JP5677482B2 - パーティクル付着抑制方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
に低下させることができる。
わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
まず、基板処理装置10において、互いにレシピ(反応室17内部圧力、プラズマ生成電力やバイアス電力の設定値)が異なるプロセスA乃至Eについて図2の電源制御シーケンスを実行した場合におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、それぞれ実施例1乃至5として下記表1に示した。このとき、電源制御シーケンスにおけるドライエッチング処理後のプラズマ生成電力を、ドライエッチング処理時のプラズマ生成電力の40%以下まで低下させた。
次に、基板処理装置10において、プロセスA乃至Eについて従来の電源制御シーケンスを実行した場合におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、それぞれ比較例1乃至5として下記表1に示した。なお、本比較例における従来の電源制御シーケンスでは、ドライエッチング処理後、直ちに上部電極33への直流電力の印加、プラズマ生成電力の印加及びバイアス電力の印加を終了した。
基板処理装置10において、上部電極33への直流電力の印加及びプラズマ生成電力の印加のみが実行されるプロセスFについて図2の電源制御シーケンスを実行した場合(但し、バイアス電力の印加は実行しない。)におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、実施例6として下記表2に示した。このときも電源制御シーケンスにおけるドライエッチング処理後のプラズマ生成電力を、ドライエッチング処理時のプラズマ生成電力の40%以下まで低下させた。
次に、基板処理装置10において、プロセスFについて従来の電源制御シーケンスを実行した場合におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、比較例6として下記表2に示した。なお、本比較例における従来の電源制御シーケンスでは、ドライエッチング処理後、直ちに上部電極33への直流電力
の印加及びプラズマ生成電力の印加を終了した。
まず、基板処理装置10において、プラズマ生成電力の印加及びバイアス電力の印加のみが実行されるプロセスG及びHについて図2の電源制御シーケンスを実行した場合(但し、上部電極33への直流電力の印加は実行しない。)におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、それぞれ実施例7,8として下記表3に示した。このときも電源制御シーケンスにおけるドライエッチング処理後のプラズマ生成電力を、ドライエッチング処理時のプラズマ生成電力の40%以下まで低下させた。
次に、基板処理装置10において、プロセスG及びHについて従来の電源制御シーケンスを実行した場合におけるウエハWの表面に付着した大きさが0.08μmより小さいパーティクルの数をカウントし、それぞれ比較例7,8として下記表3に示した。なお、本比較例における従来の電源制御シーケンスでは、ドライエッチング処理後、直ちにプラズマ生成電力の印加及びバイアス電力の印加を終了した。
10 基板処理装置
12 サセプタ
15 第2の直流電源
17 反応室
19 第1の高周波電源
31 第2の高周波電源
33 上部電極
Claims (5)
- 基板を収容し且つ内部にプラズマが生じる収容室と、前記収容された基板を載置する載置台と、該載置台に前記プラズマを引き込むためのバイアス電力を印加する第1の電源と、前記基板上の電子密度を制御するための電子密度制御電力を印加する第2の電源と、前記載置台に対向する対向電極とを備え、前記第2の電源は前記対向電極に直流電力を印加すると共に前記直流電力に加えて前記バイアス電力の周波数よりも高い周波数の高周波電力を印加する基板処理装置におけるパーティクル付着抑制方法であって、
前記プラズマによる処理の終了後における0.5秒乃至1.0秒において、前記第2の電源は、前記基板上の電子密度が前記プラズマによる処理時の電子密度よりも低くなるように、前記電子密度制御電力を制御する電子密度下降ステップを有し、
前記電子密度下降ステップにおいて、前記第1の電源は前記バイアス電力の印加を維持し、前記第2の電源は、前記直流電力を前記プラズマによる処理時の前記直流電力よりも低下させると共に、前記高周波電力を前記プラズマによる処理時の前記高周波電力よりも低下させることを特徴とするパーティクル付着抑制方法。 - 前記電子密度下降ステップにおいて、前記第2の電源は、前記高周波電力を前記プラズマによる処理時の前記高周波電力の40%以下まで低下させることを特徴とする請求項1記載のパーティクル付着抑制方法。
- 基板を収容し且つ内部にプラズマが生じる収容室と、前記収容された基板を載置する載置台と、該載置台に前記プラズマを引き込むためのバイアス電力を印加する第1の電源と、前記基板上の電子密度を制御するための電子密度制御電力を印加する第2の電源と、前記載置台に対向する対向電極とを備え、前記第2の電源は前記対向電極に直流電力を印加すると共に前記直流電力に加えて前記バイアス電力の周波数よりも高い周波数の高周波電力を印加する基板処理装置において、
前記第2の電源は、前記プラズマによる処理の終了後における0.5秒乃至1.0秒において、前記基板上の電子密度が前記プラズマによる処理時の電子密度よりも低くなるように前記電子密度制御電力を制御し、
前記0.5秒乃至1.0秒において、前記第1の電源は前記バイアス電力の印加を維持し、前記第2の電源は、前記直流電力を前記プラズマによる処理時の前記直流電力よりも低下させると共に、前記高周波電力を前記プラズマによる処理時の前記高周波電力よりも低下させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記電子密度制御電力はプラズマを生成するための電力であり、
前記電子密度制御電力が印加されて前記プラズマが生成される第1の領域と前記プラズマを用いて前記基板に処理を施す第2の領域とが同一又は隣接することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 - 前記0.5秒乃至1.0秒において、前記第2の電源は、前記高周波電力を前記プラズマによる処理時の前記高周波電力の40%以下まで低下させることを特徴とする請求項3又は4記載の基板処理装置。
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