KR20020066467A - 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 - Google Patents
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 3
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 (Ar) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/10—Treatment of gases
- H05H2245/17—Exhaust gases
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/30—Medical applications
- H05H2245/36—Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치에 관한 것으로, 일측은 전원공급수단에 연결되고 타측은 접지되며 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극을 설치하고; 전극이 서로 마주보는 면에 서로 대향되고 한 개 이상의 방전간극을 가진 유전체를 장착하며; 방전간극내에 돌기부를 가진 도체전극을 설치하고; 전원공급수단을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1∼100KV/cm 세기로 인가하여 유전체 방전간극에서 중공음극방전(Hollow Cathode discharge), 캐필러리 방전(Capillary Discharge) 그리고 전기장의 고집적화 효과를 유도하여 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성된다.
이에 따라, 본 발명은 대기압에서 발생된 플라즈마가 아크로 전이하는 현상을 억제하며, 낮은 방전개시 및 유지전압으로 두 전극 사이에서 온도가 낮고 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있고 전원공급장치 및 전극의 제작이 용이해짐은 물론 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 인쇄, 염색, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화 및 고휘도램프 제조 등에 유용하게 활용할 수 있는 효과를 제공한다.
Description
본 발명은 유전체방전 전극에 낮은 전압을 가하여 대기압에서 온도가 낮으며, 밀도가 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 한 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 전기가 통하는 중성의 전리가스, 즉 대량의 전리가 일어나지 않는 기체중에 이온이나 전자가 희박하게 존재하는 거의 중성에 가까운 기체상태로 그 온도에 따라 고온 및 저온 플라즈마로 나누어지며 화학적 또는 물리적으로 반응성이 대단히 강하다.
그중 저온 플라즈마는 금속, 반도체, 폴리머, 나일론, 플라스틱, 종이, 섬유 및 오존 등의 각종 물질 또는 재료를 합성하거나 표면특성을 변화시켜 접합강도를 높이고 염색, 인쇄능을 비롯한 각종 특성을 향상시키는 분야 및 반도체, 금속 및 세라믹 박막합성, 세정 등 다양한 분야에 널리 사용되고 있다.
이러한 저온 플라즈마는 통상 낮은 압력의 진공용기내에서 발생된다.
그러나 진공유지를 위한 장치가 필요하여 고가의 장치비가 소요됨은 물론 처리물의 크기가 큰 경우 처리가 곤란하고, 처리공정의 자동화, 고무, 생체재료 등 증기압이 높거나 탈가스가 발생하는 재료 등에는 적용하기 어려워 공업화에 많은 문제점을 가지고 있다.
이를 극복하기 위해 코로나방전(corona discharge), 유전체장벽 방전( die lectric barrier discharge) 그리고 글로우방전(glow discharge) 등의 대기압에서 낮은 온도의 플라즈마를 발생시키는 기술들이 고안되었으며, 이들 기술은 상술한 분야는 물론 오존을 비롯한 각종 화학물질의 합성, 소독, 제독, 그리고 진공중의 플라즈마법으로 처리가 어려웠던 재료의 합성공정에 널리 쓰이고 있다.
코로나 방전은 금속과 같은 전도성 재료로 이루어진 뾰족한 전극을 사용하여 두 전극사이에 높은 전압을 가함으로써 전극에서 스트리머 플라즈마를 얻는 방법으로 두 전극 사이의 간격을 매우 좁힌 상태에서 전압을 가하게 되면 아크가 발생되며, 직경이 매우 작은 선형의 플라즈마를 형성하게 된다.
이때, 아크방전으로 전환되는 것을 막기위해 단속적인 전압을 인가하는 방법이나 전극에 저항을 가하는 방법이 쓰이고 있다.
유전체방전은 유전분극 현상을 이용한 전하집적을 통한 역전위 형성으로 방전이 정지되는 즉, 펄스방전으로 되어 아크방전으로 전환되는 것을 막는 방법이다.
그러나 코로나 방전의 경우 플라즈마가 스트리머 형태로 발생됨으로 인해 균일하지 못하고 밀도가 크지않다.
또한, 두 전극 사이의 간격이 좁으므로 3차원 형상의 처리물에는 적용하기 어렵고, 소음의 발생과 전극 수명이 짧은 단점을 가지고 있다.
한편, 유전체 방전법은 균일한 플라즈마를 얻을 수 있으나 코전법과 마찬가지로 넓은 면적의 균일한 확산 플라즈마를 얻을 수 없으며, 아크 방전으로 전환되는 것을 방지하기 위한 별도의 수단을 구비한 경우에는 플라즈마 밀도가 낮고, 두 전극간 간격이 좁아 처리물의 크기 및 형상에 따라 제한적으로 사용된다.
또한, 두 방전법은 알곤, 산소, 공기 및 질소 등의 방전개시 및 유지 전압이 높은 기체를 사용하는 경우 고압의 전원공급 장치가 필요하다.
그것으로 인해 전원장치비가 고가이며, 전력의 소모량이 크고, 전원장치의 운전 및 관리에 많은 어려움이 따르게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술이 갖는 제반 문제점을 감안하여 이를해결하고자 창출한 것으로, 새로운 구조의 전극을 사용하여 플라즈마가 아크 방전으로 전환되는 것을 억제하고, 방전전압을 낮추어 전원공급수단의 구비에 따른 비용을 대폭 절감시키도록 하며, 전력소비를 크게 줄이고, 넓은 주파수 범위의 교류 및 펄스직류를 사용하여 방전이 가능하도록 하며, 질소, 산소, 및 공기 등 방전개시전압이 매우 높은 모든 기체의 방전이 가능하도록함은 물론 낮은 방전전압에서 온도가 낮으며, 밀도가 높은 대면적의 균일한 플라즈마를 발생시키는 장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 일측은 전원공급수단에 연결되고 타측은 접지되며, 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극을 설치하고; 상기 전극이 서로 마주보는 면에 25㎛∼10mm두께의 유전체를 서로 대향되게 설치하고 그 중 어느 하나의 유전체에는 방전간극을 형성하며; 상기 유전체 방전간극내에는 돌기부를 갖는 도체전극을 구비하고; 상기 전극에 전원공급수단을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1~100KV/cm 세기로 인가함과 동시에 상기 전극 사이로 반응가스를 공급하여 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성된다.
본 발명에 따른 발생장치를 통해 생성된 플라즈마는 금속, 고무, 섬유, 종이, 그리고 폴리머, 플라스틱, 나일론, 에폭시 등의 합성수지 및 반도체를 비롯한 각종 재료의 접합, 연마, 세정, 박막증착, 염색, 인쇄 등의 공정에 활용될 수 있다.
또한, 본 발명의 발생장치를 통해 생성된 플라즈마는 공기, SOx, NOx 등의자동차 배기가스 및 폐수정화, 의료 및 식품기기의 살균, 수도물의 소독, 오존제조, 그리고 자동차, 가스터빈 등의 완전연소에 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 판구조 전극의 대기압 저온 플라즈마 발생장치의 개략적인 구성을 보인 단면도,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 관구조 전극의 대기압 저온 플라즈마 발생장치의 개략적인 구성을 보인 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도체전극의 돌기부를 보인 예시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 2, 5 : 도체전극, 3, 4 : 유전체,
6 : 전원공급장치, 7 : 방전간극,
a : 폭, b : 높이.
이하에서는, 본 발명에 따른 바람직한 몇가지 실시예를 첨부도면에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
[제1실시예]
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치의 전극구조를 도시한 단면도이다.
상기 제1실시예에서는 판구조의 전극을 통한 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있는 예를 보여준다.
도시와 같이, 본 발명에 따른 대기압하 플라즈마 발생장치는 두 개의 전극(1,2)이 서로 마주보는 구조를 갖는다.
상기 전극(1,2)중 어느 하나의 전극(1)은 전원공급수단(6)과 연결되고 나머지 전극(2)은 접지된다.
만약, 상기 전원공급수단(6)을 직류로 하였을 경우에는 접지된 측을 양전극(2)으로 하고 전원공급수단(6)과 연결된 측을 음전극(1)으로 하여줌이 바람직하다.
각 전극(1,2)은 스테인레스, 알루미늄 및 구리 등의 도체인 금속으로 형성함이 바람직하며, 상기 전극(1,2)이 서로 마주보는 면에는 한쌍의 유전체(3,4)가 서로 대향되게 장착된다.
상기 유전체(3,4)는 플라즈마 발생을 용이하게 하기 위해 25㎛~10mm의 두께를 갖도록 함이 바람직하다.
상기 유전체들(3,4)중 어느 하나의 유전체(3)는 그 면에 수직하게 관통된 간극(7)을 가지며, 다른 하나의 유전체(4)는 방전간극(7)이 없는 것이 바람직하다.
즉, 일측 유전체(3)는 전원공급수단(6)과 연결된 전극(1)측에 장착되고, 타측 유전체(4)는 접지된 전극(2)측에 장착됨으로써 양자가 서로 대향되게 위치되도록 배설된다.
특히, 상기 방전간극(7)에는 상기 전극(1)으로부터 연장된 도체전극(5)이 일정 폭(a)과 높이(b)를 가지고 배치된다.
상기 도체전극(5)에는 도 3의 (가,나,다)에 예시된 바와 같은 다양한 형태의 돌기부(8,8',8")가 서로 마주보는 전극방향으로 형성됨이 바람직하다.
상기 도체전극(5)은 돌기부(8,8',8")를 통해 전원공급수단(6)에 의해 가해진 전기장을 집적시켜 방전을 용이하게 함은 물론 방전간극(7)의 폭(a) 및 높이(b)를 유지해준다.
도체전극(5)에 형성된 돌기부(8)의 형태는 도 3의 (가,나,다)와 같이 삼각, 사각, 만곡진 "∩"형상 또는 그외의 다양한 형태로 이루어질 수 있으며 그 높이(b)는 폭(a)의 0.1∼20배로 하고, 돌기부(8,8',8")의 수는 길이 10mm 당 1∼100개로 함이 바람직하다.
이와같이 돌기부(8,8',8")의 크기 및 수를 제한하는 이유는 그 범위를 벗어나는 경우 돌기부(8,8',8")에서의 전기장의 집적효과가 크지 못하여 방전개시 및유지전압을 낮출 수 없으며, 밀도가 높은 플라즈마를 얻을 수 없고, 또한 플라즈마를 균일하게 발생시키기 어렵기때문이다.
본 발명의 제1실시예에서는 도시와 같이 일측 유전체(3)는 전원공급수단(6)과 연결된 전극(1)측에 장착되고, 타측 유전체(4)는 접지된 전극(2)측에 장착되는 것으로 한정하여 설명하였으나, 이에 국한되지 않고 상기 유전체(3,4)가 장착되는 전극(1,2)의 위치는 바꾸어 구비될 수도 있다.
이를 테면, 방전간극(7)을 갖는 유전체(3)를 전극(2)에 장착시키고 방전간극(7)이 없는 유전체(4)를 전극(1)에 장착시킬 수 있음은 물론이다.
뿐만 아니라, 두 금속전극(1,2)중 어느 하나에 방전간극(7)을 갖는 유전체를 설치하고, 서로 대향된 다른 금속전극에는 유전체를 장착하지 않을 수도 있다.
이들 유전체(3,4)는 고온에서도 견딜 수 있고 유전특성이 우수한 두께 25㎛~10mm의 유리, 알루미나(A2O3), 질화붕소(BN), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 등을 사용함이 바람직하며, 또한 방전간극(7)이 구비된 유전체의 그 두께 범위를 벗어나 사용할 수도 있다.
아울러, 상기 유전체(3)에 방전간극(7)이 없을 경우 높은 전압을 가하여야만 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 그 발생된 플라즈마는 낮은 밀도를 갖게 되는 바, 전기한 바와 같이 유전체(3)에는 방전간극(7)과 돌기부(8,8',8")를 갖는 도체전극(5)이 구비됨으로써 전극(1,2,5)에 전기장이 가해지는 경우 전기장이 도체전극(5)의 돌기부(8,8',8")에 집적되어 전기장의 세기가 커지고 방전간극(7)에서의중공음극방전(HOLLOW CATHODE DISCHARGE) 및 캐필러리 방전(CAPILLARY DISCHARGE)의 효과를 얻게 된다.
그것으로 인해 플라즈마 발생을 위한 전압이 낮아지며, 밀도가 높고 안정한 플라즈마를 얻을 수 있게 된다.
유전체(3,4)에는 그 면에 수직하게 관통하여 폭(a)을 5㎛~2mm, 그리고 높이(b)를 폭(a)의 5∼250배의 범위가 되도록 하여 방전간극(7)을 형성함이 특히 바람직한 바, 이와 같이 간극의 크기를 한정하는 이유는 그 범위를 벗어나는 경우 캐필러리(capillary) 방전 및 중공음극방전(HOLLOW CATHODE DISCHARGE)이 일어나지 않아 본 발명에서 얻고자하는 방전개시 및 유지전압을 낮출 수 없고, 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 얻지 못하며, 플라즈마가 아크로 전환되는 것을 억제하지 못하기 때문이다.
[제2실시예]
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치의 전극구조를 도시한 단면도이다.
상기 제2실시예에서는 관구조의 전극을 통한 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있는 예를 보여준다.
도 2에 따르면, 관상체의 외관에 전극(1')이 형성되고, 그 내주연에는 유전체(3')가 부착되며, 상기 전극(1') 및 유전체(3')와 거리를 두고 관상체의 중심부에는 그 길이방향을 따라 전극(2')이 배치된다.
도시하지는 않았으나, 상기 관상체의 양단에는 각 전극(1',2')의 양단이 적절히 절연된 채 지지고정된다.
관상체의 중심에 배설된 전극(2')의 외주연에는 또다른 유전체(4')가 고정되는 바, 상기 유전체(4')는 방전간극(7)을 갖고 일정간격으로 이격되어 다수 설치된다.
상기 유전체(3',4')의 두께는 전술한 제1실시예에서와 동일하게 하여 준다.
상기 방전간극(7)의 폭(a)과 높이(b)는 상술한 제1실시예에서와 같고, 방전간극(7)의 전극(2') 외주연에는 방전간극(7)의 폭(a)과 높이(b)를 유지하기 위한 도체전극(5)이 전기한 바와 같이 구비된다.
또한, 상기 도체전극(5)에 형성된 돌기부(8,8',8")의 형상도 상기 제1실시예에서 설명한 바와 대동소이하다.
관상체의 외측에 배치된 전극(1')은 접지되고, 내측에 배치된 전극(2')은 전원공급장치(6)와 연결된다.
상기 전극(1',2') 및 유전체(3',4')의 설치위치나 형상, 배열관계는 전술한 제1실시예에서와 같이 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같은 제1,2실시예의 전극구조를 갖는 장치에 플라즈마 발생을 위해 전원공급수단(6)을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류, 또는 교류전원을 1∼100KV/cm 세기의 전기장을 가하며, 이때 방전간극(7) 내의 돌기부(8,8',8")와 대향전극 사이의 공간에서 방전이 이루어져 플라즈마가 발생된다.
본 발명의 장치를 통해 대면적의 균일한 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있다.
상기 플라즈마를 조사시켜 금속, 고무, 섬유, 종이, 그리고 폴리머, 플라스틱, 나일론, 에폭시 등의 합성수지를 비롯한 각종 재료 표면의 활성도를 높임으로서 접합, 연마, 세정, 박막증착, 염색, 인쇄 등을 용이하게 하고 그 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 직접 플라즈마를 통해 독극물을 제거하거나 오염된 공기를 정화할 수 있다.
뿐만 아니라, 오존을 제조하여 살균 및 소독하며, 수도물 및 폐수정화, SOx, NOx등의 자동차 배기가스 등을 정화하고, 자동차엔진의 완전연소에 활용할 수 있다.
또한, 매우 밝은 전등을 제조하여 광화학반응을 이용한 반도체 제조공정을 비롯한 각종 표면처리공정에 활용할 수 있다.
예컨대, 상기 유전체(3,4)가 부착된 전극(1,2,5)들 사이로 공기, 수증기(H2O), 산소(O2), 질소(N2), 수소(H2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4), 암모니아(NH3), 사불화탄소(CF4), 아세틸렌(C2H2), 프로판(C3H8)등의 각종 반응가스를 단독, 또는 혼합하여 공급한 후 전원을 가하여 대기압에서 플라즈마를 발생시키며 그 발생된 플라즈마를 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 염색, 인쇄, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화, 자동차엔진의 완전연소, 고휘도 전등제조 등에 유용하게 활용할 수 있다.
[실험예]
본 발명의 실험예는 제1실시예에서와 같이, 두 전극(1,2)이 서로 마주보는 구조로하여 각 전극(1,2)의 서로 대향되는 면에 알루미나 유전체(3,4)를 설치하였으며, 유전체(3)에 폭(a) 200㎛ 그리고 높이(b) 2mm의 방전간극(7)을 형성하였다.
도체전극(5)에는 도 3 (가)의 형태로 폭(a) 2mm, 높이(b) 1.5mm의 돌기부(8)를 구비하고, 두 전극(1,5) 사이의 거리를 7mm로 하며 그 사이에 헬륨(He) 가스를 공급하여 50KHz 범위의 직류 바이폴러 펄스전원을 인가하여 대기압에서 방전시켰다.
그 결과 1KV의 방전개시전압, 약 0.7KV의 유지전압을 나타냈었으며, 아크의 발생없이 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 발생시킬 수 있었다.
한편, 대기압에서 헬륨(He) 가스의 방전개시전압은 약 3.7KV/cm이며, 전극간 거리가 7mm 인 경우 약 2.6KV가 요구된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, Hollow Cathode Discharge, Capillary Discharge 및 고집적 전기장 발생을 유도하기 위한 구조로 이루어진 대기압 플라즈마 발생장치는 두 전극 사이에서 플라즈마가 아크로 전이되는 현상이 억제되고, 온도가 낮으며, 밀도가 높은 플라즈마를 안정하게 얻을 수 있다.
둘째, 방전개시 및 유지전압이 매우 낮고, 광역의 주파수를 사용할 수 있고, 소비전력이 적고, 전원공급장치 및 전극의 제작이 용이하여 저렴하게 대기압 플라즈마 발생장치를 제작할 수 있다.
셋째, 대기압에서 밀도가 높고, 대면적의 균일한 플라즈마를 얻을 수 있음은 물론 에너지 상태가 높은 래디칼을 형성하여 접합, 연마, 세정, 박막증착, 살균, 소독, 오존제조, 인쇄, 염색, 엣칭, 수도물 및 폐수정화, 공기 및 자동차 배기가스 등의 정화, 완전연소, 고휘도램프 제조 등에 활용할 수 있으며, 그 경우 특성이 크게 개선되고 처리시간이 대단히 단축될 수 있는 등 수 많은 효과를 얻을 수 있다.
Claims (4)
- 일측은 전원공급수단(6)에 연결되고 타측은 접지되며, 서로 이격되어 마주보게 한쌍의 전극(1,2,1',2')을 설치하고;상기 전극(1,2,1',2')이 서로 마주보는 면에 25㎛∼10mm두께의 유전체(3,4,3',4')를 서로 대향되게 설치하고 그 중 어느 하나의 유전체에는 방전간극(7)을 형성하며;상기 유전체 방전간극(7)내에는 돌기부(8,8',8")를 갖는 도체전극(5)을 구비하고;상기 전극(1,2,1',2',5)에 전원공급수단(6)을 통해 50Hz∼10GHz 주파수 대역의 펄스 직류 또는 교류전원의 전기장을 1~100KV/cm 세기로 인가함과 동시에 상기 전극 사이로 반응가스를 공급하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체(3,4,3',4')중 어느 하나에는 폭(a)이 5㎛∼2mm이고, 높이(b)가 폭(a)의 5∼250배인 방전간극(7)을 적어도 하나 이상 가지는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전극(1,2,1',2',5 )은 도체금속으로 형성되고,상기 돌기부(8,8',8")는 그 높이(b)를 폭(a)의 0.1∼20배로 하여 형성됨과동시에 상기 도체전극(5)의 길이 10mm 당 1∼100개 형성되는 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전체(3,4,3',4')는 절연특성이 우수한 유리, 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), MgO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) | 2001-02-12 | 2001-02-12 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
US09/854,655 US6441554B1 (en) | 2000-11-28 | 2001-05-14 | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
CNB028048792A CN1228999C (zh) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | 用于在大气压下产生低温等离子体的装置 |
JP2002565398A JP3990285B2 (ja) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 |
EP02700834A EP1366647A4 (en) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | DEVICE FOR GENERATING LOW TEMPERATURE PLASMA AT ATMOSPHERIC PRESSURE |
PCT/KR2002/000202 WO2002065820A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
TW091102638A TWI244879B (en) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) | 2001-02-12 | 2001-02-12 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020010023485U Division KR200253571Y1 (ko) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020066467A true KR20020066467A (ko) | 2002-08-19 |
KR100464902B1 KR100464902B1 (ko) | 2005-01-05 |
Family
ID=19705599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) | 2000-11-28 | 2001-02-12 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1366647A4 (ko) |
JP (1) | JP3990285B2 (ko) |
KR (1) | KR100464902B1 (ko) |
CN (1) | CN1228999C (ko) |
TW (1) | TWI244879B (ko) |
WO (1) | WO2002065820A1 (ko) |
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- 2002-02-08 JP JP2002565398A patent/JP3990285B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2002-02-08 TW TW091102638A patent/TWI244879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-08 WO PCT/KR2002/000202 patent/WO2002065820A1/en active Application Filing
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---|---|
EP1366647A4 (en) | 2007-08-08 |
JP3990285B2 (ja) | 2007-10-10 |
JP2004527073A (ja) | 2004-09-02 |
CN1491527A (zh) | 2004-04-21 |
TWI244879B (en) | 2005-12-01 |
CN1228999C (zh) | 2005-11-23 |
EP1366647A1 (en) | 2003-12-03 |
KR100464902B1 (ko) | 2005-01-05 |
WO2002065820A1 (en) | 2002-08-22 |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
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