JP6037292B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6037292B2 JP6037292B2 JP2014061808A JP2014061808A JP6037292B2 JP 6037292 B2 JP6037292 B2 JP 6037292B2 JP 2014061808 A JP2014061808 A JP 2014061808A JP 2014061808 A JP2014061808 A JP 2014061808A JP 6037292 B2 JP6037292 B2 JP 6037292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- coil
- discharge coil
- voltage generating
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/32119—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
環状チャンバを画定する誘電体部材と、
前記環状チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、を有し、
前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され、
プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットと、をさらに有し、
前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である、プラズマ処理装置が提供される。
基材をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
誘電体部材によって画定された環状チャンバ内にガスを導入しつつ、接地されている導体部材に対して前記環状チャンバを挟んで対向する放電用コイルに交流電力を供給することにより、前記環状チャンバ内にプラズマを発生させ、
前記環状チャンバ内に連通する開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対的に移動させることにより、前記基材にプラズマを曝露させ、
前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され、
プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計を用いてプラズマの発生を検知すると、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる、プラズマ処理方法が提供される。
放電用コイルに第1の電力値の交流電力を供給してプラズマを着火し、
プラズマの着火後に、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンス値を第2のインピーダンス値に変化させ、
放電用コイルに供給する交流電力を、前記第1の電力値に比べて大きい第2の電力値に変化させる、プラズマ処理方法が好ましい。これにより、プラズマを安定的に着火させることと、チャンバを画定する誘電体部材の絶縁破壊を抑制することとの両立がさらに図れる。
本発明の実施の形態1にかかるプラズマ処理装置について図1〜4を参照しながら説明する。
(1)高電圧発生用コンデンサ24のインピーダンス値を第1のインピーダンス値(例えば320Ω)に調整するためにその容量値を第1の容量値(320Ωに対応する125pF)に調整するとともに、高周波電力の電力値を第1の電力値(例えば5kW)に設定する第1のステップ、
(2)第1の放電用コイル3に高周波電力を供給してプラズマFを着火する第2のステップ、
(3)プラズマFの着火後に、高電圧発生用コンデンサ24のインピーダンス値が第1のインピーダンス値に比べて小さい第2のインピーダンス値(例えば80Ω)になるように、高電圧発生用コンデンサ24の容量値を第2の容量値(80Ωに対応する500pF)に調整する第3のステップ、および、
(4)高周波電力の電力値を第1の電力値に比べて大きい第2の電力値(例えば30kW)に設定する第4のステップ、を含んでいる。
以下、本発明の実施の形態2について、図5を参照しながら説明する。なお、プラズマトーチユニットT及び整合回路18の構成は、上述の実施の形態1のものと同一である。
以下、本発明の実施の形態3について、図6を参照しながら説明する。なお、プラズマトーチユニットT及び整合回路18の構成は、上述の実施の形態1のものと同一である。
以下、本発明の実施の形態4について、図7を参照しながら説明する。なお、プラズマトーチユニットT及び整合回路18の構成は、上述の実施の形態1のものと同一である。
以下、本発明の実施の形態5について、図8及び図9を参照しながら説明する。
3 第1のコイル
4 誘電体部材(第1のセラミックスブロック)
5 誘電体部材(第2のセラミックスブロック)
7 チャンバ
8 開口
11 ガス導入部(プラズマガス供給穴)
13 導体部材(第2のコイル)
24 電圧発生用コンデンサ
25 電圧発生用コイル
50 移動機構(ローラ)
P プラズマ
Claims (9)
- 環状チャンバを画定する誘電体部材と、
前記環状チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、を有し、
前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され、
プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットと、をさらに有し、
前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である、プラズマ処理装置。 - 前記導体部材が第2の放電用コイルである、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルとは異なる調整用コンデンサまたは調整用コイルをさらに有し、
前記調整用コンデンサまたは前記調整用コイル、前記放電用コイル、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイル、の順にこれらが直列に接続されている、請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電圧発生用コンデンサと前記調整用コンデンサの直列合成キャパシタンスまたは前記電圧発生用コイルと前記調整用コイルの直列合成インダクタンスを一定に維持した状態で、前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを調整することが可能に構成されている、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電用コイルに供給する交流電力の周波数が10kHz以上10MHz以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口が、その開口縁を含む平面が前記基材の処理対象の表面に対して平行になるように、前記基材に対して相対的に配置される、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 基材をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
誘電体部材によって画定された環状チャンバ内にガスを導入しつつ、接地されている導体部材に対して前記環状チャンバを挟んで対向する放電用コイルに交流電力を供給することにより、前記環状チャンバ内にプラズマを発生させ、
前記環状チャンバ内に連通する開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対的に移動させることにより、前記基材にプラズマを曝露させ、
前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され、
プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計を用いてプラズマの発生を検知すると、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる、プラズマ処理方法。 - 前記導体部材が、第2の放電用コイルである、請求項7に記載のプラズマ処理方法。
- 前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンスを第1のインピーダンス値に設定し、
前記放電用コイルに第1の電力値の交流電力を供給してプラズマを着火し、
プラズマの着火後に、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンス値を第2のインピーダンス値に変化させ、
前記放電用コイルに供給する交流電力を、前記第1の電力値に比べて大きい第2の電力値に変化させる、請求項7または8に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014061808A JP6037292B2 (ja) | 2013-08-20 | 2014-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US14/301,450 US9583313B2 (en) | 2013-08-20 | 2014-06-11 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR20140070658A KR20150021440A (ko) | 2013-08-20 | 2014-06-11 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013170097 | 2013-08-20 | ||
JP2013170097 | 2013-08-20 | ||
JP2014061808A JP6037292B2 (ja) | 2013-08-20 | 2014-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015062160A JP2015062160A (ja) | 2015-04-02 |
JP6037292B2 true JP6037292B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=52479428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014061808A Expired - Fee Related JP6037292B2 (ja) | 2013-08-20 | 2014-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9583313B2 (ja) |
JP (1) | JP6037292B2 (ja) |
KR (1) | KR20150021440A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5617817B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 |
JP6515665B2 (ja) * | 2015-05-07 | 2019-05-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10896806B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-19 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
US10541114B2 (en) * | 2016-11-03 | 2020-01-21 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
US10903046B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-26 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
JP6837202B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2021-03-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基材加熱装置および方法および電子デバイスの製造方法 |
CN113543446A (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 台达电子工业股份有限公司 | 电源产生器的点火方法 |
JP7412268B2 (ja) * | 2020-05-11 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6168900A (ja) | 1984-05-25 | 1986-04-09 | 高周波熱錬株式会社 | プラズマト−チの着火方法 |
JPH0367496A (ja) | 1989-08-07 | 1991-03-22 | Jeol Ltd | 誘導プラズマ発生装置 |
US5591268A (en) * | 1994-10-14 | 1997-01-07 | Fujitsu Limited | Plasma process with radicals |
JP2001284333A (ja) * | 1996-11-27 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
TW403959B (en) | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6312554B1 (en) * | 1996-12-05 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling the ratio of reactive to non-reactive ions in a semiconductor wafer processing chamber |
TW376547B (en) | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
JP3736016B2 (ja) | 1997-03-27 | 2006-01-18 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
US6579426B1 (en) * | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
JP4852189B2 (ja) | 1999-03-09 | 2012-01-11 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100542459B1 (ko) | 1999-03-09 | 2006-01-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
JP2002343599A (ja) | 2001-03-16 | 2002-11-29 | Kazuo Terajima | プラズマ発生装置 |
US6583572B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil |
KR100513163B1 (ko) | 2003-06-18 | 2005-09-08 | 삼성전자주식회사 | Icp 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 발생장치 |
JP2006032303A (ja) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 高周波プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2006221852A (ja) | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Anelva Corp | 誘導結合型プラズマ発生装置 |
JP4838525B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び可変整合器におけるインピーダンスのプリセット値を決定するためのプログラム |
US7794615B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus, and autorunning program for variable matching unit |
JP4804991B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-02 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置 |
US20080003702A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Cruse James P | Low Power RF Tuning Using Optical and Non-Reflected Power Methods |
US20080023070A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Sanjai Sinha | Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells |
US8502455B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-08-06 | Agilent Technologies, Inc. | Atmospheric inductively coupled plasma generator |
JP5554099B2 (ja) | 2010-03-18 | 2014-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8590485B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-11-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Small form factor plasma source for high density wide ribbon ion beam generation |
JP2012060104A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 電源制御装置、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
JP2012119123A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP5100853B2 (ja) * | 2011-01-11 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
KR101730061B1 (ko) * | 2011-02-15 | 2017-04-25 | 후지 덴키 가부시키가이샤 | 방사성 물질을 수반하는 수지 감용 처리 장치 및 그 동작 방법 |
JP5800532B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2015-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5617817B2 (ja) | 2011-10-27 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 |
JP5510436B2 (ja) | 2011-12-06 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN103094038B (zh) | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
JP5467371B2 (ja) | 2011-12-07 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 |
JP5429268B2 (ja) | 2011-12-07 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2014
- 2014-03-25 JP JP2014061808A patent/JP6037292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-11 US US14/301,450 patent/US9583313B2/en active Active
- 2014-06-11 KR KR20140070658A patent/KR20150021440A/ko active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150021440A (ko) | 2015-03-02 |
US9583313B2 (en) | 2017-02-28 |
US20150053645A1 (en) | 2015-02-26 |
JP2015062160A (ja) | 2015-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6037292B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6295439B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP5467371B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP5830651B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6064174B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5617817B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP5861045B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2013229211A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6043968B2 (ja) | プラズマ処理方法並びに電子デバイスの製造方法 | |
JP6127276B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6857801B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP5617818B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP2014060035A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6064176B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6264762B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6450932B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5857207B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2014060036A (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2015099642A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5578155B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5906391B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2016062716A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2017182966A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2016225190A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2014060037A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150529 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160121 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160128 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161021 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6037292 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |