JP3736016B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体等の電子デバイスの製造に利用されるドライエッチング、スパッタリング、プラズマCVD等のプラズマ処理方法及び装置に関し、特に低電子温度プラズマを利用するプラズマ処理方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体等の電子デバイスの微細化に対応するために、高密度プラズマの利用が重要であることについて、特開平8−83696号公報に述べられているが、最近は、電子密度が高くかつ電子温度の低い、低電子温度プラズマが注目されている。
【0003】
Cl2やSF6等のように負性の強いガス、言い換えれば、負イオンが生じやすいガスをプラズマ化したとき、電子温度が3eV程度以下になると、電子温度が高いときに比べてより多量の負イオンが生成される。この現象を利用すると、正イオンの入射過多によって微細パターンの底部に正電荷が蓄積されることによって起きる、ノッチと呼ばれるエッチング形状異常を防止することができ、極めて微細なパターンのエッチングを高精度に行うことができる。
【0004】
また、CxFyやCxHyFz(x、y、zは自然数)等の炭素およびフッ素を含むガスをプラズマ化したとき、電子温度が3eV程度以下になると、電子温度が高いときに比べてガスの分解が抑制され、とくにF原子やFラジカル等の生成が抑えられる。F原子やFラジカル等はシリコンをエッチングする速度が早いため、電子温度が低い方が対シリコンエッチング選択比の大きい絶縁膜エッチングが可能になる。
【0005】
また、電子温度が3eV以下になると、イオン温度も低下するので、プラズマCVDにおける基板へのイオンダメージを低減することができる。
【0006】
以上の特に、電子温度は低いほど効果があるが、実際には3eV以下になったからといってただちに顕著な効果を期待することはできない。将来のデバイス数世代にわたって有効なプラズマとは、電子温度が2eV以下のプラズマであると考えられている。
【0007】
さて、静磁場を用いるECRP(電子サイクロトロン共鳴プラズマ)や、HWP(ヘリコン波プラズマ)では電子温度は4〜6eVと高く、静磁場を用いないICP(誘導結合型プラズマ)では3〜4eVである。このように、プラズマ源、つまりプラズマを発生させる方式によってプラズマの電子温度はほとんど決まってしまうといってもよいほど、プラズマの電子温度は、プラズマパラメータの中でもとくに制御しずらいものである。ガス種、ガス流量、ガス圧力、印加高周波電力の大きさ、真空容器の形状等の外部パラメータを変化させても、電子温度はほとんど変化しない。
【0008】
しかし、最近になっていくつかの方法が提案されるようになってきている。そのいくつかについて、次に詳しく説明する。
【0009】
図9は、ICPエッチング装置の断面図である。図9において、真空容器21内にガス供給ユニット22から所定のガスを導入しつつポンプ23により排気を行い、真空容器21内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源24により13.56MHzの高周波電力を誘電体25上の一端が接地されているコイル26に供給すると、真空容器21内にプラズマが発生し、電極27上に載置された基板28に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このとき、図9に示すように、電極27にも電極用高周波電源29により高周波電力を供給することで、基板28に到達するイオンエネルギーを制御することができる。インピーダンス整合をとるために、コイル用高周波電源24とコイル26の間に、マッチング回路30を介する構成になっている。コイルに印加する高周波電力をOFFしたあと、いわゆるアフターグロープラズマにおいて、数μsecオーダーの時定数で急速に電子温度が低下していくことが知られている。一方、プラズマ密度が減少していく時定数は電子温度の緩和時間の時定数よりも大きいので、高周波電力を50〜200kHz程度のパルスを用いて変調すると、電子密度を大きく低下させることなく、電子温度を2eV以下にすることができる。なお、コイルの形は異なるが、本質的には上記パルス変調ICP方式と同じ技術について、J.H.Hahm et al.,"Characteristics of Stabilized Pulsed Plasma Via Suppression of Side Band Modes",Proceedings of Symposium on Dry Process(1996)に詳しく述べられている。また、パルス放電プラズマとアフターグロープラズマについて、堤井信力, "プラズマ基礎工学",P.58,内田老鶴圃刊(1986)に詳しく述べられている。
【0010】
図10は、スポークアンテナ式プラズマ源を搭載したエッチング装置の断面図である。図10において、真空容器31内にガス供給ユニット32から所定のガスを導入しつつポンプ33により排気を行い、真空容器31内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源34により500MHzの高周波電力を誘電板35上のスポークアンテナ36に供給すると、真空容器31内にプラズマが発生し、電極37上に載置された基板38に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このとき、図10に示すように、電極37にも電極用高周波電源39により高周波電力を供給することで、基板38に到達するイオンエネルギーを制御することができる。インピーダンス整合をとるために、アンテナ用高周波電源34とスポークアンテナ36の間に、スタブ40を介する構成になっている。今のところはっきりした理由は明らかになっていないが、500MHzの高周波電力を用いたスポークアンテナ式プラズマ源では、2eV以下の低電子温度が実現されている。なお、この方式については、S.Samukawa et al.," New Ultra−High−Frequency Plasma Source for Large−Scale Etching Processes",Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.34,Pt.1,No.12B(1995)に詳しく述べられている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示した従来の方式では、進行波電力の10%以上もの反射波電力が発生してしまうという問題点がある。その理由は、マッチング回路30からコイル26をひとつの負荷としてみたときのQ(Quality Factor:インピーダンスのリアンクタンス成分/抵抗成分)が非常に高く、狭帯域負荷となっているため、パルス変調した際に発生する基本調波(13.56MHz)以外の周波数成分に対して整合がとれずに、その多くが反射波として電源に戻ってしまうためである。また、同じ条件でプラズマを起こしても、反射波電力が常に一定にはならないため、処理速度等の処理結果の再現性を得るのがきわめて困難である。
【0012】
また、図10に示した従来の方式では、圧力が低いとプラズマが発生しないという問題点がある。とくに、3Pa以下の低圧領域でプラズマを起こすのが極めて困難である。これは、静磁場を用いないUHF帯以上(300MHz以上)の周波数を用いるプラズマ源に共通の問題点であり、たとえば、2.45GHzを用いるECRプラズマ源においても、静磁場がないと低圧ではプラズマを発生させることができない。実際のエッチング等のプラズマ処理は1Pa付近で行うのが通常であるから、この方式では、まず確実にプラズマが発生する高い圧力領域でプラズマを起こしておいた後、ポンプの排気速度を上げるか、ガス流量を下げるかすることによって所望の圧力へ変化させる必要がある。しかし、このような方法を用いると、エッチング等の処理を高精度に行うことができなくなってしまう。これを避けるには、1Pa付近の所望の圧力に制御しながら、強力な静磁場を真空容器1内に発生させて、電磁波による電子の加速の効率を高めることによってプラズマを起こすか、別の方式のトリガー放電を用いてプラズマを起こす必要がある。しかし、静磁場やトリガー放電を用いると、チャージアップダメージと呼ばれる半導体素子中の薄い絶縁膜破壊が発生する危険性が著しく増加する。さらに、500MHzを含め、UHF帯以上(300MHz以上)の周波数を用いる場合、インピーダンス整合をとるためにはスタブ40が必要となるが、可変コンデンサで構成されたマッチング回路に比べて重量・体積とも大きくならざるを得ず、コスト的にも不利になるという問題点もある。
【0013】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、低圧力下において均一な低電子温度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願の第1発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理することを特徴とする。
【0015】
本願の第2発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されているドーム状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されているドーム状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理することを特徴とする。
【0018】
本願の第3発明のプラズマ処理装置は、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料を備えたことを特徴とする。
【0019】
本願の第4発明のプラズマ処理装置は、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されているドーム状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されているドーム状で渦形の第二導電体材料を備えたことを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図7を参照して説明する。
【0021】
図1に、本発明の第1実施形態において用いたプラズマ処理装置の斜視図を示す。図1において、真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、導電体材料用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体5上に載置された第一導電体材料6aに供給するとともに、第二導電体材料6bを接地することにより、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。これを行うために、第一導電体材料6aがなす渦の中心側の端部11aが、高周波電力のホット側に接続されている。また、第二導電体材料6bがなす渦の中心側の端部11bが接地されている。第一および第二導電体材料6aおよび6bは実質的に平面状で渦形であり、それぞれ外側の一端は開放されている。また、第一導電体材料6aと第二導電体材料6bは銅製であり、かつ、多重の渦を構成するように配置されている。電極7に高周波電力を供給するための電極用高周波電源9が設けられており、基板8に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。インピーダンス整合をとるために、導電体材料用高周波電源4と第一導電体材料6aの間に2つの可変コンデンサからなるマッチング回路10が設けられている。また、導電体材料用高周波電源4は、高周波電力をパルス的に変調することができるようになっている。
【0022】
なお、本発明の第1実施形態において用いたプラズマ処理装置は、図9で説明した従来例のICPエッチング装置と本質的に異なるプラズマ源を利用していることに注意すべきである。すなわち、図9に示した従来例では、コイル26の一端は接地されているのに対して、本発明の第1実施形態では、第一導電体材料6aの一端が開放されている。このため、図9で示した従来例では、コイル26に流れる電流はコイル26の任意の部分においてほぼ一定であり、この電流が真空容器21内に形成する高周波磁界によって誘導される高周波電界で電子の加速が行われるのに対して、本発明の第1実施形態では、第一導電体材料6aおよび第二導電体材料6bには電圧定在波および電流定在波が立ち、この定在波によって真空容器1内に放射される電磁波によって、電子の加速が行われる。したがって、本発明の第1実施形態で用いた第一導電体材料6aおよび第二導電体材料6bは、渦形であるといえどもコイルと呼ぶべきものではなく、アンテナと呼ぶ方が適切である。ただし、特開平7-106316号公報のように、ICP方式におけるコイルを「アンテナ」と称する例もあるため、混同を避けるため、ここでは「アンテナ」という語を用いずに説明する。
【0023】
図2に、導電体材料の平面図を示す。第一導電体材料6aの実質的な長さは、高周波電力の波長(3000mm)の1/4=750mmであり、同様に第二導電体材料6bの実質的な長さは、高周波電力の波長(3000mm)の1/4=750mmである。また、第一導電体材料6aが敷設されている平面上の、第一導電体材料6aがなす渦の中心側の
端部11aを通る直線12aと、第一導電体材料6aとの交点13aにおいて、第一導電体材料6aの接線14aと前記直線12aとのなす角θaが、第一導電体材料6aのほぼ全域で一定となるように構成されている。同様に、第二導電体材料6bが敷設されている平面上の、第二導電体材料6bがなす渦の中心側の端部11bを通る直線12bと、第二導電体材料6bとの交点13bにおいて、第二導電体材料6bの接線14bと前記直線12bとのなす角θbが、第二導電体材料6bのほぼ全域で一定となるように構成されている。
【0024】
ガス種及びその流量、圧力を、Ar=30sccm、1Paに設定し、第一導電体材料6aに100MHzの高周波電力1000Wを供給してプラズマを発生させ、ラングミュアプローブ法を用いて、基板表面から80mm離れた空間における基板面と平行な面内のイオン飽和電流密度を測定した結果を図3に示す。また、同様に、基板表面から10mm離れた空間における基板面と平行な面内のイオン飽和電流密度を測定した結果を図4に示す。図3より、基板表面から80mm離れた空間における基板面と平行な面内のイオン飽和電流密度分布が、環状の高密度部を有することがわかる。プラズマは拡散により輸送され、基板近傍では図4のように極めて均一な分布となっている。言い換えると、基板近傍において均一なプラズマを得るためには、基板表面から十分離れた空間において、図3のように環状の高密度部を有することが必要である。導電体材料の形状をいろいろと変化させて実験したところ、基板表面から50mm以上離れた空間における基板面と平行な面内のイオン飽和電流密度が環状の高密度部を有するとき、基板近傍において均一なプラズマを得ることができることがわかった。
【0025】
300nm厚の多結晶シリコン膜付きの8インチ径シリコン基板8を電極7上に載置し、ガス種及びその流量、圧力を、Cl2=100sccm、1Paに設定し、第一導電体材料6aに100MHzの高周波電力1000W(連続波)を供給するとともに、電極に500kHzの高周波電力15Wを供給したところ、多結晶シリコン膜がエッチングされ、310nm/minのエッチング速度が得られた。しかし、図5に示すように、ノッチが発生してしまった。また、この条件で発生させたプラズマを、ラングミュアプローブ法を用いて評価したところ、基板近傍における電子温度は2.5eVであった。
【0026】
そこで、第一導電体材料6aに供給する高周波電力を、図6に示すように、最大値1500Wの時間が10μsec、最小値0Wの時間が10μsecとなるようにパルス的に変調し、他の条件は連続波の場合と同一としたところ、多結晶シリコン膜がエッチングされ、320nm/minのエッチング速度が得られ、図7に示すようにノッチの発生しない高精度エッチングが実現できた。また、この条件で発生させたプラズマを、ラングミュアプローブ法を用いて評価したところ、基板近傍における電子温度は1.8eVであった。なお、反射波電力は進行波電力の最大値1500Wの1%以下であった。従来のICP方式のように大きな反射波電力が発生しないのは、マッチング回路10から第一導電体材料および第二導電体材料までををひとつの負荷としてみたときのQが小さく、広帯域負荷となっているため、パルス変調した際に発生する基本調波(100MHz)以外の周波数成分に対しても十分に整合がとれるためである。したがって、処理速度等の処理結果の再現性が容易に得られ、実用性に優れている。
【0027】
ただし、高周波電力は必ずしもパルス的に変調しなければならないというわけではない。連続波を用いる場合でも、マスク(レジスト)のエッチング速度が増加してしまってもよいなら、電極に供給する高周波電力を20〜30Wにすれば、ノッチは発生しない。
【0028】
次に、本発明の第2実施形態について、図8を参照して説明する。
【0029】
図8に、本発明の第2実施形態において用いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図8
において、真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、導電体材料用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体5上に載置された第一導電体材料6aに供給するとともに、第二導電体材料6bを接地することにより、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。これを行うために、第一導電体材料6aがなす渦の中心側の端部11aが、高周波電力のホット側に接続されている。また、第二導電体材料6bがなす渦の中心側の端部11bが接地されている。第一および第二導電体材料6aおよび6bはドーム状で渦形であり、それぞれ外側の一端は開放されている。また、第一導電体材料6aと第二導電体材料6bは銅製であり、かつ、多重の渦を構成するように配置されている。電極7に高周波電力を供給するための電極用高周波電源9が設けられており、基板8に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。インピーダンス整合をとるために、導電体材料用高周波電源4と第一導電体材料6aの間に2つの可変コンデンサからなるマッチング回路10が設けられている。また、導電体材料用高周波電源4は、高周波電力をパルス的に変調することができるようになっている。
【0030】
なお、本発明の第2実施形態において用いたプラズマ処理装置は、本発明の第1実施形態において用いたプラズマ処理装置と同様に、図9で説明した従来例のICPエッチング装置と本質的に異なるプラズマ源を利用していることに注意すべきである。
【0031】
第一導電体材料6aの実質的な長さは、高周波電力の波長(3000mm)の1/4=750mmであり、同様に第二導電体材料6bの実質的な長さは、高周波電力の波長(3000mm)の1/4=750mmである。
【0032】
第一導電体材料と第二導電体材料の、基板と平行な平面への射影像を考えたとき、前記平面は図2と同様のものとなる。すなわち、前記平面上の、第一導電体材料6aの射影像がなす渦の中心側の端部11aを通る直線12aと、第一導電体材料6aの射影像との交点13aにおいて、第一導電体材料6aの射影像の接線14aと前記直線12aとのなす角θaが、第一導電体材料6aの射影像のほぼ全域で一定となるように構成されている。同様に、前記平面上の、第二導電体材料6bの射影像がなす渦の中心側の端部11bを通る直線12bと、第二導電体材料6bの射影像との交点13bにおいて、第二導電体材料6bの射影像の接線14bと前記直線12bの射影像とのなす角θbが、第二導電体材料6bの射影像のほぼ全域で一定となるように構成されている。
【0033】
200nm厚のタングステンシリサイド膜付きの8インチ径シリコン基板8を電極7上に載置し、ガス種及びその流量、圧力を、Cl2=150sccm、1.5Paに設定し、第一導電体材料6aに100MHzの高周波電力1000W(連続波)を供給するとともに、電極に500kHzの高周波電力25Wを供給したところ、タングステンシリサイド膜がエッチングされ、280nm/minのエッチング速度が得られた。
【0034】
第一導電体材料6aおよび第二導電体材料6bがドーム状である場合、これに合わせて誘電体5をドーム状にすることにより、真空を保つために必要な誘電体の厚さを小さくすることが容易になり、導電体材料とプラズマとの結合状態が良好になるため、効率の良いプラズマ発生を行うことができる。もちろん、平面状導電体材料とドーム状誘電体を組み合わせたり、ドーム状導電体材料と平面状誘電体を組み合わせても、プラズマを発生させることは可能である。
【0035】
以上述べた本発明の実施形態では、第一導電体材料に供給する高周波電力の周波数が100MHzである場合について説明したが、周波数はこれに限定されるものではなく、50MHz〜150MHzの周波数において、とくに本発明のプラズマ処理方法及び装置は有効である。50MHz以上の周波数を用いることにより、連続波プラズマの場合は電子温度を3eV以下、パルス変調プラズマの場合は電子温度を2eV以下とすることができ、かつ反射波電力を進行波電力の数%以下に抑えることができる。また、150MHz以下の周波数において、2Pa以下の圧力でプラズマを発生させることができ、かつインピーダンス整合をとるためにスタブを用いる必要がない。しかし、50MHz未満、あるいは150MHzより大きい周波数を用いる場合にも、本発明の導電体材料構造を利用することは可能である。
【0036】
また、以上述べた本発明の実施形態では、圧力が2Pa以下である場合について説明したが、圧力は必ずしも2Pa以下である必要はない。
【0037】
また、以上述べた本発明の実施形態では、導電体材料を真空容器外に設けた場合について説明したが、導電体材料を真空容器内に設けてもよい。
【0038】
また、以上述べた本発明の実施形態では、導電体材料を銅製とした場合について説明したが、導電体材料としてアルミニウム、ステンレス等他の導電体を用いることもできる。
【0039】
また、以上述べた本発明の実施形態では、多結晶シリコン膜のエッチング及びタングステンシリサイド膜のエッチングについて説明したが、いうまでもなく、その他のエッチング、スパッタリング、CVD等のプラズマ処理においても、本発明を適用することができる。なお、これらの処理において、電極に高周波電力を供給する必要のないものもあるが、本発明はそのような処理についても有効であることはいうまでもない。
【0040】
また、以上述べた本発明の実施形態では、高周波電力をパルス的に変調するに際して、高周波電力の最大値と最小値の比が無限大である例について説明したが、この比が概ね10以上であれば、電子温度を2eV以下に下げることができる。
【0041】
また、以上述べた本発明の実施形態では、高周波電力をパルス的に変調するに際して、変調周期が20μsec(変調周波数=50kHz)である例について説明したが、変調周期はこれに限定されるものではないことはいうまでもない。また、高周波電力の最大値が供給される時間と高周波電力の最小値が供給される時間の比(デューティー比)も0.5(50%)に限定されるものでないことはいうまでもない。
【0042】
また、以上述べた本発明の実施形態では、第一導電体材料および第二導電体材料の実質的な長さが高周波電力の波長の1/4である場合について説明したが、電磁波の放射パターン、整合状態、効率を制御するために、他の長さにすることも可能である。とくに、高周波電力の波長の1/4,1/2,5/8の長さの導電体材料を用いると、良好な整合状態を容易に得ることができる。
【0043】
また、以上述べた本発明の実施形態では、第一導電体材料がなす渦の中心側の端部に高周波電力を供給する場合について説明したが、第一導電体材料の外側の一端や、端部以外の任意の位置に高周波電力を供給してもよい。しかし、この場合はプラズマの均一性を得るのが難しくなることがある。
【0044】
また、以上述べた本発明の実施形態では、第二導電体材料がなす渦の中心側の端部を接地する場合について説明したが、第二導電体材料の外側の一端や、端部以外の任意の位置を接地してもよい。
【0045】
また、以上述べた本発明の実施形態では、一端が接地された第二導電体材料を用いる場合について説明したが、第二導電体材料を用いなくてもプラズマを発生させることは可能
であり、このような形態も本発明の適用範囲とみなすことができる。
【0046】
また、以上述べた本発明の実施形態では、第一導電体材料が敷設されている平面上の、第一導電体材料がなす渦の中心側の端部を通る直線と、第一導電体材料との交点において、第一導電体材料の接線と前記直線とのなす角が、第一導電体材料のほぼ全域で一定であり、第二導電体材料が敷設されている平面上の、第二導電体材料がなす渦の中心側の端部を通る直線と、第二導電体材料との交点において、第二導電体材料の接線と前記直線とのなす角が、第二導電体材料のほぼ全域で一定である場合(実質的に平面状の導電体材料を用いる場合)と、第一導電体材料と第二導電体材料の、基板と平行な平面への射影像を考えたとき、前記平面上の、第一導電体材料の射影像がなす渦の中心側の端部を通る直線と、第一導電体材料の射影像との交点において、第一導電体材料の射影像の接線と前記直線とのなす角が、第一導電体材料の射影像のほぼ全域で一定であり、前記平面上の、第二導電体材料の射影像がなす渦の中心側の端部を通る直線と、第二導電体材料の射影像との交点において、第二導電体材料の射影像の接線と前記直線とのなす角が、第二導電体材料の射影像のほぼ全域で一定である場合(ドーム状の導電体材料を用いる場合)について説明したが、これらの条件は必ずしも満たしていなくともよい。ただし、これらの条件を満たしている場合、第一導電体材料のインピーダンスのリアンクタンス成分が小さくなるため、容易に良好な整合状態を得ることができる。
【0047】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本願の第1発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理するため、低圧力下で基板近傍において均一な低電子温度プラズマを得ることができ、高精度のプラズマ処理を行うことができる。
【0048】
また、本願の第2発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されているドーム状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されているドーム状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理するため、低圧力下で低電子温度プラズマを得ることができ、高精度のプラズマ処理を行うことができる。
【0051】
また、本願の第3発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料を備えているため、低圧力下で低電子温度プラズマを得ることができ、高精度のプラズマ処理を行うことができる。
【0052】
更に、本願の第4発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されているドーム状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されているドーム状で渦形の第二導電体材料を備えているため、低圧力下で低電子温度プラズマを得ることができ、高精度のプラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す斜視図
【図2】 本発明の第1実施形態における、導電体材料の平面図
【図3】 本発明の第1実施形態における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
【図4】 本発明の第1実施形態における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
【図5】 本発明の第1実施形態における、エッチング結果を示す図
【図6】 本発明の第1実施形態における、パルス変調を示す図
【図7】 本発明の第1実施形態における、エッチング結果を示す図
【図8】 本発明の第2実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
【図9】 従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す斜視図
【図10】 別の従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す斜視図
【符号の説明】
1 真空容器
2 ガス供給ユニット
3 ポンプ
4 導電体材料用高周波電源
5 誘電体
6a 第一導電体材料
6b 第二導電体材料
7 電極
8 基板
9 電極用高周波電源
10 マッチング回路
11a 第一導電体材料がなす渦の中心側の端部
Claims (4)
- 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、一端が開放されているドーム状で渦形の第一導電体材料の他端に高周波電力を供給し、一端が開放されているドーム状で渦形の第二導電体材料の他端を接地することにより、真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に配置された基板を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されている実質的に平面状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されている実質的に平面状で渦形の第二導電体材料を備えたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内を排気する手段と、高周波電力を供給する高周波電源と、基板を載置する電極と、誘電体とを備えたプラズマ処理装置であって、一端が開放され他端が高周波電力のホット側に接続されているドーム状で渦形の第一導電体材料と、一端が開放され他端が接地されているドーム状で渦形の第二導電体材料を備えたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
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