JP4482308B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の第2の観点におけるプラズマ処理装置は、真空可能な処理容器と、前記処理容器内で所定位置に配置される被処理基板と対向するようにリング状に設置される1つまたは複数の第1の上部電極と、前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して配置される第2の上部電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の上部電極に印加する第1の給電部と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の給電部から分岐して前記第2の上部電極に供給する第2の給電部と、を有し、前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値が、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きく、前記第1の上部電極が、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有し、さらに、前記処理容器の内壁と前記第1の上部電極との間に配置される絶縁性部材と、前記第1の高周波が前記突出部および前記絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐための、前記突出部と前記絶縁性部材を覆うシールド部材とを有する。
また、本発明の第2の観点におけるプラズマ処理方法は、真空可能な処理容器内で所定位置に被処理基板を配置する工程と、前記処理容器内で前記所定位置の前記基板と対向してリング状に設置され、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有する1つまたは複数の第1の上部電極に第1の給電部を介して第1の高周波電源からの第1の高周波を印加するとともに、前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して設置された第2の上部電極に前記第1の給電部から分岐した第2の給電部を介して前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を印加し、前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値を、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きくする工程と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する工程と、前記第1の上部電極の直下付近で前記処理ガスをプラズマ化して、生成されたプラズマを拡散させるとともに、前記第2の上部電極の直下付近でも前記処理ガスをプラズマ化する工程と、前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施す工程とを有し、前記処理容器の内壁と前記第1の上部電極との間に絶縁性部材を配置し、前記第1の高周波が前記突出部および前記絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐために、前記突出部と前記絶縁性部材とをシールド部材で覆う。
また、本発明は、第1の上部電極が第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有する構成により、プラズマ生成空間に対して周辺側から半径方向内向きの電界を与え、プラズマを閉じ込めて、プラズマ密度の向上と均一化を効果的に実現することが可能であり、基板のエッジ付近における電子密度分布の均一性を向上させることもできる。さらに、本発明では、第1の上部電極の突出部が基板の外周端よりも径方向外側に位置しているので、これによって電子密度分布の均一性を一層向上させることができる。本発明において、第1の上部電極における突出部の突出量と径方向における基板との相対位置関係は、プラズマ密度の空間分布特性を左右する重要なファクタとなる。好ましくは、突出部の突出量を25mm以下に選んでよい。また、基板の外周端よりも半径方向外側に24mm〜30mm離れた位置に突出部の内径部分を設けるのが好ましい。
さらに、本発明の上記第1の観点によれば、第1の給電部が、第1の上部電極に周回方向で連続的に接続される第1の筒状導電部材を有し、第1の筒状導電部材の径方向外側にグランド電位に接続された第2の筒状導電部材を設ける構成により、第1の筒状導電部材と第2の筒状導電部材との間に前者(第1の筒状導電部材)を導波路とする同軸線路が形成される。導波路(第1の筒状導電部材)の径が大きいために、この同軸線路のインダクタンスは小さく、第2の給電部よりも第1の給電部が第1の高周波を伝搬しやすくなる。これにより、第1の上部電極には第1の高周波を多めに供給してその直下に相対的に強い電界強度を得られ、第2の上部電極には第1の高周波を少な目に供給してその直下に相対的に弱い電界強度が得られる。こうして、第1の上部電極の直下で相対的に強い電界で電子を加速させると同時に、第2の上部電極の直下では相対的に弱い電界で電子を加速させるので、第1の上部電極の直下でプラズマの大部分ないし過半が生成され、第2の上部電極の直下では補助的にプラズマの一部が生成される。そして、第1の上部電極の直下で生成された高密度のプラズマが径方向の内側と外側に拡散することにより、上部電極(第1の上部電極、第2の上部電極)と基板との間のプラズマ処理空間においてプラズマ密度が径方向で均される。
また、本発明の上記第2の観点によれば、処理容器の内壁と第1の上部電極との間に配置される絶縁性部材と、第1の高周波が突出部および絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐための、突出部と絶縁性部材を覆うシールド部材とを更に有する構成により、突出部の下面および絶縁性部材の下面が第1の高周波の通り道ではなくなり、その直下でのプラズマ生成が大幅に減少するので、プラズマを被処理体直下に閉じ込めて、プラズマ密度の均一性を一層向上させることができるとともに、処理容器への不所望な重合膜の堆積を効果的に防止することができる。
Lo=K・In(b/ao) ‥‥‥(1)
ただし、Kは導電路の移動度および誘電率で決まる定数である。
Li=K・In(b/ai) ‥‥‥(2)
Pmax/Eo 2 max=ao 2[In(b/ao)]2/2Zo ‥‥‥(3)
ここで、Zoは整合器44側からみた当該同軸線路の入力インピーダンスであり、EomaxはRF伝送系の最大電界強度である。
ウエハ口径=200mm
チャンバ内の圧力=15mTorr、
温度(上部電極/チャンバ側壁/下部電極)=60/50/20゜C、
電熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=15/25Torr、
上部及び下部電極間距離=50mm
プロセスガス(C5F8/Ar/O2)≒流量20/380/20sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒2200W/1500W(C78=500pF,1000pF),1800W(C78=120pF)
ウエハ口径=300mm
チャンバ内の圧力=25mTorr
温度(上部電極/チャンバ側壁/下部電極)=60/60/20゜C
伝熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=15/40Torr
上部及び下部電極間距離=45mm
プロセスガス(C5F8/Ar/O2)≒流量30/750/50sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒3300W/3800W
測定時間=120秒
ウエハ口径=300mm
チャンバ内の圧力=20mTorr
温度(上部電極/チャンバ側壁/下部電極)=20/60/60゜C
伝熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=20/35Torr
上部及び下部電極間距離=45mm
外側上部電極の突出量(H)=15mm
プロセスガス(C5F8/CH2F2/N2/Ar/O2)≒10/20/110/560/10sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒2300W/3500W
エッチング時間=120秒
2CF2+SiO2→SiF4+2CO
ウエハ口径=200mm
チャンバ内の圧力=50mTorr
温度(上部電極/チャンバ側壁/下部電極)=20/60/60゜C
伝熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=10/35Torr
上部及び下部電極間距離=30mm
外側上部電極の突出量(H)=15mm
プロセスガス(C4F8/N2/Ar)≒5/120/1000sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒1200W/1700W
ウエハ口径=300mm
チャンバ内の圧力=150mTorr
伝熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=10/25Torr
上部及び下部電極間距離=30mm
外側上部電極の突出量(H)=15mm
プロセスガス(CF4)≒200sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒500W/600W
エッチング時間=30秒
ウエハ口径=300mm
チャンバ内の圧力=20mTorr
温度(上部電極/チャンバ側壁/下部電極)=20/60/60゜C
伝熱ガス(Heガス)供給圧力(センター部/エッジ部)=20/35Torr
上部及び下部電極間距離=45mm
外側上部電極の突出量(H)=15mm
プロセスガス(C5F8/CH2F2/N2/Ar/O2)≒10/20/110/560/10sccm
高周波電力(60MHz/2MHz)≒2300W/3500W
RFパワー比(内側投入電力Pi/外側投入電力Po)=30:70
エッチング時間=120秒
16 サセプタ(下部電極)
34 上部電極
36 外側上部電極
36A 上部電極部材
36B 下部電極部材
38 内側上部電極
40 誘電体
44 整合器
48 コネクタ
50 給電筒
52 第1の高周波電源
56 電極板
58 電極支持板
60 環状隔壁部材
62 中心ガス導入室
(62,56a) 中心シャワーヘッド
64 周辺ガス導入室
(64,56a) 周辺シャワーヘッド
66 処理ガス供給源
68 ガス供給管
70a,70b 流量制御弁
84 排気装置
90 第2の高周波電源
92 ローパスフィルタ
93 可変抵抗器
94 ハイパスフィルタ
100 導体部材
102 シールド部材
Claims (38)
- 真空可能な処理容器と、
前記処理容器内で所定位置に配置される被処理基板と対向するようにリング状に設置される1つまたは複数の第1の上部電極と、
前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して配置される第2の上部電極と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の上部電極に印加する第1の給電部と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の給電部から分岐して前記第2の上部電極に供給する第2の給電部と
を有し、
前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値が、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きく、
前記第1の上部電極が、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有し、
前記第1の給電部が、前記第1の上部電極に周回方向で連続的に接続される第1の筒状導電部材を有し、
前記第1の筒状導電部材の径方向外側にグランド電位に接続された第2の筒状導電部材を設ける、
プラズマ処理装置。 - 前記第1の筒状導電部材の径サイズに対する第2の筒状導電部材の径サイズの比が1.2〜2.0の範囲内に選ばれる、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記径サイズの比が1.5〜1.7の範囲内に選ばれる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の筒状導電部材と前記第1の上部電極とで囲まれる空間の1/10〜1/3を埋める導体部材を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の内壁と前記第1の上部電極との間に配置される絶縁性部材を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波が前記突出部および前記絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐための、前記突出部と前記絶縁性部材を覆うシールド部材を有する、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 真空可能な処理容器と、
前記処理容器内で所定位置に配置される被処理基板と対向するようにリング状に設置される1つまたは複数の第1の上部電極と、
前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して配置される第2の上部電極と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の上部電極に印加する第1の給電部と、
前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の給電部から分岐して前記第2の上部電極に供給する第2の給電部と
を有し、
前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値が、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きく、
前記第1の上部電極が、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有し、
さらに、前記処理容器の内壁と前記第1の上部電極との間に配置される絶縁性部材と、前記第1の高周波が前記突出部および前記絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐための、前記突出部と前記絶縁性部材を覆うシールド部材とを有する、
プラズマ処理装置。 - 前記シールド部材が導体または半導体で構成される、請求項6または請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シールド部材が前記第1の上部電極の下から前記処理容器の内壁まで延びる、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シールド部材が、前記突出部から電気的に分離し、グランドに接地されている前記処理容器に電気的に接続される、請求項6〜9のいずれか一項記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極が導電体または半導体で構成される、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極が前記第2の上部電極の1/4倍〜1倍の面積を有する、請求項1〜11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極が、前記第1の給電部に接続される第1の電極部材と、前記基板と対向するように前記第1の電極部材の下面に着脱可能に固着される第2の電極部材とを有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極部材が冷媒を通すための冷媒通路を有する、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極部材と前記第2の電極部材との間に熱抵抗を低くするための膜またはシートを設ける、請求項13または請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の給電部が分岐する箇所から前記第1の上部電極までの区間における前記第1の給電部のインダクタンスが前記第2の給電部のインダクタンスよりも小さくなるように構成する、請求項1〜15のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極が1つのリング形電極で構成される、請求項1〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の給電部が可変コンデンサを有する、請求項1〜17のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波電源の出力インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させるために前記第1の高周波電源の出力端子に接続される第1の整合器を有し、前記第1の整合器の出力端子からみた前記第1の高周波電源に対する負荷インピーダンスのリアクタンスが容量性である、請求項1〜18のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極と前記第2の上部電極との間に形成される隙間に誘電体が設けられる、請求項1〜19のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の給電部の周囲に導体部材を設ける、請求項1〜20のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の給電部の周囲に、前記第2の給電部のインダクタンスを小さくするための誘導電流が流れる導体部材を設ける、請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導体部材が、前記第2の給電部の周囲で、前記第2の給電部を流れる電流によって生成される磁束と鎖交する閉回路を形成する、請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導体部材が、前記第2の給電部の回りを囲むように環状に配置される、請求項23に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導体部材が1つのリング形導体で構成される、請求項24に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極における前記突出部の突出量が25mm以下に選ばれる、請求項1〜25のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の上部電極における前記突出部の内径部分が、前記所定位置に配置される前記基板の外周端よりも半径方向外側に24mm〜30mm離れた位置に設けられる、請求項1〜26のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記所定位置に配置される前記基板側からみて前記第2の上部電極の背部または背後に前記処理ガス供給部からの前記処理ガスを導入するためのガス導入室が設けられ、前記第2の上部電極に前記ガス導入室から前記基板に向けて前記処理ガスを噴出するための多数のガス噴出孔が形成される、請求項1〜27のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の上部電極が、少なくとも直流を通す第1のローパスフィルタを介してグランド電位に電気的に接続される、請求項1〜28のいずれか一項記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1のローパスフィルタが、前記第2の上部電極に生成される直流電位を調節するための抵抗を有し、前記抵抗が可変抵抗器を含む、請求項29記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の上部電極が、可変直流電源を介してグランド電位に接続される、請求項1〜30のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内の前記所定位置で前記基板を載置するために前記第1および第2の上部電極と対向して配置される下部電極が設けられ、
前記下部電極に、前記第1の高周波よりも周波数の低い第2の高周波電源からの第2の高周波が印加され、
前記第2の上部電極が、前記第1の高周波を通さずに前記第2の高周波を通す第2のローパスフィルタを介してグランド電位に電気的に接続される、
請求項1〜31のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 真空可能な処理容器内で所定位置に被処理基板を配置する工程と、
前記処理容器内で前記所定位置の前記基板と対向してリング状に設置され、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有する1つまたは複数の第1の上部電極に第1の給電部を介して第1の高周波電源からの第1の高周波を印加するとともに、前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して設置された第2の上部電極に前記第1の給電部から分岐した第2の給電部を介して前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を印加し、前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値を、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きくする工程と、
前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の上部電極の直下付近で前記処理ガスをプラズマ化して、生成されたプラズマを拡散させるとともに、前記第2の上部電極の直下付近でも前記処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施す工程と
を有し、
前記第1の給電部として、前記第1の上部電極に周回方向で連続的に接続される第1の筒状導電部材を用い、
前記第2の給電部が分岐する箇所から前記第1の上部電極までの区間における前記第1の給電部のインダクタンスが前記第2の給電部のインダクタンスよりも小さく、
前記第1の筒状導電部材と前記第1の筒状導電部材の径方向外側に設けられたグランド電位の第2の筒状導電部材とで前記第1の筒状導電部材を導波路とする同軸線路が構成される、
プラズマ処理方法。 - 前記第2の給電部に可変コンデンサを設け、前記第1の高周波電源から前記第1および第2の上部電極にそれぞれ供給される電力の比率を調整する、請求項33に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の給電部の周囲に導体部材が設けられ、前記第2の給電部のインダクタンスを小さくする誘導電流が前記導体部材で流れる、請求項33または請求項34に記載のプラズマ処理方法。
- 真空可能な処理容器内で所定位置に被処理基板を配置する工程と、
前記処理容器内で前記所定位置の前記基板と対向してリング状に設置され、前記基板の外周端よりも径方向外側で前記第2の上部電極の下面よりも下方に突出する突出部を有する1つまたは複数の第1の上部電極に第1の給電部を介して第1の高周波電源からの第1の高周波を印加するとともに、前記第1の上部電極の半径方向内側に絶縁して設置された第2の上部電極に前記第1の給電部から分岐した第2の給電部を介して前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を印加し、前記第1の高周波電源から前記第1の上部電極に印加される高周波電力の値を、前記第1の高周波電源から前記第2の上部電極に印加される高周波電力の値よりも大きくする工程と、
前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の上部電極の直下付近で前記処理ガスをプラズマ化して、生成されたプラズマを拡散させるとともに、前記第2の上部電極の直下付近でも前記処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施す工程と
を有し、
前記処理容器の内壁と前記第1の上部電極との間に絶縁性部材を配置し、
前記第1の高周波が前記突出部および前記絶縁性部材からプラズマ処理空間に供給されるのを防ぐために、前記突出部と前記絶縁性部材とをシールド部材で覆う、
プラズマ処理方法。 - 前記第2の上部電極が、可変直流電源を介してグランド電位に接続される、請求項33〜36のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の上部電極を抵抗を介してグランド電位に接続し、前記第2の上部電極に生成される直流電位が高すぎることによる前記処理容器内の異常放電を防止し、かつ前記直流電位が低すぎることによる前記第2の上部電極の消耗を抑制するように、前記抵抗の抵抗値を選定または調整して前記直流電位の値を適切な範囲内に設定する、請求項33〜37のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
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