JPH04167481A - 気体レーザ - Google Patents

気体レーザ

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JPH04167481A
JPH04167481A JP29172390A JP29172390A JPH04167481A JP H04167481 A JPH04167481 A JP H04167481A JP 29172390 A JP29172390 A JP 29172390A JP 29172390 A JP29172390 A JP 29172390A JP H04167481 A JPH04167481 A JP H04167481A
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JP
Japan
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discharge path
electrodes
laser
magnetic field
pair
Prior art date
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Pending
Application number
JP29172390A
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English (en)
Inventor
Akishi Hongo
晃史 本郷
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、光通信などの分野に有用な導波路型気体レー
ザに係り、特に小型高効率の気体レーザに間するもので
ある。
[従来の技術] 近年の光通信技術及び光応用技術の発展に伴い、種々の
気体レーザが研究開発されている。
特に炭酸ガスレーザは発振効率が高く、放電路を導波n
型にすることによって、容易に小型高効率の気体レーザ
が実現できる6例えば米国特許第4,169,251号
には、横方向高周波励起方式の導波路型レーザが開示さ
れている。このレーザは第3図に示すように、レーザの
軸方向に対して直角方向に高周波放電を励起するための
対向する一対の金属電極31と、ガラス、アルミナセラ
ミックなどの対向する一対の誘電体32とで囲まれた矩
形断面を有する中空領域33を放t#!34とする導波
路型気体レーザである。
すなわち、中空領域33にレーザ媒質を封入し、ここに
プラズマを発生させてレーザ媒質を励起させる気体レー
ザであり、小型かつ高効率で、高電圧を必要としないと
いう特長を有している。
[発明が解決しようとする課題] このようにプラズマを発生させることによりレーザ媒質
を励起させる気体レーザでは、安定した放電が効率よく
行われることが重要である。また、一般にレーザ出力は
レーザ媒質の温度の影響を強く受け、温度上昇とともに
出力が低下する。特に導波#I型レーザは小型を特長と
し、封止型構造のものが求められるため、放電路34内
は温度が上昇しやすく、発熱をいかに抑えるかが課題で
ある。
このような温度上昇は放電路34を形成する導波路壁へ
の荷電粒子の衝突が大きな原因となっている。さらに一
般に金属材料は誘電体と比較して荷電粒子によるスパッ
タリング率がかなり大きい。
そのため金属電極31がレーザ媒質にさらされている上
記構造の導波n型レーザでは、短時間で電極の劣化や封
入ガスの汚染が生じ易く、耐久性及び信頼性の向上に大
きな障Wとなっている。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成すべく本発明の気体レーザは、対向する
一対の電極と対向する一対の誘電体とで囲まれた断面矩
形状の中空領域を放電路とする高周波励起気体レーザに
おいて、上記電極に、上記放電路内に磁界を重畳させて
荷電粒子を両電極間の中央部に集中させる磁界発生手段
を設けたものである。
他の気体レーザは、対向する一対のtfi間に誘電体で
囲まれた断面略円形状の中空領域を形成する放電路を設
けた高周波励起気体レーザにおいて、前記放電路に、そ
の放電路内に磁界を重畳させて荷電粒子を該放電路の軸
心部に集中させる磁界発生手段を設けたものである。
[作用コ 電極がレーザ媒質にさらされている構造の気体レーザに
おいては、荷電粒子の衝突により電極の劣化やレーザガ
スの汚染が発生しやすい。そこで、放電路内に磁界を重
畳させて荷電粒子を両電極間の中央部に集中させるよう
にする。これにより、電極に衝突する荷電粒子の衝撃が
緩和されると共にプラズマ発生効率が向上する。
放電路壁が誘電体のみで構成されている構造の気体レー
ザにあっては、電熱効率が大きい電極がレーザ媒質に直
接さらされていないので放熱効果の点で不利である。そ
こで、放電路内に磁界を重畳させて荷電粒子を放電路の
中心部に集中させるようにする。これにより、放電路壁
に対する荷電粒子の衝撃が緩和されるので、放電路の温
度上昇が抑えられる。
[実施例コ 以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例である導波路型気体レーザの
横断面図である。この気体レーザ1は対向する一対の金
属電極2と、これと直角方向に対向する一対の誘電体3
とにより矩形断面の中空領域4が形成されており、この
中空領域4に例えばCo2.N2 、及びHeの混合ガ
スからなるレーザ媒質が封入されている。すなわち中空
領域4が気体レーザ1の放t#15を構成しており、金
属電極2rWJに高周波電界が印加されると、レーザ媒
質がグロー放電しプラズマ状態が維持されるようになっ
ている。金属電極2の背後には、磁界発生手段12を構
成する一対の永久磁石6が設けられている。これら永久
磁石6は電極間距離方向に磁界を重畳させるよう配置さ
れている。この永久磁石6により、電極間距離方向に磁
界を重畳すると、放電路5内の荷電粒子が磁力線にとら
れれて電極2間の中央部に集中する。これにより放電は
電極空間に効率よく閉じ込められ、レーザガスの衝突回
数が増大しプラズマの発生効率が大きくなる。
このためt[16間の放電は磁界の重畳により、より安
定化する。このように、荷電粒子がt&6rWJの中央
部に効率よく閉じ込められるので、荷電粒子の金属電極
6に衝突する確率並びに衝突衝撃を小さくでき、金属電
極6の劣化、レーザガスの汚染を効果的に抑制すること
ができる。
なお、第1図では、金属電極6が直接レーザ媒質にさら
されている構造をしているが、さらに導波損失を低減し
、発振効率を高めるため、金属電極6の壁面上にレーザ
の発振波長帯で吸収の小さな薄膜をコートした導波路型
気体レーザにおいても本発明の効果は同様に発揮される
第2図に本発明の他の実施例を示す、第2図の気体レー
ザ7においては、一対の金属電極9間に誘電体8で囲ま
れた断面略円形の中空領域10を形成する放電路11が
設けられている。金属電極9の背後には第1図と同様に
磁界発生手段13を構成する永久磁石6が設けられてお
り、電極間距離方向に磁界が重!されるよう構成されて
いる。
この気体レーザ7は、第1図の気体レーザ1と比較する
と、熱電導率が大きい金属電極9がレーザガスに直接さ
らされないので放電効果という点では不利であるが、金
属電極9の劣化やレーザガスの汚染の影響は少ない、放
電路11内の荷電粒子は磁界の作用によって@[!9間
の中央部に集中的に閉じ込められるので、放電路壁全体
に対する荷電粒子の衝突確率を小さくすることができ、
放電路の温度上昇を抑えることができる。
尚、第2図の例では電極間距離方向に磁界が重畳される
よう金属電極9の背後に永久磁石6が配lされているが
、電極9がレーザガスに直接さらされておらず、放電路
11は断面が略円形で周方向に同一材料で形成されてい
るので、磁界を重畳する方向は電極の距離方向に限定さ
れる必要はない、すなわち、磁界発生手段13を構成す
る永久磁石6を金属電極9に対して直角方向に配置して
電極間距離方向と直交する方向に磁界を重畳しても、プ
ラズマの発生効率を高め、高周波電力やレーザガス圧に
対する放電維持の範囲を広げるという効果は発揮される
[発明の効果コ 以上要するに、本発明によれば、次のような優れた効果
が発揮できる。
(1)荷電粒子の電極への衝突回数を減少させ、電極の
劣化、レーザガスの汚染を防止することができる。
(2)プラズマ領域を放電路内に効率よく閉じ込めるこ
とができるので、放電路の温度上昇が抑えられ、安定し
たレーザ出力が得られる。
(3)プラズマの発生効率を高め、高周波電力やレーザ
ガス圧に対する放電維持の範囲を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は本発
明の他の実施例を示す断面図、第3図は従来例を示す断
面図である。 図中、1.7は気体レーザ、2.9は金属電極、3,8
は誘電体、4,10は中空領域、5゜11は放電路、1
2.13は磁界発生手段である。 特許出願人  日立電線株式会社 代理人弁理士  絹 谷 信 雄

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、対向する一対の電極と対向する一対の誘電体とで囲
    まれた断面矩形状の中空領域を放電路とする高周波励起
    気体レーザにおいて、上記電極に、上記放電路内に磁界
    を重畳させて荷電粒子を両電極間の中央部に集中させる
    磁界発生手段を設けたことを特徴とする気体レーザ。 2、対向する一対の電極間に誘電体で囲まれた断面略円
    形状の中空領域を形成する放電路を設けた高周波励起気
    体レーザにおいて、前記放電路に、該放電路内に磁界を
    重畳させて荷電粒子を該放電路の軸心部に集中させる磁
    界発生手段を設けたことを特徴とする気体レーザ。
JP29172390A 1990-10-31 1990-10-31 気体レーザ Pending JPH04167481A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430345B1 (ko) * 2000-11-28 2004-05-04 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
KR100464902B1 (ko) * 2001-02-12 2005-01-05 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
WO2022128056A1 (de) 2020-12-14 2022-06-23 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Laserverstärker, laser und verfahren mit quer zum e-feld verlaufendem b-feld

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KR100464902B1 (ko) * 2001-02-12 2005-01-05 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
WO2022128056A1 (de) 2020-12-14 2022-06-23 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Laserverstärker, laser und verfahren mit quer zum e-feld verlaufendem b-feld

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