JP2004527073A - 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 - Google Patents
大気圧で低温プラズマを発生させる装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004527073A JP2004527073A JP2002565398A JP2002565398A JP2004527073A JP 2004527073 A JP2004527073 A JP 2004527073A JP 2002565398 A JP2002565398 A JP 2002565398A JP 2002565398 A JP2002565398 A JP 2002565398A JP 2004527073 A JP2004527073 A JP 2004527073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- electrodes
- plasma
- electrode
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 3
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/10—Treatment of gases
- H05H2245/17—Exhaust gases
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/30—Medical applications
- H05H2245/36—Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】1つは電源に連結され、もう1つは接地され、互いに離隔して対向する一対の電極、前記電極の対向表面上に互いに対向するように配置された25μm〜10mm厚さの一対の誘電体(これらのうち1つは1つの放電間隙(discharge gap)を有する);及び前記放電間隙内に位置する少なくとも1つの突起部を有する導体電極を含み、前記電極に電源を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流又は交流を用いて1〜100kV/cmの強さで電場を印加しながら前記電極間へ反応ガスを供給して中空陰極放電、キャピラリ放電又は放電間隙から電荷の高集積化を誘導する、大気圧下での低温プラズマの発生装置。本発明の装置は、プラズマがアークへ転移するのを抑制し、安定した低温プラズマを高密度で提供する。
【選択図】図1
Description
【0001】
本発明は、低い放電開始及び保持電圧のもとで大気圧下で高密度の低温プラズマを発生させる装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、プラズマは、ほぼ同等な数の正及び負の自由電荷を有するので電気的に中性で、部分イオン化されたガスと定義される。イオン化が起こる温度に応じて高温及び低温プラズマに分けられる前記プラズマは化学的及び物理的に反応性が非常に高い。
低温プラズマは、金属、半導体、ポリマー、ナイロン、プラスチック、紙、繊維及びオゾンなどの各種物質の合成、物質の表面特性の修正、接合強度、染色特性、印刷能などの各種特性の向上などに用いられる。従って、低温プラズマは、半導体、金属、セラミック薄膜合成及び洗浄などの様々な分野に広く用いられている。
【0003】
この低温プラズマは、通常、低圧下の真空容器内で発生させるが、真空を保持するためには、通常、高価の装置が必要である。また、処理物が大きい場合、プラズマを適用することが難しい。プラズマ処理に係るもう1つの問題点は、プラズマプロセスの自動化の難しさにある。さらに、プラズマは、ゴム、生体材料などの高蒸気圧または脱ガスを伴う材料を処理することが難しい。
【0004】
これらの問題点を避けるために、コロナ放電(corona discharge)、誘電体バリア放電(dielectric barrier discharge)及びグロー放電(glow discharge)などの、大気圧下で低温のプラズマを発生させる技術が開発された。これらの技術は、前述の分野に加えて、オゾンなどの各種化学物質の合成、消毒、除毒、及び真空中でのプラズマ処理が難しい材料の合成工程などの多様な分野で用いられている。
【0005】
コロナ放電は、電圧勾配がしきい値を超える場合、伝導体の表面及びその近傍の表面上に青紫色のグロー(glow)として現われる電気放電である。一般的に、金属のような伝導性材料からなる2つの電極に高電圧を加えることにより、電極でストリーマ(streamer)プラズマが発生する。2つの電極間の間隙が非常に狭い状態で電圧を加えるとアークが発生し、これは直径の非常に小さい線状プラズマを形成するので、プラズマがアーク放電の発生を防止するために、電圧を断続的に印加するか、電極に抵抗を加える。
【0006】
誘電体バリア放電は、誘電分極により引き起される集積電荷を用いて放電停止状態の逆電位を形成することであって、即ち、パルス放電の利点を利用してアーク放電の発生を防ぐ。
コロナ放電の場合、均一ではなく、ストリーマの形態としての密度の小さいプラズマが発生する。また、コロナ放電は2つの電極間の間隙が狭いため、3次元形状の処理物には適用することは難しい。更に、コロナ放電と関連した他の問題点として、ノイズの発生と短い電極寿命がある。
【0007】
誘電体バリアの放電法は、均一なプラズマを提供するが、コロナ放電法と同様に、広い面積にわたって均一な拡散プラズマを発生させるのは容易でない。アーク放電の発生を防止するための別の手段を備えた場合、誘電体バリア放電法によるプラズマは密度が低く、2つの電極間の間隙が狭いため、処理物の大きさ及び形状が制限される。
【0008】
また、前記コロナ放電法と誘電体バリア放電法の両方とも、アルゴン、酸素、及び窒素などの高い放電開始及び保持電圧の気体を用いる場合、高電圧の電源供給装置が必要である。しかし、電源供給装置は高コストであり、電力の消耗量が大きいため、装置の運転及び管理に問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
したがって、本発明の目的は、前述のような従来技術の問題点を克服し、新たな構造の電極を用いてプラズマがアーク放電へ変換するのを防止し得る大気圧下での低温プラズマの発生装置を提供することである。
本発明の他の目的は、放電電圧が低く、電源供給手段の作動及び装備コスト、並びに電力消費を軽減し得るプラズマ発生装置を提供することである。
【0010】
本発明のまた他の目的は、広周波数範囲の交流及びパルス直流の使用による利点を有するプラズマ発生装置を提供することである。
更に、本発明のまた他の目的は、窒素、酸素、及び空気などの放電開始電圧の高い気体中で放電し得るプラズマ発生装置を提供することである。
【0011】
更にまた、本発明のまた他の目的は、広い面積にわたって低い放電電圧により均一、かつ高密度の低温プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明に基づいて、これらの目的は、1つは電源に連結され、もう1つは接地され、互いに離隔して対向する一対の電極;前記電極の対向表面上に互いに対向するように配置された25μm〜10mm厚さの一対の誘電体(これらのうち1つは少なくとも1つの放電間隙(discharge gap)を有する);及び前記放電間隙内に位置する少なくとも1つの突起部を有する導体電極を含み、前記電極に電源を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流または交流を用いて1〜100KV/cmの強さで電場を印加するとともに、前記電極の間へ反応ガスを供給し、大気圧下で低温プラズマを発生させる装置を提供することにより達成できる。
【発明の効果】
【0013】
本発明の低温プラズマの発生装置は、下記の利点を有する。
先ず、中空陰極放電、毛細管放電、又は高集積の電場の発生を誘導するに適した大気圧下でのプラズマ発生装置は、プラズマがアークに転移するの現状を防止し、従って安定した低温プラズマが高密度で得られる。
【0014】
次に、本発明の装置は、非常に低い電圧で放電を開始及び保持でき、広域の周波数を用いることができ、また消費電力が少なくて低コストで製作できる。
本発明の装置から発生したプラズマは、金属、ゴム、繊維、紙、合成樹脂、及び半導体などの各種材料の接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、滅菌、消毒、オゾン発生、印刷、染色、エッチングなどの多様な工程に活用できる。また、プラズマは、水道水及び廃水浄化、空気、SOx、NOxなどの自動車の排気ガスの浄化、燃料の燃焼、高発光ランプの製作などの分野にも活用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明の好ましい実施形態の応用は、添付の図面を参照すれば最も良く理解でき、図面における同一な参照番号は同一な相応部分に対して用いられる。
第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施形態による大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いる電極構造を示す断面図である。本発明の第1の実施形態においては、大気圧下で低温プラズマの発生に板構造の電極を用いる。
【0016】
図1に示したように、本発明に係るプラズマ発生装置は、互いに対向するように配置された一対の電極1、2を有する。前記2つの電極のうち1つは電源6に連結され、もう1つの電極は接地される。電源6が直流を提供する際には接地された電極は陽極2であり、電源6と連結された電極が陰極1として設定される。2つの電極は、ステインレス鋼、アルミナ又は銅からなることが好ましい。
【0017】
前記電極1、2に各々誘電体3、4が装着され、これらは互いに対向するように配列される。前記誘電体3、4は、プラズマの発生を容易にするためには、25μm〜10mm範囲の厚さを有することが好ましい。電源に連結された電極1に装着された誘電体3には、その表面に対して垂直に貫通した放電間隙7が提供される。一方、接地された電極2の表面に装着された誘電体4には放電間隙がない。即ち、垂直に穿孔された放電間隙を有する誘電体が電源6と連結された電極1に装着され、放電間隙のないもう1つの誘電体が接地された電極2に装着され、前記2つの誘電体は互いに対向するように配置される。
【0018】
各々の放電間隙7には、一定の幅aと高さbを有する導体電極5が前記電極1から突出するように配置される。前記導体電極5には、図3(a)、3(b)または3(c)に例示された形態の突起部(tip)8、8’又は8”が形成されてもよい。電源6から電場が印加されると、前記導体電極5は、突起部8、8’又は8”で電荷を集積し、集積された電荷の放電を容易にする。また、前記突起部8、8’又は8”は、放電間隙7の幅a及び高さbを調整する機能をする。
【0019】
導体電極5に形成された突起部は、図3(a)、3(b)及び3(c)に示したように、三角、四角、円頭状の断面を有するものであってもよい。また、前記突起部は、その他の多様な形態からなっていてもよい。前記突起部は、高さbが幅aの0.1〜20倍であり、長さ10mm当たり1〜100個の密度で存在することが好ましい。
【0020】
突起部の大きさ及び数を制限する理由は、その範囲を外れる場合、突起部での電荷の集積効果が十分ではないため、放電開始及び保持電圧を低めることができず、高密度のプラズマが得られなく、またプラズマを均一に発生させることが難しいためである。
板構造の電極を有する装置に対して、電源6と連結された電極1に誘電体3が装着され、接地された電極2に誘電体4が装着されると説明したが、本発明はこれに限らず、多様な構造を有し得ることはいうまでもない。例えば、誘電体3、4が配置される電極1、2の位置を変更してもよい。即ち、放電間隙7を有する誘電体3を、接地された電極2に装着し、放電間隙7がない誘電体4を電源に連結された電極1に装着してもよい。また、2つの電極1、2のいずれかに放電間隙7を有する誘電体を設け、その他の電極には誘電体を装着しなくてもよい。
【0021】
前記誘電体は、高温に耐えることができ、かつ誘電特性が優れるように、厚さが25μm〜10mmの範囲であることが必要である。前記誘電体は、ガラス、アルミナ、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素、石英、及び酸化マグネシウムからなる群から選択された材料からなることが好ましい。
【0022】
前記誘電体3に放電間隙7がない場合、高い電圧を加えなければプラズマを発生させることができなく、発生したプラズマは低密度を有するようになる。これに対して、誘電体3に放電間隙7と突起部8を有する導体電極5が備えられると、電極1、2、5に加えられた電場が突起部に集積され、その強さが大きくなり、これにより、放電間隙7での中空陰極放電(hollow cathode discharge)及びキャピラリ放電(capillary discharge)の効果が得られる。従って、プラズマの発生に必要な電圧が低くなり、密度が高く、かつ安定したプラズマが得られる。
【0023】
誘電体を垂直に貫通する放電間隙7は、幅aが5μm〜2mm、高さbが幅aの5〜250倍の範囲であることが好ましい。前記幅と高さが当該限定範囲を外れるとキャピラリ放電及び中空陰極放電が起こらないため、放電開始及び保持電圧を所望の数値に低めることができない。また、安定した高密度プラズマが発生せず、プラズマがアークに変換するのを抑制できない。
第2の実施形態
図2は、本発明に係る他の実施形態により、大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いる電極構造を示す断面図である。この実施形態において、本発明は大気圧で低温プラズマを発生させることができる装置に管構造の電極を採用する。
【0024】
図2に示したように、内周面(inner circumstance)に誘電体3’が取り付けられた管状(tubular)電極1’が提供されている。前記管状電極1’の中心軸に沿い、管状電極1’と同じ中心軸を有するシリンダ型コア電極2’が、管状電極1’の内部表面に取り付けられた誘電体3’と一定な距離をおいて配置される。図示してはいないが、前記各電極の2つの末端は適切に絶縁されたままで支持固定される。コア電極2’の外周面には、またもう一つの誘電体4’が固定され、前記誘電体4’には多数の放電間隙7’が一定の間隙で設けられる。
【0025】
前記誘電体3’、4’の厚さは、前述の第1の実施形態と同様に設定することができる。また、前記放電間隙7の幅aと高さbに対しても前述の第1の実施形態と同様な制限が適用される。コア電極2’の外周面には放電間隙7に合う幅aと高さbとを有する導体電極5が備えられる。前記導体電極5には、更に図3に示される形状の突起部が提供される。
【0026】
管状電極1’は接地され、コア電極2’は電源6に連結される。
しかし、管構造において、前記電極1’、2’及び誘電体3’、4’の設置、形状、並びに配列関係は多様に変形可能である。
プラズマの発生のためには、前記第1及び第2の実施形態の装置に電源6を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流又は交流を、1〜100KV/cmの強さの電場を加える。前記電場の存在下で、放電間隙の突起部と対向電極との間で放電が行われプラズマが発生する。
【0027】
本発明の装置を用いて広い面積の均一なプラズマを安定的に発生させることができる。
本発明の装置で発生したプラズマを、金属、ゴム、繊維、紙、またプラスチック、ナイロン、エポキシのような合成樹脂などの各種材料の表面に照射して材料表面の特性を、接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、染色、印刷などに適合するように変更できる。
【0028】
更に、プラズマは、毒劇物の除去とか、汚染された空気の浄化にそのまま用いることができる。その上、プラズマをオゾンの製造に用い、このオゾンを水道水の滅菌及び消毒、廃水浄化、SOx、NOxなどの自動車の排気ガスの浄化、及び自動車エンジンにおける燃料の完全燃焼に活用できる。また、前記プラズマを用いて光化学反応に有用な非常に明るい電灯を製造し、これを光化学反応工程だけでなく各種表面処理工程に活用できる。
【0029】
例えば、前記誘電体が取り付けられた電極の間に空気、水蒸気、酸素、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、メタン、アンモニア、四フッ化炭素、アセチレン、プロパンなどの各種反応ガスを単独、又は混合して供給した後、電源を通じて高電場を加えてプラズマを発生させる。このプラズマは、接合、研磨、薄膜蒸着、殺菌、消毒、オゾン製造、染色、印刷、エッチング、水処理、空気、及び自動車の排気ガスの浄化、自動車エンジンにおける燃料の完全燃焼、高輝度の電灯の製造などに有用に活用できる。
【実施例】
【0030】
本実施例は、第2の実施形態と同様なプラズマ発生装置を用い、この装置は2つの電極板1、2が互いに対向する構造で配列され、前記電極1、2が互いに対向する面の各々には誘電体が提供されている板構造を採用した。前記誘電体3、4の1つに誘電体3に幅200μm、高さ2mmの放電間隙7を複数形成した。導体電極5には図3(a)のような形状の幅aの2mm、高さbの1.5mmの突起部8を備えた。7mmの間隙をおいた2つの電極1、5の間にヘリウムガスを供給しながら、50kHz範囲の直流バイポーラパルス電源を印加して大気圧で放電を起した。
【0031】
その結果、約1kVを用いて放電を開始し、保持電圧は約0.7kVであった。このような条件下で高密度のプラズマをアークの発生なしに安定的に発生させた。
大気圧でヘリウムガス中での放電開始電圧は約3.7kVと測定された。電極間の距離が7mmである場合、放電開始電位として約2.6kVが必要であった。
【0032】
前述のように、本発明の低温プラズマの発生装置は、下記の利点を有する。
先ず、中空陰極放電、毛細管放電、又は高集積の電場の発生を誘導するに適した大気圧下でのプラズマ発生装置は、プラズマがアークに転移するの現状を防止し、従って安定した低温プラズマが高密度で得られる。
【0033】
次に、本発明の装置は、非常に低い電圧で放電を開始及び保持でき、広域の周波数を用いることができ、また消費電力が少なくて低コストで製作できる。
最後に、前記装置は、広面積にわたって均一なプラズマを高密度で生成できる。このプラズマは、高エネルギのラジカルを形成して接合、研磨、洗浄、薄膜蒸着、殺菌、消毒、オゾンの製造、印刷、エッチング、水道水、及び廃水浄化、空気、並びに自動車排気ガスの浄化、燃料の完全燃焼、高輝度のランプの製造などの各種分野に広く活用できる。この場合、前記プラズマは優れた結果を示し、処理時間を大幅に減らすことができる。
【0034】
本発明を例示的に説明したが、用いられた用語は、ただ例示的なものであるだけであり、これに制限されないことを理解しなければならない。前述の開示内容に考慮して本発明に対して多様な変更及び調整が可能である。従って、添付の請求範囲の範囲内において、本発明は具体的に述べられたものと異なって実施できることを理解しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の第1の実施形態による、大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いるに適合した板構造の電極の概略的な構成を示す断面図である。
【図2】本発明の第2の実施形態による、大気圧下で低温プラズマを発生させる装置に用いるに適合した管構造の電極の概約的な構成を示す断面図である。
【0036】
【図3】導体電極に提供される起部(tip)を示す例示図である。
【符号の説明】
【0037】
1、2…電極 3、4、…誘電体 5…導体電極 6…電源 7…放電間隙 8…突起部
Claims (4)
- 1つは電源に連結され、もう1つは接地され、互いに離隔して対向する一対の電極;
前記電極の対向表面上に、互いに対向するように配置された25μm〜10mm厚さの一対の誘電体(これらのうち1つは少なくとも1つの放電間隙(discharge gap)を有する);及び
前記放電間隙内に位置された少なくとも1つの突起部(tip)を有する導体電極を含み、
前記電極に電源を通じて50Hz〜10GHz周波数帯域のパルス直流又は交流を用いて1〜100kV/cmの強さで電場を印加しながら前記電極の間へ反応ガスを供給して大気圧下で低温プラズマを発生させる装置。 - 放電間隙の幅が5μm〜2mmで、高さが幅の5〜250倍である、請求項1に記載の装置。
- 電極が金属からなり、突起部が幅の0.1〜20倍の高さを有し、電極長さ10mm当り1〜100個の密度で存在する、請求項1に記載の装置。
- 誘電体がガラス、アルミナ、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素、石英(quartz)及び酸化マグネシウムからなる群から選択された絶縁材料からなる、請求項1又は2に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0006653A KR100464902B1 (ko) | 2001-02-12 | 2001-02-12 | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 |
PCT/KR2002/000202 WO2002065820A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004527073A true JP2004527073A (ja) | 2004-09-02 |
JP3990285B2 JP3990285B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=19705599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002565398A Expired - Fee Related JP3990285B2 (ja) | 2001-02-12 | 2002-02-08 | 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1366647A4 (ja) |
JP (1) | JP3990285B2 (ja) |
KR (1) | KR100464902B1 (ja) |
CN (1) | CN1228999C (ja) |
TW (1) | TWI244879B (ja) |
WO (1) | WO2002065820A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063973A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Bv | プラズマを形成するための装置および方法ならびに電極 |
WO2007032172A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Tohoku University | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
JP2007207475A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Ibaraki Univ | 携帯型大気圧プラズマ発生装置 |
JP2008264086A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Saga Univ | プラズマ滅菌装置 |
CN102026468A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-20 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种介质阻挡电晕放电反应器 |
WO2011139036A2 (ko) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | (주)에스이 플라즈마 | 대기압 플라즈마 장치 |
JP2012140970A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-07-26 | Nissan Motor Co Ltd | エンジン点火制御装置 |
KR101193380B1 (ko) * | 2009-07-13 | 2012-10-23 | 글로벌텍 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 |
CN101720163B (zh) * | 2008-10-10 | 2012-12-19 | 河南理工大学 | 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器 |
JP2013504157A (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | コリア・ベーシック・サイエンス・インスティテュート | 液状媒質プラズマ放電発生装置 |
JP2014513760A (ja) * | 2011-04-04 | 2014-06-05 | フェデラル−モーグル・イグニション・カンパニー | コロナ放電点火システムにおけるアーク形成を制御するためのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6841201B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-01-11 | The Procter & Gamble Company | Apparatus and method for treating a workpiece using plasma generated from microwave radiation |
US6821379B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-11-23 | The Procter & Gamble Company | Portable apparatus and method for treating a workpiece |
KR100482554B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2005-04-14 | 현대자동차주식회사 | 유전체에 돌출부가 형성된 평행 평판형 타입 플라즈마반응기 |
US6759100B2 (en) * | 2002-06-10 | 2004-07-06 | Konica Corporation | Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method |
JP4472372B2 (ja) | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
KR100601394B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2006-07-13 | 연세대학교 산학협력단 | 공기정화장치 |
KR200371074Y1 (ko) * | 2004-09-17 | 2004-12-29 | 주식회사 다원시스 | 대기압 플라즈마를 이용한 모발 염색장치 |
US7256296B2 (en) | 2004-09-22 | 2007-08-14 | Symyx Technologies, Inc. | Heterocycle-amine ligands, compositions, complexes, and catalysts |
KR100691875B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2007-03-09 | 최진문 | 대기압 플라즈마 유전체 세정장치 |
DE102006011312B4 (de) * | 2006-03-11 | 2010-04-15 | Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen - Körperschaft des öffentlichen Rechts - | Vorrichtung zur Plasmabehandlung unter Atmosphärendruck |
CN100434935C (zh) * | 2006-12-28 | 2008-11-19 | 河北大学 | 一种产生具有三种折射率的等离子体光子晶体的方法 |
KR100861559B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2008-10-02 | (주)에스이 플라즈마 | 전원 인가 전극에 결합되는 유전체 하면에 복수개의 분할전극이 부착된 구조의 전극부를 갖는 대기압 플라즈마발생장치 |
CN101376980B (zh) * | 2007-08-27 | 2011-09-21 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种改善带钢润湿性的工艺 |
DE102008028167A1 (de) * | 2008-06-12 | 2009-12-31 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets |
KR101046335B1 (ko) | 2008-07-29 | 2011-07-05 | 피에스케이 주식회사 | 할로우 캐소드 플라즈마 발생방법 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리방법 |
CN101772253B (zh) * | 2008-12-26 | 2013-06-26 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 一种等离子体产生装置 |
KR20100081068A (ko) * | 2009-01-05 | 2010-07-14 | 삼성전기주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
KR100924112B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2009-10-29 | 한국과학기술원 | 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자 |
KR101151277B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2012-06-14 | 성균관대학교산학협력단 | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 |
KR101160906B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-06-28 | 최대규 | 용량 결합 플라즈마 반응기 |
KR101307111B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2013-09-11 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 플라즈마 발생 장치 |
CN102036460B (zh) * | 2010-12-10 | 2013-01-02 | 西安交通大学 | 平板式等离子体发生装置 |
DE102011000261A1 (de) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Hochschule für angewandte Wissenschaft und Kunst Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen | Dielektrische Koplanarentladungsquelle für eine Oberflächenbehandlung unter Atmosphärendruck |
CN102215626B (zh) * | 2011-05-23 | 2012-12-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种可在较低电压条件下产生放电等离子体的装置 |
KR101241951B1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-03-11 | 한국기계연구원 | 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 |
US9373484B2 (en) | 2011-08-11 | 2016-06-21 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Plasma generator, manufacturing method of rotating electrode for plasma generator, method for performing plasma treatment of substrate, and method for forming thin film having mixed structure by using plasma |
WO2014007472A1 (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Plasmart Inc. | Plasma generation apparatus and plasma generation method |
CN102755819B (zh) * | 2012-08-02 | 2014-04-16 | 桂林市世环废气处理设备有限公司 | 低温等离子氧化器及低温等离子除臭系统 |
CN103269556A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-28 | 哈尔滨工业大学 | 大面积大气等离子体均匀放电电极 |
KR101439926B1 (ko) | 2013-06-11 | 2014-09-17 | 한국기계연구원 | 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템 |
CN104619106B (zh) * | 2015-01-15 | 2018-04-20 | 合肥工业大学 | 一种实现大气压下空气中均匀辉光放电的装置 |
CN105792495B (zh) * | 2016-05-03 | 2018-11-06 | 河北大学 | 一种产生大气压均匀等离子体刷的装置和方法 |
CN105951034A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-09-21 | 上海大学 | 一种弹簧钢在低温等离子体下渗碳的方法 |
CN105951035A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-09-21 | 上海大学 | 一种弹簧钢在低温等离子体下发蓝的方法 |
CN106577982A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-04-26 | 浙江海洋大学 | 一种鱿鱼丝保鲜的方法 |
KR101941860B1 (ko) * | 2017-06-09 | 2019-01-25 | 한국과학기술연구원 | 기체 방전 살균 및 제독 기능을 가진 차량용 외장재, 이를 포함하는 차량 및 차량의 살균 및 제독을 위한 소독 시스템 |
CA3073556A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | Somnio Global Holdings, Llc | Free radical generator and methods of use |
AT520858A1 (de) | 2018-01-30 | 2019-08-15 | Gerald Boehm | Vorrichtung und Verfahren zum Bilden eines Temperaturgradienten |
CN108601191B (zh) * | 2018-05-21 | 2020-09-15 | 王逸人 | 一种阵列式双介质阻挡放电装置 |
CN109494147B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院微电子研究所 | 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法 |
CN109545687B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院微电子研究所 | 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽mosfet器件制造方法 |
KR20210099153A (ko) * | 2018-12-21 | 2021-08-11 | 에바텍 아크티엔게젤샤프트 | 하나 이상의 기판을 진공 플라즈마 처리하거나 기판을 제조하기 위한 진공 처리 장치 및 방법 |
CN109779948B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-01-05 | 沈阳航空航天大学 | 一种用于提高轴流风机性能的等离子式叶顶间隙密封方法 |
CN109688689A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-04-26 | 北京卓昱科技有限公司 | 一种宽间隙电子诱导等离子发生器 |
CN110904904A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-03-24 | 河南先途智能科技有限公司 | 一种机场跑道橡胶残留低温等离子处理设备 |
CN111389189A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-07-10 | 北京化工大学 | 一种可穿戴式等离子体降解危险化学品的装置及方法 |
CN111773427B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-07-23 | 深圳先进技术研究院 | 一种等离子体空气消杀处理装置 |
TWI826900B (zh) * | 2021-03-03 | 2023-12-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 電漿產生裝置及基板處理裝置 |
CN113099599B (zh) * | 2021-04-26 | 2022-04-26 | 北京农学院 | 一种滑动弧放电反应装置及杀菌方法 |
KR102574829B1 (ko) * | 2021-05-11 | 2023-09-06 | 박영희 | 섬유 원단의 표면 개질을 위한 저온진공 플라스마장치의 전극구조 |
CN114551194B (zh) * | 2022-02-18 | 2024-02-06 | 四川大学 | 一种等离子体刻蚀装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04167481A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Hitachi Cable Ltd | 気体レーザ |
JP3121105B2 (ja) * | 1992-03-03 | 2000-12-25 | 株式会社きもと | グロー放電プラズマ発生用電極及びこの電極を用いた反応装置 |
KR0130733B1 (ko) * | 1994-04-21 | 1998-04-14 | 문재덕 | 저온 플라즈마 발생용 방전장치 |
JPH07296993A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | プラズマ発生装置 |
JP3078466B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2000-08-21 | 松下電工株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置及びその装置を用いた大気圧プラズマ発生方法 |
JPH0950898A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3288228B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2002-06-04 | 積水化学工業株式会社 | 放電プラズマ処理方法 |
JPH10172792A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US5872426A (en) * | 1997-03-18 | 1999-02-16 | Stevens Institute Of Technology | Glow plasma discharge device having electrode covered with perforated dielectric |
US6147452A (en) * | 1997-03-18 | 2000-11-14 | The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology | AC glow plasma discharge device having an electrode covered with apertured dielectric |
JPH11106531A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
US6027616A (en) * | 1998-05-01 | 2000-02-22 | Mse Technology Applications, Inc. | Extraction of contaminants from a gas |
JP2000008296A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-11 | Oji Paper Co Ltd | 着色紙 |
US6118218A (en) * | 1999-02-01 | 2000-09-12 | Sigma Technologies International, Inc. | Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure |
US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
-
2001
- 2001-02-12 KR KR10-2001-0006653A patent/KR100464902B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-02-08 JP JP2002565398A patent/JP3990285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-08 TW TW091102638A patent/TWI244879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-08 WO PCT/KR2002/000202 patent/WO2002065820A1/en active Application Filing
- 2002-02-08 EP EP02700834A patent/EP1366647A4/en not_active Withdrawn
- 2002-02-08 CN CNB028048792A patent/CN1228999C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063973A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Bv | プラズマを形成するための装置および方法ならびに電極 |
US8168130B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-05-01 | Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. | Plasma generation system and plasma generation method |
WO2007032172A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Tohoku University | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
JPWO2007032172A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2009-03-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
US8501106B2 (en) | 2005-09-16 | 2013-08-06 | Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. | Plasma generation system and plasma generation method |
JP4798635B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-10-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
JP2007207475A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Ibaraki Univ | 携帯型大気圧プラズマ発生装置 |
JP2008264086A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Saga Univ | プラズマ滅菌装置 |
CN101720163B (zh) * | 2008-10-10 | 2012-12-19 | 河南理工大学 | 大气压下介质阻挡类辉光放电反应器 |
KR101193380B1 (ko) * | 2009-07-13 | 2012-10-23 | 글로벌텍 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 |
JP2013504157A (ja) * | 2009-09-02 | 2013-02-04 | コリア・ベーシック・サイエンス・インスティテュート | 液状媒質プラズマ放電発生装置 |
KR101163643B1 (ko) | 2010-05-04 | 2012-07-06 | (주)에스이피 | 대기압 플라즈마 장치 |
WO2011139036A3 (ko) * | 2010-05-04 | 2012-01-12 | (주)에스이 플라즈마 | 대기압 플라즈마 장치 |
WO2011139036A2 (ko) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | (주)에스이 플라즈마 | 대기압 플라즈마 장치 |
CN102026468A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-20 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种介质阻挡电晕放电反应器 |
JP2014513760A (ja) * | 2011-04-04 | 2014-06-05 | フェデラル−モーグル・イグニション・カンパニー | コロナ放電点火システムにおけるアーク形成を制御するためのシステムおよび方法 |
JP2012140970A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-07-26 | Nissan Motor Co Ltd | エンジン点火制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1366647A4 (en) | 2007-08-08 |
CN1491527A (zh) | 2004-04-21 |
CN1228999C (zh) | 2005-11-23 |
TWI244879B (en) | 2005-12-01 |
JP3990285B2 (ja) | 2007-10-10 |
KR100464902B1 (ko) | 2005-01-05 |
EP1366647A1 (en) | 2003-12-03 |
KR20020066467A (ko) | 2002-08-19 |
WO2002065820A1 (en) | 2002-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3990285B2 (ja) | 大気圧で低温プラズマを発生させる装置 | |
US6441554B1 (en) | Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure | |
KR100382562B1 (ko) | 글로우방전 플라즈마 처리방법 및 그 장치 | |
EP1441577A1 (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
WO2007035182A2 (en) | Field enhanced electrodes for additive-injection non-thermal plasma (ntp) processor | |
JP2004165145A (ja) | 大気圧グロープラズマ(apg)によって基体を処理するための方法および装置 | |
CN1294480A (zh) | 等离子体处理装置和使用该装置的等离子体产生方法 | |
US20090297409A1 (en) | Discharge plasma reactor | |
JP2006216468A (ja) | プラズマ表面処理方法、プラズマ生成装置及びプラズマ表面処理装置 | |
CN1386563A (zh) | 气体净化处理设备和方法 | |
KR100430345B1 (ko) | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
JP4812404B2 (ja) | プラズマ表面処理装置および表面処理筒型基材の製造方法 | |
KR20010103922A (ko) | 대기압에서 글로우방전 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
JPH11224795A (ja) | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ利用表面処理方法、並びにプラズマ利用ガス処理方法 | |
KR200253571Y1 (ko) | 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
JPH1112735A (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
KR100507334B1 (ko) | 대기압 프라즈마 가속장치 | |
KR101692218B1 (ko) | 휘발성 유기 화합물 제거용 유전체 장벽 플라즈마 반응 장치 및 이를 이용한 휘발성 유기 화합물의 제거방법 | |
KR100507335B1 (ko) | 대기압 프라즈마 가속 발생장치 | |
KR100783793B1 (ko) | 과불화탄소 가스 처리장치 | |
KR20010084567A (ko) | 대기압에서 글로우 방전 플라즈마를 발생시키는 장치 | |
JP4284861B2 (ja) | 表面処理方法、インクジェットプリンタ用ヘッドの製造方法 | |
WO2005029926A1 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
ABIDAT et al. | ELECTRICAL CHARACTERISTICS SIMULATION OF HOMOGENEOUS DBD AT ATMOSPHERIC PRESSURE. APPLICATION TO HELIUM AND ARGON PLASMAS. | |
JPH07277707A (ja) | オゾン発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |