JPH11106531A - 放電プラズマ処理装置 - Google Patents

放電プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH11106531A
JPH11106531A JP9273037A JP27303797A JPH11106531A JP H11106531 A JPH11106531 A JP H11106531A JP 9273037 A JP9273037 A JP 9273037A JP 27303797 A JP27303797 A JP 27303797A JP H11106531 A JPH11106531 A JP H11106531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge
electrodes
electrode
pair
discharge plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9273037A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuya Yara
卓也 屋良
Motokazu Yuasa
基和 湯浅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP9273037A priority Critical patent/JPH11106531A/ja
Publication of JPH11106531A publication Critical patent/JPH11106531A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32541Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理の際のガス雰囲気を問わず、大気圧近傍の
圧力下で均一な放電プラズマを長時間にわたって、しか
も安定に発生させることができる電極を用いた放電プラ
ズマ処理装置を提供する。 【解決手段】大気圧近傍の圧力下のガス雰囲気中で一対
の電極を対向配置し、この一対の電極の少なくとも一方
の電極対向面に固体誘電体を設置した状態でこの一対の
電極間に電圧を印加することにより発生した放電プラズ
マを用いる放電プラズマ処理装置である。この一対を構
成する電極1は、互いに平行な放電面1aを有してお
り、放電面1aの周縁1a1 から側面1cにかけて曲面
となるように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、常圧、すなわち大
気圧近傍の圧力下において放電プラズマ処理を行う放電
プラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、低圧条件下でグロー放電させ
ることによって発生するプラズマを用いて、薄膜形成を
行う方法が実用化されている。しかし、この低圧条件下
での処理は、真空容器や真空装置が必要であり、バッチ
的に処理を行う毎に、この真空容器内の真空を解除し
て、新たに真空引きを行う必要があるため、工業的には
大変不利であった。そのため、電子部品等の高価な物品
に対しての適用しかなされていなかった。
【0003】上記のような問題を解決するために、大気
圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生させる方法が種々
提案されている。例えば、特公平2−48626号公報
には、大気圧近傍のヘリウムとケトンの混合雰囲気下で
発生させたプラズマを用いて処理を行う方法が開示され
ており、また、特開平4−74525号公報には、アル
ゴン並びにヘリウム及び/又はアセトンからなる大気圧
近傍の雰囲気下で平行平板型の対向電極に交流電圧を印
加して発生させたプラズマにより処理を行う方法が開示
されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、長時間の放
電を行うとプラズマ中の粒子と電極との衝突や輻射熱に
よって電極の温度が上昇するため、熱電子が放出しやす
くなる。その結果、熱電子の空間密度が高くなり、グロ
ー放電空間中に電子の偏りが生じて、グロー放電はアー
ク放電に移行しやすくなる。一度アーク放電が生じると
電圧が印加されている限りアーク電流が流れ続けるた
め、プラズマが高温となり、処理物や電極自体が溶融し
てしまう問題が生じる。特に、大気圧近傍の圧力下にお
いては放電空間内に存在する粒子密度が高いため、この
現象は無視できないものとなる。
【0005】本発明はこれらの問題に鑑みてなされたも
ので、大気圧近傍の圧力下で均一な放電プラズマを長時
間にわたって、しかも安定に発生させることができる電
極を用いて処理の際のガス雰囲気を問わずに放電プラズ
マ処理を行うための装置を提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の放電プラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧
力下のガス雰囲気中で一対の電極を対向配置し、この一
対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固体誘電体を
設置した状態でこの一対の電極間に電圧を印加すること
により発生した放電プラズマを用いる放電プラズマ処理
装置において、上記一対を構成する電極は、互いに平行
な放電面を有しており、放電面の周縁から側面にかけて
曲面となるよう形成されていることによって特徴付けら
れている。
【0007】なお、上記放電面の周縁から側面にかけて
曲面が有する曲率半径が上記一対の放電電極間隔の0.
5倍以上であることが望ましい。
【0008】さらに、上記一対を構成する電極内にそれ
ぞれ液体を循環させるための循環路が形成されていると
ともに、放電中のプラズマにより加熱された上記電極表
面温度を100℃以下とするよう上記循環路内に冷媒を
循環するよう構成されることが望ましい。
【0009】さらに、本発明の常圧プラズマ用電極は、
上記一対を構成する電極内にそれぞれ液体を循環させる
ための循環路が形成されているとともに、放電中のプラ
ズマにより加熱された上記電極表面温度を100℃以下
とするよう上記循環路内に冷媒を循環するよう構成され
ていることが好ましい。
【0010】本発明の常圧プラズマ用電極を上記の構成
とした根拠は、まず、電極形状がアーク放電の発生を抑
えるために重要であることが、本出願人らの研究によっ
て明らかになったことに基づいている。
【0011】すなわち、アーク放電は電界が集中する箇
所から生じやすいため、電極の角部のような箇所から生
じやすい。つまり、電極同士の対向面である放電面と側
面の接面がなす角度が90度に近い従来の電極形状で
は、電界集中が生じ、対向する角部間にアーク放電が発
生する。このようなアーク放電は、電極間にグロー放電
箇所が集中する大気圧近傍での放電では特に生じやす
い。それを避けるためには放電面から底面にいたる側面
形状の変化が緩やかであることが必要であり、より確実
に電界集中を避けるためには放電面の周縁から側面にか
けて曲面となることが必要であることが判明した。本発
明においては、対向する電極の双方が放電面周縁に曲面
を有するものであってもよいが、一方の電極のみがこの
ような構成をとり、他方の電極は電界集中が問題となら
ない程度まで同一平面を形成するものであってもよい。
すなわち、この場合は、当該一対を構成する電極は互い
に平行な放電面を有しており、一方の電極の放電面の周
縁から側面にかけて曲面となるよう形成され、他方の電
極の放電面は上記一方の電極の放電面の投影面の周縁か
ら、電極間距離の1.2倍以上の長さに延長されてなる
構成である。
【0012】上記のように、側面は曲率を有することが
必要であるが、この曲率はその部分に擬似的に球電極が
あると想定するとその曲率半径は電極間隔の0.5倍以
上、すなわち、電極間隔と同じ大きさ以上の球電極の存
在を考えれば電界集中を避けることができる。なお、曲
率半径の上限は電極の物理的形状が許す範囲であればよ
い。
【0013】また、上記したように、電極の加熱が放電
の安定性を損なう原因であるから、電極を冷却する手段
が有効である。そのため、本発明の電極には、電極内部
に冷媒を循環させるための循環路が設けられている。本
出願人らの研究の結果、アーク放電を防ぐには電極の表
面温度を100℃以下に保つことが必要であることが判
明している。この冷媒の冷却能力は投入電力、放電時
間、処理ガスの種類によって左右されるが、表面温度を
100℃以下になるようにこれらの条件を設定すればよ
い。冷媒としては、水、エチレングリコール、油などの
ように、熱容量が大きく、粘度が低い液体を選択し、必
要な冷却温度に応じて凝固点を選択すればよい。ただ
し、高電圧を印加する電極中に循環させるため、絶縁物
であることが望ましい。
【0014】また、本発明の放電プラズマ処理装置は、
上記一対の電極のうち少なくとも一方の電極対向面に
固体誘電体が設置され、かつ、上記一方の電極の対向面
に設置された固体誘電体と他方の電極との間または上記
一対の電極双方の対向面に設置された固体誘電体間に、
基材が配置されるとともに、上記一対の電極間にパルス
状の電圧を供給するパルス電源を備えてなり、大気圧近
傍の圧力下で、上記一対の電極間にパルス状の電圧を印
加することにより発生させた放電プラズマで上記基材の
表面を処理するよう構成してもよい。
【0015】この固体誘電体によって覆われずに電極同
士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が
生じやすくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の
電極に密着させ、密着する電極の対向面を完全に覆うよ
うに設置する。
【0016】ここで用いられる固体誘電体の厚みは、1
0〜2000μmが望ましい。この固体誘電体の厚み
は、厚いほど高耐圧となるが、2000μm以上の金属
酸化物被膜を被覆すると被膜中に微小な亀裂が含有され
てしまうため、熱収縮によるひび割れが生じる恐れがあ
る。
【0017】本発明の放電プラズマ処理装置において、
一対の電極間にパルス状の電圧を印加することにより、
用いる雰囲気ガスの自由度を増大させ得ることから好ま
しい。すなわち、表面処理等に用いられるグロー放電に
よるプラズマ発生は、空間に存在する電子の密度が高い
程、効率よくガスが分解され、処理効果が高いことが知
られている。また、放電により多くのガスを分解して高
い電子密度を得るには、高いガス圧下でのガス放電が有
効である。しかしながら、大気圧近傍の圧力下では、ヘ
リウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定し
てグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に移
行することが知られている。
【0018】そこで、本発明においては、このような特
定のガス以外の雰囲気ガス、つまりグロー放電状態から
アーク放電状態に到るまでの時間が長い成分を含有しな
い雰囲気ガスを用いる場合、大気圧近傍の圧力下におい
て前記したガス雰囲気中でグロー放電を支配的にするた
めに、電極間にパルス状の電圧を印加して、その間にパ
ルス化された電界を形成する。このようなパルス電界の
形成により、電極間の放電は、グロー放電からアーク放
電に移行する前に止まり、電極間にこのような周期的に
パルス電界を形成すれば、微視的にはパルス的なグロー
放電が繰り返し発生し、結果としてグロー放電状態が継
続することになる。
【0019】以上のように、大気圧近傍の圧力下で、ヘ
リウムやケトン等のグロー放電状態からアーク放電状態
に到るまでの時間の長い成分を有しない雰囲気中では、
放電面周縁が曲面処理された電極を用い、電極間にパル
ス化した電界を形成することにより、実用化レベルで安
定した放電プラズマ処理を行うことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下、図
面に基づいて説明する。
【0021】図1は本発明の常圧プラズマ用電極の実施
の形態の外観斜視図である。図2は図1におけるA−A
断面図、図3は図1におけるB−B断面図を示す。
【0022】常圧プラズマ用電極として用いる場合、こ
の電極1を一対構成し、平行平板型とする。電極1は放
電面1aと、この放電面1aに平行かつこの放電面形状
と略相似形をなす底面1bと、この底面1bと放電面1
aとに挟まれた側面1cとを有する。この側面1cは、
放電面1aの周縁1a1 から曲面をもって底面1bまで
続くものである。また、本図では側面1cは放電面1a
に平行な断面がこの放電面1aと略相似形をなし、かつ
底面1bに向かうに従いその断面積が増加する形状をな
している。また、側面1cの曲面の曲率半径が一対の放
電電極間隔の0.5倍以上とするよう形成されている。
さらに、電極1内に液体を循環させるための循環路2が
形成されている。放電プラズマ処理装置に設置され、使
用状態では放電中のプラズマにより加熱された電極1の
表面温度を100℃以下とするよう上記循環路内に冷媒
を循環させる。
【0023】常圧プラズマ用電極の実施の形態として
は、上記した図1乃至図3に示す構造のものや、図4乃
至図6にに示す構造のものが適用される。これらの電極
はいずれも上記した本発明の常圧プラズマ用電極として
の特徴を備えたものとなっている。図6に示す構造の電
極13においては、放電面13aの形状は楕円形をな
し、図1に示す電極1の放電面1aの形状が四つの角に
丸みをおびた略長方形である点で異なるが、電極13内
に循環路(図示せず)も同様に形成されている。図4お
よび図5に示す電極11、12についても同様である。
なお、図4に示す電極11の側面は、曲面部分11c1
と平面部分11c2 を備えた構成となっている。
【0024】また、図7に本発明の実施の形態に適用さ
れる他の電極の断面斜視図を示す。この形態において
は、一方の電極14を曲率を有する側面14cが形成さ
れた構成とし、他方の電極15を放電部の同一面上に延
長された構成としている。
【0025】図8は、本発明の常圧プラズマ用電極を用
いた放電プラズマ処理装置の実施の形態の構成を示す模
式図である。この処理装置は、チャンバ6内に図1に示
した構成の平行平板型の電極が用いられており、この一
対の電極8,9のうち,電極9の対向面に固体誘電体4
が設置されており、この固体誘電体4と他方の電極8と
の間に放電プラズマ処理がなされる基材5が配置されて
いる。また、ガス供給源(図示せず)からの供給される
ガスをチャンバ6内に導くガス供給管7が設けられてい
る。さらに、チャンバ6の外部に、電極8,9間にパル
ス状の電圧を供給するパルス電源3が備えられている。
以上の構成の放電プラズマ処理装置によって、初めて休
止の無い長時間の連続常圧プラズマ処理が可能になっ
た。
【0026】以下、本発明の実施例および比較例を示
し、具体的かつ詳細に説明する。 <実施例1>図8に示した放電プラズマ装置に、図1に
示す冷却機構つき電極(電極幅350×長さ150m
m、放電面周縁から側面にかけての曲率半径50mm、
固体誘電体として酸化チタン10重量%+酸化アルミニ
ウム90重量%の金属酸化物1.5mm被覆)を電極間
隔2mmで設置した。
【0027】装置を真空排気した後、窒素を導入して1
011hPaとした。その後、電極間に窒素ガスを10
SLMで流した。10℃に冷却した純水を電極内に循環
させ、上下電極に波高値20kVのパルス電界(特願平
9−106066、図5)を周波数8kHzで印加し
た。以上の状態で放電時間24時間の連続放電を行っ
た。
【0028】この放電時間中の電極表面温度の推移を図
9に示す。図9に示すように、放電時間中、一度もアー
ク放電に移行せずグロー放電を維持し続けた。 <比較例1>図10に斜視図として示した冷却機構つき
の平行平板電極101(電極幅350×長さ150m
m、固体誘電体として酸化チタン10重量%+酸化アル
ミニウム90重量%の金属酸化物1.5mm被覆)を用
いた以外は実施例1と同じとした。この平行平板電極1
01には、図10におけるC−C断面図である図11お
よび、D−D断面図である図12に示すように、循環路
102が設けられている。
【0029】放電を開始して10分後に、角部よりアー
ク放電が生じ、アーク放電箇所の誘電体被膜が溶融し
た。アーク放電が生じた時の表面温度は35℃であっ
た。 <比較例2>循環純水を冷却しないこと以外は実施例1
と同じとし、開始時の水温は20℃であった。放電後、
図13に示すように温度が上昇し、表面温度は105℃
となった。放電時間5分で対向面間にアーク放電が生
じ、誘電体被覆が溶融した。 <実施例2>電極間にロール状のポリエチレンテレフタ
レート基材(東レ社製、ルミラーT50、幅300m
m、長さ300m、初期接触角60度)を10m/mi
nで走行させて放電時間30分間の連続親水処理した以
外は実施例1と同じとした。PET基材表面が窒素プラ
ズマに曝される時間は0.9秒である。放電時間中の電
極表面温度は30℃±2℃で、アーク放電は認められな
かった。
【0030】処理基材の接触角は基材全表面で略一定の
親水性を示し、その接触角は26度±5度以内であっ
た。 <実施例3>処理ガスとして0.2SLMの六フッ化プ
ロピレンと9.8SLMの窒素ガスの混合気を用いて連
続撥水処理した以外は実施例2と同じとした。放電時間
中の電極表面温度は実施例2と同様、30℃±2℃で、
アーク放電は認められなかった。
【0031】処理基材の接触角は基材全表面で略一定の
撥水性を示し、その接触角は105度±5度以内であっ
た。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の放電プラズ
マ処理装置によれば、処理の際のガス雰囲気を問わず、
大気圧近傍の圧力下で均一な放電プラズマを長時間、安
定的にグロー放電を維持し続けることが可能となった。
従って、工業プロセスにおける各種材料ないしは部品の
表面処理等に適用して、極めて有意義な結果をもたらす
ことになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に適用される常圧プラズマ
用電極の外観斜視図
【図2】図1に示す実施の形態におけるA−A断面図
【図3】図1に示す実施の形態におけるB−B断面図
【図4】本発明の実施の形態に適用される他の常圧プラ
ズマ用電極の断面図
【図5】本発明の実施の形態に適用される更に他の常圧
プラズマ用電極の断面図
【図6】本発明の実施の形態に適用される更に他の常圧
プラズマ用電極の外観斜視図
【図7】本発明の実施の形態に適用される更に他の常圧
プラズマ用電極の断面図
【図8】本発明の放電プラズマ処理装置の実施の形態の
構成を示す模式図
【図9】本発明の実施例1における放電時間中の電極表
面温度の推移を示す図
【図10】従来技術として比較例1に用いたプラズマ用
電極の外観斜視図
【図11】図10に示すプラズマ用電極のC−C断面図
【図12】図10に示すプラズマ用電極のD−D断面図
【図13】比較例2における放電時間中の電極表面温度
の推移を示す図
【符号の説明】
1,8,9,11,12,13,14,15 プラズマ
用電極 1a,13a 放電面 1b,13b 底面 2 循環路 3 パルス電源 4 固体誘電体 5 基材 7 ガス供給管

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大気圧近傍の圧力下のガス雰囲気中で一
    対の電極を対向配置し、この一対の電極の少なくとも一
    方の電極対向面に固体誘電体を設置した状態でこの一対
    の電極間に電圧を印加することにより発生した放電プラ
    ズマを用いる放電プラズマ処理装置において、上記一対
    を構成する電極は、互いに平行な放電面を有しており、
    放電面の周縁から側面にかけて曲面となるよう形成され
    ていることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】 大気圧近傍の圧力下のガス雰囲気中で一
    対の電極を対向配置し、この一対の電極の少なくとも一
    方の電極対向面に固体誘電体を設置した状態でこの一対
    の電極間に電圧を印加することにより発生した放電プラ
    ズマを用いる放電プラズマ処理装置において、当該一対
    を構成する電極は互いに平行な放電面を有しており、一
    方の電極は放電面の周縁から側面にかけて曲面となるよ
    う形成され、他方の電極の放電面は上記一方の電極の放
    電面の投影面の周縁から、電極間距離の1.2倍以上の
    長さに延長されてなる放電プラズマ処理装置。
  3. 【請求項3】 上記放電面の周縁から側面にかけて曲面
    が有する曲率半径が上記一対の放電電極間隔の0.5倍
    以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の
    放電プラズマ処理装置。
  4. 【請求項4】 上記一対を構成する電極内にそれぞれ液
    体を循環させるための循環路が形成されているととも
    に、放電中のプラズマにより加熱された上記電極表面温
    度を100℃以下とするよう上記循環路内に冷媒を循環
    するよう構成されたことを特徴とする請求項1〜3のい
    ずれかに記載の放電プラズマ処理装置。
  5. 【請求項5】 上記一対の電極のうち少なくとも一方の
    電極対向面に固体誘電体が設置され、かつ、上記一方の
    電極の対向面に設置された固体誘電体と他方の電極との
    間または上記一対の電極双方の対向面に設置された固体
    誘電体間に、基材が配置されるとともに、上記一対の電
    極間に上記パルス状の電圧を供給するパルス電源を備え
    てなり、大気圧近傍の圧力下で、上記一対の電極間に上
    記パルス状の電圧を印加することにより発生させた放電
    プラズマで上記基材の表面を処理するよう構成された放
    電プラズマ処理装置。
JP9273037A 1997-10-06 1997-10-06 放電プラズマ処理装置 Pending JPH11106531A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9273037A JPH11106531A (ja) 1997-10-06 1997-10-06 放電プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9273037A JPH11106531A (ja) 1997-10-06 1997-10-06 放電プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11106531A true JPH11106531A (ja) 1999-04-20

Family

ID=17522294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9273037A Pending JPH11106531A (ja) 1997-10-06 1997-10-06 放電プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11106531A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004103035A1 (ja) * 2003-05-14 2004-11-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置およびその製造方法
KR100464902B1 (ko) * 2001-02-12 2005-01-05 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
JP2005251719A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置およびその製造方法
JP2005302680A (ja) * 2003-05-14 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005302681A (ja) * 2003-05-14 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
WO2006035629A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
WO2008059641A1 (fr) * 2006-11-13 2008-05-22 Tokai Industry Corp. Système de circuit électrique/électronique avec un élément de verre conducteur
WO2008059847A1 (fr) * 2006-11-13 2008-05-22 Tokai Industry Corp. Système de circuit électrique/électronique avec élément en verre conducteur
JP2009021220A (ja) * 2007-06-11 2009-01-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、アンテナおよびプラズマ処理装置の使用方法
JP2009062579A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Fuji Electric Systems Co Ltd 成膜装置
JP2009119356A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Toshiba Corp 放電表面処理装置及び放電表面処理方法
JP2010129259A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kyocera Corp プラズマ発生電極、およびプラズマ反応器
CN113141700A (zh) * 2021-03-16 2021-07-20 深圳大学 大气压空气均匀介质阻挡放电的电极结构和方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464902B1 (ko) * 2001-02-12 2005-01-05 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
WO2004103035A1 (ja) * 2003-05-14 2004-11-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置およびその製造方法
JP2005302680A (ja) * 2003-05-14 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005302681A (ja) * 2003-05-14 2005-10-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005251719A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置およびその製造方法
US7886688B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
WO2006035629A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
US7886689B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
KR101020463B1 (ko) 2004-09-29 2011-03-08 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
WO2008059641A1 (fr) * 2006-11-13 2008-05-22 Tokai Industry Corp. Système de circuit électrique/électronique avec un élément de verre conducteur
WO2008059847A1 (fr) * 2006-11-13 2008-05-22 Tokai Industry Corp. Système de circuit électrique/électronique avec élément en verre conducteur
JP2009021220A (ja) * 2007-06-11 2009-01-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、アンテナおよびプラズマ処理装置の使用方法
JP2009062579A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Fuji Electric Systems Co Ltd 成膜装置
JP2009119356A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Toshiba Corp 放電表面処理装置及び放電表面処理方法
JP2010129259A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kyocera Corp プラズマ発生電極、およびプラズマ反応器
CN113141700A (zh) * 2021-03-16 2021-07-20 深圳大学 大气压空气均匀介质阻挡放电的电极结构和方法
CN113141700B (zh) * 2021-03-16 2022-07-12 深圳大学 大气压空气均匀介质阻挡放电的电极结构和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4233348B2 (ja) プラズマプロセス装置
JPH11106531A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP4141234B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5021877B2 (ja) 放電プラズマ処理装置
JP4963842B2 (ja) 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置
JP2003093869A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2000200697A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002151478A (ja) ドライエッチング方法及びその装置
JP2003338399A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2003218099A (ja) 放電プラズマ処理方法及びその装置
JP4136137B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2002058995A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3782708B2 (ja) 放電プラズマ処理装置及びそれを用いる放電プラズマ処理方法
JP2002155371A (ja) 半導体素子の製造方法及びその装置
JP2003317998A (ja) 放電プラズマ処理方法及びその装置
JP2002198356A (ja) プラズマ処理装置
JPH04180557A (ja) プラズマ処理装置
JP2000164582A (ja) プラズマ処理装置
JP2002008895A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3793451B2 (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2003163207A (ja) 残フォトレジストの除去処理方法
JP2003129246A (ja) 放電プラズマ処理装置
JPS6039088B2 (ja) 高分子樹脂の放電処理方法
JP2003168596A (ja) 放電プラズマ電極及びそれを用いた放電プラズマ処理装置
US6514582B1 (en) Quartz glass member for use in dry etching and dry etching system equipped with the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040707

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040906

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050831