KR20020066467A - 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 - Google Patents

대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020066467A
KR20020066467A KR1020010006653A KR20010006653A KR20020066467A KR 20020066467 A KR20020066467 A KR 20020066467A KR 1020010006653 A KR1020010006653 A KR 1020010006653A KR 20010006653 A KR20010006653 A KR 20010006653A KR 20020066467 A KR20020066467 A KR 20020066467A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrodes
atmospheric pressure
plasma
electrode
low temperature
Prior art date
Application number
KR1020010006653A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100464902B1 (ko
Inventor
남기석
이상로
이구현
나종주
김종국
Original Assignee
(주)에스이 플라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에스이 플라즈마 filed Critical (주)에스이 플라즈마
Priority to KR10-2001-0006653A priority Critical patent/KR100464902B1/ko
Priority to US09/854,655 priority patent/US6441554B1/en
Priority to CNB028048792A priority patent/CN1228999C/zh
Priority to JP2002565398A priority patent/JP3990285B2/ja
Priority to EP02700834A priority patent/EP1366647A4/en
Priority to PCT/KR2002/000202 priority patent/WO2002065820A1/en
Priority to TW091102638A priority patent/TWI244879B/zh
Publication of KR20020066467A publication Critical patent/KR20020066467A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100464902B1 publication Critical patent/KR100464902B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/48Generating plasma using an arc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018Glow discharge
    • H01J37/32036AC powered
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018Glow discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00Applications of plasma devices
    • H05H2245/10Treatment of gases
    • H05H2245/17Exhaust gases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00Applications of plasma devices
    • H05H2245/30Medical applications
    • H05H2245/36Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치에 관한 것으로, 일측은 전원공급수단에 연결되고 타측은 접지되며 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극을 설치하고; 전극이 서로 마주보는 면에 서로 대향되고 한 개 이상의 방전간극을 가진 유전체를 장착하며; 방전간극내에 돌기부를 가진 도체전극을 설치하고; 전원공급수단을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1∼100KV/cm 세기로 인가하여 유전체 방전간극에서 중공음극방전(Hollow Cathode discharge), 캐필러리 방전(Capillary Discharge) 그리고 전기장의 고집적화 효과를 유도하여 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성된다.
이에 따라, 본 발명은 대기압에서 발생된 플라즈마가 아크로 전이하는 현상을 억제하며, 낮은 방전개시 및 유지전압으로 두 전극 사이에서 온도가 낮고 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있고 전원공급장치 및 전극의 제작이 용이해짐은 물론 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 인쇄, 염색, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화 및 고휘도램프 제조 등에 유용하게 활용할 수 있는 효과를 제공한다.

Description

대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치{APPARATUS FOR GENERATING LOW TEMPERATURE PLASAMA AT ATMOSPHERIC PRESSURE}
본 발명은 유전체방전 전극에 낮은 전압을 가하여 대기압에서 온도가 낮으며, 밀도가 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 한 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 전기가 통하는 중성의 전리가스, 즉 대량의 전리가 일어나지 않는 기체중에 이온이나 전자가 희박하게 존재하는 거의 중성에 가까운 기체상태로 그 온도에 따라 고온 및 저온 플라즈마로 나누어지며 화학적 또는 물리적으로 반응성이 대단히 강하다.
그중 저온 플라즈마는 금속, 반도체, 폴리머, 나일론, 플라스틱, 종이, 섬유 및 오존 등의 각종 물질 또는 재료를 합성하거나 표면특성을 변화시켜 접합강도를 높이고 염색, 인쇄능을 비롯한 각종 특성을 향상시키는 분야 및 반도체, 금속 및 세라믹 박막합성, 세정 등 다양한 분야에 널리 사용되고 있다.
이러한 저온 플라즈마는 통상 낮은 압력의 진공용기내에서 발생된다.
그러나 진공유지를 위한 장치가 필요하여 고가의 장치비가 소요됨은 물론 처리물의 크기가 큰 경우 처리가 곤란하고, 처리공정의 자동화, 고무, 생체재료 등 증기압이 높거나 탈가스가 발생하는 재료 등에는 적용하기 어려워 공업화에 많은 문제점을 가지고 있다.
이를 극복하기 위해 코로나방전(corona discharge), 유전체장벽 방전( die lectric barrier discharge) 그리고 글로우방전(glow discharge) 등의 대기압에서 낮은 온도의 플라즈마를 발생시키는 기술들이 고안되었으며, 이들 기술은 상술한 분야는 물론 오존을 비롯한 각종 화학물질의 합성, 소독, 제독, 그리고 진공중의 플라즈마법으로 처리가 어려웠던 재료의 합성공정에 널리 쓰이고 있다.
코로나 방전은 금속과 같은 전도성 재료로 이루어진 뾰족한 전극을 사용하여 두 전극사이에 높은 전압을 가함으로써 전극에서 스트리머 플라즈마를 얻는 방법으로 두 전극 사이의 간격을 매우 좁힌 상태에서 전압을 가하게 되면 아크가 발생되며, 직경이 매우 작은 선형의 플라즈마를 형성하게 된다.
이때, 아크방전으로 전환되는 것을 막기위해 단속적인 전압을 인가하는 방법이나 전극에 저항을 가하는 방법이 쓰이고 있다.
유전체방전은 유전분극 현상을 이용한 전하집적을 통한 역전위 형성으로 방전이 정지되는 즉, 펄스방전으로 되어 아크방전으로 전환되는 것을 막는 방법이다.
그러나 코로나 방전의 경우 플라즈마가 스트리머 형태로 발생됨으로 인해 균일하지 못하고 밀도가 크지않다.
또한, 두 전극 사이의 간격이 좁으므로 3차원 형상의 처리물에는 적용하기 어렵고, 소음의 발생과 전극 수명이 짧은 단점을 가지고 있다.
한편, 유전체 방전법은 균일한 플라즈마를 얻을 수 있으나 코전법과 마찬가지로 넓은 면적의 균일한 확산 플라즈마를 얻을 수 없으며, 아크 방전으로 전환되는 것을 방지하기 위한 별도의 수단을 구비한 경우에는 플라즈마 밀도가 낮고, 두 전극간 간격이 좁아 처리물의 크기 및 형상에 따라 제한적으로 사용된다.
또한, 두 방전법은 알곤, 산소, 공기 및 질소 등의 방전개시 및 유지 전압이 높은 기체를 사용하는 경우 고압의 전원공급 장치가 필요하다.
그것으로 인해 전원장치비가 고가이며, 전력의 소모량이 크고, 전원장치의 운전 및 관리에 많은 어려움이 따르게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술이 갖는 제반 문제점을 감안하여 이를해결하고자 창출한 것으로, 새로운 구조의 전극을 사용하여 플라즈마가 아크 방전으로 전환되는 것을 억제하고, 방전전압을 낮추어 전원공급수단의 구비에 따른 비용을 대폭 절감시키도록 하며, 전력소비를 크게 줄이고, 넓은 주파수 범위의 교류 및 펄스직류를 사용하여 방전이 가능하도록 하며, 질소, 산소, 및 공기 등 방전개시전압이 매우 높은 모든 기체의 방전이 가능하도록함은 물론 낮은 방전전압에서 온도가 낮으며, 밀도가 높은 대면적의 균일한 플라즈마를 발생시키는 장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 일측은 전원공급수단에 연결되고 타측은 접지되며, 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극을 설치하고; 상기 전극이 서로 마주보는 면에 25㎛∼10mm두께의 유전체를 서로 대향되게 설치하고 그 중 어느 하나의 유전체에는 방전간극을 형성하며; 상기 유전체 방전간극내에는 돌기부를 갖는 도체전극을 구비하고; 상기 전극에 전원공급수단을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1~100KV/cm 세기로 인가함과 동시에 상기 전극 사이로 반응가스를 공급하여 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성된다.
본 발명에 따른 발생장치를 통해 생성된 플라즈마는 금속, 고무, 섬유, 종이, 그리고 폴리머, 플라스틱, 나일론, 에폭시 등의 합성수지 및 반도체를 비롯한 각종 재료의 접합, 연마, 세정, 박막증착, 염색, 인쇄 등의 공정에 활용될 수 있다.
또한, 본 발명의 발생장치를 통해 생성된 플라즈마는 공기, SOx, NOx 등의자동차 배기가스 및 폐수정화, 의료 및 식품기기의 살균, 수도물의 소독, 오존제조, 그리고 자동차, 가스터빈 등의 완전연소에 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 판구조 전극의 대기압 저온 플라즈마 발생장치의 개략적인 구성을 보인 단면도,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 관구조 전극의 대기압 저온 플라즈마 발생장치의 개략적인 구성을 보인 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도체전극의 돌기부를 보인 예시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 2, 5 : 도체전극, 3, 4 : 유전체,
6 : 전원공급장치, 7 : 방전간극,
a : 폭, b : 높이.
이하에서는, 본 발명에 따른 바람직한 몇가지 실시예를 첨부도면에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
[제1실시예]
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치의 전극구조를 도시한 단면도이다.
상기 제1실시예에서는 판구조의 전극을 통한 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있는 예를 보여준다.
도시와 같이, 본 발명에 따른 대기압하 플라즈마 발생장치는 두 개의 전극(1,2)이 서로 마주보는 구조를 갖는다.
상기 전극(1,2)중 어느 하나의 전극(1)은 전원공급수단(6)과 연결되고 나머지 전극(2)은 접지된다.
만약, 상기 전원공급수단(6)을 직류로 하였을 경우에는 접지된 측을 양전극(2)으로 하고 전원공급수단(6)과 연결된 측을 음전극(1)으로 하여줌이 바람직하다.
각 전극(1,2)은 스테인레스, 알루미늄 및 구리 등의 도체인 금속으로 형성함이 바람직하며, 상기 전극(1,2)이 서로 마주보는 면에는 한쌍의 유전체(3,4)가 서로 대향되게 장착된다.
상기 유전체(3,4)는 플라즈마 발생을 용이하게 하기 위해 25㎛~10mm의 두께를 갖도록 함이 바람직하다.
상기 유전체들(3,4)중 어느 하나의 유전체(3)는 그 면에 수직하게 관통된 간극(7)을 가지며, 다른 하나의 유전체(4)는 방전간극(7)이 없는 것이 바람직하다.
즉, 일측 유전체(3)는 전원공급수단(6)과 연결된 전극(1)측에 장착되고, 타측 유전체(4)는 접지된 전극(2)측에 장착됨으로써 양자가 서로 대향되게 위치되도록 배설된다.
특히, 상기 방전간극(7)에는 상기 전극(1)으로부터 연장된 도체전극(5)이 일정 폭(a)과 높이(b)를 가지고 배치된다.
상기 도체전극(5)에는 도 3의 (가,나,다)에 예시된 바와 같은 다양한 형태의 돌기부(8,8',8")가 서로 마주보는 전극방향으로 형성됨이 바람직하다.
상기 도체전극(5)은 돌기부(8,8',8")를 통해 전원공급수단(6)에 의해 가해진 전기장을 집적시켜 방전을 용이하게 함은 물론 방전간극(7)의 폭(a) 및 높이(b)를 유지해준다.
도체전극(5)에 형성된 돌기부(8)의 형태는 도 3의 (가,나,다)와 같이 삼각, 사각, 만곡진 "∩"형상 또는 그외의 다양한 형태로 이루어질 수 있으며 그 높이(b)는 폭(a)의 0.1∼20배로 하고, 돌기부(8,8',8")의 수는 길이 10mm 당 1∼100개로 함이 바람직하다.
이와같이 돌기부(8,8',8")의 크기 및 수를 제한하는 이유는 그 범위를 벗어나는 경우 돌기부(8,8',8")에서의 전기장의 집적효과가 크지 못하여 방전개시 및유지전압을 낮출 수 없으며, 밀도가 높은 플라즈마를 얻을 수 없고, 또한 플라즈마를 균일하게 발생시키기 어렵기때문이다.
본 발명의 제1실시예에서는 도시와 같이 일측 유전체(3)는 전원공급수단(6)과 연결된 전극(1)측에 장착되고, 타측 유전체(4)는 접지된 전극(2)측에 장착되는 것으로 한정하여 설명하였으나, 이에 국한되지 않고 상기 유전체(3,4)가 장착되는 전극(1,2)의 위치는 바꾸어 구비될 수도 있다.
이를 테면, 방전간극(7)을 갖는 유전체(3)를 전극(2)에 장착시키고 방전간극(7)이 없는 유전체(4)를 전극(1)에 장착시킬 수 있음은 물론이다.
뿐만 아니라, 두 금속전극(1,2)중 어느 하나에 방전간극(7)을 갖는 유전체를 설치하고, 서로 대향된 다른 금속전극에는 유전체를 장착하지 않을 수도 있다.
이들 유전체(3,4)는 고온에서도 견딜 수 있고 유전특성이 우수한 두께 25㎛~10mm의 유리, 알루미나(A2O3), 질화붕소(BN), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 등을 사용함이 바람직하며, 또한 방전간극(7)이 구비된 유전체의 그 두께 범위를 벗어나 사용할 수도 있다.
아울러, 상기 유전체(3)에 방전간극(7)이 없을 경우 높은 전압을 가하여야만 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 그 발생된 플라즈마는 낮은 밀도를 갖게 되는 바, 전기한 바와 같이 유전체(3)에는 방전간극(7)과 돌기부(8,8',8")를 갖는 도체전극(5)이 구비됨으로써 전극(1,2,5)에 전기장이 가해지는 경우 전기장이 도체전극(5)의 돌기부(8,8',8")에 집적되어 전기장의 세기가 커지고 방전간극(7)에서의중공음극방전(HOLLOW CATHODE DISCHARGE) 및 캐필러리 방전(CAPILLARY DISCHARGE)의 효과를 얻게 된다.
그것으로 인해 플라즈마 발생을 위한 전압이 낮아지며, 밀도가 높고 안정한 플라즈마를 얻을 수 있게 된다.
유전체(3,4)에는 그 면에 수직하게 관통하여 폭(a)을 5㎛~2mm, 그리고 높이(b)를 폭(a)의 5∼250배의 범위가 되도록 하여 방전간극(7)을 형성함이 특히 바람직한 바, 이와 같이 간극의 크기를 한정하는 이유는 그 범위를 벗어나는 경우 캐필러리(capillary) 방전 및 중공음극방전(HOLLOW CATHODE DISCHARGE)이 일어나지 않아 본 발명에서 얻고자하는 방전개시 및 유지전압을 낮출 수 없고, 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 얻지 못하며, 플라즈마가 아크로 전환되는 것을 억제하지 못하기 때문이다.
[제2실시예]
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치의 전극구조를 도시한 단면도이다.
상기 제2실시예에서는 관구조의 전극을 통한 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있는 예를 보여준다.
도 2에 따르면, 관상체의 외관에 전극(1')이 형성되고, 그 내주연에는 유전체(3')가 부착되며, 상기 전극(1') 및 유전체(3')와 거리를 두고 관상체의 중심부에는 그 길이방향을 따라 전극(2')이 배치된다.
도시하지는 않았으나, 상기 관상체의 양단에는 각 전극(1',2')의 양단이 적절히 절연된 채 지지고정된다.
관상체의 중심에 배설된 전극(2')의 외주연에는 또다른 유전체(4')가 고정되는 바, 상기 유전체(4')는 방전간극(7)을 갖고 일정간격으로 이격되어 다수 설치된다.
상기 유전체(3',4')의 두께는 전술한 제1실시예에서와 동일하게 하여 준다.
상기 방전간극(7)의 폭(a)과 높이(b)는 상술한 제1실시예에서와 같고, 방전간극(7)의 전극(2') 외주연에는 방전간극(7)의 폭(a)과 높이(b)를 유지하기 위한 도체전극(5)이 전기한 바와 같이 구비된다.
또한, 상기 도체전극(5)에 형성된 돌기부(8,8',8")의 형상도 상기 제1실시예에서 설명한 바와 대동소이하다.
관상체의 외측에 배치된 전극(1')은 접지되고, 내측에 배치된 전극(2')은 전원공급장치(6)와 연결된다.
상기 전극(1',2') 및 유전체(3',4')의 설치위치나 형상, 배열관계는 전술한 제1실시예에서와 같이 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같은 제1,2실시예의 전극구조를 갖는 장치에 플라즈마 발생을 위해 전원공급수단(6)을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류, 또는 교류전원을 1∼100KV/cm 세기의 전기장을 가하며, 이때 방전간극(7) 내의 돌기부(8,8',8")와 대향전극 사이의 공간에서 방전이 이루어져 플라즈마가 발생된다.
본 발명의 장치를 통해 대면적의 균일한 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있다.
상기 플라즈마를 조사시켜 금속, 고무, 섬유, 종이, 그리고 폴리머, 플라스틱, 나일론, 에폭시 등의 합성수지를 비롯한 각종 재료 표면의 활성도를 높임으로서 접합, 연마, 세정, 박막증착, 염색, 인쇄 등을 용이하게 하고 그 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 직접 플라즈마를 통해 독극물을 제거하거나 오염된 공기를 정화할 수 있다.
뿐만 아니라, 오존을 제조하여 살균 및 소독하며, 수도물 및 폐수정화, SOx, NOx등의 자동차 배기가스 등을 정화하고, 자동차엔진의 완전연소에 활용할 수 있다.
또한, 매우 밝은 전등을 제조하여 광화학반응을 이용한 반도체 제조공정을 비롯한 각종 표면처리공정에 활용할 수 있다.
예컨대, 상기 유전체(3,4)가 부착된 전극(1,2,5)들 사이로 공기, 수증기(H2O), 산소(O2), 질소(N2), 수소(H2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4), 암모니아(NH3), 사불화탄소(CF4), 아세틸렌(C2H2), 프로판(C3H8)등의 각종 반응가스를 단독, 또는 혼합하여 공급한 후 전원을 가하여 대기압에서 플라즈마를 발생시키며 그 발생된 플라즈마를 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 염색, 인쇄, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화, 자동차엔진의 완전연소, 고휘도 전등제조 등에 유용하게 활용할 수 있다.
[실험예]
본 발명의 실험예는 제1실시예에서와 같이, 두 전극(1,2)이 서로 마주보는 구조로하여 각 전극(1,2)의 서로 대향되는 면에 알루미나 유전체(3,4)를 설치하였으며, 유전체(3)에 폭(a) 200㎛ 그리고 높이(b) 2mm의 방전간극(7)을 형성하였다.
도체전극(5)에는 도 3 (가)의 형태로 폭(a) 2mm, 높이(b) 1.5mm의 돌기부(8)를 구비하고, 두 전극(1,5) 사이의 거리를 7mm로 하며 그 사이에 헬륨(He) 가스를 공급하여 50KHz 범위의 직류 바이폴러 펄스전원을 인가하여 대기압에서 방전시켰다.
그 결과 1KV의 방전개시전압, 약 0.7KV의 유지전압을 나타냈었으며, 아크의 발생없이 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있었다.
한편, 대기압에서 헬륨(He) 가스의 방전개시전압은 약 3.7KV/cm이며, 전극간 거리가 7mm 인 경우 약 2.6KV가 요구된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, Hollow Cathode Discharge, Capillary Discharge 및 고집적 전기장 발생을 유도하기 위한 구조로 이루어진 대기압 플라즈마 발생장치는 두 전극 사이에서 플라즈마가 아크로 전이되는 현상이 억제되고, 온도가 낮으며, 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 얻을 수 있다.
둘째, 방전개시 및 유지전압이 매우 낮고, 광역의 주파수를 사용할 수 있고, 소비전력이 적고, 전원공급장치 및 전극의 제작이 용이하여 저렴하게 대기압 플라즈마 발생장치를 제작할 수 있다.
셋째, 대기압에서 밀도가 높고, 대면적의 균일한 플라즈마를 얻을 수 있음은 물론 에너지 상태가 높은 래디칼을 형성하여 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 인쇄, 염색, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화, 완전연소, 고휘도램프 제조 등에 활용할 수 있으며, 그 경우 특성이 크게 개선되고 처리시간이 대단히 단축될 수 있는 등 수 많은 효과를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 일측은 전원공급수단(6)에 연결되고 타측은 접지되며, 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극(1,2,1',2')을 설치하고;
    상기 전극(1,2,1',2')이 서로 마주보는 면에 25㎛∼10mm두께의 유전체(3,4,3',4')를 서로 대향되게 설치하고 그 중 어느 하나의 유전체에는 방전간극(7)을 형성하며;
    상기 유전체 방전간극(7)내에는 돌기부(8,8',8")를 갖는 도체전극(5)을 구비하고;
    상기 전극(1,2,1',2',5)에 전원공급수단(6)을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1~100KV/cm 세기로 인가함과 동시에 상기 전극 사이로 반응가스를 공급하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체(3,4,3',4')중 어느 하나에는 폭(a)이 5㎛∼2mm이고, 높이(b)가 폭(a)의 5∼250배인 방전간극(7)을 적어도 하나 이상 가지는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극(1,2,1',2',5 )은 도체금속으로 형성되고,
    상기 돌기부(8,8',8")는 그 높이(b)를 폭(a)의 0.1∼20배로 하여 형성됨과동시에 상기 도체전극(5)의 길이 10mm 당 1∼100개 형성되는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전체(3,4,3',4')는 절연특성이 우수한 유리, 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), MgO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
KR10-2001-0006653A 2000-11-28 2001-02-12 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 KR100464902B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) 2001-02-12 2001-02-12 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
US09/854,655 US6441554B1 (en) 2000-11-28 2001-05-14 Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
CNB028048792A CN1228999C (zh) 2001-02-12 2002-02-08 用于在大气压下产生低温等离子体的装置
JP2002565398A JP3990285B2 (ja) 2001-02-12 2002-02-08 大気圧で低温プラズマを発生させる装置
EP02700834A EP1366647A4 (en) 2001-02-12 2002-02-08 DEVICE FOR GENERATING LOW TEMPERATURE PLASMA AT ATMOSPHERIC PRESSURE
PCT/KR2002/000202 WO2002065820A1 (en) 2001-02-12 2002-02-08 Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
TW091102638A TWI244879B (en) 2001-02-12 2002-02-08 Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) 2001-02-12 2001-02-12 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020010023485U Division KR200253571Y1 (ko) 2001-08-02 2001-08-02 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020066467A true KR20020066467A (ko) 2002-08-19
KR100464902B1 KR100464902B1 (ko) 2005-01-05

Family

ID=19705599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) 2000-11-28 2001-02-12 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1366647A4 (ko)
JP (1) JP3990285B2 (ko)
KR (1) KR100464902B1 (ko)
CN (1) CN1228999C (ko)
TW (1) TWI244879B (ko)
WO (1) WO2002065820A1 (ko)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200371074Y1 (ko) * 2004-09-17 2004-12-29 주식회사 다원시스 대기압 플라즈마를 이용한 모발 염색장치
KR100482554B1 (ko) * 2002-03-06 2005-04-14 현대자동차주식회사 유전체에 돌출부가 형성된 평행 평판형 타입 플라즈마반응기
KR100601394B1 (ko) * 2004-08-20 2006-07-13 연세대학교 산학협력단 공기정화장치
KR100691875B1 (ko) * 2005-03-25 2007-03-09 최진문 대기압 플라즈마 유전체 세정장치
KR100861559B1 (ko) * 2007-06-04 2008-10-02 (주)에스이 플라즈마 전원 인가 전극에 결합되는 유전체 하면에 복수개의 분할전극이 부착된 구조의 전극부를 갖는 대기압 플라즈마발생장치
KR100924112B1 (ko) * 2009-02-10 2009-10-29 한국과학기술원 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자
KR101151277B1 (ko) * 2009-12-01 2012-06-14 성균관대학교산학협력단 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
KR101160906B1 (ko) * 2010-03-17 2012-06-28 최대규 용량 결합 플라즈마 반응기
KR101241951B1 (ko) * 2011-08-11 2013-03-11 한국기계연구원 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법
WO2013022306A3 (ko) * 2011-08-11 2013-04-04 한국기계연구원 플라즈마 발생장치, 플라즈마 발생장치용 회전 전극의 제조방법, 기판의 플라즈마 처리방법, 및 플라즈마를 이용한 혼합 구조의 박막 형성방법
KR101307111B1 (ko) * 2010-08-24 2013-09-11 닛신 이온기기 가부시기가이샤 플라즈마 발생 장치
WO2014007472A1 (en) * 2012-07-03 2014-01-09 Plasmart Inc. Plasma generation apparatus and plasma generation method
KR20180134487A (ko) * 2017-06-09 2018-12-19 한국과학기술연구원 기체 방전 살균 및 제독 기능을 가진 차량용 외장재, 이를 포함하는 차량 및 차량의 살균 및 제독을 위한 소독 시스템
KR20220153451A (ko) * 2021-05-11 2022-11-18 박영희 원단표면 개질을 위한 저온진공 플라스마장치의 전극구조

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821379B2 (en) * 2001-12-21 2004-11-23 The Procter & Gamble Company Portable apparatus and method for treating a workpiece
US6841201B2 (en) 2001-12-21 2005-01-11 The Procter & Gamble Company Apparatus and method for treating a workpiece using plasma generated from microwave radiation
US6759100B2 (en) * 2002-06-10 2004-07-06 Konica Corporation Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method
JP4472372B2 (ja) 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
DE60313864T2 (de) * 2003-08-14 2008-01-17 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Anordnung, Verfahren und Elektrode zur Erzeugung eines Plasmas
US7256296B2 (en) 2004-09-22 2007-08-14 Symyx Technologies, Inc. Heterocycle-amine ligands, compositions, complexes, and catalysts
JP4798635B2 (ja) * 2005-09-16 2011-10-19 国立大学法人東北大学 プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
JP4963360B2 (ja) * 2006-01-31 2012-06-27 国立大学法人茨城大学 携帯型大気圧プラズマ発生装置
DE102006011312B4 (de) 2006-03-11 2010-04-15 Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen - Körperschaft des öffentlichen Rechts - Vorrichtung zur Plasmabehandlung unter Atmosphärendruck
CN100434935C (zh) * 2006-12-28 2008-11-19 河北大学 一种产生具有三种折射率的等离子体光子晶体的方法
JP4792604B2 (ja) * 2007-04-17 2011-10-12 国立大学法人佐賀大学 プラズマ滅菌装置
CN101376980B (zh) * 2007-08-27 2011-09-21 宝山钢铁股份有限公司 一种改善带钢润湿性的工艺
DE102008028167A1 (de) * 2008-06-12 2009-12-31 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets
KR101046335B1 (ko) 2008-07-29 2011-07-05 피에스케이 주식회사 할로우 캐소드 플라즈마 발생방법 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리방법
CN101720163B (zh) * 2008-10-10 2012-12-19 河南理工大学 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器
CN101772253B (zh) * 2008-12-26 2013-06-26 中国科学院空间科学与应用研究中心 一种等离子体产生装置
KR20100081068A (ko) * 2009-01-05 2010-07-14 삼성전기주식회사 플라즈마 발생장치
KR101193380B1 (ko) * 2009-07-13 2012-10-23 글로벌텍 주식회사 플라즈마 발생 장치
JP2013504157A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 コリア・ベーシック・サイエンス・インスティテュート 液状媒質プラズマ放電発生装置
KR101163643B1 (ko) * 2010-05-04 2012-07-06 (주)에스이피 대기압 플라즈마 장치
CN102026468A (zh) * 2010-11-23 2011-04-20 中国科学院等离子体物理研究所 一种介质阻挡电晕放电反应器
CN102036460B (zh) * 2010-12-10 2013-01-02 西安交通大学 平板式等离子体发生装置
DE102011000261A1 (de) * 2011-01-21 2012-07-26 Hochschule für angewandte Wissenschaft und Kunst Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen Dielektrische Koplanarentladungsquelle für eine Oberflächenbehandlung unter Atmosphärendruck
US9181920B2 (en) * 2011-04-04 2015-11-10 Federal-Mogul Ignition Company System and method for detecting arc formation in a corona discharge ignition system
CN102215626B (zh) * 2011-05-23 2012-12-12 中国科学院物理研究所 一种可在较低电压条件下产生放电等离子体的装置
JP2012140970A (ja) * 2012-04-25 2012-07-26 Nissan Motor Co Ltd エンジン点火制御装置
CN102755819B (zh) * 2012-08-02 2014-04-16 桂林市世环废气处理设备有限公司 低温等离子氧化器及低温等离子除臭系统
CN103269556A (zh) * 2013-05-14 2013-08-28 哈尔滨工业大学 大面积大气等离子体均匀放电电极
KR101439926B1 (ko) 2013-06-11 2014-09-17 한국기계연구원 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
CN104619106B (zh) * 2015-01-15 2018-04-20 合肥工业大学 一种实现大气压下空气中均匀辉光放电的装置
CN105792495B (zh) * 2016-05-03 2018-11-06 河北大学 一种产生大气压均匀等离子体刷的装置和方法
CN105951035A (zh) * 2016-05-28 2016-09-21 上海大学 一种弹簧钢在低温等离子体下发蓝的方法
CN105951034A (zh) * 2016-05-28 2016-09-21 上海大学 一种弹簧钢在低温等离子体下渗碳的方法
CN106577982A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 浙江海洋大学 一种鱿鱼丝保鲜的方法
KR20200069296A (ko) * 2017-09-01 2020-06-16 솜니오 글로벌 홀딩스, 엘엘씨 자유 라디칼 생성기 및 사용 방법
AT520858A1 (de) 2018-01-30 2019-08-15 Gerald Boehm Vorrichtung und Verfahren zum Bilden eines Temperaturgradienten
CN108601191B (zh) * 2018-05-21 2020-09-15 王逸人 一种阵列式双介质阻挡放电装置
CN109545687B (zh) * 2018-11-13 2020-10-30 中国科学院微电子研究所 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽mosfet器件制造方法
CN109494147B (zh) * 2018-11-13 2020-10-30 中国科学院微电子研究所 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法
WO2020126910A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-25 Evatec Ag Vacuum treatment apparatus and method for vacuum plasma treating at least one substrate or for manufacturing a substrate
CN109779948B (zh) * 2019-01-17 2021-01-05 沈阳航空航天大学 一种用于提高轴流风机性能的等离子式叶顶间隙密封方法
CN109688689A (zh) * 2019-02-20 2019-04-26 北京卓昱科技有限公司 一种宽间隙电子诱导等离子发生器
CN110904904A (zh) * 2019-12-31 2020-03-24 河南先途智能科技有限公司 一种机场跑道橡胶残留低温等离子处理设备
CN111389189A (zh) * 2020-03-11 2020-07-10 北京化工大学 一种可穿戴式等离子体降解危险化学品的装置及方法
CN111773427B (zh) * 2020-07-10 2021-07-23 深圳先进技术研究院 一种等离子体空气消杀处理装置
TWI826900B (zh) * 2021-03-03 2023-12-21 日商斯庫林集團股份有限公司 電漿產生裝置及基板處理裝置
CN113099599B (zh) * 2021-04-26 2022-04-26 北京农学院 一种滑动弧放电反应装置及杀菌方法
CN114551194B (zh) * 2022-02-18 2024-02-06 四川大学 一种等离子体刻蚀装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04167481A (ja) * 1990-10-31 1992-06-15 Hitachi Cable Ltd 気体レーザ
JP3121105B2 (ja) * 1992-03-03 2000-12-25 株式会社きもと グロー放電プラズマ発生用電極及びこの電極を用いた反応装置
KR0130733B1 (ko) * 1994-04-21 1998-04-14 문재덕 저온 플라즈마 발생용 방전장치
JPH07296993A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd プラズマ発生装置
JP3078466B2 (ja) * 1995-05-24 2000-08-21 松下電工株式会社 大気圧プラズマ発生装置及びその装置を用いた大気圧プラズマ発生方法
JPH0950898A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3288228B2 (ja) * 1996-05-24 2002-06-04 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理方法
JPH10172792A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5872426A (en) * 1997-03-18 1999-02-16 Stevens Institute Of Technology Glow plasma discharge device having electrode covered with perforated dielectric
US6147452A (en) * 1997-03-18 2000-11-14 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology AC glow plasma discharge device having an electrode covered with apertured dielectric
JPH11106531A (ja) * 1997-10-06 1999-04-20 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
US6027616A (en) * 1998-05-01 2000-02-22 Mse Technology Applications, Inc. Extraction of contaminants from a gas
JP2000008296A (ja) * 1998-06-19 2000-01-11 Oji Paper Co Ltd 着色紙
US6118218A (en) * 1999-02-01 2000-09-12 Sigma Technologies International, Inc. Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure
US6632323B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-14 Plasmion Corporation Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482554B1 (ko) * 2002-03-06 2005-04-14 현대자동차주식회사 유전체에 돌출부가 형성된 평행 평판형 타입 플라즈마반응기
KR100601394B1 (ko) * 2004-08-20 2006-07-13 연세대학교 산학협력단 공기정화장치
KR200371074Y1 (ko) * 2004-09-17 2004-12-29 주식회사 다원시스 대기압 플라즈마를 이용한 모발 염색장치
KR100691875B1 (ko) * 2005-03-25 2007-03-09 최진문 대기압 플라즈마 유전체 세정장치
KR100861559B1 (ko) * 2007-06-04 2008-10-02 (주)에스이 플라즈마 전원 인가 전극에 결합되는 유전체 하면에 복수개의 분할전극이 부착된 구조의 전극부를 갖는 대기압 플라즈마발생장치
KR100924112B1 (ko) * 2009-02-10 2009-10-29 한국과학기술원 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자
KR101151277B1 (ko) * 2009-12-01 2012-06-14 성균관대학교산학협력단 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
KR101160906B1 (ko) * 2010-03-17 2012-06-28 최대규 용량 결합 플라즈마 반응기
KR101307111B1 (ko) * 2010-08-24 2013-09-11 닛신 이온기기 가부시기가이샤 플라즈마 발생 장치
KR101241951B1 (ko) * 2011-08-11 2013-03-11 한국기계연구원 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법
WO2013022306A3 (ko) * 2011-08-11 2013-04-04 한국기계연구원 플라즈마 발생장치, 플라즈마 발생장치용 회전 전극의 제조방법, 기판의 플라즈마 처리방법, 및 플라즈마를 이용한 혼합 구조의 박막 형성방법
US9373484B2 (en) 2011-08-11 2016-06-21 Korea Institute Of Machinery & Materials Plasma generator, manufacturing method of rotating electrode for plasma generator, method for performing plasma treatment of substrate, and method for forming thin film having mixed structure by using plasma
WO2014007472A1 (en) * 2012-07-03 2014-01-09 Plasmart Inc. Plasma generation apparatus and plasma generation method
KR20180134487A (ko) * 2017-06-09 2018-12-19 한국과학기술연구원 기체 방전 살균 및 제독 기능을 가진 차량용 외장재, 이를 포함하는 차량 및 차량의 살균 및 제독을 위한 소독 시스템
KR20220153451A (ko) * 2021-05-11 2022-11-18 박영희 원단표면 개질을 위한 저온진공 플라스마장치의 전극구조

Also Published As

Publication number Publication date
EP1366647A4 (en) 2007-08-08
JP3990285B2 (ja) 2007-10-10
JP2004527073A (ja) 2004-09-02
CN1491527A (zh) 2004-04-21
TWI244879B (en) 2005-12-01
CN1228999C (zh) 2005-11-23
EP1366647A1 (en) 2003-12-03
KR100464902B1 (ko) 2005-01-05
WO2002065820A1 (en) 2002-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100464902B1 (ko) 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
US6441554B1 (en) Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
CN1170460C (zh) 等离子体处理装置和使用该装置的等离子体产生方法
DE10081843D2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas zur Herstellung von Ozon und/oder Sauerstoffionen in Luft
KR100657476B1 (ko) 연면 방전형 공기정화장치
SE0102134D0 (sv) Method and apparatus for plasma generation
JP2001527689A (ja) グロープラズマ放電装置
WO2007035182A2 (en) Field enhanced electrodes for additive-injection non-thermal plasma (ntp) processor
KR100430345B1 (ko) 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
US8961888B2 (en) Plasma generator
KR20200091167A (ko) 유전체 장벽 대기압 플라즈마 발생장치
JP2007059385A (ja) 無駄な放電を防止するための電極構造の大気圧プラズマ発生装置
KR200253571Y1 (ko) 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
KR20010103922A (ko) 대기압에서 글로우방전 플라즈마를 발생시키는 장치
KR950000310B1 (ko) 플라즈마 cvd장치
KR100507334B1 (ko) 대기압 프라즈마 가속장치
KR100761962B1 (ko) 상압 플라즈마 발생장치
KR100507335B1 (ko) 대기압 프라즈마 가속 발생장치
KR20020083564A (ko) 다중 플라즈마 발생장치
KR100422108B1 (ko) 대기압에서 글로우 방전 플라즈마를 발생시키는 장치
KR100599461B1 (ko) 대기압 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 플라즈마프로세스 시스템
KR101692218B1 (ko) 휘발성 유기 화합물 제거용 유전체 장벽 플라즈마 반응 장치 및 이를 이용한 휘발성 유기 화합물의 제거방법
KR20010084567A (ko) 대기압에서 글로우 방전 플라즈마를 발생시키는 장치
KR200427719Y1 (ko) 상압 플라즈마 발생장치
KR100460601B1 (ko) 플라즈마 발생용 복합소재 전극 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111226

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee