JP5830651B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図7を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図8を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態8について、図9を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態9について、図10を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態10について、図11を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態11について、図12及び図13を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態12について、図14を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態13について、図15を参照して説明する。
2 基材
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
3 ソレノイドコイル
4 第一石英ブロック
5 第二石英ブロック
7 長尺チャンバ内部の空間
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
15,17 冷媒流路
P プラズマ
22 薄膜
Claims (4)
- 長尺で線状の開口部と、前記開口部に連通し、かつ、前記開口部以外が誘電体部材に囲まれた長尺な形状の環状チャンバと、前記環状チャンバの内部にガスを導入するためのガス供給配管と、
前記環状チャンバの近傍に設けられ、かつ、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状のコイルと、を有する誘導結合型プラズマトーチユニットと、更に、
前記コイルに接続された高周波電源と、
基材を前記開口部に近接して配置するための基材載置台と、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記環状チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構と、を備え、
前記誘電体部材は、内部誘電体ブロックが外部誘電体ブロックに挿入されることによって構成され、かつ、前記外部誘電体ブロックと前記内部誘電体ブロックの間に形成された長尺な形状の環状チャンバの一部において、前記外部誘電体ブロックと前記内部誘電体ブロックの間に前記線状の開口部が設けられること、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記誘電体部材の内部に、前記開口部の長手方向に対して平行に冷媒流路が設けられている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部の端面と基材との距離を1mm以下とすることができるよう構成された、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 開口部以外が外部誘電体ブロックに内部誘電体ブロックが挿入されて構成される誘電体部材で囲まれた長尺な形状の環状チャンバ内にガスを供給しつつ、
前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状のコイルに高周波電力を供給することで、前記環状チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、
基材載置台に載置された基材を長尺で線状の前記開口部に近接して配置しつつ、前記開口部近傍のプラズマに曝露することにより、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記環状チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動しながら、前記基材の表面を高温プラズマによって処理する際、前記外部誘電体ブロックと前記内部誘電体ブロックの間に形成された長尺な形状の環状チャンバの一部において、前記外部誘電体ブロックと前記内部誘電体ブロックの間に前記線状の開口部が設けられた状態で行なうこと、
を特徴とするプラズマ処理方法。
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