JP2012174500A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、全体としてコイルをなす銅棒3が、石英ブロック4に設けられた銅棒挿入穴12内に配置され、石英ブロック4は、銅棒挿入穴12及び冷却水配管15内を流れる水によって冷却される。トーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、銅棒3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図7を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図8を参照して説明する。
2 基材
T プラズマトーチユニット
3 銅棒
4 石英ブロック
5 真鍮ブロック
6 真鍮蓋
7 長尺チャンバ内部の空間
8 プラズマ噴出口
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
12 銅棒挿入穴
13 シールドガスノズル
14 シールドガスマニホールド
15 冷却水配管
16 真鍮ブロック
17 樹脂ケース
18 冷却水マニホールド
19 カプラ
20 銅板
21 プラズマガス供給配管
22 薄膜
Claims (14)
- 誘電体で囲まれた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴と、前記長尺の穴内に設けられた導体棒と、前記導体棒に接続された高周波電源と、前記チャンバに設けられたスリット状の開口部と、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台と、を有するプラズマ処理装置において、
前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記チャンバを含む長尺方向に垂直な面で切った任意の断面において、前記導体棒と前記導体棒以外の導体との距離が、前記導体棒と前記チャンバの距離よりも大きいことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバが誘電体ブロックに設けられたスリットからなり、前記誘電体ブロックに、前記長尺の穴が設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記導体棒を複数備え、前記複数の導体棒を端部で電気的に接続することによって、導体棒全体としてコイルを構成するよう構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の導体棒のうち、前記チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の導体棒のうち、前記チャンバを挟んで対向する導体棒に同位相の高周波電流が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺の穴に冷媒が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺の穴とは別に、前記誘電体ブロックに前記長尺の穴と平行な長尺の冷媒流路が設けられていることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺の穴及び前記長尺の冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体ブロックが、空気層を介して接地された導体ケース内に収納されていることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺の穴が誘電体製の円柱管からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺チャンバが、束ねられた複数の誘電体製の円柱管の隙間からなることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺チャンバの長手方向とは垂直な方向の幅が、前記開口部の長手方向とは垂直な方向の幅よりも広いことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記コイルは、前記長尺チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴内に設けられた導体棒からなること
を特徴とするプラズマ処理方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014045565A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
WO2014045547A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2014120361A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2014209433A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-11-06 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
KR20150057999A (ko) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
US20150221475A1 (en) * | 2014-02-04 | 2015-08-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2016015322A (ja) * | 2015-08-05 | 2016-01-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 |
US10115565B2 (en) | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10189293A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-07-21 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH1126187A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH11317299A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
JP2003309112A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工方法及び装置 |
JP2005175460A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006297339A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2007188823A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2007287452A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
JP2008117533A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Kyocera Corp | プラズマ発生体、反応装置及び光源装置 |
JP2009545165A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | セナージェン・ディバイシーズ・インコーポレイテッド | 多結晶のシリコン及びシリコン−ゲルマニウムの太陽電池を製造するための方法及びシステム |
JP2010251162A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
-
2011
- 2011-02-22 JP JP2011035664A patent/JP5500098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10189293A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-07-21 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH1126187A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH11317299A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
JP2003309112A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工方法及び装置 |
JP2005175460A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006297339A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2007188823A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2007287452A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
JP2009545165A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | セナージェン・ディバイシーズ・インコーポレイテッド | 多結晶のシリコン及びシリコン−ゲルマニウムの太陽電池を製造するための方法及びシステム |
JP2008117533A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Kyocera Corp | プラズマ発生体、反応装置及び光源装置 |
JP2010251162A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10115565B2 (en) | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JPWO2014045547A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2016-08-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2014045547A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2014060036A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Panasonic Corp | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 |
WO2014045565A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
KR20150043445A (ko) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
US9601330B2 (en) | 2012-09-18 | 2017-03-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing device, and plasma processing method |
KR101688338B1 (ko) * | 2012-09-18 | 2016-12-20 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
JP2014120361A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2014209433A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-11-06 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
KR101685766B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2016-12-12 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
US9691593B2 (en) | 2013-11-18 | 2017-06-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
KR20150057999A (ko) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
JP2015146279A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
US20150221475A1 (en) * | 2014-02-04 | 2015-08-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
KR101766596B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2017-08-08 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 방법 |
KR101785866B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2017-10-16 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 방법 |
JP2016015322A (ja) * | 2015-08-05 | 2016-01-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 |
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Publication number | Publication date |
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