JP4963842B2 - 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、上記目的を達成するために、請求項10記載の基板処理室の洗浄方法は、基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法であって、前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、前記第1のプラズマ処理ステップにおける前記空間の圧力は26.7Pa〜80.0Paに設定されることを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、請求項11記載の基板処理室の洗浄方法は、基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法であって、前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、前記第1のプラズマ処理ステップにおいて前記空間に印加される、前記第1のプラズマにおけるイオンが追随可能な周波数の高周波電力の大きさが0Wに設定されることを特徴とする。
もシリコンを含む処理室内部品の少なくとも一部が露出する空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって処理室内部品に付着物除去処理が施され、次いで、上記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって処理室内部品の表面において第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理が施される。付着物除去処理において第1のプラズマ及びシリコンから生成され、且つ処理室内部品の表面に付着した酸化物は第2のプラズマによって除去される。これにより、処理室内部品の表面における酸化膜の形成を防止することができる。その結果、パーティクルの発生を防止することができる。
(1)プラズマが生成された処理空間の圧力を高めると、プラズマは高周波電力を処理空間に印加する電極の近傍に偏在することが知られている。処理空間Sにおいても、酸素ガスから生成されたプラズマがサセプタ12の近傍に偏在し、その結果、側壁部材45の近傍におけるプラズマが疎となり、側壁部材45の近傍における酸素イオンの数が少なくなる。これにより、側壁部材45に到達する酸素イオンの数が少なくなる。
(2)処理室の壁面に流れ込むイオンの流量(イオンフラックス)γiは、下記式によって表される。
γi = 0.61×Ni×(e×Te/M)1/2
Niは側壁部材45の近傍に発生するシースにおけるイオン密度、Teは電子温度、Mはイオン質量を示す。
(1)電極板表面−空間電位差を0eVにする方法
電極板表面−空間電位差が0eVである場合、処理空間Sに存在する酸素イオンは上部電極板38に引き込まれないため、上部電極板38の表面に殆ど到達せず、その結果、上部電極板38の表面に到達する酸素イオンの数を減らすことができる。尚、上記表3に示すように、電極板表面−空間電位差が0eVである場合、上部電極板38の表面において酸化膜が形成されないことから、本方法は上部電極板38の表面における酸化膜の形成防止に有効であることが確認された。
(2)40MHzの高周波電力の大きさを小さくする
40MHzの高周波電力の大きさを小さくすると、処理空間Sにおいて生成されるプラズマの量、引いては酸素イオンの量が減少する。その結果、処理空間Sから上部電極板38の表面に到達する酸素イオンの数を減らすことができる。尚、上記表2に示すように、40MHzの高周波電力の大きさを500W以下にした場合、上部電極板38の表面において酸化膜が形成されないことから、本方法も上部電極板38の表面における酸化膜の形成防止に有効であることが確認された。
W ウエハ
10 プラズマ処理装置
11 基板処理室
12 サセプタ
20 高周波電源
34 ガス導入シャワーヘッド
38 上部電極板
46 他の高周波電源
49 直流電源
Claims (12)
- 基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法であって、
前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有することを特徴とする基板処理室の洗浄方法。 - 前記処理室内部品は前記空間に搬入された基板に対向して配置され、且つ直流電源に接続された電極であることを特徴とする請求項1記載の基板処理室の洗浄方法。
- 前記第1のプラズマ処理ステップにおける前記空間の圧力は26.7Pa〜80.0Paに設定されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理室の洗浄方法。
- 前記第1のプラズマ処理ステップにおいて前記空間に印加される、前記第1のプラズマにおけるイオンが追随可能な周波数の高周波電力に起因して前記処理室内部品の表面に発生する電位と、前記空間の電位との差が150eV以上に設定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理室の洗浄方法。
- 前記第1のプラズマ処理ステップにおいて前記空間に印加される、前記第1のプラズマにおけるイオンが追随可能な周波数の高周波電力の大きさが0Wに設定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理室の洗浄方法。
- 前記第1のプラズマ処理ステップにおいて前記空間に印加される、前記第1のプラズマにおけるイオンが追随不可能な周波数の高周波電力の大きさが500W以下に設定されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理室の洗浄方法。
- 基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理モジュールと、
前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室を有する基板処理装置において、
前記空間に所定のガスを導入するガス導入装置と、
前記ガスが導入された空間に高周波電力を印加してプラズマを生成する電極と、
前記空間に酸素ガスが導入されたときに、前記電極は前記空間に高周波電力を印加して第1のプラズマを生成し、前記空間から前記第1のプラズマが除去されて前記空間に四弗化炭素ガスが導入されたときに、前記電極は前記空間に高周波電力を印加して前記第1のプラズマによる処理中に形成された酸化物を除去する第2のプラズマを生成するよう制御する制御部と
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理室内部品は前記空間に搬入された基板に対向して配置され、且つ直流電源に接続された電極であることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法であって、
前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記第1のプラズマ処理ステップにおける前記空間の圧力は26.7Pa〜80.0Paに設定されることを特徴とする基板処理室の洗浄方法。 - 基板が搬入される空間を有し且つ該空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室であって、前記空間に少なくとも一部が露出し且つ少なくともシリコンを含む処理室内部品を備える基板処理室の洗浄方法であって、
前記空間に導入された酸素ガスから生成された第1のプラズマによって前記処理室内部品に付着物除去処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
前記空間に導入された四弗化炭素ガスから生成された第2のプラズマによって前記処理室内部品の表面において前記第1のプラズマ処理ステップ中に形成された酸化物の除去処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記第1のプラズマ処理ステップにおいて前記空間に印加される、前記第1のプラズマにおけるイオンが追随可能な周波数の高周波電力の大きさが0Wに設定されることを特徴とする基板処理室の洗浄方法。 - 前記第2のプラズマ処理ステップにおいて、前記空間に印加される、前記第2のプラズマにおけるイオンが追従可能な周波数の高周波電力を印加することを特徴とする請求項11記載の基板処理室の洗浄方法。
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