TWI826900B - 電漿產生裝置及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種可擴大電漿產生區域之電漿產生裝置。 本發明之電漿產生裝置1具備第1電極部2、第2電極部3、及介電部40。第1電極部2具有沿長度方向D1延伸之棒狀形狀，且包含排列於與長度方向D1正交之排列方向D2上之複數個第1電極構件21。第2電極部3具有沿長度方向D1延伸之棒狀形狀，且包含俯視下分別設置於複數個第1電極構件21之相互間之複數個第2電極構件31。介電部40具有第1內周面4a，前述第1內周面4a覆蓋複數個第1電極構件21各者之第1側面21a，且沿長度方向D1延伸至較複數個第1電極構件21各者之第1前端面21b更靠前端側。第1內周面4a中較第1前端面21b更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第1前端空間41。

Description

電漿產生裝置及基板處理裝置
本發明申請案係關於一種電漿產生裝置及基板處理裝置。
自先前以來，業界曾提案一種對基板之表面進行電漿處理之電漿處理裝置(專利文獻1)。於專利文獻1之電漿處理裝置中，設置有一對梳形電極，各梳齒電極之齒形狀之電極配置為於同一平面內以特定之間隔交替排列。藉由對該一對梳形電極供給交流電力，而於齒形狀之電極之周邊產生電漿。於電漿處理裝置中，以與一對梳形電極對向之方式保持基板，且對於基板之表面進行電漿處理。
又，於專利文獻1中，梳形電極之齒形狀之電極由介電構件覆蓋。藉此，可防止電漿作用於電極，可防止自電極產生雜質。
又，自先前以來，業界曾提案去除形成於基板之上表面之抗蝕劑之技術。例如，於專利文獻2中，曾揭示對基板之上表面供給硫酸及過氧化氫溶液之混合液，使用在該混合液中產生之卡洛酸，去除形成於基板之上表面之抗蝕劑之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-49570號公報 [專利文獻2]日本特開2020-88208號公報
[發明所欲解決之問題]
於梳形電極中，藉由增長齒形狀之電極，而可擴大俯視下之電漿之產生區域。然而，若增長齒形狀之電極，則有招致材料費之增加及裝置構成之尺寸增加之問題。
為此，作為第1目的，本發明申請案之目的在於提供一種可擴大電漿產生區域之電漿產生裝置。
又，作為環境負載較專利文獻2之技術為小之替代技術，有以大氣壓電漿產生氧自由基等活性種，進而，藉由使該活性種作用於硫酸，而產生卡洛酸之技術。根據該技術，可於不利用過氧化氫溶液下去除抗蝕劑。
此處，於例如產生電漿之面積大之情形等下，有直至在各個區域產生電漿為止所需之時間之偏差變大之情形。於如此之情形下，有直至均一之電漿於該面積整體產生為止需要較長之時間之問題。
為此，作為第2目的，本發明申請案提供一種用於縮短直至產生電漿為止所需之時間之技術。 [解決問題之技術手段]
第1態樣之電漿產生裝置具備：第1電極部，其具有沿長度方向延伸之棒狀形狀，且包含排列於與前述長度方向正交之排列方向上之複數個第1電極構件；第2電極部，其具有沿前述長度方向延伸之棒狀形狀，且包含於俯視下分別設置於前述複數個第1電極構件之相互間之複數個第2電極構件；及介電部，其具有第1側面，前述第1側面覆蓋前述複數個第1電極構件各者，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第1電極構件各者之第1前端面更靠前端側；前述第1內周面中較前述第1前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第1前端空間。
第2態樣係如第1態樣之電漿產生裝置者，其中前述介電部包含介電構件；且前述介電構件具有：前述第1內周面；及第2內周面，其覆蓋前述複數個第2電極構件各者之第2側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第2電極構件各者之第2前端面更靠前端側；前述第2內周面中較前述第2前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第2前端空間。
第3態樣係如第1態樣之電漿產生裝置者，其中前述介電部包含：複數個第1介電構件，其等各自具有前述第1內周面；及複數個第2介電構件，其等各自具有第2內周面，前述第2內周面覆蓋前述複數個第2電極構件各者之第2側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第2電極構件各者之第2前端面更靠前端側；前述第2內周面中較前述第2前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第2前端空間。
第4態樣係如第1至第3中任一態樣之電漿產生裝置者，其中前述第1電極部與前述第2電極部相互離開如下距離，即於前述第1前端空間內之氣體電漿化之狀態下在前述第1電極部與前述第2電極部之間不產生電弧放電之距離。
第5態樣係如第4態樣之電漿產生裝置者，其中前述第1電極部包含將前述複數個第1電極構件之基端彼此連結之第1集合電極，前述第2電極部包含將前述複數個第2電極構件之基端彼此連結之第2集合電極；前述複數個第1電極構件各者之前述第1前端面，位於較前述第2集合電極、與自前述第2集合電極之內側面離開特定距離之假想線之間之配置禁止區域更靠前述第1集合電極側。
第6態樣係如第1至第5中任一態樣之電漿產生裝置者，其中前述介電部具有第1底面，前述第1底面與前述複數個第1電極構件各者之前述第1前端面隔開前述第1前端空間而對向，且連結於前述第1內周面；前述第1底面與前述第2電極部之間之距離設定為，於假定前述第1前端面抵接於前述第1底面之假定構造中在前述第1前端面與前述第2電極部之間不產生電弧放電之距離。
第7態樣係如基板處理裝置者，且具備：基板保持部，其保持基板；及第1至第3中任一態樣之電漿產生裝置，其朝向由前述基板保持部保持之前述基板之主面產生電漿；且前述第1電極部包含將前述複數個第1電極構件之基端彼此連結之第1集合電極；前述第2電極部包含將前述複數個第2電極構件之基端彼此連結之第2集合電極；前述複數個第1電極構件之前述第1前端面及前述複數個第2電極構件之第2前端面於俯視下位於較由前述基板保持部保持之前述基板之周緣更為內側；前述第1集合電極及前述第2集合電極於俯視下位於較由前述基板保持部保持之前述基板之周緣更為外側。
第8態樣係如第7態樣之基板處理裝置者，其進一步具備噴嘴，其朝向由前述基板保持部保持之前述基板之主面噴出處理液；且於前述複數個第1電極構件中彼此相鄰之至少任2個之間，不設置前述複數個第2電極構件。
第9態樣之電漿產生裝置具備：第1電極構件群，其將複數個第1電極構件排列而構成；第1集合電極，其將前述第1電極構件群電性連接；第2電極構件群，其將複數個第2電極構件排列而構成；第2集合電極，其將前述第2電極構件群電性連接；及交流電源，其電性連接於前述第1集合電極與前述第2集合電極，對前述第1電極構件群與前述第2電極構件群供給電力；且複數個前述第1電極構件及複數個前述第2電極構件中之至少一個電極構件係由每單位長度之電阻較與該至少一個電極構件構成同一電極構件群之其他電極構件為小之小電阻電極構件構成，複數個前述第1電極構件與複數個前述第2電極構件於俯視下交替配置。
第10態樣係如第9態樣之電漿產生裝置者，其進一步具備板狀之介電構件，且於前述介電構件形成自前述介電構件之側面延伸至前述介電構件之內部之複數個收容孔，複數個前述第1電極構件各者、及複數個前述第2電極構件各者被收容於對應之各個前述收容孔。
第11態樣係如第9或第10態樣之電漿產生裝置者，其中複數個前述第1電極構件中之至少一者係由前述小電阻電極構件構成，複數個前述第2電極構件種之至少一者係由前述小電阻電極構件構成，由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件、與由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件配置為於俯視下相鄰。
第12態樣係如第9至第11中任一態樣之電漿產生裝置者，其中由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件係由與其他第1電極構件不同之材料構成，由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件係由與其他第2電極構件不同之材料構成。
第13態樣係如第9至第12中任一態樣之電漿產生裝置者，其中複數個前述第1電極構件與複數個前述第2電極構件各者為棒形狀，由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件較其他第1電極構件更粗地構成，由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件較其他第2電極構件更粗地構成。
第14態樣係如第11至第13中任一態樣之電漿產生裝置者，其中由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件、與由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件俯視下相鄰之配置乃形成複數個，於各個前述相鄰配置之間之位置配置包含至少一個非小電阻電極構件之前述第1電極構件或前述第2電極構件。
第15態樣之基板處理裝置，其具備：基板保持部，其保持基板；噴嘴，其朝由前述基板保持部保持之前述基板之主面供給處理液；及第9至第14中任一態樣之電漿產生裝置。 [發明之效果]
根據第1態樣，藉由將第1前端空間內之氣體電漿化，而可於俯視下，擴大電漿產生區域。
根據第2及第3態樣，藉由將第2前端空間內之氣體電漿化，而可進一步擴大電漿產生區域。
根據第4至第6態樣，即便第1前端空間內之氣體電漿化，於第1電極部與第2電極部之間亦不產生電弧放電。
根據第7態樣，可藉由更小尺寸之電漿產生裝置，對於基板於更寬廣之範圍內產生電漿。
根據第8態樣，由於氣體不在2個第1電極構件之間電漿化，故可降低消耗電力。另一方面，若由電漿產生裝置產生之活性種作用於處理液，則活性種於處理液中擴散，故而亦可對與該2個第1電極構件之間對應之區域供給活性種。即，可以更小之消耗電力，使活性種於更寬廣之單位內對於處理液作用。
根據第9態樣，由於將複數個第1電極構件或複數個第2電極構件中之至少一個電極構件，由每單位長度之電阻較與該至少一個電極構件構成同一電極構件群之其他電極構件為小之小電阻電極構件構成，故於每單位長度之電阻較其他電極構件為小之電極構件中容易流通電流，由於該小電阻電極構件容易被加熱，故促進電漿之產生。
又，與本案說明書所揭示之技術相關聯之目的、特徵、層面、優點藉由以下所示之詳細說明及附圖而更明瞭。
以下，一面參照附圖，一面針對實施形態進行說明。此外，該實施形態所記載之構成要素終極而言僅為例示，並非係將本揭示之範圍僅限定於其等之旨趣。於圖式中，為了易於理解，而有根據需要，將各部之尺寸或數目誇張或簡略化而圖示之情形。又，即便於非為剖視圖之俯視圖等之圖式中，亦有為了易於理解實施形態之內容，而加陰影之情形。
又，於以下所示之說明中，對同樣之構成要素賦予相同之符號而圖示，針對其等之名稱及功能，亦設為同樣者。因此，有為了避免重複，而省略針對其等之詳細之說明之情形。
又，於本發明申請案說明書所記載之說明中，即便有利用「第1」或「第2」等序數之情形，該等用語亦係為了便於理解實施形態之內容而方便上利用者，並非係限定於藉由該等序數而可能產生之順序等者。
表示相對性或絕對性位置關係之表達(例如「於一方向」「沿一方向」「平行」「正交」「中心」「同心」「同軸」等)如無特別異議，則不僅嚴格地表示其位置關係，亦表示在公差或獲得同程度之功能之範圍內關於角度或距離相對地變位之狀態。表示為相等之狀態之表達(例如「同一」「相等」「均質」等)如無特別異議，則不僅表示定量地嚴格相等之狀態，亦表示存在公差或獲得同程度之功能之差之狀態。表示形狀之表達(例如「四角形狀」或「圓筒形狀」等)如無特別異議，則不僅於幾何學上嚴格地表示該形狀，亦表示於獲得同程度之效果之範圍內例如具有凹凸或倒角等之形狀。「包括」、「備置」、「具備」、「包含」、或「具有」一個構成要素之表達，非為將其他構成要素之存在除外之排他性表達。「A、B及C之至少任一者」之表達包含：僅A、僅B、僅C、A、B及C中任意2個、以及A、B及C之全部。
又，於本發明申請案說明書所記載之說明中，亦有利用意指「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「背」等特定位置或方向之用語之情形，該等用語係為了易於理解實施形態之內容而方便上利用者，與實際實施時之位置或方向無關。
又，於本發明申請案說明所記載之說明中，於記載為「…之上表面」或「…之下表面」等之情形下，除了成為對象之構成要素之上表面本身或下表面本身以外，亦包含在成為對象之構成要素之上表面或下表面形成其他構成要素之狀態。亦即，例如，於記載為「設置於甲之上表面之乙」之情形下，不妨礙在甲與乙之間介置另一構成要素「丙」。
＜基板處理系統之整體構成＞ 圖1係概略性顯示應用電漿產生裝置之基板處理系統900之構成之一例之俯視圖。基板處理系統900係將作為處理對象之基板W一片接一片處理之單片式處理裝置。
基板W例如為半導體基板，具有圓板形狀。此外，對於基板W，除了半導體基板以外，亦可應用光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、有機EL(Electro-Luminescence)顯示裝置用基板等顯示裝置用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、陶瓷基板及態樣電池基板等各種基板。又，基板之形狀亦不限定於圓板形狀，可採用例如矩形之板狀形狀等各種形狀。
基板處理系統900包含：加載台901、分度器機器人902、主搬送機器人903、複數個基板處理裝置100、及控制部90。
複數個加載台901沿水平之一方向排列配置。各加載台901係用於將基板W搬出搬入基板處理系統900之介面部。朝各加載台901，自外部搬入收容基板W之載架C。各加載台901係保持搬入之載架C之收容器保持機構。作為載架C，可採用將基板W收納於密閉空間之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)艙、或將基板W曝露於外部大氣之OC(Open Cassette，開放式片盒)。
分度器機器人902係在由各加載台901保持之載架C、與主搬送機器人903之間搬送基板W之搬送機器人。分度器機器人902可沿加載台901排列之方向移動，可在與各載架C對面之位置停止。分度器機器人902可進行自各載架C取出基板W之動作、及朝各載架C交接基板W之動作。
主搬送機器人903係於分度器機器人902與各基板處理裝置100之間搬送基板W之搬送機器人。主搬送機器人903亦可被稱為中心機器人。主搬送機器人903可進行自分度器機器人902接收基板W之動作、及朝分度器機器人902交接基板W之動作。又，主搬送機器人903可進行朝各基板處理裝置100搬入基板W之動作、及自各基板處理裝置100搬出基板W之動作。此外，於圖1之例中，基板處理系統900包含基板載置部904。該情形下，分度器機器人902於加載台901與基板載置部904之間搬送基板W，主搬送機器人903於基板載置部904及各基板處理裝置100間搬送基板W。
分度器機器人902、基板載置部904及主搬送機器人903於各個基板處理裝置100與加載台901之間搬送基板W。
於基板處理系統900配置例如12個基板處理裝置100。具體而言，4個包含在鉛直方向積層之3個基板處理裝置100之塔設置為包圍主搬送機器人903之周圍。於圖1中概略性顯示3段重疊之基板處理裝置100之1個。此外，基板處理系統900之基板處理裝置100之數目不限定於12個，可適宜變更。
主搬送機器人903設置為由4個塔包圍。主搬送機器人903將自分度器機器人902接收之未處理之基板W搬入各基板處理裝置100內。各基板處理裝置100對基板W進行處理。又，主搬送機器人903自各基板處理裝置100搬出完成處理之基板W並交遞至分度器機器人902。
未處理之基板W自載架C由分度器機器人902取出。而後，未處理之基板W經由例如基板載置部904被交接至主搬送機器人903。
主搬送機器人903將該未處理之基板W搬入基板處理裝置100。而且，基板處理裝置100對基板W進行處理。
於基板處理裝置100中完成處理之基板W由主搬送機器人903自基板處理裝置100取出。而且，完成處理之基板W於根據需要經由其他基板處理裝置100之後，經由例如基板載置部904交接至分度器機器人902。分度器機器人902將完成處理之基板W搬入載架C。根據以上內容，進行對於基板W之處理。
控制部90控制基板處理系統900之各構成要素之動作。圖2係概略性顯示控制部90之內部構成之一例之功能方塊圖。控制部90係電子電路，具有例如資料處理部91及記憶部92。於圖2之具體例中，資料處理部91與記憶部92經由匯流排93相互連接。資料處理部91可為例如CPU(Central Processor Unit，中央處理單元)等運算處理裝置。記憶部92可具有非暫時性記憶部(例如ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)或硬碟)921及暫時性記憶部(例如RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體))922。可於非暫時性記憶部921記憶例如規定控制部90執行之處理之程式。藉由資料處理部91執行該程式，而控制部90可執行由程式規定之處理。毋庸置疑，控制部90執行之處理之一部分或全部未必必須由軟體實現，可由專用之邏輯電路等硬體執行。於圖2之例中，於匯流排93連接記憶裝置94、輸入部96、顯示部97及通訊部98。
記憶部921儲存基本程式。記憶部922用作資料處理部91進行特定之處理時之作業區域。記憶裝置94係由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。輸入部96係由各種開關或觸控面板等構成，自操作員接收處理製程條件等之輸入設定指示。顯示部97例如由液晶顯示裝置及燈等構成，於資料處理部91之控制下，顯示各種資訊。通訊部98具有經由LAN(Local Area Network，區域網路)等之資料通訊功能。
於記憶裝置94預先設定針對圖1之基板處理系統900之各個構成之控制之複數個模式。藉由資料處理部91執行處理程式94P，而選擇上述之複數個模式中之1個模式，以該模式控制各個構成。此外，處理程式94P可記憶於記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可於控制部90安裝處理程式94P。
＜第1實施形態＞ ＜基板處理裝置＞ 圖3係概略性顯示第1實施形態之基板處理裝置100之構成之一例之圖。此外，屬基板處理系統900之基板處理裝置100無須全部具有圖3所示之構成，只要至少一個基板處理裝置100具有該構成即可。
圖3所例示之基板處理裝置100係對基板W進行利用電漿之處理之裝置。雖然利用電漿之處理無須特別限制，但作為具體之一例，例如，包含去除附著於基板W之有機物之處理、或基板W之金屬蝕刻等之處理。附著於基板W之有機物例如為完成使用之抗蝕劑膜。該抗蝕劑膜例如係用作離子注入步序用之注入遮罩者。去除抗蝕劑膜之處理亦可被稱為抗蝕劑去除處理。基板W例如為半導體基板，具有圓板形狀。基板W之尺寸雖然無特別限制，但其直徑為例如約300 mm。
此外，圖3所示之構成可由圖1之腔室80包圍。又，腔室80內之壓力可為大致大氣壓(例如，0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理可為於大氣壓下進行之大氣壓電漿處理。
於圖3之例中，基板處理裝置100包含電漿產生裝置1、基板保持部11、噴嘴12、及防濺罩13。
基板保持部11以水平姿勢保持基板W。此處言及之水平姿勢係基板W之厚度方向沿鉛直方向之姿勢。於圖3之例中，基板保持部11包含載台111及複數個卡盤銷112。載台111具有圓板形狀，設置於較基板W靠鉛直下方。載台111以其厚度方向沿鉛直方向之姿勢設置。載台111亦可被稱為旋轉基座。複數個卡盤銷112豎立設置於載台111之上表面中之外周部，且握持(夾持)基板W之周緣。此外，基板保持部11未必必須具有卡盤銷112。例如，基板保持部11可吸引基板W之下表面而吸附基板W，或可藉由靜電方式而吸附基板W之下表面。
於圖3之例中，基板保持部11進一步包含旋轉機構113，使基板W繞旋轉軸線Q1旋轉。旋轉軸線Q1係通過基板W之中心部、且沿鉛直方向之軸。旋轉機構113例如包含軸114及馬達115。軸114之上端連結於載台111之下表面，自載台111之下表面沿旋轉軸線Q1延伸。馬達115使軸114繞旋轉軸線Q1旋轉，且使載台111旋轉。藉此，由複數個卡盤銷112保持之基板W繞旋轉軸線Q1旋轉。如此之基板保持部11亦可被稱為旋轉卡盤。
噴嘴12被用於向基板W供給處理液。噴嘴12經由供給管121連接於處理液供給源124。即，供給管121之下游端連接於噴嘴12，供給管121之上游端連接於處理液供給源124。處理液供給源124例如包含儲存處理液之槽(未圖示)，朝供給管121供給處理液。處理液包含鹽酸、氟酸、磷酸、硝酸、硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸、過氧硫酸鹽、過氧化氫、氫氧化四甲銨、氨與過氧化氫溶液之混合液(SC1)等液體，作為例如蝕刻液。又，處理液包含鹽酸與過氧化氫溶液之混合液(SC2)等液體，作為例如洗淨液。又，處理液例如包含去離子水(DIW)等液體，作為洗淨液或沖洗液。
於本實施形態中，主要說明用於去除形成於基板W之上表面之抗蝕劑膜之處理。該情形下，作為處理液，設想包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸及過氧硫酸鹽中之至少一種之液體、或包含過氧化氫之液體等。
於圖3之例中，於供給管121插裝閥122及流量調整部123。藉由閥122打開，而將來自處理液供給源124之處理液經由供給管121供給至噴嘴12，並自噴嘴12之噴出口12a噴出。即，閥122切換處理液自處理液供給源124向噴嘴12之供給及供給停止。流量調整部123調整供給管121中流動之處理液之流量。流量調整部123係例如質量流量控制器。
於圖3之例中，噴嘴12藉由噴嘴移動機構15可移動地設置。噴嘴移動機構15使噴嘴12於第1處理位置與第1待機位置之間移動。第1處理位置係噴嘴12朝向基板W之主面(例如上表面)噴出處理液之位置。第1處理位置例如為在較基板W靠鉛直方、且與基板W之中心部於鉛直方向對向之位置。第1待機位置為噴嘴12不朝向基板W之主面噴出處理液之位置，且為較第1處理位置更遠離基板W之位置。第1待機位置可為噴嘴12與主搬送機器人120對基板W之搬送路徑不干涉之位置。作為具體之一例，第1待機位置為較基板W之周緣靠徑向外側之位置。於圖3中顯示在第1待機位置停止之噴嘴12。
噴嘴移動機構15例如具有滾珠螺桿機構或臂回轉機構等致動器。臂回轉機構包含均未圖示之臂、支持柱、及馬達。臂具有於水平延伸之棒狀形狀，於臂之前端連結噴嘴12，於臂之基端連結支持柱。支持柱沿鉛直方向延伸，可繞該中心軸旋轉而設置。藉由馬達使支持柱旋轉，而臂回轉，噴嘴12繞中心軸沿周方向移動。支持柱設置為第1處理位置與第1待機位置位於噴嘴12之移動路徑上。
若於噴嘴12位於第1處理位置之狀態下，基板保持部11使基板W旋轉，且閥122打開，則自噴嘴12朝向旋轉中之基板W之上表面噴出處理液。處理液附著於基板W之上表面，且伴隨著基板W之旋轉而於基板W之上表面擴展，並自基板W之周緣朝外側飛散。藉此，於基板W之上表面形成處理液之液膜。
噴嘴12於設想複數種處理液之情形下，可對應於各種處理液而設置複數個。噴嘴12以於基板W之上表面形成處理液之液膜之方式，朝基板W供給處理液。
防濺罩13具有包圍由基板保持部11保持之基板W之筒狀之形狀。自基板W之周緣飛散之處理液位於防濺罩13之內周面，或沿內周面朝鉛直下方流動。處理液例如流經未圖示之回收配管且被回收至處理液供給源124之槽。藉此，可重複利用處理液。
電漿產生裝置1係產生電漿之裝置，設置於與由基板保持部11保持之基板W之主面(例如上表面)於鉛直方向對向之位置。於圖3之例中，電漿產生裝置1設置為於較基板W之上表面靠鉛直方覆蓋基板W整體。電漿產生裝置1連接於電源8，接收來自電源8之電力而使周圍之氣體電漿化。此外，此處，作為一例，電漿產生裝置1係於大氣壓下產生電漿之大氣壓電漿源。此處言及之大氣壓例如為標準氣壓之50%以上、且為標準氣壓之200%以下。電漿產生裝置1之具體之構成之一例於後文詳述。
如圖3所例示般，電漿產生裝置1藉由電漿移動機構14可移動地設置。電漿移動機構14使電漿產生裝置1於第2處理位置與第2待機位置之間往復移動。第2處理位置係利用由電漿產生裝置1產生之電漿對基板W進行處理時之位置。於第2處理位置處，電漿產生裝置1與基板W之上表面之間之距離為例如數mm左右。第2待機位置為不對基板W進行利用電漿之處理時之位置，且為較第2處理位置更遠離基板W之位置。第2待機位置亦為電漿產生裝置1與主搬送機器人120對基板W之搬送路徑不干涉之位置。
作為具體之一例，第2待機位置為較第2處理位置靠鉛直方之位置，電漿移動機構14使電漿產生裝置1沿鉛直方向升降。於圖3中顯示在第2待機位置停止之電漿產生裝置1。電漿移動機構14例如具有滾珠螺桿機構或氣缸等移動機構。
電漿產生裝置1例如可於噴嘴12退避至第1待機位置之狀態下，自第2待機位置向第2處理位置移動。例如，若藉由來自在第1處理位置處之噴嘴12之處理液之噴出，於基板W之上表面形成處理液之液膜，則閥122關閉，然後，噴嘴移動機構15使噴嘴12自第1處理位置移動至第1待機位置。之後，電漿移動機構14使電漿產生裝置1自第2待機位置向第2處理位置移動。藉此，由於在基板W之正上方不存在噴嘴12，故可將電漿產生裝置1更接近基板W之上表面。換言之，可將第2處理位置設定得更接近基板W。
而且，於電漿產生裝置1位於第2處理位置之狀態下，電源8朝電漿產生裝置1輸出電壓。藉此，於基板W之上表面之附近，電漿產生裝置1產生電漿。即，電漿產生裝置1朝向基板W之上表面產生電漿。伴隨著該電漿之產生，而產生各種活性種。例如，藉由空氣電漿化，而可產生氧自由基、羥基自由基及臭氧氣體等各種活性種。該等活性種作用於基板W之上表面。作為具體之一例，活性種作用於基板W之上表面之處理液(此處為硫酸)之液膜。藉此，處理液之處理性能提高。具體而言，藉由活性種與硫酸之反應，產生處理性能(此處為氧化力)高之卡洛酸。卡洛酸亦被稱為過氧單硫酸。藉由該卡洛酸作用於基板W之抗蝕劑，而可將抗蝕劑氧化去除。
藉由如以上般，活性種作用於基板W之主面上之處理液，而可提高處理液之處理性能。因此，可快速進行對於基板W之處理。
＜電漿產生裝置＞ 其次，針對電漿產生裝置1之具體之構成之一例進行描述。圖4係概略性顯示電漿產生裝置1之構成之一例之俯視圖，圖5係概略性顯示電漿產生裝置1之構成之一例之側剖視圖。圖5顯示圖4之A-A剖面。電漿產生裝置1係產生電漿之裝置，亦可被稱為電漿源或電漿反應器。
電漿產生裝置1包含第1電極部2、第2電極部3、及介電部40。介電部40包含第1介電構件4及第2介電構件5。
如圖4所例示般，第1電極部2包含複數個第1電極構件(第1線狀電極)21及第1集合電極22，第2電極部3包含複數個第2電極構件(第2線狀電極)31及第2集合電極32。
第1電極構件21係由金屬材料等導電性材料形成，具有沿長度方向D1延伸之棒狀形狀(例如圓柱形狀)。複數個第1電極構件21在與長度方向D1正交之排列方向D2排列而設置，理想的是相互平行地設置。第1電極構件21之直徑為例如數mm左右(具體而言為1 mm左右)。
第1集合電極22係由金屬材料等導電性材料形成，將複數個第1電極構件21之長度方向D1之一側之端部(基端)彼此連結。於圖4之例中，第1集合電極22具有朝長度方向D1之一側膨起之圓弧狀之平板形狀。複數個第1電極構件21自第1集合電極22朝向長度方向D1之另一側延伸。
第2電極構件31係由金屬材料等導電性材料形成，具有沿長度方向D1延伸之棒狀形狀(例如圓柱形狀)。複數個第2電極構件31於排列方向D2排列而設置，理想的是相互平行地設置。第2電極構件31各者於俯視下(即，沿與長度方向D1及排列方向D2正交之方向D3觀察)，設置於複數個第1電極構件21中彼此相鄰之二者之間。於圖4之例中，於俯視下，第1電極構件21及第2電極構件31於排列方向D2交替排列。第2電極構件31之直徑為例如數mm左右(具體而言為1 mm左右)。
第2集合電極32係由金屬材料等導電性材料形成，將複數個第2電極構件31之長度方向D1之另一側之端部(基端)彼此連結。於圖4之例中，第2集合電極32朝與第1集合電極22為相反側膨起，且具有與第1集合電極22大致同徑之圓弧狀之平板形狀。複數個第2電極構件31自第2集合電極32朝向長度方向D1之一側延伸。
各第1電極構件21由第1介電構件4覆蓋。複數個第1介電構件4係由石英及陶瓷等介電材料形成。例如，各第1介電構件4具有沿長度方向D1延伸之筒狀形狀，第1電極構件21沿長度方向D1插入於第1介電構件4。即，第1介電構件4具有覆蓋第1電極構件21之第1側面21a之第1內周面4a(亦參照圖5)。圖示之第1介電構件4亦可被稱為第1介電管。第1介電構件4之第1內周面4a包圍第1電極構件21之第1側面21a之全周。又，第1內周面4a亦延伸至較第1電極構件21之第1前端面21b更靠前端側(此處為長度方向D1之另一側)。因此，第1內周面4a中之較第1前端面21b更靠前端側之部分形成第1前端空間41。第1前端空間41係與第1電極構件21之第1前端面21b於長度方向D1鄰接之空間。於該第1前端空間41中包含氣體。該氣體為例如空氣。
如圖5所例示般，第1介電構件4可具有有底之筒狀形狀。即，第1介電構件4可於其內部空間中具有第1底面4b。第1底面4b與第1內周面4a之長度方向D1之另一側之周緣端部相連。該情形下，第1前端空間41相當於第1介電構件4之第1底面4b與第1電極構件21之第1前端面21b之間之空間。
第1介電構件4之第1內周面4a可與第1電極構件21之第1側面21a部分地或整體地離開。例如第1介電構件4之內徑較第1電極構件21之直徑大若干，具體而言為1.1 mm左右。藉此，於第1電極構件21之直徑因熱膨脹而變大之情形下，亦可抑制第1介電構件4之破損。此外，第1介電構件4之外徑為例如1.6 mm左右。又，可於第1電極構件21之基端部211附近，設置將第1介電構件4與第1電極構件21之間密封之介電性之密封構件(未圖示)。該密封構件可由例如矽酮樹脂形成。
各第2電極構件31由第2介電構件5覆蓋。複數個第2介電構件5係由石英或陶瓷等介電材料形成。例如，各第2介電構件5具有沿長度方向D1延伸之筒狀形狀，第2電極構件31沿長度方向D1插入於第2介電構件5。即，第2介電構件5具有覆蓋第2電極構件31之第2側面31a之第2內周面5a。圖示之第2介電構件5亦可被稱為介電管。第2介電構件5之第2內周面5a包圍第2電極構件31之第2側面31a之全周。又，第2內周面5a亦延伸至較第2電極構件31之第2前端面31b更靠前端側(此處為長度方向D1之一側)。因此，第2內周面5a中之較第2前端面31b更靠前端側之部分形成第2前端空間51。第2前端空間51係與第2電極構件31之第2前端面31b於長度方向D1鄰接之空間。於該第2前端空間51中亦包含氣體。該氣體為例如空氣。
如圖5所例示般，第2介電構件5可具有有底之筒狀形狀。即，第2介電構件5可於其內部空間中具有第2底面5b。第2底面5b與第2內周面5a之長度方向D1之一側之周緣端部相連。該情形下，第2前端空間51相當於第2介電構件5之第2底面5b與第2電極構件31之第2前端面31b之間之空間。
第2介電構件5之第2內周面5a可與第2電極構件31之第2側面31a部分地或整體地離開。例如第2介電構件5之內徑較第2電極構件31之直徑大若干，具體而言為1.1 mm左右。藉此，於第2電極構件31之直徑因熱膨脹而變大之情形下，亦可抑制第2介電構件5之破損。此外，第2介電構件5之外徑為例如1.6 mm左右。可於第2電極構件31之基端部311附近，設置將第2介電構件5與第2電極構件31之間密封之介電性之密封構件(未圖示)。該密封構件可由例如矽酮樹脂形成。
於圖4及圖5之例中，於電漿產生裝置1設置分隔構件6。分隔構件6係由石英或陶瓷等介電材料形成。於圖之例中，分隔構件6具有板狀形狀。以下，將分隔構件6之一側之主面稱為主面6a，將另一側之主面稱為主面6b。主面6a及主面6b係於分隔構件6之厚度方向相互對向之面。分隔構件6以其厚度方向沿方向D3之姿勢設置。於圖4之例中，分隔構件6之主面6a及主面6b於俯視下具有圓形狀。分隔構件6之厚度(主面6a、6b之間之距離)設定為例如數百μm(例如300 μm)左右。
第1電極部2及第1介電構件4設置於分隔構件6之主面6a側，第2電極部3及第2介電構件5設置於分隔構件6之主面6b側。具體而言，第1介電構件4設置於分隔構件6之主面6a下，第2介電構件5設置於分隔構件6之主面6b上。
如圖5所例示般，可於電漿產生裝置1設置保持構件7。此外，於圖4中，為了避免圖式繁雜，而省略保持構件7。保持構件7係由氟系樹脂等絕緣材料形成，一體地保持第1電極部2、第2電極部3、第1介電構件4、第2介電構件5及分隔構件6。例如，保持構件7於俯視下具有與第1集合電極22及第2集合電極32大致同徑之環形狀，於方向D3夾持第1集合電極22及第2集合電極32。
於圖5之例中，第1介電構件4之前端部由保持構件7保持。具體而言，第1介電構件4之前端部被埋設於保持構件7。因此，由第1電極構件21及第1介電構件4構成之部分之兩端由保持構件7保持。藉此，可對該部分進行兩端保持。於圖5之例中，第2介電構件5之前端部亦由保持構件7保持。因此，保持構件7亦可對由第2電極構件31及第2介電構件5構成之部分進行兩端保持。
如此之電漿產生裝置1於基板處理裝置100內，例如以長度方向D1及排列方向D2沿水平方向、且第1電極部2朝向基板W之姿勢設置。
第1電極部2及第2電極部3電性連接於電漿用之電源8。更具體而言，第1電極部2之第1集合電極22經由配線81電性連接於電源8之第1輸出端8a，第2電極部3之第2集合電極32經由配線82電性連接於電源8之第2輸出端8b。電源8具有例如未圖示之開關電源電路，朝第1電極部2與第2電極部3之間輸出電漿用之電壓。作為更具體之一例，電源8為脈衝電源，將高頻電壓作為電漿用之電壓輸出至第1輸出端8a及第2輸出端8b。
藉由電源8朝第1電極部2與第2電極部3之間輸出電壓，而於第1電極構件21與第2電極構件31之間產生電漿用之電場。相應於該電場，第1電極構件21及第2電極構件31之周圍之氣體電漿化。具體而言，第1介電構件4之外周面與第2介電構件5之外周面之間之氣體電漿化，且第1介電構件4之內部空間之氣體及第2介電構件5之內部空間之氣體亦電漿化。因此，第1前端空間41內之氣體及第2前端空間51內之氣體亦電漿化。反言之，藉由電源8對第1電極部2與第2電極部3之間施加使該等空間之氣體電漿化之程度之電壓。該電壓例如為數十kV且數十kHz左右之高頻電壓。
圖6係概略性顯示電漿產生裝置1產生電漿之樣態之一例之剖視圖。根據該電漿產生裝置1，於分隔構件6之主面6a側及主面6b側，分別產生電漿P1及電漿P2，且於第1前端空間41內產生電漿P3。此外，雖然於圖6中未顯示，但於第2前端空間51內亦與電漿P3同樣地產生電漿。於圖6之例中，電漿P1～P3之產生區域之輪廓分別以兩點鏈線示意性表示。此外，電漿之產生區域亦可謂電漿發光之發光區域。
電漿P3於第1前端空間41中，在自第1電極構件21之第1前端面21b沿長度方向D1延伸之空間內產生。該電漿P3之產生區域之長度(沿長度方向D1之長度)依存於電源8之輸出電壓之大小及頻率。於圖6之例中，電漿P3於第1前端空間41之一部分而非整體產生。換言之，電漿P3之產生區域之前端位置為第1電極構件21之第1前端面21b與第1介電構件4之第1底面4b之間。毋庸置疑，可於第1前端空間41內之全部產生電漿P3。
於該電漿P3中電子容易移動，電漿P3於電子上實質上可作為導體(線狀之電極構件)動作。即，就電子之移動難易度之點，可將電漿P3視為第1電極構件21之一部分。因此，如圖6所例示般，於電漿P3之正下方及正上方之區域亦分別產生電漿P1及電漿P2。換言之，藉由使第1前端空間41內之氣體電漿化，而可於長度方向D1擴大電漿P1及電漿P2之產生區域。
又，藉由第1前端空間41內之電漿P3而產生熱。由於該熱朝周圍擴散，故電漿P3之正下方及正上方之區域之溫度上升，該區域之氣體容易電漿化。因此，可使該各區域之氣體更快速地電漿化。即，於該各區域中，可更快速地產生電漿P1及電漿P2。因此，可縮短自電源8輸出電壓至產生電漿P1及電漿P2之期間。
於上述之例中，由於第2前端空間51內之氣體亦與第1前端空間41同樣地電漿化，故可於長度方向D1進一步擴大電漿P1及電漿P2之產生區域。而且，因伴隨著第2前端空間51內之氣體之電漿化而產生之熱，而第2前端空間51之周圍之區域之溫度上升。因此，於第2前端空間51之正下方及正上方之區域中，可更快速地產生電漿P1及電漿P2。
＜電弧放電＞ 另一方面，藉由第1前端空間41內之氣體電漿化，而容易經由第1前端空間41於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間產生電弧放電。此乃因第1前端空間41內之電子容易移動。作為更具體之一例，於圖6中，第2電極構件31之基端部311(長度方向D1之另一側之端部)未由第2介電構件5及保持構件7覆蓋而露出。而且，由於電漿P3在較第1電極構件21之第1前端面21b更靠近基端部311之位置產生，故藉由負電漿P3，而於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極構件31之基端部311之間容易產生電弧放電。又，由於電漿P3在較第1電極構件21之第1前端面21b更靠近第2集合電極32之位置產生，故於第1前端面21b與第2集合電極32之間亦容易產生電弧放電。
圖7係概略性顯示比較例之電漿產生裝置1000之構成之一部分之一例之圖。於該電漿產生裝置1000中，於不考量第1前端空間41內之電漿下，設定第1電極構件21之第1前端面21b之位置。該情形下，第1前端面21b於長度方向D1設置於更靠近第2集合電極32之位置。藉此，可擴大電漿P1及電漿P2之產生區域。然而，藉由第1前端空間41內之氣體電漿化，而第1前端空間41內之電子容易移動，例如，可於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極構件31之基端部311之間產生電弧放電。於圖7之例中，以兩端附箭頭之粗線示意性表示電弧放電之路徑。此外，於第1電極構件21之第1前端面21b與第2集合電極32之間亦可產生電弧放電。
同樣，藉由第2前端空間51內之氣體電漿化，而於第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間容易產生電弧放電。例如，於第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極構件21之基端部211之間、及第2電極構件31之第2前端面31b與第1集合電極22之間容易產生電弧放電。
為此，即便於第1前端空間41內之氣體及第2前端空間51內之氣體電漿化之狀態下，亦可以第1電極部2及第2電極部3以在第1電極部2與第2電極部3之間不產生電弧放電之距離相互離開之方式，設定第1電極部2及第2電極部3之形狀及位置關係。
作為更具體之一例，針對第1電極構件21之第1前端面21b之位置，設定第1配置禁止區域R1，針對第2電極構件31之第2前端面31b之位置，設定第2配置禁止區域R2。圖8係顯示第1配置禁止區域R1及第2配置禁止區域R2之一例之圖。於圖8之例中，以斜線之陰影示意性表示第1配置禁止區域R1及第2配置禁止區域R2。
第1配置禁止區域R1係由第2集合電極32之內側面32a規定。內側面32a係第2集合電極32之第1集合電極22側之圓弧面。第1配置禁止區域R1係由第2集合電極32之內側面32a、與自內側面32a離開第1特定距離之假想線L1夾著之區域。
第1特定距離預先設定為於第1前端空間41內之氣體電漿化之狀態下於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間不產生電弧放電之程度之值。具體而言，第1特定距離設定為於電源8之最大輸出時(或額定輸出時)不產生電弧放電之程度之值。作為更具體之一例，於電源8之輸出電壓為15 kV，電源8之輸出頻率為12 kHz以上且30 kHz以下之情形下，第1特定距離可設定為例如20 mm左右。
以於俯視下各第1電極構件21之第1前端面21b位於較第1配置禁止區域R1靠第1集合電極22側之方式，設定各第1電極構件21之長度。藉此，即便第1前端空間41內之氣體電漿化，於各第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間亦不產生電弧放電。
此外，基於擴大電漿P1及電漿P2之產生區域之觀點，各第1電極構件21之第1前端面21b較理想為位於第1配置禁止區域R1之附近。於圖8之例中，各第1電極構件21之第1前端面21b設定於與第1配置禁止區域R1離開大致同距離之位置。
第2配置禁止區域R2係由第1集合電極22之內側面22a規定。內側面22a係第1集合電極22之第2集合電極32側之圓弧面。第2配置禁止區域R2係由第1集合電極22之內側面22a、與自內側面22a離開第2特定距離之假想線L2夾著之區域。
第2特定距離預先設定為於第2前端空間51內之氣體電漿化之狀態下於第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間不產生電弧放電之程度之值。具體而言，第2特定距離設定為於電源8之最大輸出時(或額定輸出時)不產生電弧放電之程度之值。第2特定距離可與第1特定距離相同。
以於俯視下各第2電極構件31之第2前端面31b位於較第2配置禁止區域R2靠第2集合電極32側之方式，設定各第2電極構件31之長度。藉此，即便第2前端空間51內之氣體電漿化，於各第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間亦不產生電弧放電。
此外，基於擴大電漿P1及電漿P2之產生區域之觀點，第2電極構件31之第2前端面31b較理想為位於第2配置禁止區域R2之附近。於圖8之例中，各第2電極構件31之第2前端面31b設定於與第2配置禁止區域R2離開大致同距離之位置。
＜電極材料＞ 第1電極構件21可由熔點較第1集合電極22為高之導電性材料形成。此乃因在第1電極構件21之周圍產生電漿，故第1電極構件21成為高溫。第1電極構件21之周圍之溫度達到例如數百度(例如200℃)左右。相對於此，由於在第1集合電極22之周圍幾乎不產生電漿，故溫度比較低。又，第1電極構件21可由較第1集合電極22更不易被濺鍍之導電性材料形成。此乃因若第1介電構件4之內部空間(例如第1前端空間41)內之氣體電漿化，則第1電極構件21可被濺鍍。作為更具體之一例，可採用鎢作為第1電極構件21之材料，採用鋁作為第1集合電極22之材料。鎢之熔點為3000℃左右，亦可耐由電漿造成之高溫，且鎢不易被濺鍍。另一方面，藉由採用廉價且加工性高之鋁，作為第1集合電極22，而可低成本地製作電漿產生裝置1。
第2電極構件31及第2集合電極32之材料亦與第1電極構件21及第1集合電極22之材料分別同樣。
＜電漿產生裝置之尺寸＞ 其次，針對對於基板W之電漿產生裝置1之尺寸之一例進行說明。圖9及圖10係概略性顯示電漿產生裝置1及基板W之一例之圖。於圖9及圖10中顯示基板W由基板保持部11保持之狀態下之基板W與電漿產生裝置1之位置關係。於圖9中以兩點鏈線表示基板W。於圖10中，亦表示基板W之上表面之處理液(例如硫酸)之液膜F。
於電漿產生裝置1中，如已述般，藉由使第1前端空間41及第2前端空間51內之氣體電漿化，而可擴大電漿P1及電漿P2之產生區域。因此，可如圖9所例示般，於俯視下，所有第1電極構件21之第1前端面21b位於較由基板保持部11保持之基板W之周緣靠徑向內側，所有第2電極構件31之第2前端面31b位於較由基板保持部11保持之基板W之周緣靠徑向內側。此處言及之徑向為針對基板W之徑向，換言之為針對旋轉軸線Q1之徑向。
作為比較例，考量第1前端面21b位於較基板W之周緣靠徑向外側，第2前端面31b位於較基板W之周緣靠徑向外側之構造。該情形下，可使由電漿P1產生之活性種作用於基板W之上表面之全面。即，可使活性種全面作用於基板W之上表面之液膜F。然而，電漿P1中之較基板W靠徑向外側之電漿不被利用與基板W之處理，而造成浪費。
相對於此，於圖9之例中，由於所有第1前端面21b及所有第2前端面31b位於較基板W之周緣靠徑向內側，故可抑制電漿P1擴展至較基板W更靠徑向外側，可抑制產生無用之電漿。因此，可降低電漿產生裝置1之消耗電力。且，亦可減小電漿產生裝置1之長度方向D1之尺寸。
又，可如圖9所例示般，第1集合電極22之內側面22a位於較由基板保持部11保持之基板W之周緣靠徑向外側，第2集合電極32之內側面32a位於較由基板保持部11保持之基板W之周緣靠徑向外側。藉此，可將第1電極構件21及第2電極構件31設定為較長，故而可對於基板W之上表面於更寬廣之範圍內產生電漿P1，可使由電漿P1產生之活性種於更寬廣之範圍內作用於基板W之上表面。
於圖10之例中，長度方向D1之電漿P1之產生區域(發光區域)之周緣位於較基板W之周緣靠徑向內側。換言之，以電漿P1之產生區域之周緣位於較基板W之周緣靠徑向內側之方式，設定第1電極構件21之第1前端面21b及第2電極構件31之第2前端面31b之位置。
由電漿P1產生之各種活性種被供給至基板W之上表面之液膜F。由於該活性種能夠一面與處理液反應，一面於液膜F中流動並擴散，故活性種之一部分於液膜F中亦朝基板W之周緣部側擴展。於圖10中以直線箭頭示意性表示活性種移動之樣態。藉由如上述般，活性種於液膜F中移動，而於基板W之周緣部上，活性種亦可作用於處理液。
因此，即便電漿P1之產生區域之周緣位於較基板W之周緣靠徑向內側，亦可於基板W之上表面之全面提高處理液之處理性能。具體而言，可於基板W之全面產生氧化力搞之卡洛酸，可於基板W之全面適切地去除抗蝕劑。而且，於電漿P1之產生區域之周緣位於較基板W之周緣靠徑向內側之情形下，可進一步減小電漿產生裝置1之長度方向D1之尺寸。
＜電漿產生裝置1A＞ 圖11係概略性顯示電漿產生裝置1A之構成之一例之俯視圖，圖12係概略性顯示電漿產生裝置1A之構成之一例之側剖視圖。圖12顯示圖11之B-B剖面。電漿產生裝置1A之構成雖然與電漿產生裝置1同樣，但第1電極部2及第2電極部3之具體之構成不同。於圖11及圖12之例中，設置有4個第1電極構件21A～21D作為複數個第1電極構件21，設置有7個第2電極構件31A～31G作為複數個第2電極構件31。第1電極構件21A～21D自排列方向D2之一側依序排列，第2電極構件31A～31G自排列方向D2之一側依序排列。
於圖11之例中，第1電極構件21A設置於第2電極構件31A、31B之間，第1電極構件21B設置於第2電極構件31C、31D之間，第1電極構件21C設置於第2電極構件31D、31E之間，第1電極構件21D設置於第2電極構件31F、31G之間。換言之，於第2電極構件31B、31C之間未設置第1電極構件21，於第2電極構件31E、31F之間亦未設置第1電極構件21。即，於電漿產生裝置1A存在未夾著第1電極構件21而直接對向之至少一對第2電極構件31。
若對該電漿產生裝置1A，電源8輸出電壓，則於異極性之第1電極構件21與第2電極構件31之間施加電漿用之電場。反言之，於同極性之第2電極構件31B、31C之間幾乎不施加電漿用之電場，於同極性之第2電極構件31E、31F之間亦幾乎不施加該電場。因此，於其等間幾乎不產生電漿。因此，可與電漿產生裝置1相比更降低電漿產生裝置1A之消耗電力。
針對將該電漿產生裝置1A應用於基板處理裝置100之情形進行考量。該情形下，由於在第2電極構件31B、31C之間及第2電極構件31E、31F之間幾乎不產生電漿，故於該等區域中，幾乎不會朝基板W上之處理液之液膜F直接供給活性種(參照圖12之區域Fa、Fb)。然而，由於在俯視下，在第2電極構件31A、31B之間之區域、第2電極構件31C、31E之間之區域及第2電極構件31F、31G之間之區域中，產生電漿，故於該等區域中，對處理液之液膜F直接供給活性種。由於該等活性種於液膜F中擴展且流動，故活性種於液膜F中，亦朝與第2電極構件31B、31C之間之區域對向之區域Fa及與第2電極構件31E、31F之間之區域對向之區域Fb擴散。因此，於該等區域Fa、Fb中亦可提高處理液之處理性能。於圖12之例中以直線箭頭示意性表示活性種之移動。
如以上般，根據電漿產生裝置1A，雖然使活性種於寬廣之範圍內對於基板W之處理液作用，但可降低消耗電力。
此外，於上述之例中，在第2電極構件31B、31C之間、及第2電極構件31E、31F之間不設置第1電極構件21。然而，未必限定於此。總而言之，只要於俯視下，於相鄰之至少任2個第2電極構件31之間不設置第1電極構件21即可。或，可於俯視下，在相鄰之至少任2個第1電極構件21之間不設置第2電極構件31。藉此，雖然使活性種於寬廣之範圍內對於基板W之處理液作用，但亦可降低消耗電力。
＜電漿產生裝置1B＞ 圖13係概略性顯示電漿產生裝置1B之構成之一例之俯視圖，圖14及圖15係概略性顯示電漿產生裝置1B之構成之一例之側剖視圖。圖14顯示圖13之C-C剖面，圖15顯示圖13之D-D剖面。
電漿產生裝置1B就第1電極部2及第2電極部3之位置關係、以及介電部40之具體之構成之點，與電漿產生裝置1不同。於圖所例示之電漿產生裝置1B中，第1電極部2及第2電極部3配置於同一平面上，且介電部40包含單一之介電構件60而取代第1介電構件4及第2介電構件5。
介電構件60係由例如石英及陶瓷等介電材料形成，且覆蓋第1電極構件21及第2電極構件31之兩者。於圖示之例中，介電構件60具有板狀形狀，以其厚度方向沿方向D3之姿勢配置。介電構件60具有第1主面60a、第2主面60b及側面60c。第1主面60a及第2主面60b為於方向D3相互相對之面，例如為與方向D3正交之平坦面。側面60c係將第1主面60a之周緣及第2主面60b之周緣相連之面。於圖13之例中，由於介電構件60具有圓板形狀，故第1主面60a及第2主面60b為圓狀之平面，側面60c為圓筒面。介電構件60之厚度為例如5 mm左右。
於介電構件60形成：供各第1電極構件21插入之第1孔62、及供各第2電極構件31插入之第2孔64。
各第1孔62沿長度方向D1延伸，其一側之端於介電構件60之側面60c中開口。第1電極構件21自該第1前端面21b插入於第1孔62。第1電極構件21之第1側面21a由在介電構件60中形成第1孔62之第1內周面62a覆蓋。即，各第1孔62之第1內周面62a包圍第1電極構件21之第1側面21a之全周。又，第1內周面62a亦延伸至較第1電極構件21之第1前端面21b更靠前端側(此處為長度方向D1之另一側)。因此，第1內周面62a中之較第1前端面21b更靠前端側之部分形成第1前端空間61。第1前端空間61係與第1電極構件21之第1前端面21b於長度方向D1鄰接之空間。於該第1前端空間61中亦包含氣體。該氣體為例如空氣。
如圖13所例示般，各第1孔62可為有底之孔。即，介電構件60可具有將各第1孔62之長度方向D1之另一側之端部封蓋之第1底面62b。第1底面62b與第1內周面62a之長度方向D1之另一側之周緣端部相連，且隔開第1前端空間61與第1前端面21b對向。反言之，第1前端空間61相當於介電構件60之第1底面62b與第1電極構件21之第1前端面21b之間之空間。
各第1孔62之第1內周面62a與第1電極構件21之第1側面21a部分或整體地離開。藉此，即便於第1電極構件21之直徑因熱膨脹而變大之情形下，亦可抑制介電構件60之破損。
可於第1電極構件21之基端部211附近，設置將介電構件60與第1電極構件21之間密封之介電性之密封構件(未圖示)。該密封構件可由例如矽酮樹脂形成。
各第2孔64沿長度方向D1延伸，其另一側之端於介電構件60之側面60c中開口。各第2電極構件31自該第2前端面31b插入於第2孔64。第2電極構件31之第2側面31a係由在介電構件60中形成第2孔64之第2內周面64a覆蓋。即，各第2孔64之第2內周面64a包圍第2電極構件31之第2側面31a之全周。又，第2內周面64a亦延伸至較第2電極構件31之第2前端面31b更靠前端側(此處為長度方向D1之一側)。因此，第2內周面64a中之較第2前端面31b更靠前端側之部分形成第2前端空間63。第2前端空間63係與第2電極構件31之第2前端面31b於長度方向D1鄰接之空間。於該第2前端空間63中亦包含氣體。該氣體為例如空氣。
如圖13所例示般，各第2孔64可為有底之孔。即，介電構件60介電構件60可具有將第2孔64之長度方向D1之一側之端部封蓋之第2底面64b。第2底面64b與第2內周面64a之長度方向D1之一側之周緣端部相連，且隔開第2前端空間63與第2前端面31b對向。反言之，第2前端空間63相當於介電構件60之第2底面64b與第2電極構件31之第2前端面31b之間之空間。
各第2孔64之第2內周面64a與第2電極構件31之第2側面31a部分或整體地離開。藉此，即便於第2電極構件31之直徑因熱膨脹而變大之情形下，亦可抑制介電構件60之破損。
於第2電極構件31之基端部311附近，設置將介電構件60與第2電極構件31之間密封之介電性之密封構件(未圖示)。該密封構件可由例如矽酮樹脂形成。
於圖15之例中，複數個第1電極構件21及複數個第2電極構件31設置於同一平面上。因此，複數個第1孔62及複數個第2孔64亦形成於同一平面上。
於圖15之例中，第1電極構件21與介電構件60與第2主面60b之間隔窄於第1電極構件21與介電構件60之第1主面60a之間隔。同樣，第2電極構件31與介電構件60之第2主面60b之間隔窄於第2電極構件31與介電構件60之第1主面60a之間隔。即，第1電極構件21及第2電極構件31設置於較第1主面60a更靠近第2主面60b之位置。因此，第1孔62及第2孔64亦形成於較第1主面60a更靠近第2主面60b之位置。
電漿產生裝置1B以第2主面60b朝向處理對象(此處為基板W)之姿勢配置。第2主面60b附近之氣體如後述般藉由電漿產生裝置1B而電漿化，由該電漿產生之活性種作用於處理對象。
於圖13之例中，第1集合電極22及第2集合電極32設置於較介電構件60更為外側。因此，第1電極構件21之基端部211自介電構件60之側面60c朝外側突出且連接於第1集合電極22，第2電極構件31之基端部311自介電構件60之側面60c朝外側突出且連接於第2集合電極32。第1集合電極22及第2集合電極32連接於電漿用之電源8(參照圖13)，藉由該電源8之電壓輸出，而於第1電極構件21與第2電極構件31之間產生電漿用之電場。於上述之例中，由於第1電極構件21與第2主面60b之間隔及第2電極構件31與第2主面60b之間隔較窄，故電場容易作用於介電構件60之第2主面60b附近之氣體，可容易使該氣體電漿化。
另一方面，於上述之例中，由於第1電極構件21與第1主面60a之間隔及第2電極構件31與第1主面60a之間隔較寬，故電場不易作用於第1主面60a附近之氣體。因此，亦可抑制無助於基板W之處理之不必要之電漿之產生。而且，由於亦可增大介電構件60之第1主面60a與第2主面60b之間之厚度，故可提高介電構件60之強度及剛性。
且說，由於電漿產生裝置1B之介電構件60具有覆蓋第1電極構件21及第2電極構件31之兩者之板狀形狀，故介電構件60之體積大於電漿產生裝置1、1A之第1介電構件4、第2介電構件5及分隔構件6之總體積。因此，為了於電漿產生裝置1B中產生電漿，而電源8必須朝第1電極部2與第2電極部3之間供給更大之電力。作為更具體之一例，電源8之輸出電壓設定為15 kV左右，電源8之輸出頻率設定為60 kHz左右以下。
伴隨於此，介電構件60之內部之第1前端空間61及第2前端空間63之氣體更容易電漿化。因此，根據電漿產生裝置1B，沿介電構件60之第2主面60b形成之電漿之產生區域可進一步擴大。
而且，由於單一之介電構件60覆蓋第1電極構件21及第2電極構件31，故電漿產生裝置1B之形狀與電漿產生裝置1、1A相比更簡易。尤其是，於上述之例中，由於介電構件60之第2主面60b平坦，故與在第1介電構件4與分隔構件6形成階差形狀之電漿產生裝置1、1A相比，其形狀更簡易。因此，即便作為處理對象之基板W上之處理液揮發並附著於電漿產生裝置1B(例如第2主面60b)，亦容易將電漿產生裝置1B洗淨，並去除該處理液。
＜電弧放電＞ 若第1前端空間61內之氣體電漿化，則於電漿產生裝置1B中然，亦經由第1前端空間61於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間容易產生電弧放電。此乃因第1前端空間61內之電子容易移動。作為更具體之一例，藉由在第1前端空間61內產生電漿，而於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極構件31之基端部311之間容易產生電弧放電(參照圖13之兩點鏈線之兩端箭頭)。又，由於第1前端空間61內之電漿在較第1電極構件21之第1前端面21b更靠近第2集合電極32之位置產生，故於第1前端面21b與第2集合電極32之間亦容易產生電弧放電。
若第2前端空間63內之氣體電漿化，則同樣，於第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間容易產生電弧放電。
為此，於電漿產生裝置1B中亦然，即便於第1前端空間61內之氣體及第2前端空間63內之氣體電漿化之狀態下，亦可以第1電極部2及第2電極部3以於第1電極部2與第2電極部3之間不產生電弧放電之距離相互離開之方式，設定第1電極部2及第2電極部3之形狀及位置關係。
作為更具體之一例，針對第1電極構件21之第1前端面21b之位置，設定第1配置禁止區域R1，針對第2電極構件31之第2前端面31b之位置，設定第2配置禁止區域R2。圖16係顯示電漿產生裝置1B之第1配置禁止區域R1及第2配置禁止區域R2之一例之圖。於圖16之例中，以斜線之陰影示意性表示第1配置禁止區域R1及第2配置禁止區域R2。
與電漿產生裝置1、1A同樣，第1配置禁止區域R1係由第2集合電極32之內側面32a與假想線L1夾著之區域，第2配置禁止區域R2係由第1集合電極22之內側面22a與假想線L2夾著之區域。內側面32a與假想線L1之間之第1特定距離、及內側面22a與假想線L2之間之第2特定距離設定為於電源8之最大輸出時(或額定輸出時)中不產生電弧放電之程度之值。作為更具體之一例，於電源8之輸出電壓為15 kV，電源8之輸出頻率為60 kHz左右之情形下，第1特定距離及第2特定距離可設定為例如20 mm左右。
＜第1底面及第2底面之位置＞ 於上述之例中，形成於電漿產生裝置1B之介電構件60之第1孔62具有第1底面62b(參照圖13)。因此，第1前端空間61內之電漿之前端之位置係由第1底面62b規制。即，即便於第1前端空間61內最寬廣地產生電漿，該電漿之前端亦不會較第1底面62b更靠近第2電極部3。即，於該電漿之前端最靠近第2電極部3之狀態下，該電漿之前端位置與第1底面62b之位置一致。因此，亦可認為只要第1底面62b較第2電極部3更充分遠離，則可抑制電弧放電。
為此，可如以下般設定第1孔62之第1底面62b與第2電極部3之間之距離。此處，設定將第1電極構件21沿長度方向D1假想地伸長，且第1電極構件21之第1前端面21b與第1底面62b抵接的假定構造。於該假定構造中，以於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間不產生電弧放電之方式，設定第1底面62b與第2電極部3之間之距離。而且，採用該設定值用於電漿產生裝置1B之第1底面62b與第2電極部3之間之距離。該距離於電源8之輸出電壓為15 kV，電源8之輸出頻率為60 kHz之情形下，例如可設定為數mm左右(具體而言，5 mm左右)以上。藉此，於電漿產生裝置1B中，即便例如於第1前端空間61內之全範圍產生電漿，於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間亦不產生電弧放電。
又，於上述之例中，形成於介電構件60之第2孔64具有第2底面64b(參照圖13)。針對該第2底面64b之位置亦同樣。亦即，可如以下般設定第2底面64b與第1電極部2之間之距離。亦即，於假定第2電極構件31之第2前端面31b與第2底面64b抵接之假定構造中，以於第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間不產生電弧放電之方式，設定該距離。而且，採用該設定值用於電漿產生裝置1B之第2底面64b與第1電極部2之間之距離。該距離於電源8之輸出電壓為15 kV，電源8之輸出頻率為60 kHz之情形下，例如可設定為數mm左右(具體而言，5 mm左右)以上。
作為更具體之一例，可針對第1孔62之第1底面62b之位置，設定第3配置禁止區域R3，針對第2孔64之第2底面64b之位置，設定第4配置禁止區域R4。圖17係顯示電漿產生裝置1B之第3配置禁止區域R3及第4配置禁止區域R4之一例之圖。於圖17之例中，以斜線之陰影示意性表示第3配置禁止區域R3及第4配置禁止區域R4。
第3配置禁止區域R3與第1配置禁止區域R1同樣地由第2集合電極32之內側面32a規定。第3配置禁止區域R3係由第2集合電極32之內側面32a、與自內側面32a離開第3特定距離之假想線L3夾著之區域。第3特定距離於假定構造中預先設定為於第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間不產生電弧放電之程度之值。具體而言，第3特定距離設定為於電源8之最大輸出時(或額定輸出時)不產生電弧放電之程度之值(例如5 mm左右以上)。
以於俯視下各第1孔62之第1底面62b位於較第3配置禁止區域R3靠第1集合電極22側之方式，設定各第1孔62之長度。藉此，即便第1前端空間61內之氣體電漿化，於各第1電極構件21之第1前端面21b與第2電極部3之間亦不產生電弧放電。
第4配置禁止區域R4與第2配置禁止區域R2同樣地由第1集合電極22之內側面22a規定。第4配置禁止區域R4係由第1集合電極22之內側面22a、與自內側面22a離開第4特定距離之假想線L4夾著之區域。第4特定距離於假定構造中預先設定為於第2電極構件31之第1前端面31b與第1電極部2之間不產生電弧放電之程度之值。具體而言，第4特定距離設定為於電源8之最大輸出時(或額定輸出時)不產生電弧放電之程度之值(例如5 mm)。
以於俯視下各第2孔64之第2底面64b位於較第4配置禁止區域R4靠第2集合電極32側之方式，設定各第2孔64之長度。藉此，即便第2前端空間63內之氣體電漿化，於各第2電極構件31之第2前端面31b與第1電極部2之間亦不產生電弧放電。
如以上般，根據電漿產生裝置1B，可更適切地抑制電弧放電。此外，於上述之例中，針對電漿產生裝置1B之第1底面62b及第2底面64b進行了說明，但針對電漿產生裝置1、1A之第1介電構件4之第1底面4b之位置及第2介電構件5之第2底面5b之位置亦同樣。
此外，於電漿產生裝置1、1A中，可不設置分隔構件6，且第1電極部2及第2電極部3可設置於同一平面。
又，例如，於電漿產生裝置1B中，第1電極部2及第2電極部3可於方向D3設置於互不相同之位置。具體而言，第1電極構件21及第2電極構件31可於方向D3設置於互不相同之位置。
＜第2實施形態＞ 以下，針對第2實施形態之基板處理裝置100之構成之一例進行說明。此外，以下，有針對與第1實施形態同樣之構成重新說明之情形。
圖18係概略性顯示第2實施形態之基板處理裝置100之構成之例之側視圖。
此外，圖18所示之構成可由圖1之腔室80包圍。又，腔室80內之壓力可為大致大氣壓(例如，0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理可為於大氣壓下進行之大氣壓電漿處理。
基板處理裝置100具備：旋轉卡盤10，其以大致水平姿勢保持1片基板W，且繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線Z1使基板W旋轉；處理液噴嘴20，其朝基板W噴出處理液；處理液供給源29，其朝處理液噴嘴20供給處理液；閥25，其切換處理液自處理液供給源29向處理液噴嘴20之供給及供給停止；作為大氣壓電漿源之電漿產生部30，其配置為於基板W之上方覆蓋基板W整體，且於大氣壓下產生電漿；電漿產生裝置50，其包含朝電漿產生部30施加電壓之電源8、及支持部70，其支持電漿產生部30；及筒狀之防濺罩13，其繞基板W之旋轉軸線Z1包圍旋轉卡盤10。
此處，對於處理液，可根據基板處理裝置100之基板處理之用途，而使用各種液體。例如，作為蝕刻液，可使用包含鹽酸、氟酸、磷酸、硝酸、硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸、過氧硫酸鹽、過氧化氫溶液或氫氧化四甲銨、氨與過氧化氫溶液之混合液(SC1)等之液體。又，作為洗淨液，可使用包含氨與過氧化氫溶液之混合液(SC1)、或鹽酸與過氧化氫溶液之混合水溶液(SC2)等之液體。又，作為洗淨液及沖洗液，可使用去離子水(DIW)。
於本實施形態中，主要說明用於去除形成於基板W之上表面之抗蝕劑膜之處理。該情形下，作為處理液，設想包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸及過氧硫酸鹽中之至少一種之液體、或包含過氧化氫之液體等。
處理液噴嘴200於設想複數種處理液之情形下，可對應於各種處理液而設置複數個。處理液噴嘴20以於基板W之上表面形成處理液之液膜之方式，朝基板W供給處理液。
處理液噴嘴20可藉由未圖示之臂機構而移動。具體而言，藉由將處理液噴嘴20安裝於可藉由致動器等進行角度調整之臂構件，而處理液噴嘴20可於例如基板W之半徑方向擺動。
旋轉卡盤10具備：圓板狀之旋轉基座10A，其對大致水平姿勢之基板W之下表面進行真空吸附；旋轉軸10C，其自旋轉基座10A之中央部朝下方延伸；及旋轉馬達部10D，其藉由使旋轉軸10C旋轉，而使吸附於旋轉基座10A之基板W旋轉。此外，可具備自旋轉基座之上表面外周部朝上方突出之複數個卡盤銷，取代旋轉卡盤10，使用藉由該卡盤銷來夾持基板W之周緣部之夾持式卡盤。
電漿產生部30具備：包含石英等之板狀之介電構件30A；第1電極棒群30B，其於介電構件30A之上表面將沿長度方向(圖18、圖22之-X方向)延伸之第1電極棒306、308在與該延伸之方向正交之排列方向(圖18、圖22之Y方向)排列複數個而配置；第2電極棒群30C，其於介電構件30A之下表面將沿長度方向(圖18、圖22之X方向)延伸之第2電極棒302、304在與該延伸之方向正交之排列方向(圖18、圖22之Y方向)排列複數個而配置；保持構件30D，其包含樹脂(例如聚四氟乙烯(PTFE))等，且於一端保持構成第1電極棒群30B之各第1電極棒306、308、及構成第2電極棒群30C之各第2電極棒302、304；各介電構件30E，其等包含石英等，且覆蓋構成第1電極棒群30B之各第1電極棒306、308各者；各介電構件30F，其等包含石英等，且覆蓋構成第2電極棒群30C之各第2電極棒302、304各者；集合電極30G，其共通電性連接於第1電極棒群30B，且包含鋁等；及集合電極30H，其共通電性連接於第2電極棒群30C，且包含鋁等。介電構件30E、30F各自具有圓筒形狀，亦可被稱為介電管。集合電極30G與集合電極30H例如配置為相配合而於俯視下成為圓形狀，於該圓內收容第1電極棒群30B及第2電極棒群30C。
此外，於本實施形態中使用棒形狀之電極構件，但電極構件之形狀不限定於棒形狀。又，構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒306、308與構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒302、304以於俯視下不重疊之方式彼此錯開而配置。亦即，於俯視下觀察，構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒306、308與構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒302、304交替排列。
覆蓋構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒306、308各者之各介電構件30E於各第1電極棒306、308之未由保持構件30D保持之側之端部中由保持構件30D保持。又，覆蓋構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒304、302各者之各介電構件30F於各第2電極棒304、302之未由保持構件30D保持之側之端部中由保持構件30D保持。
藉此，構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒306、308之一端由保持構件30D直接保持，另一端經由各介電構件30E由保持構件30D保持。同樣，構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒302、304之一端由保持構件30D直接保持，另一端經由各介電構件30F由保持構件30D保持。
若由作為交流電源之電源8朝與集合電極30G及集合電極30H之間施加交流電壓，則於分別電性連接於集合電極30G之構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒306、308與分別電性連接於集合電極30H之構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒302、304之間產生介電體障壁放電。而且，於該放電之放電路徑之周圍產生氣體之電漿化，形成沿將第1電極棒群30B與第2電極棒群30C隔開之介電構件30A之表面二維擴大之電漿空間。
此處，可於形成上述之電漿空間時，朝電漿產生部30之下方之空間(亦即基板W之上方之空間)，供給例如O 2(氧)、Ne、CO 2、空氣、惰性氣體或作為其等之組合之氣體。惰性氣體例如為N 2或稀有氣體。稀有氣體例如為He或Ar等。
支持部70支持電漿產生部30，且例如可藉由未圖示之驅動機構而於圖18之Z軸方向移動。支持部70包含樹脂(例如PTFE)或陶瓷等。
此外，於圖18中將處理液噴嘴20與電漿產生部30分別設置，但處理液噴嘴20可與電漿產生部30一體地設置，且由支持部70支持。
＜關於基板處理裝置之動作＞ 其次，針對基板處理裝置之動作進行說明。與本實施形態相關之基板處理裝置之基板處理方法包含下述步序：對於向基板處理裝置100搬送之基板W進行藥液處理；對於進行完藥液處理之基板W進行洗淨處理；對於進行完洗淨處理之基板W進行乾燥處理；及自基板處理裝置100搬出進行完乾燥處理之基板W。
以下，針對基板處理裝置100之動作中所含之去除於藥液處理中或藥液處理後附著於基板W之有機物(例如使用完成之抗蝕劑膜)之步序(亦即上述之步序中之屬進行藥液處理之步序、或進行洗淨處理之步序的步序)，一面參照圖19、圖20及圖21，一面進行說明。此處，圖19係顯示與本實施形態相關之基板處理裝置100之動作之例之流程圖。又，圖20及圖21係用於說明與本實施形態相關之基板處理裝置100之動作之圖。
首先，旋轉卡盤10保持基板W(圖19之步驟ST01)。而且，藉由旋轉卡盤10之驅動，而基板W旋轉。
其次，如於圖20顯示例子般，自處理液供給源29向處理液噴嘴20供給處理液101，於基板W旋轉之狀態下，自處理液噴嘴20向基板W之上表面噴出處理液101(圖19之步驟ST02)。此時，藉由未圖示之噴嘴臂等，調整處理液噴嘴20之基板W之上表面中之位置。此外，於本實施形態中，顯示在基板W旋轉之狀態下噴出處理液101之情形，但基板W可不旋轉，可為基板W低速旋轉之劃動狀態。
藉由自處理液噴嘴20噴出處理液101，而如圖20所示之例般，於基板W之上表面形成處理液101之液膜101A(圖19之步驟ST03)。此處，液膜101A之膜厚為例如0.1 mm以上、且2.0 mm以下，較佳為0.2 mm左右。
另一方面，藉由朝與集合電極30G及集合電極30H之間施加來自電源8之特定之交流電壓，而於電漿產生部30之介電構件30A之表面產生電漿(圖19之步驟ST04)。具體而言，形成沿介電構件30A之表面二維擴大之電漿空間。藉由該電漿空間中之電漿之作用，而於該空間附近之氣體中產生活性種。活性種中包含具有電荷之離子、或電性上為中性之自由基等。例如，於氣體為包含O 2者之情形下，藉由電漿產生部30中之電漿之作用，而產生作為活性種之一種之氧自由基。
此處，電漿產生部30較理想為於如上述般產生電漿之階段中預先於特定之待機位置(例如，如圖20所示之例般，與基板W於Z軸正方向充分分開之位置)待機，於在介電構件30A之表面適度產生均一之電漿後，移動至基板W附近之處理位置(例如，如圖21所示之例般，於基板W之Z軸正方向側充分接近基板W之位置)。若為如此之態樣，則藉由在產生均一之電漿之狀態下使電漿作用於基板W之表面之液膜101A，而可進行均一之處理。此外，充分接近基板W之位置例如為與基板W離開2 mm之位置，且為可使電漿充分作用於形成於基板W之上表面之薄的液膜101A之位置。
而且，如圖21所示之例般，將於電漿產生部30中產生之活性種向液膜101A供給(圖19之步驟ST05)。
藉由將活性種向液膜101A供給，而於液膜101A中由活性種將處理液101活化。例如，於活性種包含氧自由基之情形下，藉由氧自由基之氧化力，促進基板W上之抗蝕劑膜之去除。
此外，雖然於上述之說明中，在處理液噴嘴20動作之後進行電漿產生部30之動作，但動作順序不限於此，例如，可大致同時進行處理液噴嘴20之動作與電漿產生部30之動作。
又，於本實施形態中，將電漿產生部30配置為覆蓋基板W之上表面整體，但若將電漿產生部30配置為僅覆蓋基板W之一部分，可藉由未圖示之驅動機構，使電漿產生部30於基板W之上表面上之位置伴隨著基板W之旋轉而沿基板W之上表面於基板W之旋轉方向及徑向移動。
又，雖然液膜101A之形成係藉由開始向基板W之上表面供給處理液101而開始，且藉由停止向基板W之上表面供給處理液101而停止，但於停止自處理液噴嘴20供給處理液101後，若基板W未高速旋轉(例如，基板W低速旋轉之浸置、或基板W不旋轉之狀態等)，則仍可維持液膜101A。雖然活性種向液膜101A之供給係於開始處理液101之供給後且停止處理液101之供給前進行，但於維持液膜101A之情形下，亦可於停止進行處理液101之供給後，進行活性種向液膜101A之供給。
此外，於上述之去除處理後，一般進行基板W之沖洗步序(洗淨步序)及乾燥步序。例如，沖洗步序藉由向基板W噴出純水(DIW)而進行，乾燥步序藉由異丙醇(IPA)乾燥而進行。
＜關於電漿產生部＞ 圖22係顯示電漿產生部30之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。如於圖22中顯示例子般，電漿產生部30具備：第1電極棒群30B，其由複數個第1電極棒306、308構成；第2電極棒群30C，其由複數個第2電極棒302、304構成；集合電極30G；及集合電極30H。此外，於圖22中，介電構件30A、保持構件30D、各介電構件30E及各介電構件30F省略圖示。
構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒具備：複數個電極棒308、及由與電極棒308不同之材料形成之複數個電極棒306。又，構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒具備：複數個電極棒304、及由與電極棒304不同之材料形成之複數個電極棒302。
起因於構成之材料不同，而電極棒306之每單位長度之電阻小於電極棒308之每單位長度之電阻。同樣，電極棒302之每單位長度之電阻小於電極棒304之每單位長度之電阻。上述之複數個第1電極棒中所含之電極棒306、與複數個第2電極棒中所含之電極棒302相當於本揭示之小電阻電極構件。
作為電極棒308及電極棒304之材料，例如設想鎢。另一方面，作為電極棒306及電極棒302之材料，例如設想銅、銀、金或鋁等。此外，電極棒308與電極棒304可由不同之材料形成。同樣，電極棒306與電極棒302可由不同之材料形成。
於本實施形態中，如圖22所示，構成第1電極棒群30B之各電極棒306各者配置為與構成第2電極棒群30C之各電極棒302各者於俯視下相鄰。換言之，作為複數個第1電極棒之一部分之各電極棒306各者配置為與作為複數個第2電極棒之一部分之各電極棒304各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒308為小之各電極棒306、與每單位長度之電阻較電極棒304為小之各電極棒302配置為於俯視下相鄰。
此處，直至於設置於電漿產生部30之各個電極棒附近產生電漿為止(直至形成電漿空間為止)所需之時間因電極棒之個體差、電極棒之配置誤差或集合電極之個體差等而存在偏差。尤其是，於電漿產生部30中之形成電漿空間之面積較大之情形下，該偏差亦變大，直至在電漿產生部30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間變長。
於本實施形態中，如前述般，利用包含由不同之材料形成之複數個電極棒308與複數個電極棒306之複數個第1電極棒，構成電漿產生部30之第1電極棒群30B，且利用包含由不同之材料形成之複數個電極棒304與複數個電極棒302之複數個第2電極棒，構成第2電極棒群30C。此處，各電極棒306與各電極棒302之電極棒之每單位長度之電阻小於構成互為相同之電極棒群之複數個電極棒308與複數個電極棒304。
根據如此之構成，於構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒中之每單位長度之電阻較各電極棒308為小之各電極棒306中容易流通電流，各電極棒306容易被加熱。又，構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒中之每單位長度之電阻較各電極棒304為小之各電極棒302中流通電流，各電極棒302容易被加熱。如是，藉由自各電極棒306、各電極棒302之放熱，而將各電極棒306之周圍、各電極棒302之周圍之空氣加熱，藉此，於各電極棒306之周圍及各電極棒302之周圍產生電漿。進而，藉由產生電漿，而各電極棒306之周圍之空氣與各電極棒302之周圍之空氣之溫度進一步上升。而且，藉由將於各電極棒306、302之周圍產生之熱分別傳遞至構成第1電極棒群30B之一部分之複數個電極棒308及構成第2電極棒群30C之一部分之複數個電極棒304、及其周圍之空氣，而於電漿產生部30之整體促進電漿之產生。
又，根據如此之構成，藉由將直至產生電漿為止需要較長之時間之電極棒之材料設為每單位長度之電阻小於其他電極棒之材料者，而於該電極棒中容易流通電流。如是，由於容易流通電流之該電極棒及其附近之氣體較其他電極棒及其附近之氣體更容易被加熱，故直至產生電漿為止所需之時間變短。作為其結果，直至於各個電極棒附近產生電漿為止所需之時間之偏差變小，可縮短直至於電漿產生部30之整體產生電漿為止所需之時間。
繼而，於本實施形態中，如前述般，成為構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒之一部分之複數個電極棒306各者配置為與成為構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒之一部分之複數個電極棒302各者於俯視下相鄰。亦即，較電極棒308之每單位長度之電阻為小之電極棒306、與較電極棒304之每單位長度之電阻為小之電極棒302成為一對且配置為相鄰。藉此，於各電極棒306、各電極棒302中容易流通電流，與其他電極棒308、304比較，各電極棒306、各電極棒302之加熱持續進行。如是，藉由自各電極棒306、各電極棒302之放熱，而首先將各電極棒306之周圍、各電極棒302之周圍之空氣加熱，藉此，於各電極棒306之周圍及各電極棒302之周圍快速產生電漿。進而，藉由產生電漿，而各電極棒306之周圍之空氣與各電極棒302之周圍之空氣之溫度進一步上升。而後，於各電極棒306及各電極棒302之周圍產生之熱分別傳遞至各電極棒308及各電極棒304、及其周圍之空氣，而對於各電極棒308、各電極棒304及各者之周圍之空氣之加熱持續進行。藉此，於各電極棒308之周圍及各電極棒304之周圍依次產生電漿，於電漿產生部30之整體促進電漿之產生。
圖23及圖24係顯示利用上述之電漿產生部30產生電漿之情形之經過之例之俯視圖。此外，於圖23及圖24中，介電構件30A、保持構件30D、介電構件30E及介電構件30F省略圖示。
如於圖23中顯示例子般，若朝第1電極棒群30B及第2電極棒群30C同樣地施加電壓，則首先，容易流通電流之各電極棒302及各電極棒306之加熱持續進行。若各電極棒306、各電極棒302之加熱持續進行，則藉由自各電極棒306、各電極棒302之放熱，首先將各電極棒306之周圍、各電極棒302之周圍之空氣加熱。藉由將各電極棒306之周圍、各電極棒302之周圍之空氣加熱，而於各電極棒306之周圍及各電極棒302之周圍快速產生電漿102。
之後，如於圖24中顯示例子般，於各電極棒304之附近及各電極棒308之附近，亦依次產生電漿102。其係如前述般由以下之機制實現者。亦即，藉由產生電漿，而各電極棒306之周圍之空氣與各電極棒302之周圍之空氣之溫度進一步上升，於各電極棒306及各電極棒302之周圍產生之熱傳遞至複數個電極棒308及複數個電極棒304、及其周圍之空氣。如是，對於各電極棒308、各電極棒304及各者之周圍之空氣之加熱持續進行，於各電極棒308之周圍及各電極棒304之周圍依次產生電漿，跨及電漿產生部30之整體進行電漿之產生。
如此，於構成第1電極棒群30B之複數個第1電極棒及構成第2電極棒群30C之複數個第2電極棒中，藉由使每單位長度之電阻較其他電極棒為小之電極棒混存，而可縮短直至於電漿產生部30之整體產生電漿為止所需之時間。
此外，配置各電極棒302或各電極棒306之位置不限定於圖22、圖23及圖24所示之情形。又，配置各電極棒302或各電極棒306之位置可對應於預先測定於第1電極棒群30B及第2電極棒群30C由同一材料形成之狀態下直至產生電漿為止所需之時間、且該時間較長之電極棒之位置。
進而，如圖22所示之本實施形態般，構成第1電極棒群30B之一部分之各電極棒306各者、與構成第2電極棒群30C之一部分之各電極棒302各者設為各一對且配置為相鄰，而可首先將各電極棒306之周圍、各電極棒302之周圍之空氣加熱，可於各電極棒306之周圍及各電極棒302之周圍更快速地產生電漿102。藉此，可以更加短之時間有效率地傳遞熱並產生電漿。又，於圖22、圖23、圖24中，形成複數組將電阻小之電極棒306與電阻小之電極棒302配置為相鄰之構成，於俯視下，以於該各組之間之位置配置由電阻較電極棒306及電極棒302為高之材料構成之電極棒308、電極棒304之方式構成電漿產生部30。藉由採用如此之構成，而複數個部位、亦即將電極棒306與電極棒302設為一對且配置為相鄰之之複數個部位成為迅速產生電漿之複數個起點，基於上述之起點而熱傳遞至電漿產生部30之整體，故而可以短時間有效率地傳遞熱並產生電漿。
又，由於直至於電漿產生部30中產生電漿為止需要耗費時間，故較理想為於進行電漿處理之前之步序、例如於基板W之上表面形成液膜101A之步序之間，於電漿產生部30位於待機位置之狀態下開始對於電漿產生部30之電壓之印加。
又，設置電極棒306(或電極棒302)之部位不限定於在圖22中顯示例子之情形，該部位可基於利用放射溫度計等進行之電漿產生部30內之複數個部位之溫度測定之結果而特定出。
圖25係顯示電漿產生部130之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。如於圖25中顯示例子般，電漿產生部130具備：第1電極棒群130B，其由複數個第1電極棒307、308構成；第2電極棒群130C，其由複數個第2電極棒303、304構成；集合電極30G；及集合電極30H。此外，於圖25中，介電構件30A、保持構件30D、介電構件30E及介電構件30F省略圖示。
構成第1電極棒群130B之複數個第1電極棒具備：複數個電極棒308、及粗於各電極棒308之複數個電極棒307。又，構成第2電極棒群130C之複數個第2電極棒具備：複數個電極棒304、及粗於各電極棒304之複數個電極棒303。
起因於粗細度不同，而各電極棒307之每單位長度之電阻小於電極棒308之每單位長度之電阻。同樣，各電極棒303之每單位長度之電阻小於各電極棒304之每單位長度之電阻。
於本實施形態中，如圖25所示，構成第1電極棒群130B之各電極棒307各者配置為與構成第2電極棒群130C之各電極棒303各者於俯視下相鄰。換言之，作為複數個第1電極棒之一部分之各電極棒307各者配置為與作為複數個第2電極棒之一部分之各電極棒303各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒308為小之各電極棒307、與每單位長度之電阻較電極棒304為小之各電極棒303鄰接而配置。
根據如此之構成，於構成第1電極棒群130B之複數個第1電極棒中之每單位長度之電阻較各電極棒308為小之各電極棒307中容易流通電流，各電極棒307容易被加熱。又，構成第2電極棒群130C之複數個第2電極棒中之每單位長度之電阻較各電極棒304為小之各電極棒303中流通電流，各電極棒303容易被加熱。如是，藉由自各電極棒307、各電極棒303之放熱，而將各電極棒307之周圍、各電極棒303之周圍之空氣加熱，藉此，於各電極棒307之周圍及各電極棒303之周圍產生電漿。進而，藉由產生電漿，而各電極棒307之周圍之空氣與各電極棒303之周圍之空氣之溫度進一步上升。且，藉由將於各電極棒307、303之周圍產生之熱分別傳遞至構成第1電極棒群130B之一部分之複數個電極棒308及構成第2電極棒群130C之一部分之複數個電極棒304、及其周圍之空氣，而於電漿產生部130之整體促進電漿之產生。
又，根據如此之構成，藉由將直至產生電漿為止需要耗費較長時間之電極棒變更為粗於其他電極棒之粗電極棒，而於該電極棒中容易流通電流。如是，由於容易流通電流之該電極棒及其附近之氣體較其他電極棒及其附近之氣體更容易被加熱，故直至產生電漿為止所需之時間變短。作為其結果，直至於各個電極棒附近產生電漿為止所需之時間之偏差變小，可縮短直至於電漿產生部130之整體產生電漿為止所需之時間。
於本實施形態中，如前述般，成為構成第1電極棒群130B之複數個第1電極棒之一部分之複數個電極棒307各者配置為與成為構成第2電極棒群130C之複數個第2電極棒之一部分之複數個電極棒303各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒308為小之電極棒307、與每單位長度之電阻較電極棒304為小之電極棒303成為一對且配置為相鄰。藉此，於各電極棒307、各電極棒303中容易流通電流，與其他電極棒308、304比較，各電極棒307、各電極棒303之加熱持續進行。如是，藉由自各電極棒307、各電極棒303之放熱，而首先將各電極棒307之周圍、各電極棒303之周圍之空氣加熱，藉此，於各電極棒307之周圍及各電極棒303之周圍快速產生電漿。進而，藉由產生電漿，而各電極棒307之周圍之空氣與各電極棒303之周圍之空氣之溫度進一步上升。而後，於各電極棒307及各電極棒303之周圍產生之熱分別傳遞至各電極棒308及各電極棒304、及其周圍之空氣，對於各電極棒308、各電極棒304及各者之周圍之空氣之加熱持續進行。藉此，於各電極棒308之周圍及各電極棒304之周圍依次產生電漿，於電漿產生部130之整體促進電漿之產生。
此外，配置各電極棒303或各電極棒307之位置不限定於圖25所示之情形。又，配置各電極棒303或各電極棒307之位置可對應於預先測定於第1電極棒群130B及第2電極棒群130C以同一粗細度形成之狀態下直至產生電漿為止所需之時間、且該時間較長之電極棒之位置。
進而，如圖25所示之本實施形態般，將構成第1電極棒群130B之一部分之各電極棒307各者、與構成第2電極棒群130C之一部分之各電極棒303各者設為各一對且配置為相鄰，而可首先將各電極棒307之周圍、各電極棒303之周圍之空氣加熱，可於各電極棒307之周圍及各電極棒303之周圍更快速地產生電漿。藉此，可以更加短之時間有效率地傳遞熱並產生電漿。又，於圖25中，形成複數組將電阻小之電極棒307與電阻小之電極棒303配置為相鄰之構成，於俯視下，以於該各組之間之位置配置由電阻較電極棒306及電極棒302為高之材料構成之電極棒308、電極棒304之方式構成電漿產生部130。藉由採用如此之構成，而複數個部位、亦即將電極棒307與電極棒303設為一對且配置為相鄰之複數個部位成為迅速產生電漿之複數個起點，基於上述之起點而熱傳遞至電漿產生部130之整體，故而可以短時間有效率地傳遞熱並產生電漿。
又，粗細度與其他電極棒不同之各電極棒307(或各電極棒303)可由與其他電極棒不同之材料形成。例如，於其他電極棒由鎢形成之情形下，各電極棒307(或各電極棒303)可由每單位長度之電阻與鎢為同程度之黃銅或鉬鋼等形成。
於以上所說明之實施形態中，電極棒306、308(圖22)、307、308(圖25)相當於本揭示之「複數個第1電極構件」，包含電極棒306、308(圖22)之複數個第1電極棒相當於本揭示之「第1電極構件群」，包含電極棒307、308(圖25)之複數個第1電極棒相當於本揭示之「第1電極構件群」，集合電極30G相當於本發明之「第1集合電極」。又，電極棒302、304(圖22)、303、304(圖25)相當於本揭示之「複數個第2電極構件」，包含電極棒302、304(圖22)之複數個第2電極棒相當於本揭示之「第2電極構件群」，包含電極棒303、304(圖25)之複數個第2電極棒相當於本揭示之「第2電極構件群」，集合電極30H相當於本揭示之「第2集合電極」。又，電源 相當於本揭示之「交流電源」。進而，電極棒306、302、307、303相當於本揭示之「小電阻電極構件」，電極棒308(圖22)、304(圖22)、308(圖25)、304(圖25)相當於本揭示之「非小電阻電極構件」。又，旋轉卡盤10相當於本揭示之「基板保持部」，處理液噴嘴20相當於本揭示之「噴嘴」。
於上述實施形態中，將構成第1電極棒群30B、130B之複數個第1電極棒中之複數個電極棒306、307構成為每單位長度之電阻較小者，將構成第2電極棒群30C、130C之複數個第2電極棒中之複數個電極棒302、303構成為每單位長度之電阻較小者。然而，本揭示未必限定於上述之構成，例如，可將複數個第1電極棒或前述複數個第2電極棒中之至少一個電極棒由每單位長度之電阻較與該至少一個電極棒構成同一電極棒群之其他電極棒為小之小電阻電極構件構成。於上述之構成中亦然，每單位長度之電阻小之電極棒之加熱持續進行，可藉由自該電阻較小之電極棒之放熱而將周圍之空氣加熱，促進電漿之產生。
＜第3實施形態＞ 圖26係概略性顯示本實施形態之基板處理裝置100A之構成之例之側視圖。圖27係概略性顯示電漿產生部230之一部分之構成之例之俯視圖。於圖26及圖27中，為了方便起見而以透過一部分之構成之狀態圖示。
此外，圖26及圖27所示之構成可由圖1之腔室80包圍。又，腔室80內之壓力大致為大氣壓(例如，0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理係於大氣壓下之大氣壓電漿處理。
基板處理裝置100A具備：旋轉卡盤10、防濺罩13、處理液噴嘴20、處理液供給源29、閥25、及電漿產生裝置50A，且該電漿產生裝置50A包含：作為大氣壓電漿源之電漿產生部230，其配置為於基板W之上方覆蓋基板W整體，且於大氣壓下產生電漿；電源8，其朝電漿產生部230施加電壓；及支持部70，其支持電漿產生部230。
如於圖26及圖27中顯示例子般，電漿產生部230具備：包含石英等介電體之板狀之介電構件32A；電極棒群30J，其收容於介電構件32A內，且包含在與長度方向正交之方向排列複數個而配置之複數個電極棒506、508；電極棒群30K，其收容於介電構件32A內，且包含在與長度方向正交之方向排列複數個而配置之複數個電極棒502、504；保持構件30L，其包含樹脂(例如聚四氟乙烯(PTFE))或陶瓷等，且於一端保持構成電極棒群30J之電極棒506、508、及構成複數個電極棒群30K之電極棒502、504；集合電極30M，其共通連接於構成電極棒群30J集合電極30M電極棒506、508，且包含鋁等；及集合電極30N，其共通連接於構成電極棒群30K之電極棒502、504，且包含鋁等。集合電極30M與集合電極30N例如配置為相配對應地於俯視下成為圓形狀，於該圓內收容電極棒群30J及複數個電極棒群30K。
構成電極棒群30J之電極棒506、508、及構成電極棒群30K之電極棒502、504例如為由鎢等形成之棒形狀。此外，構成電極棒群30J之電極棒506、508、及構成電極棒群30K之電極棒502、504之形狀不限定於棒形狀。又，構成電極棒群30J之電極棒506、508、與構成電極棒群30K之電極棒502、504以於俯視下不重疊之方式彼此錯開而配置(參照圖27)。亦即，於俯視下觀察，構成電極棒群30J之電極棒506、508、與構成電極棒群30K之電極棒502、504交替排列。
另一方面，於圖26所示之俯視下，電極棒群30J與電極棒群30K相互重疊而配置。此外，於圖26所示之側視下，電極棒群30J與電極棒群30K可不相互重疊，例如，可於圖26之Z軸方向偏移而配置。
介電構件32A為上表面及下表面無凹凸之平面形狀。因此，於在電漿處理時等附著物向介電構件32A之下表面附著之情形下，亦容易進行介電構件32A之下表面之附著物之洗淨。
如於圖27中顯示例子般，電漿產生部230具有：由電極棒506、508構成之電極棒群30J、由電極棒502、504構成之電極棒群30K、集合電極30M、及集合電極30N。
構成電極棒群30J之複數個電極棒具備：複數個電極棒508、及由與電極棒508不同之材料形成之複數個電極棒506。又，構成電極棒群30K之複數個電極棒具備：複數個電極棒504、及由與電極棒504不同之材料形成之複數個電極棒502。
起因於構成之材料不同，而電極棒506之每單位長度之電阻小於電極棒508之每單位長度之電阻。同樣，電極棒502之每單位長度之電阻小於電極棒504之每單位長度之電阻。此處，電極棒506、及電極棒502相當於小電阻電極構件。
作為電極棒508及電極棒504之材料，例如設想鎢。另一方面，作為電極棒506及電極棒502之材料，例如設想銅、銀、金或鋁等。此外，電極棒508與電極棒504可由不同之材料形成。同樣，電極棒506與電極棒502可由不同之材料形成。
於本實施形態中，如圖27所示，構成電極棒群30J之電極棒506各者配置為與構成電極棒群30K之電極棒502各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒506、與每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒502配置為於俯視下相鄰。
此處，直至於設置於電漿產生部230之各個電極棒附近產生電漿為止(直至形成電漿空間為止)所需之時間因電極棒之個體差、電極棒之配置誤差或熱容量之大小等而存在偏差。尤其是，於電漿產生部230中之形成電漿空間之面積較大之情形下，該偏差亦變大，直至在電漿產生部230內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間變長。
於本實施形態中，如前述般，以由不同之材料形成之複數個電極棒508與複數個電極棒506構成電漿產生部230之電極棒群30J，且以由不同之材料形成之複數個電極棒504與複數個電極棒502構成電極棒群30K。此處，電極棒506與電極棒502之電極棒之每單位長度之電阻小於構成互為相同之電極棒群之電極棒508與電極棒504。
根據如此之構成，於構成電極棒群30J之複數個電極棒中之每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒506中容易流通電流，電極棒506容易被加熱。又，構成電極棒群30K之複數個電極棒中之每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒502中流通電流，電極棒502容易被加熱。如是，藉由自電極棒506、電極棒502之放熱，而將電極棒506之周圍、電極棒502之周圍之空氣加熱，藉此，於電極棒506之周圍及電極棒502之周圍產生電漿。進而，藉由產生電漿，而電極棒506之周圍之空氣與電極棒502之周圍之空氣之溫度進一步上升。而且，藉由將於電極棒506及電極棒502之周圍產生之熱分別傳遞至構成電極棒群30J之一部分之複數個電極棒508及構成電極棒群30K之一部分之複數個電極棒504、及其周圍之空氣，而於電漿產生部230之整體促進電漿之產生。
又，根據如此之構成，藉由將直至產生電漿為止需要較長之時間之電極棒之材料設為每單位長度之電阻小於其他電極棒之材料者，而於該電極棒中容易流通電流。如是，由於容易流通電流之該電極棒及其附近之氣體較其他電極棒及其附近之氣體更容易被加熱，故直至產生電漿為止所需之時間變短。作為其結果，直至於各個電極棒附近產生電漿為止所需之時間之偏差變小，可縮短直至於電漿產生部230之整體產生電漿為止所需之時間。
進而，於本實施形態中，構成電極棒群30J之複數個電極棒506各者配置為與構成電極棒群30K之複數個電極棒502各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒506、與每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒502成為一對且配置為相鄰。藉此，於電極棒506、電極棒502中容易流通電流，與其他電極棒508、504比較，電極棒506、電極棒502之加熱持續進行。如是，藉由自電極棒506、電極棒502之放熱，而首先將電極棒506之周圍、電極棒502之周圍之空氣加熱，藉此，於電極棒506之周圍及電極棒502之周圍快速產生電漿。進而，藉由產生電漿，而電極棒506之周圍之空氣與電極棒502之周圍之空氣之溫度進一步上升。而後，於電極棒506及電極棒502之周圍產生之熱分別傳遞至電極棒508及電極棒504、及其周圍之空氣，對於電極棒508、電極棒504及各者之周圍之空氣之加熱持續進行。藉此，於電極棒508之周圍及電極棒504之周圍依次產生電漿，於電漿產生部230之整體促進電漿之產生。
圖28係概略性顯示電漿產生部之一部分之構成之例之剖視圖。圖28對應於圖26之D-D剖面。此外，電極棒506、502、508、504之數目不限定於圖28所示之數目。
如於圖28中顯示例子般，於介電構件32A形成複數個自介電構件32A之端部朝內側(X軸方向)延伸之收容孔32B，電極棒506、502、508、504分別收容於對應之收容孔32B。收容孔32B由於自X軸正方向及X軸負方向之介電構件32A之端部(側面)向內部交替延伸而形成，故分別而言，電極棒群30J(參照圖27)之電極棒自X軸正方向側之端部插入，電極棒群30K(參照圖27)之電極棒自X軸負方向側之端部插入。又，如圖28所示，收容孔32B形成於靠近介電構件32A之下表面之位置。
如圖26所示，若藉由電源8，朝與集合電極30M及集合電極30N之間施加交流電壓，則朝連接於集合電極30M之電極棒群30J與連接於集合電極30N之電極棒群30K之間施加交流電壓。其結果，於電極棒群30J與電極棒群30K之間產生介電體障壁放電。而且，於該放電之放電路徑之周圍產生氣體之電漿化，形成沿將電極棒群30J各者之電極棒506、508與電極棒群30K各者之電極棒502、504隔開之介電構件32A之表面(包含收容孔32B之內部)二維擴大之電漿空間(參照圖27、圖28)。此處，由於收容孔32B形成於靠近介電構件32A之下表面之位置，故電漿102主要形成於介電構件32A之下表面。
此處，可於形成上述之電漿空間時，朝於電漿產生部230之下方之空間(亦即基板W之上方之空間)，供給例如O 2(氧)、Ne、CO 2、空氣、惰性氣體或作為其等之組合之氣體。惰性氣體例如為N 2或稀有氣體。稀有氣體例如為He或Ar等。
藉由電漿102之作用，而於該空間附近之氣體產生活性種。於活性種中包含具有電荷之離子、或於電性上為中性之自由基等。例如，於氣體為包含O 2者之情形下，藉由電漿產生部230之電漿之作用，而產生作為活性種之一種之氧自由基。
此處，電漿產生部230較理想為於如上述般產生電漿102之階段中預先於特定之待機位置待機，於在介電構件32A之下表面適度產生均一之電漿102後，移動至基板W附近之處理位置。若為如此之態樣，則藉由在產生均一之電漿102之狀態下使電漿102作用於基板W之表面，而可進行均一之處理。
此外，雖然於本實施形態中，電漿產生部230配置為覆蓋基板W之上表面整體，但於電漿產生部230配置為僅覆蓋基板W之一部分之情形下，可藉由未圖示之驅動機構使電漿產生部230之基板W之上表面中之位置伴隨著基板W之旋轉而沿基板W之上表面於基板W之旋轉方向及徑向移動。
圖29係顯示電漿產生部330之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。於圖29中，為了方便起見而以透過一部分之構成之狀態圖示。如於圖29中顯示例子般，電漿產生部330具有：由複數個電極棒507、508構成之電極棒群130J、由複數個電極棒503、504構成之電極棒群130K、集合電極30M、及集合電極30N。
構成電極棒群130J之複數個電極棒具備：複數個電極棒508、及粗於電極棒508之複數個電極棒507。又，構成電極棒群130K之複數個電極棒具備：複數個電極棒504、及粗於電極棒504之複數個電極棒503。
起因於粗細度不同，而電極棒507之每單位長度之電阻小於電極棒508之每單位長度之電阻。同樣，電極棒503之每單位長度之電阻小於電極棒504之每單位長度之電阻。
於本實施形態中，如圖29所示，構成電極棒群130J之電極棒507各者配置為與構成電極棒群130K之電極棒503各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒507、與每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒503鄰接而配置。
根據如此之構成，於構成電極棒群130J之複數個電極棒中之每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒507中容易流通電流，電極棒507容易被加熱。又，構成電極棒群130K之複數個電極棒中之每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒503中流通電流，電極棒503容易被加熱。如是，藉由自電極棒507、電極棒503之放熱，而將電極棒507之周圍、電極棒503之周圍之空氣加熱，藉此，於電極棒507之周圍及電極棒503之周圍產生電漿。進而，藉由產生電漿，而電極棒507之周圍之空氣與電極棒503之周圍之空氣之溫度進一步上升。而且，藉由將於電極棒507、503之周圍產生之熱分別傳遞至構成電極棒群130J之一部分之複數個電極棒508及構成電極棒群130K之一部分之複數個電極棒504、及其周圍之空氣，而於電漿產生部330之整體促進電漿之產生。
又，根據如此之構成，藉由將直至產生電漿為止需要耗費較長時間之電極棒變更為粗於其他電極棒之粗電極棒，而於該電極棒中容易流通電流。如是，由於容易流通電流之該電極棒及其附近之氣體較其他電極棒及其附近之氣體更容易被加熱，故直至產生電漿為止所需之時間變短。作為其結果，直至於各個電極棒附近產生電漿為止所需之時間之偏差變小，可縮短直至於電漿產生部330之整體產生電漿為止所需之時間。
於本實施形態中，成為構成電極棒群130J之複數個電極棒之一部分之複數個電極棒507各者配置為與成為構成電極棒群130K之複數個電極棒之一部分之複數個電極棒503各者於俯視下相鄰。亦即，每單位長度之電阻較電極棒508為小之電極棒507、與每單位長度之電阻較電極棒504為小之電極棒503成為一對配置為且相鄰。藉此，於電極棒507、電極棒503中容易流通電流，與其他電極棒508、504比較，電極棒507、電極棒503之加熱持續進行。如是，藉由自電極棒507、電極棒503之放熱，而首先將電極棒507之周圍、電極棒503之周圍之空氣加熱，藉此，於電極棒507之周圍及電極棒503之周圍快速產生電漿。進而，藉由產生電漿，而電極棒507之周圍之空氣與電極棒503之周圍之空氣之溫度進一步上升。而後，於電極棒507及電極棒503之周圍產生之熱分別傳遞至電極棒508及電極棒504、及其周圍之空氣，對於電極棒508、電極棒504及各者之周圍之空氣之加熱持續進行。藉此，於電極棒508之周圍及電極棒504之周圍依次產生電漿，於電漿產生部330之整體促進電漿之產生。
此外，配置電極棒503或電極棒507之位置不限定於圖29所示之情形。又，配置電極棒503或電極棒507之位置可對應於預先測定於電極棒群130J及電極棒群130K以同一粗細度形成之狀態下直至產生電漿為止所需之時間、且該時間較長之電極棒之位置。
進而，如圖29所示之本實施形態般，藉由構成電極棒群130J之一部分之電極棒507各者、與構成電極棒群130K之一部分之電極棒503各者設為各一對且配置為相鄰，而可首先將電極棒507之周圍、電極棒503之周圍之空氣加熱，可於電極棒507之周圍及電極棒503之周圍更快速地產生電漿。藉此，可以更加短之時間有效率地傳遞熱並產生電漿。
又，於圖29中，形成複數組將電阻小之電極棒507與電阻小之電極棒503配置為相鄰之構成，於俯視下，以於該各組之間之位置配置由電阻較電極棒506及電極棒502為高之材料構成之電極棒508、電極棒504之方式構成電漿產生部330。藉由採用如此之構成，而複數個部位、亦即將電極棒507與電極棒503設為一對且配置為相鄰之複數個部位成為迅速產生電漿之複數個起點，基於上述之起點而熱傳遞至電漿產生部330之整體，故而可以短時間有效率地傳遞熱並產生電漿。
又，粗細度與其他電極棒不同之電極棒507(或電極棒503)可由與其他電極棒不同之材料形成。例如，於其他電極棒由鎢形成之情形下，電極棒507(或電極棒503)可由每單位長度之電阻與鎢為同程度之黃銅或鉬鋼等形成。
於如以上所說明之實施形態中，電極棒506、508、507相當於「複數個第1電極構件」，包含電極棒506、508之複數個電極棒相當於「第1電極構件群」，包含電極棒507、508之複數個電極棒相當於「第1電極構件群」，集合電極30M相當於「第1集合電極」。又，電極棒502、504、503相當於「複數個第2電極構件」，包含電極棒502、504之複數個電極棒相當於「第2電極構件群」，包含電極棒503、504之複數個電極棒相當於「第2電極構件群」，集合電極30N相當於第2集合電極」。又，電源8相當於「交流電源」。進而，電極棒506、502、507、503相當於「小電阻電極構件」，電極棒508、504相當於「非小電阻電極構件」。又，旋轉卡盤10相當於「基板保持部」，處理液噴嘴20相當於「噴嘴」。
於上述之實施形態中，將構成電極棒群30J、130J之複數個電極棒中之複數個電極棒506、507構成為每單位長度之電阻較小者，將構成電極棒群30K、130K之複數個電極棒中之複數個電極棒502、503構成為每單位長度之電阻較小者。然而，未必限定於上述之構成，例如，可將複數個第1電極棒或複數個第2電極棒中之至少一個電極棒由每單位長度之電阻較與該至少一個電極棒構成同一電極棒群之其他電極棒為小之小電阻電極構件構成。於上述之構成中亦然，每單位長度之電阻小之電極棒之加熱持續進行，可藉由自該電阻較小之電極棒之放熱而將周圍之空氣加熱，促進電漿之產生。
＜關於以上所記載之實施形態之變化例＞ 於以上所記載之實施形態中，有亦針對各個構成要素之材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施之條件等進行記載之情形，但其等於全部層面中為一例，並非限定性者。
因此，可於本案說明書所揭示之技術之範圍內設想未顯示例子之無數個變化例、及均等物。例如，於將至少1個構成要素變化之情形下，包含追加之情形或省略之情形。
又，於以上所記載之實施形態中，於無特別指定而記載了材料名稱等之情形下，只要不產生矛盾 ，則於該材料中含有其他添加物、例如含有合金等。
如以上般，詳細地說明了電漿產生裝置1、1A、1B、50、50A及基板處理裝置100、100A，但上述之說明於所有態樣中均為例示，該電漿產生裝置及基板處理裝置不限定於此。未例示之無數個變化例應理解為在不脫離本揭示之範圍下可設想者。於上述各實施形態及各變化例所說明之各構成只要不相互矛盾，則能夠適宜地組合或省略。
例如，對於基板W之處理未必限定於抗蝕劑去除處理。例如，除了金屬膜之去除以外，亦可應用於能夠藉由活性種來提高處理液之處理能力之處理。
又，未必必須對基板W供給處理液。例如，作為使用電漿之處理，可使電漿或活性種對於基板W之上表面直接作用。作為如此之處理之一例，可舉出基板W之表面改質處理。
又，電漿產生裝置1、1A、1B、50、50A未必必須用於基板W之處理，可用於其他處理對象。
1,1A,1B,50,50A:電漿產生裝置 2:第1電極部 3:第2電極部 4:第1介電構件 4a,62a:第1內周面 4b,62b:第1底面 5:第2介電構件 5a,64a:第2內周面 5b,64b:第2底面 6:分隔構件 6a,6b:主面 7,30D,30L:保持構件 8:電源 8a:第1輸出端 8b:第2輸出端 10,11:基板保持部 10A:旋轉基座 10C:旋轉軸 10D:旋轉馬達部 12,20:噴嘴 12a:噴出口 13:防濺罩 14:電漿移動機構 15:噴嘴移動機構 21:第1電極構件(第1線狀電極) 21A～21D:第1電極構件 21a:第1側面 21b:第1前端面 22:第1集合電極 22a:內側面 25,122:閥 29:處理液供給源 30,130,230,330:電漿產生部 30A,30E,30F,32A,60:介電構件 30B,30C,30J,30K,130B,130C,130J,130K:電極棒群 30G,30H,30M,30N:集合電極 31:第2電極構件(第2線狀電極) 31A～31G:第2電極構件 31a:第2側面 31b:第2前端面 32:第2集合電極 32a:內側面 32B:收容孔 40:介電部 41,61:第1前端空間 51,63:第2前端空間 60a:第1主面 60b:第2主面 60c:側面 62:第1孔 64:第2孔 70:支持部 80:腔室 81,82:配線 90:控制部 91:資料處理部 92:記憶部 93:匯流排 94:記憶裝置 94P:處理程式 96:輸入部 97:顯示部 98:通訊部 100,100A:基板處理裝置 101A,F:液膜 102:電漿 111:載台 112:卡盤銷 113:旋轉機構 114:軸 115:馬達 121:供給管 123:流量調整部 124:處理液供給源 211,311:基端部 302,303,304,306,307,308,502,503,504,506,507,508:電極構件(電極棒) 900:基板處理系統 901:加載台 902:分度器機器人 903:主搬送機器人 904:基板載置部 921:非暫時性記憶部/記憶部 922:暫時性記憶部/記憶部 1000:電漿產生裝置 A-A,B-B,C-C,D-D:剖面 C:載架 D1:長度方向 D2:排列方向 D3:方向 Fa:區域 Fb:區域 L1:假想線(第1假想線) L2,L3,L4:假想線 P1～P3:電漿 Q1:旋轉軸線 R1:配置禁止區域(第1配置禁止區域) R2:第2配置禁止區域 R3:第3配置禁止區域 R4:第4配置禁止區域 W:基板 X:軸方向/方向 Y:方向 Z:軸方向 Z1:旋轉軸線
圖1係概略性顯示基板處理系統之構成之一例之俯視圖。 圖2係概略性顯示控制部之內部構成之一例之功能方塊圖。 圖3係概略性顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成之一例之圖。 圖4係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之俯視圖。 圖5係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之側剖視圖。 圖6係概略性顯示電漿產生裝置產生電漿之樣態之一例之剖視圖。 圖7係概略性顯示比較例之電漿產生裝置之一例之剖視圖。 圖8係顯示第1配置禁止區域及第2配置禁止區域之一例之圖。 圖9係概略性顯示電漿產生裝置及基板之一例之俯視圖。 圖10係概略性顯示電漿產生裝置及基板之一例之側剖視圖。 圖11係概略性顯示電漿產生裝置之構成之另一例之俯視圖。 圖12係概略性顯示電漿產生裝置之構成之另一例之側剖視圖。 圖13係概略性顯示電漿產生裝置之構成之又一例之俯視圖。 圖14係概略性顯示電漿產生裝置之構成之又一例之側剖視圖。 圖15係概略性顯示電漿產生裝置之構成之再一例之側剖視圖。 圖16係顯示第1配置禁止區域及第2配置禁止區域之另一例之圖。 圖17係顯示第3配置禁止區域及第4配置禁止區域之一例之圖。 圖18係概略性顯示第2實施形態之基板處理裝置之構成之例之側視圖。 圖19係顯示與第2實施形態相關之基板處理裝置之動作之例之流程圖。 圖20係用於說明與第2實施形態相關之基板處理裝置之動作之圖。 圖21係用於說明與第2實施形態相關之基板處理裝置之動作之圖。 圖22係顯示電漿產生部之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。 圖23係顯示利用電漿產生部產生電漿之情形之經過之例之俯視圖。 圖24係顯示利用電漿產生部產生電漿之情形之經過之例之俯視圖。 圖25係顯示電漿產生部之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。 圖26係概略性顯示第3實施形態之基板處理裝置之構成之例之側視圖。 圖27係概略性顯示電漿產生部之一部分之構成之例之俯視圖。 圖28係概略性顯示電漿產生部之一部分之構成之例之剖視圖。 圖29係顯示電漿產生部之複數個電極棒之構成之例之俯視圖。
1:電漿產生裝置
2:第1電極部
3:第2電極部
4:第1介電構件
5:第2介電構件
6:分隔構件
21:第1電極構件(第1線狀電極)
22:第1集合電極
31:第2電極構件(第2線狀電極)
32:第2集合電極
40:介電部
41:第1前端空間
51:第2前端空間
A-A:剖面
D1:長度方向
D2:排列方向
D3:方向

Claims (14)

  1. 一種電漿產生裝置，其具備：第1電極部，其具有沿長度方向延伸之棒狀形狀，且包含排列於與前述長度方向正交之排列方向上之複數個第1電極構件；第2電極部，其具有沿前述長度方向延伸之棒狀形狀，且包含俯視下分別設置於前述複數個第1電極構件之相互間之複數個第2電極構件；及介電部，其具有第1內周面，前述第1內周面覆蓋前述複數個第1電極構件各者之第1側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第1電極構件各者之第1前端面更靠前端側；前述第1內周面中較前述第1前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第1前端空間；其中前述第1電極部與前述第2電極部相互離開如下距離，即，於前述第1前端空間內之氣體電漿化之狀態下在前述第1電極部與前述第2電極部之間不產生電弧放電之距離。
  2. 一種電漿產生裝置，其具備：第1電極部，其具有沿長度方向延伸之棒狀形狀，且包含排列於與前述長度方向正交之排列方向上之複數個第1電極構件；第2電極部，其具有沿前述長度方向延伸之棒狀形狀，且包含俯視下分別設置於前述複數個第1電極構件之相互間之複數個第2電極構件；及介電部，其具有第1內周面，前述第1內周面覆蓋前述複數個第1電極構件各者之第1側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第1電極構件各者之第1前端面更靠前端側；前述第1內周面中較前述第1前端面更靠前 端側之部分乃形成包含氣體之第1前端空間；其中前述介電部具有：第1底面，其與前述複數個第1電極構件各者之前述第1前端面隔開前述第1前端空間而對向，且連結於前述第1內周面；且前述第1底面與前述第2電極部之間之距離設定為，於假定前述第1前端面抵接於前述第1底面之假定構造中在前述第1前端面與前述第2電極部之間不產生電弧放電之距離。
  3. 如請求項1或2之電漿產生裝置，其中前述介電部包含介電構件；且前述介電構件具有：前述第1內周面；及第2內周面，其覆蓋前述複數個第2電極構件各者之第2側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第2電極構件各者之第2前端面更靠前端側；前述第2內周面中較前述第2前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第2前端空間。
  4. 如請求項1或2之電漿產生裝置，其中前述介電部包含：複數個第1介電構件，其等各自具有前述第1內周面；及複數個第2介電構件，其等各自具有第2內周面，前述第2內周面覆蓋前述複數個第2電極構件各者之第2側面，且沿前述長度方向延伸至較前述 複數個第2電極構件各者之第2前端面更靠前端側；前述第2內周面中較前述第2前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第2前端空間。
  5. 如請求項1之電漿產生裝置，其中前述第1電極部包含將前述複數個第1電極構件之基端彼此連結之第1集合電極；前述第2電極部包含將前述複數個第2電極構件之基端彼此連結之第2集合電極；且前述複數個第1電極構件各者之前述第1前端面，位於較前述第2集合電極、與自前述第2集合電極之內側面離開特定距離之假想線之間之配置禁止區域更靠前述第1集合電極側。
  6. 一種基板處理裝置，其具備：基板保持部，其保持基板；及電漿產生裝置，其朝向由前述基板保持部保持之前述基板之主面產生電漿；前述電漿產生裝置具備：第1電極部，其具有沿長度方向延伸之棒狀形狀，且包含排列於與前述長度方向正交之排列方向上之複數個第1電極構件；第2電極部，其具有沿前述長度方向延伸之棒狀形狀，且包含俯視下分別設置於前述複數個第1電極構件之相互間之複數個第2電極構件；及介電部，其具有第1內周面，前述第1內周面覆蓋前述複數個第1電極構件各者之第1側面，且沿前述長度方向延伸至較前述複數個第1電極構件 各者之第1前端面更靠前端側；前述第1內周面中較前述第1前端面更靠前端側之部分乃形成包含氣體之第1前端空間；且前述第1電極部包含將前述複數個第1電極構件之基端彼此連結之第1集合電極；前述第2電極部包含將前述複數個第2電極構件之基端彼此連結之第2集合電極；前述複數個第1電極構件之前述第1前端面及前述複數個第2電極構件之第2前端面於俯視下位於較由前述基板保持部保持之前述基板之周緣更為內側；前述第1集合電極及前述第2集合電極於俯視下位於較由前述基板保持部保持之前述基板之周緣更為外側。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其進一步具備：噴嘴，其朝向由前述基板保持部保持之前述基板之主面噴出處理液；且於前述複數個第1電極構件中彼此相鄰之至少任2個之間，不設置前述複數個第2電極構件。
  8. 一種電漿產生裝置，其具備：第1電極構件群，其將複數個第1電極構件排列而構成；第1集合電極，其將前述第1電極構件群電性連接；第2電極構件群，其將複數個第2電極構件排列而構成；第2集合電極，其將前述第2電極構件群電性連接；及 交流電源，其電性連接於前述第1集合電極與前述第2集合電極，對前述第1電極構件群與前述第2電極構件群供給電力；且複數個前述第1電極構件及複數個前述第2電極構件中之至少一個電極構件係由每單位長度之電阻較與該至少一個電極構件構成同一電極構件群之其他電極構件為小之小電阻電極構件構成；複數個前述第1電極構件與複數個前述第2電極構件於俯視下交替配置。
  9. 如請求項8之電漿產生裝置，其進一步具備：板狀之介電構件；且於前述介電構件形成自前述介電構件之側面朝前述介電構件之內部延伸之複數個收容孔；複數個前述第1電極構件各者、及複數個前述第2電極構件各者收容於對應之各個前述收容孔。
  10. 如請求項8或9之電漿產生裝置，其中複數個前述第1電極構件中之至少一者係由前述小電阻電極構件構成；且複數個前述第2電極構件中之至少一者係由前述小電阻電極構件構成；由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件、與由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件配置為於俯視下相鄰。
  11. 如請求項8或9之電漿產生裝置，其中由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件係由與其他第1電極構件不同之材料構成；且由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件係由與其他第2電極構件不同之材料構成。
  12. 如請求項8或9之電漿產生裝置，其中複數個前述第1電極構件與複數個前述第2電極構件各者為棒形狀；且由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件較其他第1電極構件更粗地構成；由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件較其他第2電極構件更粗地構成。
  13. 如請求項10之電漿產生裝置，其中由前述小電阻電極構件構成之前述第1電極構件、與由前述小電阻電極構件構成之前述第2電極構件俯視下相鄰之配置乃形成複數個；且於各個前述相鄰之配置之間之位置，配置包含至少一個非小電阻電極構件之前述第1電極構件或前述第2電極構件。
  14. 一種基板處理裝置，其具備：基板保持部，其保持基板；噴嘴，其朝由前述基板保持部保持之前述基板之主面供給處理液； 及請求項8或9之電漿產生裝置。
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