JP2016062716A - プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができるプラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、第一コイル3a及び第二コイル3b、第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5が平行に配置され、長尺のチャンバ7は環状である。チャンバ7内に発生したプラズマPは、チャンバ7における開口部8より基材1に向けて噴出する。開口部8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺のチャンバ7と基材載置台とを相対的に移動させることで、基材1を処理する。高周波印加点としての端部3a1と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b1を配置し、接地点としての端部3a2と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b2を配置することで、安定的に長尺のプラズマを生成できる。【選択図】図2
Description
本発明は、熱プラズマを基材に照射して基材を処理する熱プラズマ処理や、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を処理する低温プラズマ処理などの、プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法に関するものである。
従来、多結晶シリコン(poly−Si)等の半導体薄膜は薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)や太陽電池に広く利用されている。これを安価に形成する方法として、非晶質シリコン膜にレーザー光を照射して結晶化するものがある。レーザープロセスは、イオン注入やプラズマドーピングによって半導体基板に導入した不純物原子の活性化などにも適用しうる。しかしながら、このレーザーアニール技術には、被加熱物の光吸収の大小によって到達温度がばらついたり、継ぎ目が発生するなどの課題があり、また非常に高価な設備を要する。
そこで、長尺の熱プラズマを発生させ、一方向にのみ走査することで、被加熱物の光吸収に依存しない加熱が可能で、また、継ぎ目なく、安価に熱処理を行う技術が検討されている(例えば、特許文献1〜3、及び、非特許文献1を参照)。
T.Okumura and H.Kawaura,Jpn.J.Appl.Phys.52(2013)05EE01
しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来例に示した特許文献1〜3に記載の熱プラズマを長尺状に発生させる技術では、長尺方向の長さを増すと、プラズマの照射強度が上げられず、結果として処理速度(単位時間当たりに処理できる基板数)が小さくなる問題点があった。
従来例においては、長尺方向の長さを増すと、コイルのインダクタンスが増加するため、同一電流で駆動したときにコイルに発生する電圧が上昇する。すると、大気中で異常放電が発生してしまい、安定的な処理ができない場合が生じる。つまり、安定な処理を行うために電力を制限する必要が生じるので、プラズマの照射強度が上げられず、結果として処理速度(単位時間当たりに処理できる基板数)が小さくなる。
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができるプラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
本願の第1発明のプラズマ処理装置は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続され、前記チャンバを挟んで前記第一コイルへの高周波印加点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルへの高周波印加点が配置されていることを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第2発明のプラズマ処理装置は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルの接地点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルの接地点が配置されていることを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第3発明のプラズマ処理装置は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第一コイルと高周波電源の間にリアクタンス素子が接続されていることを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第4発明のプラズマ処理装置は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第二コイルと接地電位の間にリアクタンス素子が接続されていることを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第5発明のプラズマ処理方法は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルへの高周波印加点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルへの高周波を印加することを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第6発明のプラズマ処理方法は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルの接地点と相対する位置関係とは異なる位置において、前記第二コイルを接地することを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第7発明のプラズマ処理方法は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第一コイルと高周波電源の間にリアクタンス素子が接続されている状態で処理することを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第8発明のプラズマ処理方法は、長尺でかつ環状のチャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一及び第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第二コイルと接地電位の間にリアクタンス素子が接続されている状態で処理することを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本願の第9発明の電子デバイスの製造方法は、本願の第5〜8発明のいずれかのプラズマ処理方法を用いることを特徴とする。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材をプラズマ処理するに際して、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
図1(a)は、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、長尺の誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直で、かつ、図1(b)の点線を通る面で切った断面図である。図1(b)は、長尺の誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、図1(a)の点線を通る面で切った断面図である。
図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品(一部)の斜視図を並べたものである。図3は、コイルの配置を示す平面図であり、図1(a)の左側、つまり、図2の左側から見た図である。
図1において、基材1上に薄膜2が形成されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、導体製の第一コイル3a及び第二コイル3bが第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5の近傍に配置される。長尺のチャンバ7は、第一セラミックブロック4、第二セラミックブロック5及び基材1(或いは、その上の薄膜2)によって囲まれた空間により画定される。
基材1は、基材載置台としてのトレー12上に配置される。基材載置台12がなす面に垂直な面に沿ってコイル3及びチャンバ7が配置されている。また、チャンバ7のコイル3に近い側の内壁面は、コイル3と平行な面である。このような構成では、コイル3の任意の部位において、コイル3からチャンバ7までの距離が等しくなるので、小さい高周波電力で誘導結合性プラズマの発生が可能となり、効率の良いプラズマ生成が実現できる。
誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材(図示しない)で囲われ、高周波の漏洩(ノイズ)が効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。
チャンバ7は、第二セラミックブロック5に設けた溝が一続きとなった環状の溝に囲まれている。つまり、チャンバ7全体が誘電体で囲まれている構成である。また、チャンバ7は環状である。ここでいう環状とは、一続きの閉じたヒモ状をなす形状を意味し、図2に示すような長方形に限定されるものではない。本実施の形態においては、レーストラック形(2つの長辺をなす直線部と、その両端に2つの短辺をなす直線が連結されてなる、一続きの閉じたヒモ状の形状)のチャンバ7を例示している。
チャンバ7に発生したプラズマPは、チャンバ7における開口部8としてのプラズマ噴出口より基材1に向けて噴出する。また、チャンバ7の長手方向とプラズマ噴出口としての開口部8の長手方向とは平行に配置されている。
第二セラミックブロック5に設けた長方形の溝はプラズマガスマニホールド9であり、その内部には多孔質セラミックス材がはめ込まれている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二セラミックブロック5に設けられたガス導入部としてのプラズマガス供給穴11(貫通穴)を介して、チャンバ7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。
また、プラズマガスマニホールド9内を多孔質セラミックス材で構成することで、ガス流れの均一化が実現できるとともに、プラズマガスマニホールド9近傍での異常放電を防止することができる。
プラズマガス供給穴11は、長手方向に丸い穴状のものを複数設けたものであるが、長手方向に長尺のスリット状の穴を設けたものであってもよい。
コイル3は、断面が円形の銅管を、断面が直方体の銅ブロックに接着したものである。また、コイル3は中空の管であり、内部が冷媒流路となっている。すなわち、水などの冷媒を流すことで、冷却が可能である。また、第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5に、開口部8の長手方向に対して平行に冷媒流路が設けられてもよい。
また、第一セラミックブロック4と第一コイル3a、第二セラミックブロック5と第二コイル3bとをそれぞれ接着剤によって接合することで、接着剤を介して第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5を冷却することが可能である。第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5には優れた耐熱性が求められるので、窒化シリコンを主成分とするセラミックス、または、シリコン、アルミニウム、酸素、窒素を主成分とするセラミックスが適している。
なお、図2に示されているように、第一コイル3a及び第二コイル3bは、全体が長方形をなす平面状であり、端部3a1、3a2、3b1、3b2は高周波電力供給のための端子兼冷媒給排口である。
長方形の開口部8が設けられ、基材載置台12(或いは、基材載置台12上の基材1)は、開口部8と対向して配置されている。この状態で、チャンバ7内にプラズマガスを供給しつつ、開口部8から基材1に向けてガスを噴出させながら、高周波電源13よりコイル3に高周波電力を供給することにより、チャンバ7にプラズマPを発生させ、開口部8からプラズマPを基材1に照射することにより、基材1上の薄膜2をプラズマ処理することができる。
開口部8の長手方向に対して垂直な向きに、チャンバ7と基材載置台12とを相対的に移動させることで、基材1を処理する。つまり、図1の左右方向へ誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台12を動かす。
図3(a)は、第一セラミックブロック4に接着された第一コイル3aの構成を示す。一方、図3(b)は、第二セラミックブロック5に接着された第二コイル3bの構成を示す。図3(b)においては、第二コイル3bは紙面の向こう側(第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5を挟んだ向こう側)に配置されているので、第二コイル3bを点線で表現している。つまり、チャンバ7を挟んで両側に第一コイル3a及び第二コイル3bが配置されている。
また、第一コイル3a及び第二コイル3bには同位相の高周波電力を印加する必要があることから、図2に示すように、第一コイル3a及び第二コイル3bに並列に高周波電源13が接続され、チャンバ7を挟んで第一コイル3aへの高周波印加点としての端部3a1と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bへの高周波印加点としての端部3b1が配置されている。
同様に、チャンバ7を挟んで第一コイル3aの接地点としての端部3a2と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bの接地点としての端部3b2が配置されている。
誘導結合型プラズマトーチにおいて一般的には、まず弱い放電(容量性のプラズマ)が生じる。次いで強い放電(誘導性のプラズマ)に移行する様子が観察される。この現象はモードジャンプと呼ばれる。
本実施の形態の構成では、端部3a1と3b1がほぼ同電位となり、端部3a2と3b2がほぼ接地電位となるとともに、第一コイル3aと第二コイル3bの間に挟まれたチャンバ7には、ほぼ全周に渡って同程度の電位差が生じることとなる。従って、弱い放電(容量性のプラズマ)を比較的低い電力で発生させることができるので、プラズマを安定的に利用できる。
また、第一コイル3a及び第二コイル3bが並列に接続されているので、長尺方向の長さが大きい場合にも比較的コイル全体のインダクタンスは小さくなり、同一電流で駆動したときにコイルに発生する電圧(端部3a1、3b1の電圧)は低くなる。従って、大気中での異常放電は発生しにくく、安定的な処理ができる。つまり、大きな電力で運転できるため、プラズマの照射強度が上げられ、結果として処理速度(単位時間当たりに処理できる基板数)が大きくなる。
更に、第一コイル3aと第二コイル3bそれぞれには、端部3a1〜3a2間、及び、端部3b1〜3b2間に途切れ(高周波電流がチャンバ7に沿って流れない部分)が存在する。しかし、端部3a1と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b1が配置され、端部3a2と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b2が配置されているため、チャンバ7の全周に渡って、第一コイル3aまたは第二コイル3bのいずれかが近接することとなる。よって、高周波電流がチャンバ7に沿って途切れなく流れる構成となっている。
このような構成により、弱い放電(容量性のプラズマ)、強い放電(誘導性のプラズマ)とも比較的低い電力で駆動することができる。
仮に、第二コイル3bを図3(c)に示すような配置とした場合、すなわち、以下のような構成とした場合、第一コイル3aと第二コイル3bの間に挟まれたチャンバ7には、ほぼ全周に渡ってごくわずかの電位差しか生じないこととなる。
〔1〕第一コイル3a及び第二コイル3bに並列に高周波電源13が接続される。
〔2〕チャンバ7を挟んで第一コイル3aへの高周波印加点としての端部3a1と相対する位置関係と同じ位置に、第二コイル3bへの高周波印加点としての端部3b1が配置される。
〔3〕第一コイル3aの接地点としての端部3a2と相対する位置関係と同じ位置に、第二コイル3bの接地点としての端部3b2が配置される。
従って、弱い放電(容量性のプラズマ)を比較的低い電力で発生させることができなくなるので、プラズマを安定的に利用するのは困難である。更に、第一コイル3aと第二コイル3bそれぞれに存在する途切れは、他方のコイルによって補われないので、高周波電流がチャンバ7に沿って流れない領域が生じる構成となっている。このような構成では、弱い放電(容量性のプラズマ)、強い放電(誘導性のプラズマ)とも比較的低い電力で駆動することが困難となる。
チャンバ7内に供給するプラズマガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス、とくに希ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる(10,000K以上)。
なお、本構成においては、開口部8の長手方向の長さが、基材1の幅以上となっている。従って、一度の走査(誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台12とを相対的に移動すること)で基材1の表面近傍の薄膜2の全体を処理することができる。
このようなプラズマ処理装置において、チャンバ7内にプラズマガスとしてArまたはAr+H2ガスを供給しつつ、開口部8から基材1に向けてガスを噴出させながら、高周波電源13より13.56MHzの高周波電力を、コイル3に供給することにより、チャンバ7に高周波電磁界を発生させることでプラズマPを発生させ、開口部8からプラズマPを基材1に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。
プラズマ発生の条件としては、開口部8と基材1間の距離=0.1〜5mm、走査速度=20〜3000mm/s、プラズマガス総流量=1〜100SLM、Ar+H2ガス中のH2濃度=0〜10%、高周波電力=0.5〜30kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、開口部8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、開口部8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。
このように、開口部8の長手方向と、基材載置台12とが平行に配置されたまま、開口部8の長手方向とは垂直な向きに、長尺のチャンバ7と基材載置台12とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材1の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。
このように、本実施の形態によれば、低い高周波電力で安定した駆動が可能で、また、高周波電力を大きくしても低いコイル電圧で駆動できる。つまり、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
なお、上述の実施の形態の他、高周波印加点としての端部3a1と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b1が配置され、接地点としての端部3a2と相対する位置関係と同じ位置に端部3b2を配置しても、ある程度の効果を得ることができる。
同様に、高周波印加点としての端部3a1と相対する位置関係と同じ位置に端部3b1が配置され、接地点としての端部3a2と相対する位置関係とは異なる位置に端部3b2を配置しても、ある程度の効果を得ることができる。
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
図4は、本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品(一部)の斜視図を並べたものであり、図2に相当する。
実施の形態2では、第一コイル3aの端部3a1と高周波電源13の間にリアクタンス素子としてのインダクタ14が接続され、第二コイル3bの端部3b2と接地電位の間にリアクタンス素子としてのインダクタ14が接続されている。2つのインダクタ14のインダクタンスはほぼ等しい。また、第一コイル3a及び第二コイル3bの配置は、図3(c)のようになっている。
本実施の形態では、第一コイル3a、第二コイル3b、インダクタ14に流れる電流の位相はほぼ等しく、また、各素子の端子間電圧の位相もほぼ等しい。従って、端部3a1の電位は端部3b1の電位よりも常に低く、また、端部3a2の電位は端部3b2の電位よりも常に低くなるとともに、第一コイル3aと第二コイル3bの間に挟まれたチャンバ7には、ほぼ全周にわたって同程度の電位差が生じることとなる。従って、弱い放電(容量性のプラズマ)を比較的低い電力で発生させることができるので、プラズマを安定的に利用できる。
このような構成により、高パワーでも低電圧で駆動できるため、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる。
このように、2つのコイルを片側から見た場合の形状が同じであっても、リアクタンス素子を適切に配置することにより、チャンバ7に適切な電位差を発生させることが可能となる。
なお、ここでは2つのインダクタ14のインダクタンスがほぼ等しい場合を例示したが、チャンバ7に適切な電位差を発生させればよいので、2つのインダクタ14のインダクタンスは異なっていても構わない。また、どちらか一方のインダクタのみを用いてもある程度の効果は得ることができる。また、リアクタンス素子として、インダクタの代わりにキャパシタを用いてもよい。
(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。
図5は、本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、コイルの配置を示す平面図である。長尺の誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図は図1(a)と同様であるので、図5は図1(a)の左側から見た図に相当する。
本実施の形態では、第一コイル3a及び第二コイル3bがそれぞれ2つのコイルに分割され、第一コイル3aには端部3a1、3a2、3a3及び3a4が、また、第二コイル3bには端部3b1、3b2、3b3及び3b4が配置される。4つのコイルに並列に高周波電源13が接続され、チャンバ7を挟んで第一コイル3aへの高周波印加点としての端部3a1及び3a3と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bへの高周波印加点としての端部3b1及び3b3が配置されている。同様に、チャンバ7を挟んで第一コイル3aの接地点としての端部3a2及び3a4と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bの接地点としての端部3b2及び3b4が配置されている。
このような構成により、端部3a1、3a3、3b1及び3b3がほぼ同電位となり、端部3a2、3a4、3b2及び3b4がほぼ接地電位となるとともに、第一コイル3aと第二コイル3bの間に挟まれたチャンバ7には、ほぼ全周にわたってある程度の電位差が生じることとなる。従って、弱い放電(容量性のプラズマ)を比較的低い電力で発生させることができるので、プラズマを安定的に利用できる。
また、4つのコイルが並列に接続されているので、長尺方向の長さが大きい場合にも比較的コイル全体のインダクタンスは実施の形態1よりも更に小さくなり、同一電流で駆動したときにコイルに発生する電圧(端部3a1、3a3、3b1及び3b3の電圧)は低くなる。従って、大気中での異常放電は発生しにくく、安定的な処理ができる。つまり、大きな電力で運転できるため、プラズマの照射強度が上げられ、結果として処理速度(単位時間当たりに処理できる基板数)が大きくなる。
(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図6を参照して説明する。
図6は、本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、コイルの配置を示す平面図である。長尺の誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図は図1(a)と同様であるので、図6は図1(a)の左側から見た図に相当する。
本実施の形態では、第一コイル3a及び第二コイル3bがそれぞれ4つのコイルに分割され、第一コイル3aには端部3a1、3a2、3a3、3a4、3a5、3a6、3a7及び3a8が、また、第二コイル3bには端部3b1、3b2、3b3、3b4、3b5、3b6、3b7及び3b8が配置される。8つのコイルに並列に高周波電源13が接続され、チャンバ7を挟んで第一コイル3aへの高周波印加点としての端部3a1、3a3、3a5及び3a7と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bへの高周波印加点としての端部3b1、3b3、3b5及び3b7が配置されている。
同様に、チャンバ7を挟んで第一コイル3aの接地点としての端部3a2、3a4、3a6及び3a8と相対する位置関係とは異なる位置に、第二コイル3bの接地点としての端部3b2、3b4、3b6及び3b8が配置されている。
このような構成により、端部3a1、3a3、3a5、3a7、3b1、3b3、3b5及び3b7がほぼ同電位となり、端部3a2、3a4、3a6、3a8、3b2、3b4、3b6及び3b8がほぼ接地電位となるとともに、第一コイル3aと第二コイル3bの間に挟まれたチャンバ7には、ほぼ全周にわたってある程度の電位差が生じることとなる。従って、弱い放電(容量性のプラズマ)を比較的低い電力で発生させることができるので、プラズマを安定的に利用できる。
また、8つのコイルが並列に接続されているので、長尺方向の長さが大きい場合にもコイル全体のインダクタンスは実施の形態3よりも更に小さくなり、同一電流で駆動したときにコイルに発生する電圧(端部3a1、3a3、3a5、3a7、3b1、3b3、3b5及び3b7の電圧)は低くなる。従って、大気中での異常放電は発生しにくく、安定的な処理ができる。つまり、大きな電力で運転できるため、プラズマの照射強度が上げられ、結果として処理速度(単位時間当たりに処理できる基板数)が大きくなる。
以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。
例えば、基材載置台12がなす面に垂直な面に沿ってチャンバを配置した構成を例示したが、チャンバ7を2つのコイル3で挟んだ構成のものにおいて、本発明は格別の効果を奏する。
また、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台12に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台12を走査してもよい。
また、本発明の種々の構成によって、基材1の表面近傍を高温処理することが可能となる。それにより、従来例で述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、シリコン半導体集積回路の酸化、活性化、シリサイド形成などのアニール、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、様々な表面処理に適用できる。
また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。
また、説明においては簡単のため「熱プラズマ」という言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規「熱プラズマにおける非平衡性」プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.8(2006)pp.479−483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。前述のとおり、誘導結合型プラズマトーチにおいては、弱い放電と強い放電の2つのモードが存在しうるが、本発明は強い放電を効果的に利用するためのものであるということもできる。
また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。
或いは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。
一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFy(x、yは自然数)、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。
或いは、TEOS(Tetraethoxysilane)に代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性・親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。容量結合型大気圧プラズマを用いた従来技術に比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくく、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することが可能となる。
以上のように本発明は、TFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能である。勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、様々な表面処理において、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる有用な発明である。
また、種々の電子デバイスなどの製造における、エッチング・成膜・ドーピング・表面改質などの低温プラズマ処理において、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理する上で有用な発明である。
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
1 基材
2 薄膜
3 コイル
3a 第一コイル
3b 第二コイル
4 第一セラミックブロック
5 第二セラミックブロック
7 チャンバ
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
1 基材
2 薄膜
3 コイル
3a 第一コイル
3b 第二コイル
4 第一セラミックブロック
5 第二セラミックブロック
7 チャンバ
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
Claims (9)
- 開口部を除き誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する長尺でかつ環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルへの高周波印加点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルへの高周波印加点が配置されていること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 開口部を除き誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する長尺でかつ環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルの接地点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルの接地点が配置されていること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 開口部を除き誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する長尺でかつ環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第一コイルと高周波電源の間にリアクタンス素子が接続されていること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 開口部を除き誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する長尺でかつ環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第二コイルと接地電位の間にリアクタンス素子が接続されていること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 誘電体部材で囲まれた長尺でかつ環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルへの高周波印加点と相対する位置関係とは異なる位置に、前記第二コイルへの高周波を印加すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 誘電体部材で囲まれた長尺でかつ環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記チャンバを挟んで前記第一コイルの接地点と相対する位置関係とは異なる位置において、前記第二コイルを接地すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 誘電体部材で囲まれた長尺でかつ環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第一コイルと高周波電源の間にリアクタンス素子が接続されている状態で処理すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 誘電体部材で囲まれた長尺でかつ環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを挟んで両側に第一コイル及び第二コイルが配置されており、前記第一コイル及び前記第二コイルに並列に高周波電源が接続されており、前記第二コイルと接地電位の間にリアクタンス素子が接続されている状態で処理すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5〜8のいずれかのプラズマ処理方法を用いることを特徴とする、
電子デバイスの製造方法。
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JP2014188958A JP2016062716A (ja) | 2014-09-17 | 2014-09-17 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
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KR20220014563A (ko) * | 2020-07-29 | 2022-02-07 | 주식회사 다원시스 | 대기압 플라즈마 처리 장치 |
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2014
- 2014-09-17 JP JP2014188958A patent/JP2016062716A/ja active Pending
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KR102435558B1 (ko) | 2020-07-29 | 2022-08-24 | 주식회사 다원시스 | 대기압 플라즈마 처리 장치 |
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