JP6857799B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3について、図5〜図9を参照して説明する。
(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4について、図10〜図11を参照して説明する。
1 基材ステージ
2 基材
3,3a,3b,3c,3d コイル
4 第一セラミックスブロック
5 第二セラミックスブロック
6 水路
7 チャンバ
8 開口部
9 第一ガスマニホールド
10 第一ガス供給配管
11 第一ガス供給穴
12,12a,12b,12c 第二ガスマニホールド
13,13a,13b,13c,20 第二ガス供給配管
14,14a,14b,14c 第二ガス供給穴
15 セラミックスカバー
P プラズマ
Claims (8)
- 線状の開口部を備え、前記開口部以外が誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記開口部の近傍に、前記基材載置台に向けてガスを噴出する複数のガス噴出口が、前記開口部がなす線の方向に並んで設けられ、
前記複数のガス噴出口に供給するガス流量を、互いに独立に制御するガス流量制御装置を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記複数のガス噴出口にガスを導入するガス供給配管とは別に、前記チャンバの前記開口部でない部分に向けてガスを導入するガス供給配管を備えたこと、
を特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 線状の開口部を備え、前記開口部以外が誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備え、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理装置であって、
前記開口部の近傍に、前記基材載置台に向けてガスを噴出する複数のガス噴出口が、前記開口部がなす線の方向に並んで設けられ、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位が、前記開口部の線方向と平行に配置された円筒からなること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記円筒を、前記円筒の軸を中心に回転させる回転機構を備えたこと、
を特徴とする、請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のガス噴出口に向け、前記円筒に設けられた凹部と、前記円筒を支持する誘電体部材との間の空間を通ってガスが流れる構造となっていること、
を特徴とする、請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のガス噴出口に向け、前記円筒と、前記円筒を支持する誘電体部材に設けられた凹部との間の空間を通ってガスが流れる構造となっていること、
を特徴とする、請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 誘電体部材で囲まれた環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する線状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチを利用するプラズマ処理方法であって、
前記開口部の近傍に、前記開口部がなす線の方向に並んで設けられた複数のガス噴出口から、ガス流量制御装置により前記複数のガス噴出口から噴出するガス流量を互いに独立に制御しながら、
前記基材載置台に向けてガスを噴出させつつ処理すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項7のプラズマ処理方法を用いることを特徴とする、
電子デバイスの製造方法。
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