하여 전류의 균형을 이루는 방식은 상기의 설명과 동일하다.
이상에서 설명된 본 발명의 용량 결합 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
8: 진공펌프 10: 플라즈마 반응기
11: 반응기 몸체 12: 기판 지지대
13: 피처리 기판 20: 가스 공급부
21: 가스 입구 22: 배플
23: 가스 분사구 30, 30b : 제1 전극판 32, 32b: 돌기부 33, 33b: 통공
35, 35a, 35b: 제2 전극판 36, 36b, 38a: 전원 입력단
37, 37a, 37b: 개구부 38: 전극판부재
39, 39a: 제2 전극 어셈블리 40: 전원 공급원
43: 임피던스 정합기 46: 바이어스 전원 공급원
48: 공통 임피던스 정합기 50: 제1 절연판
52b: 제2 절연판 60: 급전라인
60a, 60b, 60c, 60d: 제1, 2, 3, 4노드
62, 64, 66, 68: 제1, 2, 3, 4 급전라인
65: 전류 균형 분배 회로 70, 70a: 절연 프레임

Claims (11)

  1. 피처리 기판을 지지하는 기판 지지대가 내부에 구비되는 반응기 몸체;
    상기 반응기 몸체의 상부에 구비되며 일면에 적어도 하나의 돌기부가 형성된 제1 전극; 및
    상기 제1 전극의 돌기부가 결합되는 적어도 하나의 개구부가 형성되어 상기 돌기부와 개구부 사이에서 플라즈마 방전을 유도하는 제2 전극을 포함하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 가스 분사를 위한 복수개의 통공을 포함하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 용량 결합 플라즈마 반응기는 무선 주파수 전원을 제공하는 전원 공급원을 포함하고, 상기 전원 공급원은 제1 전극 또는 제2 전극에 연결되고 전원 공급원이 연결되지 않은 나머지 전극은 접지되는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 전극은 처리하고자하는 기판의 형태에 따라 사각 또는 원 형상의 매쉬 구조로 형성된 용량 결합 플라즈마 반응기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전극은 하나의 전극판 또는 복수 개의 전극판이 결합된 전극 어셈블리 중 어느 하나인 용량 결합 플라즈마 반응기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 절연판이 더 구비되는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전극 어셈블리에 포함된 복수 개의 전극판에 균일한 전류를 공급하도록 전류의 상호 균형을 자동으로 조절하는 적어도 하나의 전류 균형 회로를 포함하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  9. 제8항에 있어서,
    전원 공급원으로부터 무선 주파수를 공급받아 상기 제2 전극으로 공급하는 급전라인을 포함하고,
    상기 급전 라인은 하나의 입력노드와 두 개의 출력노드를 갖는 제1, 2 급전라인을 포함하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1, 2 급전라인의 상기 출력노드는 상기 복수 개의 전극판에 연결되거나 다시 두 개의 출력노드를 갖도록 분기되는 용량 결합 플라즈마 반응기.
  11. 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 2 급전라인은 병렬로 인접하게 설치되어 전류의 상호 균형을 조절하는 용량 결합 플라즈마 반응기.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014104751A1 (ko) * 2012-12-27 2014-07-03 제이에스라이팅 주식회사 기판 처리 장치
WO2019203603A1 (ko) * 2018-04-20 2019-10-24 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20200002748A (ko) * 2019-12-26 2020-01-08 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR20200015683A (ko) * 2019-12-26 2020-02-12 주식회사 무한 기판 처리 장치
WO2020076186A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-16 Mislavskij Boris Vladlenovich A method and device for plasma-chemical gas/gas mixture conversion
KR20200096198A (ko) * 2019-12-26 2020-08-11 주식회사 무한 기판 처리 장치
WO2021002605A1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-07 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
WO2021006676A1 (ko) * 2019-07-10 2021-01-14 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20210053863A (ko) * 2020-08-04 2021-05-12 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101413981B1 (ko) * 2012-06-21 2014-07-04 주식회사 테스 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 박막증착장치
KR102067037B1 (ko) * 2013-02-28 2020-01-15 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치
KR102180119B1 (ko) * 2013-12-30 2020-11-17 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR102302922B1 (ko) * 2014-12-08 2021-09-17 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
EP3136419B1 (en) * 2015-08-31 2018-04-18 Total S.A. Plasma generating apparatus and method of manufacturing patterned devices using spatially resolved plasma processing
KR102513742B1 (ko) * 2015-11-04 2023-03-27 주성엔지니어링(주) 기판 식각장치
US11244808B2 (en) * 2017-05-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. Monopole antenna array source for semiconductor process equipment
US20210035780A1 (en) * 2018-04-19 2021-02-04 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate treatment device
KR102112990B1 (ko) * 2018-04-27 2020-05-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR102301693B1 (ko) * 2018-04-27 2021-09-13 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR101952126B1 (ko) * 2018-04-27 2019-02-26 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치, 플라즈마 발생 장치, 및 박막 증착 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010019648A (ko) * 1999-08-28 2001-03-15 지영호 고밀도 플라즈마 발생장치
KR20020066467A (ko) * 2001-02-12 2002-08-19 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
KR100623563B1 (ko) * 2003-05-27 2006-09-13 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마를 발생하는 반응 용기의제조 방법 및 플라즈마 처리 방법
KR20100002290A (ko) * 2007-06-01 2010-01-06 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 전극의 제조 방법 및 재생 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010019648A (ko) * 1999-08-28 2001-03-15 지영호 고밀도 플라즈마 발생장치
KR20020066467A (ko) * 2001-02-12 2002-08-19 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
KR100623563B1 (ko) * 2003-05-27 2006-09-13 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마를 발생하는 반응 용기의제조 방법 및 플라즈마 처리 방법
KR20100002290A (ko) * 2007-06-01 2010-01-06 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 전극의 제조 방법 및 재생 방법

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102061749B1 (ko) * 2012-12-27 2020-01-02 주식회사 무한 기판 처리 장치
WO2014104751A1 (ko) * 2012-12-27 2014-07-03 제이에스라이팅 주식회사 기판 처리 장치
US11075060B2 (en) 2012-12-27 2021-07-27 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus
WO2019203603A1 (ko) * 2018-04-20 2019-10-24 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
WO2020076186A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-16 Mislavskij Boris Vladlenovich A method and device for plasma-chemical gas/gas mixture conversion
WO2021002605A1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-07 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
WO2021006676A1 (ko) * 2019-07-10 2021-01-14 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20200002748A (ko) * 2019-12-26 2020-01-08 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR20200096198A (ko) * 2019-12-26 2020-08-11 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR102143146B1 (ko) * 2019-12-26 2020-08-10 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR102254808B1 (ko) 2019-12-26 2021-05-24 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20200015683A (ko) * 2019-12-26 2020-02-12 주식회사 무한 기판 처리 장치
KR102362305B1 (ko) 2019-12-26 2022-02-11 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20210053863A (ko) * 2020-08-04 2021-05-12 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR102361069B1 (ko) 2020-08-04 2022-02-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

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