JP5857207B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図4及び図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図7及び図8を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図9を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図10を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図11〜図14を参照して説明する。
2 基材
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
3 コイル
4 第一セラミックブロック
5 第二セラミックブロック
7 チャンバ
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
12 蓋
13 冷媒流路
P プラズマ
22 薄膜
Claims (6)
- 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれており、前記誘電体蓋が前記誘電体部材を覆う面積が、前記コイルが前記誘電体部材を覆う面積よりも大きいこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれており、前記誘電体蓋がL形部を備え、前記コイルと前記基材載置台の間に前記誘電体蓋の一部が位置すること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 誘電体部材に囲まれた長尺で環状のチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記基材載置台がなす面に垂直な面に沿って前記チャンバが設けられ、前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に冷媒流路が設けられ、
前記コイルの内部は冷媒流路となっており、前記コイルの内部に設けられた冷媒流路が分岐し、前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に連通していること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれ、かつ、前記誘電体蓋が前記誘電体部材を覆う面積が、前記コイルが前記誘電体部材を覆う面積よりも大きい状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記冷媒流路は、前記誘電体部材に設けられた溝と、前記溝を覆う誘電体蓋によって囲まれ、かつ、前記誘電体蓋がL形部を備え、前記コイルと前記基材載置台の間に前記誘電体蓋の一部が位置する状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 基材載置台がなす面に垂直な面に沿って設けられ誘電体部材で囲まれた長尺で環状のチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバがなす面に平行に設けられたコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記チャンバの内側の前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら基材を処理する際、前記コイルの内部は冷媒流路となっており、前記コイルの内部に設けられた冷媒流路が分岐し、前記誘電体部材の内部に設けられた冷媒流路に連通している状態であること、
を特徴とするプラズマ処理方法。
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