JP4889834B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Description
前記チャンバ内にガス導入口を介してガスを供給するガス供給装置と、
前記開口部の長手方向と平行なコイル延出方向を有しかつ前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるソレノイドコイルと、
前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記開口部と対向して配置され、かつ基材を基材載置面に載置する基材載置台と、
前記開口部の長手方向と前記基材載置台の前記基材載置面とが平行な状態を維持しながら、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させる移動装置と、を備えることを特徴とする。
前記開口部の長手方向と前記基材載置台の前記基材載置面とが平行な状態を維持しながら、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動しながら、前記基材の表面を熱処理するプラズマ処理方法である。
以下、本発明の第1実施形態について、図1A〜図4を参照して説明する。
以下、本発明の第2実施形態について、図5A〜図6を参照して説明する。
以下、本発明の第3実施形態について、図7〜図8を参照して説明する。
以下、本発明の第4実施形態について、図9A〜図10Bを参照して説明する。
以下、本発明の第5実施形態について、図11〜図12を参照して説明する。
以下、本発明の第6実施形態について、図13を参照して説明する。なお、この第6実施形態においては、制御装置43とガス供給装置40と高周波電源41と移動装置42となどとの関係は先の実施形態と同様であるため、図示は省略する。
以下、本発明の第7実施形態について、図14を参照して説明する。なお、この第7実施形態においては、制御装置43とガス供給装置40と高周波電源41と移動装置42となどとの関係は先の実施形態と同様であるため、図示は省略する。
以下、本発明の第9実施形態第8実施形態について、図15Aを参照して説明する。
以下、本発明の第9実施形態について、図18を参照して説明する。
Claims (13)
- スリット状の開口部を備える筒状チャンバと、
前記チャンバ内にガス導入口を介してガスを供給するガス供給装置と、
前記開口部の長手方向と平行なコイル延出方向を有しかつ前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるソレノイドコイルと、
前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記開口部と対向して配置され、かつ基材を基材載置面に載置する基材載置台と、
前記開口部の長手方向と前記基材載置台の前記基材載置面とが平行な状態を維持しながら、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させる移動装置と、を備えるプラズマ処理装置。 - 前記移動装置は、前記開口部の長手方向に対して直交する方向沿いに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させる、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記筒状チャンバは誘電体の円筒で構成されるとともに、前記チャンバの外側に前記コイルが設けられてなる、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記筒状チャンバは金属の円筒で構成されるとともに、前記チャンバの内側に前記コイルが設けられてなる、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給装置から前記チャンバにガスを供給する複数のガス導入口は、前記開口部の長手方向と平行に設けられ、かつ前記開口部と対向する面に設けられている、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルの両端部の線状部は、前記コイルの延出方向に対して垂直な向きに曲げられ、前記筒状チャンバの開口部とは逆の向き、かつ前記チャンバの外側に引出されている、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバを前記コイルの延出方向に対して垂直な面で切った断面形状のうち、前記チャンバ内部の空間は、環状である、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバを前記コイルの延出方向に対して垂直な面で切った断面形状のうち、前記チャンバ内部の空間は、U字状である、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルは絶縁部材のコイルケースの空間内に収納され、前記空間内の絶縁性流体に前記コイルが浸され、かつ、前記絶縁性流体が前記空間内で流れることによって前記コイルが冷却される、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給装置から前記ガス導入口を介して前記チャンバ内に供給する前記ガスの供給系統は、シースガス用とプラズマガス用との2系統以上で構成されてなる、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルの単位長さ当たりの巻き数は、前記コイルが延出方向において不均一である、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ソレノイドコイルは、前記コイルの延出方向において複数に分割されて構成されてなる、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から、基材載置台の基材載置面に載置された基材に向けてガスを噴出すると共に、前記開口部の長手方向と平行なコイル延出方向を有するソレノイドコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させ、
前記開口部の長手方向と前記基材載置台の前記基材載置面とが平行な状態を維持しながら、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動しながら、前記基材の表面を熱処理するプラズマ処理方法。
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