JP3990285B2 - 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 - Google Patents
大気圧で低温プラズマを発生させる装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3990285B2 JP3990285B2 JP2002565398A JP2002565398A JP3990285B2 JP 3990285 B2 JP3990285 B2 JP 3990285B2 JP 2002565398 A JP2002565398 A JP 2002565398A JP 2002565398 A JP2002565398 A JP 2002565398A JP 3990285 B2 JP3990285 B2 JP 3990285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- discharge
- electrodes
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 3
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 3
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/10—Treatment of gases
- H05H2245/17—Exhaust gases
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/30—Medical applications
- H05H2245/36—Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces
Description
低温プラズマは、金属、半導体、ポリマー、ナイロン、プラスチック、紙、繊維及びオゾンなどの各種物質の合成、物質の表面特性の修正、接合強度、染色特性、印刷能などの各種特性の向上などに用いられる。従って、低温プラズマは、半導体、金属、セラミック薄膜合成及び洗浄などの様々な分野に広く用いられている。
コロナ放電の場合、均一ではなく、ストリーマの形態としての密度の小さいプラズマが発生する。また、コロナ放電は2つの電極間の間隙が狭いため、3次元形状の処理物には適用することは難しい。更に、コロナ放電と関連した他の問題点として、ノイズの発生と短い電極寿命がある。
本発明の他の目的は、放電電圧が低く、電源供給手段の作動及び装備コスト、並びに電力消費を軽減し得るプラズマ発生装置を提供することである。
更に、本発明のまた他の目的は、窒素、酸素、及び空気などの放電開始電圧の高い気体中で放電し得るプラズマ発生装置を提供することである。
先ず、中空陰極放電、毛細管放電、又は高集積の電場の発生を誘導するに適した大気圧下でのプラズマ発生装置は、プラズマがアークに転移するの現状を防止し、従って安定した低温プラズマが高密度で得られる。
本発明の装置から発生したプラズマは、金属、ゴム、繊維、紙、合成樹脂、及び半導体などの各種材料の接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、滅菌、消毒、オゾン発生、印刷、染色、エッチングなどの多様な工程に活用できる。また、プラズマは、水道水及び廃水浄化、空気、SOx、NOxなどの自動車の排気ガスの浄化、燃料の燃焼、高発光ランプの製作などの分野にも活用できる。
第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施形態による大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いる電極構造を示す断面図である。本発明の第1の実施形態においては、大気圧下で低温プラズマの発生に板構造の電極を用いる。
板構造の電極を有する装置に対して、電源6と連結された電極1に誘電体3が装着され、接地された電極2に誘電体4が装着されると説明したが、本発明はこれに限らず、多様な構造を有し得ることはいうまでもない。例えば、誘電体3、4が配置される電極1、2の位置を変更してもよい。即ち、放電間隙7を有する誘電体3を、接地された電極2に装着し、放電間隙7がない誘電体4を電源に連結された電極1に装着してもよい。また、2つの電極1、2のいずれかに放電間隙7を有する誘電体を設け、その他の電極には誘電体を装着しなくてもよい。
第2の実施形態
図2は、本発明に係る他の実施形態により、大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いる電極構造を示す断面図である。この実施形態において、本発明は大気圧で低温プラズマを発生させることができる装置に管構造の電極を採用する。
しかし、管構造において、前記電極1’、2’及び誘電体3’、4’の設置、形状、並びに配列関係は多様に変形可能である。
プラズマの発生のためには、前記第1及び第2の実施形態の装置に電源6を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流又は交流を、1〜100KV/cmの強さの電場を加える。前記電場の存在下で、放電間隙の突起部と対向電極との間で放電が行われプラズマが発生する。
本発明の装置で発生したプラズマを、金属、ゴム、繊維、紙、またプラスチック、ナイロン、エポキシのような合成樹脂などの各種材料の表面に照射して材料表面の特性を、接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、染色、印刷などに適合するように変更できる。
大気圧でヘリウムガス中での放電開始電圧は約3.7kVと測定された。電極間の距離が7mmである場合、放電開始電位として約2.6kVが必要であった。
先ず、中空陰極放電、毛細管放電、又は高集積の電場の発生を誘導するに適した大気圧下でのプラズマ発生装置は、プラズマがアークに転移するの現状を防止し、従って安定した低温プラズマが高密度で得られる。
最後に、前記装置は、広面積にわたって均一なプラズマを高密度で生成できる。このプラズマは、高エネルギのラジカルを形成して接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、殺菌、消毒、オゾンの製造、印刷、エッチング、水道水、及び廃水浄化、空気、並びに自動車排気ガスの浄化、燃料の完全燃焼、高輝度のランプの製造などの各種分野に広く活用できる。この場合、前記プラズマは優れた結果を示し、処理時間を大幅に減らすことができる。
Claims (4)
- 1つは電源に連結され、もう1つは接地され、互いに離隔して対向する一対の電極;
前記一対の電極上に、互いに対向するように配列された25μm〜10mm厚さの一対の誘電体;
前記一対の電極のうち電源に連結された電極上に装着された誘電体に、その表面に対して垂直に貫通するように提供された放電間隙;及び
前記放電間隙内に配置され、前記接地されたもう1つの電極の方向に延伸する少なくとも1つの突起部を有する導体電極を含み、
前記電極に電源を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流又は交流を用いて1〜100kV/cmの強さで電場を印加しながら前記電極の間へ反応ガスを供給して大気圧下で低温プラズマを発生させる装置。 - 放電間隙の幅が5μm〜2mmで、高さが幅の5〜250倍である、請求項1に記載の装置。
- 突起部が幅の0.1〜20倍の高さを有し、電極長さ10mm当り1〜100個の密度で存在する、請求項1に記載の装置。
- 誘電体がガラス、アルミナ、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素、石英(quartz)及び酸化マグネシウムからなる群から選択された絶縁材料からなる、請求項1又は2に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) | 2001-02-12 | 2001-02-12 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
PCT/KR2002/000202 WO2002065820A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004527073A JP2004527073A (ja) | 2004-09-02 |
JP3990285B2 true JP3990285B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=19705599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002565398A Expired - Fee Related JP3990285B2 (ja) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1366647A4 (ja) |
JP (1) | JP3990285B2 (ja) |
KR (1) | KR100464902B1 (ja) |
CN (1) | CN1228999C (ja) |
TW (1) | TWI244879B (ja) |
WO (1) | WO2002065820A1 (ja) |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821379B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-11-23 | The Procter & Gamble Company | Portable apparatus and method for treating a workpiece |
US6841201B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-01-11 | The Procter & Gamble Company | Apparatus and method for treating a workpiece using plasma generated from microwave radiation |
KR100482554B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2005-04-14 | 현대자동차주식회사 | 유전체에 돌출부가 형성된 평행 평판형 타입 플라즈마반응기 |
US6759100B2 (en) * | 2002-06-10 | 2004-07-06 | Konica Corporation | Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method |
JP4472372B2 (ja) | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
ATE362648T1 (de) * | 2003-08-14 | 2007-06-15 | Fuji Film Mfg Europ B V | Anordnung, verfahren und elektrode zur erzeugung eines plasmas |
KR100601394B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2006-07-13 | 연세대학교 산학협력단 | 공기정화장치 |
KR200371074Y1 (ko) * | 2004-09-17 | 2004-12-29 | 주식회사 다원시스 | 대기압 플라즈마를 이용한 모발 염색장치 |
US7256296B2 (en) | 2004-09-22 | 2007-08-14 | Symyx Technologies, Inc. | Heterocycle-amine ligands, compositions, complexes, and catalysts |
KR100691875B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2007-03-09 | 최진문 | 대기압 플라즈마 유전체 세정장치 |
US8168130B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-05-01 | Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. | Plasma generation system and plasma generation method |
JP4963360B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-27 | 国立大学法人茨城大学 | 携帯型大気圧プラズマ発生装置 |
DE102006011312B4 (de) * | 2006-03-11 | 2010-04-15 | Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen - Körperschaft des öffentlichen Rechts - | Vorrichtung zur Plasmabehandlung unter Atmosphärendruck |
CN100434935C (zh) * | 2006-12-28 | 2008-11-19 | 河北大学 | 一种产生具有三种折射率的等离子体光子晶体的方法 |
JP4792604B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2011-10-12 | 国立大学法人佐賀大学 | プラズマ滅菌装置 |
KR100861559B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2008-10-02 | (주)에스이 플라즈마 | 전원 인가 전극에 결합되는 유전체 하면에 복수개의 분할전극이 부착된 구조의 전극부를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
CN101376980B (zh) * | 2007-08-27 | 2011-09-21 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种改善带钢润湿性的工艺 |
DE102008028167A1 (de) * | 2008-06-12 | 2009-12-31 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets |
KR101046335B1 (ko) | 2008-07-29 | 2011-07-05 | 피에스케이 주식회사 | 할로우 캐소드 플라즈마 발생방법 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리방법 |
CN101720163B (zh) * | 2008-10-10 | 2012-12-19 | 河南理工大学 | 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器 |
CN101772253B (zh) * | 2008-12-26 | 2013-06-26 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种等离子体产生装置 |
KR20100081068A (ko) * | 2009-01-05 | 2010-07-14 | 삼성전기주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
KR100924112B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2009-10-29 | 한국과학기술원 | 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자 |
KR101193380B1 (ko) * | 2009-07-13 | 2012-10-23 | 글로벌텍 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 |
JP2013504157A (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | コリア・ベーシック・サイエンス・インスティテュート | 液状媒質プラズマ放電発生装置 |
KR101151277B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2012-06-14 | 성균관대학교산학협력단 | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
KR101160906B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-06-28 | 최대규 | 용량 결합 플라즈마 반응기 |
KR101163643B1 (ko) | 2010-05-04 | 2012-07-06 | (주)에스이피 | 대기압 플라즈마 장치 |
KR101307111B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2013-09-11 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 플라즈마 발생 장치 |
CN102026468A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-20 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种介质阻挡电晕放电反应器 |
CN102036460B (zh) * | 2010-12-10 | 2013-01-02 | 西安交通大学 | 平板式等离子体发生装置 |
DE102011000261A1 (de) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Hochschule für angewandte Wissenschaft und Kunst Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen | Dielektrische Koplanarentladungsquelle für eine Oberflächenbehandlung unter Atmosphärendruck |
US8760067B2 (en) * | 2011-04-04 | 2014-06-24 | Federal-Mogul Ignition Company | System and method for controlling arc formation in a corona discharge ignition system |
CN102215626B (zh) * | 2011-05-23 | 2012-12-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种可在较低电压条件下产生放电等离子体的装置 |
US9373484B2 (en) | 2011-08-11 | 2016-06-21 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Plasma generator, manufacturing method of rotating electrode for plasma generator, method for performing plasma treatment of substrate, and method for forming thin film having mixed structure by using plasma |
KR101241951B1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-03-11 | 한국기계연구원 | 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 |
JP2012140970A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-07-26 | Nissan Motor Co Ltd | エンジン点火制御装置 |
WO2014007472A1 (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Plasmart Inc. | Plasma generation apparatus and plasma generation method |
CN102755819B (zh) * | 2012-08-02 | 2014-04-16 | 桂林市世环废气处理设备有限公司 | 低温等离子氧化器及低温等离子除臭系统 |
CN103269556A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-28 | 哈尔滨工业大学 | 大面积大气等离子体均匀放电电极 |
KR101439926B1 (ko) | 2013-06-11 | 2014-09-17 | 한국기계연구원 | 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템 |
CN104619106B (zh) * | 2015-01-15 | 2018-04-20 | 合肥工业大学 | 一种实现大气压下空气中均匀辉光放电的装置 |
CN105792495B (zh) * | 2016-05-03 | 2018-11-06 | 河北大学 | 一种产生大气压均匀等离子体刷的装置和方法 |
CN105951035A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-09-21 | 上海大学 | 一种弹簧钢在低温等离子体下发蓝的方法 |
CN105951034A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-09-21 | 上海大学 | 一种弹簧钢在低温等离子体下渗碳的方法 |
CN106577982A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-04-26 | 浙江海洋大学 | 一种鱿鱼丝保鲜的方法 |
KR101941860B1 (ko) * | 2017-06-09 | 2019-01-25 | 한국과학기술연구원 | 기체 방전 살균 및 제독 기능을 가진 차량용 외장재, 이를 포함하는 차량 및 차량의 살균 및 제독을 위한 소독 시스템 |
WO2019046843A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | Somnio Global Holdings, Llc | FREE RADICAL GENERATOR AND METHODS OF USE |
AT520858A1 (de) * | 2018-01-30 | 2019-08-15 | Gerald Boehm | Vorrichtung und Verfahren zum Bilden eines Temperaturgradienten |
CN108601191B (zh) * | 2018-05-21 | 2020-09-15 | 王逸人 | 一种阵列式双介质阻挡放电装置 |
CN109494147B (zh) | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院微电子研究所 | 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法 |
CN109545687B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院微电子研究所 | 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽mosfet器件制造方法 |
KR20210099153A (ko) * | 2018-12-21 | 2021-08-11 | 에바텍 아크티엔게젤샤프트 | 하나 이상의 기판을 진공 플라즈마 처리하거나 기판을 제조하기 위한 진공 처리 장치 및 방법 |
CN109779948B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-01-05 | 沈阳航空航天大学 | 一种用于提高轴流风机性能的等离子式叶顶间隙密封方法 |
CN109688689A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-04-26 | 北京卓昱科技有限公司 | 一种宽间隙电子诱导等离子发生器 |
CN111389189A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-07-10 | 北京化工大学 | 一种可穿戴式等离子体降解危险化学品的装置及方法 |
CN111773427B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-07-23 | 深圳先进技术研究院 | 一种等离子体空气消杀处理装置 |
TWI826900B (zh) * | 2021-03-03 | 2023-12-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 電漿產生裝置及基板處理裝置 |
CN113099599B (zh) * | 2021-04-26 | 2022-04-26 | 北京农学院 | 一种滑动弧放电反应装置及杀菌方法 |
KR102574829B1 (ko) * | 2021-05-11 | 2023-09-06 | 박영희 | 섬유 원단의 표면 개질을 위한 저온진공 플라스마장치의 전극구조 |
CN114551194B (zh) * | 2022-02-18 | 2024-02-06 | 四川大学 | 一种等离子体刻蚀装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04167481A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Hitachi Cable Ltd | 気体レーザ |
JP3121105B2 (ja) * | 1992-03-03 | 2000-12-25 | 株式会社きもと | グロー放電プラズマ発生用電極及びこの電極を用いた反応装置 |
KR0130733B1 (ko) * | 1994-04-21 | 1998-04-14 | 문재덕 | 저온 플라즈마 발생용 방전장치 |
JPH07296993A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | プラズマ発生装置 |
JP3078466B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2000-08-21 | 松下電工株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置及びその装置を用いた大気圧プラズマ発生方法 |
JPH0950898A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3288228B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2002-06-04 | 積水化学工業株式会社 | 放電プラズマ処理方法 |
JPH10172792A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6147452A (en) * | 1997-03-18 | 2000-11-14 | The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology | AC glow plasma discharge device having an electrode covered with apertured dielectric |
US5872426A (en) * | 1997-03-18 | 1999-02-16 | Stevens Institute Of Technology | Glow plasma discharge device having electrode covered with perforated dielectric |
JPH11106531A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
US6027616A (en) * | 1998-05-01 | 2000-02-22 | Mse Technology Applications, Inc. | Extraction of contaminants from a gas |
JP2000008296A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-11 | Oji Paper Co Ltd | 着色紙 |
US6118218A (en) * | 1999-02-01 | 2000-09-12 | Sigma Technologies International, Inc. | Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure |
US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
-
2001
- 2001-02-12 KR KR10-2001-0006653A patent/KR100464902B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-02-08 WO PCT/KR2002/000202 patent/WO2002065820A1/en active Application Filing
- 2002-02-08 TW TW091102638A patent/TWI244879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-08 JP JP2002565398A patent/JP3990285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-08 EP EP02700834A patent/EP1366647A4/en not_active Withdrawn
- 2002-02-08 CN CNB028048792A patent/CN1228999C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1366647A4 (en) | 2007-08-08 |
TWI244879B (en) | 2005-12-01 |
KR20020066467A (ko) | 2002-08-19 |
EP1366647A1 (en) | 2003-12-03 |
CN1228999C (zh) | 2005-11-23 |
CN1491527A (zh) | 2004-04-21 |
KR100464902B1 (ko) | 2005-01-05 |
JP2004527073A (ja) | 2004-09-02 |
WO2002065820A1 (en) | 2002-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3990285B2 (ja) | 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 | |
US6441554B1 (en) | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure | |
CN1170460C (zh) | 等离子体处理装置和使用该装置的等离子体产生方法 | |
JP4414765B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
WO2007035182A2 (en) | Field enhanced electrodes for additive-injection non-thermal plasma (ntp) processor | |
JP2007059385A (ja) | 無駄な放電を防止するための電極構造の大気圧プラズマ発生装置 | |
KR100430345B1 (ko) | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
US8961888B2 (en) | Plasma generator | |
KR20010103922A (ko) | 대기압에서 글로우방전 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
KR200253571Y1 (ko) | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
Chiper et al. | On the secondary discharge of an atmospheric-pressure pulsed DBD in He with impurities | |
WO2005107341A1 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
KR100507334B1 (ko) | 대기압 프라즈마 가속장치 | |
KR20200091167A (ko) | 유전체 장벽 대기압 플라즈마 발생장치 | |
EP2317829B1 (en) | Gas reforming device and method of operation of the same | |
KR100507335B1 (ko) | 대기압 프라즈마 가속 발생장치 | |
KR101692218B1 (ko) | 휘발성 유기 화합물 제거용 유전체 장벽 플라즈마 반응 장치 및 이를 이용한 휘발성 유기 화합물의 제거방법 | |
AU2004310860A1 (en) | Plasma discharger | |
KR100422108B1 (ko) | 대기압에서 글로우 방전 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
KR20010084567A (ko) | 대기압에서 글로우 방전 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
KR100783793B1 (ko) | 과불화탄소 가스 처리장치 | |
JPH07211491A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 | |
JP4501272B2 (ja) | 表面処理方法 | |
KR100460601B1 (ko) | 플라즈마 발생용 복합소재 전극 및 그 제조방법 | |
JP4284861B2 (ja) | 表面処理方法、インクジェットプリンタ用ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |