JP6473889B2 - プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図5及び図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図7を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図8を参照して説明する。
1 基材
2 薄膜
3 コイル
4,22 第一セラミックブロック
5,23 第二セラミックブロック
7 チャンバ
9 ガスマニホールド
10 ガス供給配管
11 ガス供給穴
13 セラミック管
14 第三セラミックブロック
15,15a 第四セラミックブロック
16 冷媒流路
17 銅棒
18 継ぎ手
19 外側オーリング
20 内側オーリング
P プラズマ
Claims (8)
- 直線状の開口部を備え、開口部を除き誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する環状のチャンバと、
前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、
前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続された高周波電源と、
基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位が、前記直線状の開口部と平行に配置された円筒からなり、
前記円筒に、前記円筒の軸を中心に回転させる回転機構を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記円筒は、内部に空洞をもつ管であり、前記円筒の内部の空洞に冷媒を流す機構を備えたこと、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記円筒が、前記チャンバの直線状の開口部の長さよりも長いこと、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記円筒が、複数の円筒部品を前記直線状の開口部の方向に繋ぎ合わせた構造であること、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記基材載置台がなす面に概ね垂直な面に沿って前記チャンバが配置されていること、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記基材載置台がなす面に概ね平行な面に沿って前記チャンバが配置されていること、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 誘電体部材で囲まれた環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する直線状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材を載置する基材載置台に相対する面を構成する部位が、前記直線状の開口部と平行に配置された円筒からなり、
前記円筒に、前記円筒の軸を中心に回転させる回転機構を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項7のプラズマ処理方法を用いること、
を特徴とする電子デバイスの製造方法。
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