JP4838525B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4838525B2 JP4838525B2 JP2005102586A JP2005102586A JP4838525B2 JP 4838525 B2 JP4838525 B2 JP 4838525B2 JP 2005102586 A JP2005102586 A JP 2005102586A JP 2005102586 A JP2005102586 A JP 2005102586A JP 4838525 B2 JP4838525 B2 JP 4838525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- frequency
- variable
- plasma
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
16 サセプタ(下部電極)
34 上部電極
44 上部整合器
52 上部高周波電源
66 処理ガス供給源
88 下部整合器
90 下部高周波電源
100 主制御部
102 整合回路
C1,C2,C3 可変コンデンサ
L1 可変インダクタンスコイル
104 コントローラ
106 RFセンサ
108,110 ステップモータ
112 Vpp測定回路
114,116 反射波測定回路
122 プロセッサ(CPU)
124 メモリ(RAM)
128 プログラム記憶装置(HDD)
138 記憶媒体
Claims (15)
- 減圧可能なチャンバ内でプラズマを生成するために前記チャンバの中または外に配置された第1の高周波電極に第1の高周波電源より第1の周波数を有する第1の高周波を可変のインピーダンスを有する第1の可変整合器を介して給電し、前記チャンバ内のプラズマ処理位置に配置された被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記チャンバ内でプラズマを着火させるために、前記第1の可変整合器における可変インピーダンスのうち前記第1の高周波電極に得られる高周波電圧の波高値が最大になる第1のインピーダンスの下で前記第1の高周波電極に対する前記第1の高周波の給電を開始する第1の工程と、
前記チャンバ内でプラズマの着火した後に前記第1の高周波電源側のインピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるように前記第1の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第2の工程と
を有するプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内を減圧し、放電が発生しない程度のパワーで前記第1の高周波を前記第1の高周波電極に給電して、前記第1の可変整合器を可変範囲内の選定された複数のインピーダンスに順次切り替える第3の工程と、
各々の前記インピーダンスの下で前記第1の可変整合器の出力端子から前記第1の高周波電極までの導波路上に得られる高周波電圧の波高値を測定して測定値を記録する第4の工程と、
前記複数のインピーダンスの中で前記電圧波高値の測定値が最大値になるときのインピーダンスを前記第1のインピーダンスとして登録する第5の工程と
を有する請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内に前記第1の高周波電極と第2の高周波電極とを一定のギャップを隔てて平行に配置し、前記第2の高周波電極に第2の高周波電源より第2の周波数を有する第2の高周波を可変のインピーダンスを有する第2の可変整合器を介して給電する、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記チャンバ内でプラズマの着火した後に、前記第2の高周波電極に対する前記第2の高周波の給電を開始する、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の可変整合器における可変インピーダンスのうち前記第2の高周波電極に得られる高周波電圧の波高値が最小になる第2のインピーダンスの下で前記第2の高周波の給電を開始する第6の工程と、
前記第2の高周波の給電を開始して予め設定した時間が経過してから、またはプラズマが着火したことをセンサで光学的に確認してから、前記第2の高周波電源側のインピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるように前記第2の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第7の工程と
を有する請求項4に記載のプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内を減圧し、放電が発生しない程度のパワーで前記第2の高周波を前記第2の高周波電極に給電して、前記第2の可変整合器を可変範囲内の選定された複数のインピーダンスに順次切り替える第8の工程と、
各々の前記インピーダンスの下で前記第2の可変整合器の出力端子から前記第2の高周波電極までの導波路上に得られる高周波電圧の波高値を測定して測定値を記録する第9の工程と、
前記複数のインピーダンスの中で前記電圧波高値が最小値になるときのインピーダンスを前記第2のインピーダンスとして登録する第10の工程と
を有する請求項5に記載のプラズマ処理方法。 - 被処理基板にプラズマ処理を施すための減圧された空間を与えるチャンバと、
プラズマ生成のために前記チャンバの中または外に配置された第1の高周波電極と、
前記チャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記チャンバ内を減圧するための排気部と、
前記プラズマ生成のための第1の周波数を有する第1の高周波を設定されたパワーで出力する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源と前記第1の高周波電極との間に電気的に接続された第1の可変整合器と、
前記チャンバ内でプラズマを着火させるために、前記第1の可変整合器における可変インピーダンスのうち前記第1の高周波電極に得られる高周波電圧の波高値が最大になる第1のインピーダンスの下で前記第1の高周波電極に対する前記第1の高周波の給電を開始し、前記チャンバ内でプラズマの着火した後に前記第1の高周波電源側のインピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるように前記第1の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第1のマッチング制御部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1の可変整合器が、1個または複数個の可変リアクタンス素子を有する、請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1のマッチング制御部が、
前記負荷インピーダンスを測定するための第1の負荷インピーダンス測定回路と、
前記チャンバ内でプラズマの着火した後に前記負荷インピーダンスの測定値が前記第1の高周波電源側に得られる反射波の電力が最小になるときの第1の基準インピーダンスに一致するように前記第1の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第1のオートマッチング制御部と
を有する、請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理装置。 - 前記チャンバ内に前記第1の高周波電極と一定のギャップを隔てて平行に配置される第2の高周波電極と、
第2の周波数を有する第2の高周波を設定されたパワーで出力する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源と前記第2の高周波電極との間に電気的に接続された第2の可変整合器と、
前記チャンバ内でプラズマが着火した後に前記第2の高周波電極に対する前記第2の高周波の給電を開始し、前記第2の高周波電源側のインピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるように前記第2の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第2のマッチング制御部と
を有する、請求項7〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2の可変整合器が、1個または複数個の可変リアクタンス素子を有する、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2のマッチング制御部が、前記第2の可変整合器における可変インピーダンスのうち前記第2の高周波電極に得られる高周波電圧の波高値が最小になる第2のインピーダンスで前記第2の高周波の給電を開始する、請求項10または請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2のマッチング制御部が、
前記負荷インピーダンスを測定するための第2の負荷インピーダンス測定回路と、
前記負荷インピーダンスの測定値が前記第2の高周波電源側に得られる反射波の電力が最小になるときの第2の基準インピーダンスに一致するように前記第2の可変整合器のインピーダンスを可変制御する第2のオートマッチング制御部と
を有する、請求項10〜12のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2の高周波電極の上に前記被処理基板が載置され、前記第1の高周波電極に前記第2の高周波電極に向けて前記処理ガスを吐出するためのガス噴出孔が設けられる、請求項10〜13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 高周波電源よりプラズマ生成用の高周波を高周波電極に給電するために前記高周波電源と前記高周波電極との間に接続される可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラムであって、
前記チャンバ内を減圧し、放電が発生しない程度のパワーで前記高周波を前記高周波電極に給電して、前記可変整合器を可変範囲内の選定された複数のインピーダンスに順次切り替えるステップと、
各々の前記インピーダンスの下で前記可変整合器の出力端子から前記高周波電極までの導波路上に得られる高周波電圧の波高値を測定して測定値を記録するステップと、
前記複数のインピーダンスの中で前記電圧波高値の測定値が最大値になるときのインピーダンスを前記プリセット値とするステップと
を実行する、可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005102586A JP4838525B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム |
US11/392,746 US7794615B2 (en) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | Plasma processing method and apparatus, and autorunning program for variable matching unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005102586A JP4838525B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011002823A Division JP5100853B2 (ja) | 2011-01-11 | 2011-01-11 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006286306A JP2006286306A (ja) | 2006-10-19 |
JP4838525B2 true JP4838525B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=37408013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005102586A Active JP4838525B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4838525B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102308684B1 (ko) * | 2020-10-16 | 2021-10-05 | (주)에이에스엔지니어링 | 다중 점화위치 조정 기능을 가지는 임피던스 정합 장치 및 정합 방법 |
US11961712B2 (en) | 2021-04-26 | 2024-04-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Combining the determination of single and mutual, preset preserving, impedance loads with advances in single and double sensor calibration techniques in the application of single and pairwise calibration of sensors |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4887197B2 (ja) * | 2006-12-29 | 2012-02-29 | 株式会社ダイヘン | 高周波装置 |
US8203859B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-06-19 | Daihen Corporation | High frequency device with variable frequency and variable load impedance matching |
JP4943879B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR100915613B1 (ko) | 2007-06-26 | 2009-09-07 | 삼성전자주식회사 | 펄스 플라즈마 매칭시스템 및 그 방법 |
JP5049727B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-10-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5210659B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-06-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US9017533B2 (en) * | 2008-07-15 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling radial distribution of plasma ion density and ion energy at a workpiece surface by multi-frequency RF impedance tuning |
US20110209995A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Applied Materials, Inc. | Physical Vapor Deposition With A Variable Capacitive Tuner and Feedback Circuit |
US9320126B2 (en) * | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
JP6037292B2 (ja) | 2013-08-20 | 2016-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6282128B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2018-02-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びfsvの制御方法 |
JP6479562B2 (ja) * | 2015-05-07 | 2019-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の処理条件生成方法及びプラズマ処理装置 |
KR101727110B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2017-05-04 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 방전 포인트 자동 탐색 방법, 임피던스 매칭 방법 및 이를 위한 임피던스 매칭 장치 |
CN110648888B (zh) * | 2018-06-27 | 2020-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 射频脉冲匹配方法及其装置、脉冲等离子体产生系统 |
JP7374023B2 (ja) | 2020-03-09 | 2023-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及びプラズマ処理装置 |
US11587765B2 (en) | 2020-11-22 | 2023-02-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition optimization in semiconductor processing chambers |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240829A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Fujitsu Ltd | モデムトレ−ニング信号検出器 |
JPH04133425A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング装置 |
JPH09134799A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Jeol Ltd | 高周波装置 |
JPH11233487A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置 |
JP4286404B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 整合器およびプラズマ処理装置 |
JP4131793B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2008-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 高周波電源及びその制御方法、並びにプラズマ処理装置 |
JP4024053B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-12-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
JP4493896B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 |
JP4482308B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005102586A patent/JP4838525B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102308684B1 (ko) * | 2020-10-16 | 2021-10-05 | (주)에이에스엔지니어링 | 다중 점화위치 조정 기능을 가지는 임피던스 정합 장치 및 정합 방법 |
US11961712B2 (en) | 2021-04-26 | 2024-04-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Combining the determination of single and mutual, preset preserving, impedance loads with advances in single and double sensor calibration techniques in the application of single and pairwise calibration of sensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006286306A (ja) | 2006-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4838525B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム | |
US7794615B2 (en) | Plasma processing method and apparatus, and autorunning program for variable matching unit | |
CN109104807B (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP5227245B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10250217B2 (en) | Method for impedance matching of plasma processing apparatus | |
JP6224958B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US8193097B2 (en) | Plasma processing apparatus and impedance adjustment method | |
EP1656694B1 (en) | High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies | |
US9324600B2 (en) | Mounting table structure and plasma film forming apparatus | |
KR20140104380A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US7771608B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
US20220238313A1 (en) | Apparatus for plasma processing and method of etching | |
JP4606944B2 (ja) | プラズマ処理装置およびインピーダンス調整方法 | |
KR100710923B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 임피던스 조정방법 | |
US20220037129A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2022530803A (ja) | 二重周波数、直接駆動誘導結合プラズマ源 | |
US20200185193A1 (en) | Plasma processing apparatus and etching method | |
KR20200069245A (ko) | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US20190318912A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5100853B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US11721525B2 (en) | Sensorless RF impedance matching network | |
US10541169B2 (en) | Method and system for balancing the electrostatic chucking force on a substrate | |
WO2021024823A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202130227A (zh) | 電漿處理系統及電漿點火支援方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110930 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4838525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |