JP3485013B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体等の電子
デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるドライエ
ッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズ
マ処理方法及び装置に関し、特にＶＨＦ帯の高周波電力
をプラズマ励起用対向電極またはアンテナに供給するに
際して、インピーダンスを整合させるために用いられる
整合器と、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いて励起したプラ
ズマを利用するプラズマ処理方法及び装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の電子デバイスの微細化に対応
するために、高密度プラズマの利用が重要であることに
ついて、特開平８−８３６９６号公報に述べられている
が、最近は、電子密度が高くかつ電子温度の低い、低電
子温度プラズマが注目されている。

【０００３】Ｃｌ₂やＳＦ₆等のように負性の強いガス、
言い換えれば、負イオンが生じやすいガスをプラズマ化
したとき、電子温度が３ｅＶ程度以下になると、電子温
度が高いときに比べてより多量の負イオンが生成され
る。この現象を利用すると、正イオンの入射過多によっ
て微細パターンの底部に正電荷が蓄積され、イオンの基
板への入射角の垂直性が悪化する現象を防止することが
でき、極めて微細なパターンのエッチングを高精度に行
うことができる。また、負イオンの高い反応性を利用し
た、プロセスの改善も期待されている。

【０００４】また、シリコン酸化膜等の絶縁膜のエッチ
ングを行う際に一般的に用いられるＣｘＦｙやＣｘＨｙ
Ｆｚ（ｘ、ｙ、ｚは自然数）等の炭素及びフッ素を含む
ガスをプラズマ化したとき、電子温度が３ｅＶ程度以下
になると、電子温度が高いときに比べてガスの解離が抑
制され、とくにＦ原子やＦラジカル等の生成が抑えられ
る。Ｆ原子やＦラジカル等はシリコンをエッチングする
速度が早いため、電子温度が低い方が対シリコンエッチ
ング選択比の大きい絶縁膜エッチングが可能になる。

【０００５】また、電子温度が３ｅＶ以下になると、イ
オン温度やプラズマ電位も低下するので、プラズマＣＶ
Ｄにおける基板へのイオンダメージを低減することがで
きる。

【０００６】電子温度の低いプラズマを生成でき、か
つ、着火性に優れたプラズマを生成する技術として現在
注目されているのは、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いるプ
ラズマ源である。

【０００７】図６は、２周波励起式平行平板型プラズマ
処理装置の断面図である。図６において、真空容器１内
にガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ排気装置
としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所
定の圧力に保ちながら、対向電極用高周波電源４により
１００ＭＨｚの高周波電力を、整合器５及び高周波結合
器６を介して対向電極７に供給すると、真空容器１内に
プラズマが発生し、基板電極８上に載置された基板９に
対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を
行うことができる。このとき、図６に示すように、基板
電極８にも基板電極用高周波電源１０により高周波電力
を供給することで、基板９到達するイオンエネルギーを
制御することができる。なお、対向電極７は、絶縁リン
グ１１により、真空容器１と絶縁されている。また、整
合器５は、高周波入力端子１２、第１可変コンデンサ１
３、高周波出力端子１４、第２可変コンデンサ１５、第
１モータ１６、第２モータ１７、モータ制御回路１８か
ら構成されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示した従来の方式では、プラズマの均一性を得ることが
難しいという問題点があった。

【０００９】図７は、図６のプラズマ処理装置におい
て、イオン飽和電流密度を、基板９の直上２０ｍｍの位
置において測定した結果である。プラズマ発生条件は、
ガス種とガス流量がＣｌ₂＝１００ｓｃｃｍ、圧力が２
Ｐａ、高周波電力が１ｋＷである。また、図６に示すよ
うに、図７における測定位置の−側に第２可変コンデン
サ１５が配置されている。図７から、測定位置の−側、
すなわち、第２可変コンデンサ１５の直下でプラズマ密
度が高くなっていることがわかる。

【００１０】このようなプラズマの不均一は、高周波電
力の周波数が５０ＭＨｚ以下の場合には見られなかった
現象である。プラズマの電子温度を下げるためには、５
０ＭＨｚ以上の高周波電力を用いる必要があるが、この
周波数帯では、対向電極７に電位分布が生じる。この電
位分布が、整合器５内の第２可変コンデンサ１５の配置
による影響を受け、第２可変コンデンサ１５の直下で電
界を強める作用をもたらし、プラズマの不均一が生じた
ものと推察される。

【００１１】このような現象は、対向電極７の代わり
に、渦形アンテナ２０を用いる図８のような構成におい
ても見られる。なお、図８に示す従来例では、誘電体窓
２１が用いられている。

【００１２】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、均一
なプラズマを発生させることができるプラズマ処理方法
及び装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願の第１発明のプラズ
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、
真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の
基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電
極またはアンテナに、周波数５０ＭＨｚから３００ＭＨ
ｚの高周波電力を印加することにより、前記真空容器内
にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方
法であって、前記対向電極またはアンテナは、一端が高
周波入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続された
第１のリアクタンス素子と、一端が前記高周波入力端子
に接続され他端が高周波出力端子に接続された第２のリ
アクタンス素子からなる整合器及び高周波結合器を介し
て高周波電力が印加され、前記高周波出力端子の中心軸
を通る直線と、第１のリアクタンス素子の中心軸を通る
直線と、第２のリアクタンス素子の中心軸を通る直線
と、高周波結合器の中心軸を通る直線とが全て同一直線
上にあることを特徴とする。

【００１４】また、本願の第１発明のプラズマ処理方法
において、高周波出力端子が、第２リアクタンスの他端
そのものであってもよい。

【００１５】また、本願の第１発明のプラズマ処理方法
において、好適には、第２のリアクタンスの他端から対
向電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電
力の波長の１／１０以下であることが望ましい。

【００１６】本願の第２発明のプラズマ処理方法は、真
空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定
の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置さ
れた基板に対向して設けられた対向電極またはアンテナ
に、周波数５０ＭＨｚから３００ＭＨｚの高周波電力を
印加することにより、前記真空容器内にプラズマを発生
させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記
対向電極またはアンテナは、一端が高周波入力端子に接
続され他端が整合器筺体に接続された第１可変コンデン
サと、一端が前記高周波入力端子に接続され他端が高周
波出力端子に接続された第２可変コンデンサからなる整
合器及び高周波結合器を介して高周波電力が印加され、
前記高周波出力端子の中心軸を通る直線と、第１可変コ
ンデンサの中心軸を通る直線と、第２可変コンデンサの
中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を通る直線
とが全て同一直線上にあることを特徴とする。

【００１７】また、本願の第２発明のプラズマ処理方法
において、高周波出力端子が、第２可変コンデンサの他
端そのものであってもよい。

【００１８】また、本願の第２発明のプラズマ処理方法
において、好適には、第２可変コンデンサの他端から対
向電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電
力の波長の１／１０以下であることが望ましい。

【００１９】本願の第３発明のプラズマ処理装置は、真
空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装
置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空
容器内に基板を載置する基板電極と、前記基板電極に対
向して設けられた対向電極またはアンテナと、対向電極
またはアンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚ の
高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電源に
接続された高周波入力端子と、一端が高周波入力端子に
接続され他端が整合器筺体に接続された第１のリアクタ
ンス素子と、高周波出力端子と、一端が高周波入力端子
に接続され他端が高周波出力端子に接続された第２のリ
アクタンス素子とを備え、高周波出力端子の中心軸を通
る直線上に第２のリアクタンス素子及び高周波出力端子
が配置された整合器と、前記整合器の高周波出力端子と
対向電極またはアンテナとを接続する高周波結合器とを
備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波出力端子
の中心軸を通る直線と、第１のリアクタンス素子の中心
軸を通る直線と、第２のリアクタンス素子の中心軸を通
る直線と、高周波結合器の中心軸を通る直線とが全て同
一直線上にあることを特徴とする。

【００２０】また、本願の第３発明のプラズマ処理装置
において、高周波出力端子が、第２リアクタンス素子の
他端そのものであってもよい。

【００２１】また、本願の第３発明のプラズマ処理装置
において、好適には、第２のリアクタンス素子の他端か
ら対向電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周
波電力の波長の１／１０以下であることが望ましい。

【００２２】本願の第４発明のプラズマ処理装置は、真
空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装
置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空
容器内に基板を載置する基板電極と、前記基板電極に対
向して設けられた対向電極またはアンテナと、対向電極
またはアンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚの
高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電源に
接続された高周波入力端子と、一端が高周波入力端子に
接続され他端が整合器筺体に接続された第１可変コンデ
ンサと、高周波出力端子と、一端が高周波入力端子に接
続され他端が高周波出力端子に接続された第２可変コン
デンサとを備え、高周波出力端子の中心軸を通る直線上
に第２可変コンデンサ及び高周波出力端子が配置された
整合器と、前記整合器の高周波出力端子と対向電極また
はアンテナとを接続する高周波結合器とを備えたプラズ
マ処理装置であって、前記高周波出力端子の中心軸を通
る 直線と、第１可変コンデンサの中心軸を通る直線と、
第２可変コンデンサの中心軸を通る直線と、高周波結合
器の中心軸を通る直線とが全て同一直線上にあることを
特徴とする。

【００２３】また、本願の第４発明のプラズマ処理装置
において、高周波出力端子が、第２可変コンデンサの他
端そのものであってもよい。

【００２４】また、本願の第４発明のプラズマ処理装置
において、好適には、第２可変コンデンサの他端から対
向電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電
力の波長の１／１０以下であることが望ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態につ
いて、図１及び図２を参照して説明する。

【００２６】図１に、本発明の第１実施形態において用
いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図１において、
真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入
しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、
真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、対向電極用高
周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を、整合器
５及び高周波結合器６を介して対向電極７に供給するこ
とにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極
８上に載置された基板９に対してエッチング、堆積、表
面改質等のプラズマ処理を行うことができる。また、基
板電極８に高周波電力を供給するための基板電極用高周
波電源１０が設けられており、基板９に到達するイオン
エネルギーを制御することができるようになっている。
なお、対向電極７は、絶縁リング１１により、真空容器
１と絶縁されている。

【００２７】整合器５は、高周波電力を負荷としての対
向電極７に供給するに際して、インピーダンスを整合さ
せるために用いられており、高周波入力端子１２、第１
可変コンデンサ１３、高周波出力端子１４、第２可変コ
ンデンサ１５、第１モータ１６、第２モータ１７、モー
タ制御回路１８から構成されている。第１可変コンデン
サ１３の一端は高周波入力端子１２に接続され、他端が
整合器筺体に接続されており、第２可変コンデンサ１５
の一端は高周波入力端子１２に接続され、他端が高周波
出力端子１４に接続されている。また、第２可変コンデ
ンサ１５の中心軸を成す直線と、高周波出力端子１４の
中心軸を成す直線と、高周波結合器６の中心軸を成す直
線と、対向電極７の中心軸を成す直線と、基板９の中心
軸を成す直線がほぼ一致するように配置されている。ま
た、第２可変コンデンサ１５の中心軸を成す直線と第１
可変コンデンサ１３の中心軸を成す直線がほぼ一致する
ように、第１可変コンデンサ１３及び第２可変コンデン
サ１５が配置されている。また、第２可変コンデンサ１
５の他端から対向電極７までの実質的な距離１９が、高
周波電力の波長（３ｍ）の１／１５（２０ｃｍ）となっ
ている。

【００２８】図２に、イオン飽和電流密度を、基板９の
直上２０ｍｍの位置において測定した結果を示す。プラ
ズマ発生条件は、ガス種とガス流量がＣｌ₂＝１００ｓ
ｃｃｍ、圧力が２Ｐａ、高周波電力が１ｋＷである。ま
た、図１には、図２における測定位置を示してある。図
２から、図７で見られたような、測定位置の片側でプラ
ズマ密度が高くなるというようなプラズマの不均一は見
られないことがわかる。

【００２９】このように、従来例の図６で示したプラズ
マ処理装置と比較してプラズマの均一性が改善した原因
として、以下のことが考えられる。５０ＭＨｚ以上の高
周波電力を用いる場合、整合器５内の第２可変コンデン
サ１５の配置による影響を受け、対向電極７に電位分布
が生じるが、本発明の第１実施形態においては、第２可
変コンデンサ１５の中心軸を成す直線と、高周波出力端
子１４の中心軸を成す直線と、高周波結合器６の中心軸
を成す直線と、対向電極７の中心軸を成す直線と、基板
９の中心軸を成す直線がほぼ一致するように配置されて
いるため、対向電極７上に生じる電位分布は同心円状に
なる。その結果、真空容器１内の電界も同心円状とな
り、プラズマの均一性が改善したものと推察される。

【００３０】以上述べた本発明の第１実施形態におい
て、プラズマを発生させるために対向電極７を用いる場
合について説明したが、図３に示す本発明の第２実施形
態のように、渦形アンテナ２０を用いる場合にも、本発
明は有効である。なお、図３に示す本発明の第２実施形
態では、誘電体窓２１が用いられている。

【００３１】また、以上述べた本発明の実施形態におい
ては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、対向
電極またはアンテナの形状及び配置、誘電体の形状及び
配置等に関し、様々なバリエーションのうちの一部を例
示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示
した以外にも様々なバリエーションが考えられること
は、いうまでもない。例えば、本発明の第１実施形態に
おいては、対向電極が円形である場合について説明した
が、多角形、楕円形等他の形状による構成も可能であ
る。同様に、アンテナが渦形である場合について説明し
たが、平板状、スポーク状等他の形状による構成も可能
である。

【００３２】また、以上述べた本発明の実施形態におい
て、対向電極またはアンテナに１００ＭＨｚの高周波電
力を供給する場合について説明したが、周波数はこれに
限定されるものではなく、５０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚ
の周波数を用いる場合に、本発明は有効である。周波数
が５０ＭＨｚより低い場合は、本発明を適用しなくても
プラズマの均一性は容易に得られ、また、周波数が３０
０ＭＨｚより高い場合は、２つの可変コンデンサを用い
てインピーダンスを整合させるのが困難となり、スタブ
によってインピーダンスを整合させる必要が出てくる。

【００３３】また、以上述べた本発明の実施形態におい
て、第２可変コンデンサの中心軸を成す直線と第１可変
コンデンサの中心軸を成す直線がほぼ一致するように、
第１可変コンデンサ及び第２可変コンデンサが配置され
ている場合について説明したが、対向電極７に生じる電
位分布は、主として第２可変コンデンサの配置による影
響を受けるため、図４に示す本発明の第３実施形態のよ
うに、第２可変コンデンサ１５の中心軸を成す直線と第
１可変コンデンサ１３の中心軸を成す直線が一致しない
場合にも、従来例に比較すると格段にプラズマ均一性は
改善する。図４のような構成は、整合器を小型化したい
場合に有効となるもので、本発明の適用範囲に含まれ
る。

【００３４】また、以上述べた本発明の実施形態におい
ては、可変コンデンサを有する整合器の場合について、
例示したが、可変インダクタ、固定コンデンサ，固定イ
ンダクタ等のリアクタンス素子を有する整合器でも同様
な効果を有する。

【００３５】また、以上述べた本発明の実施形態におい
て、第２可変コンデンサの他端と整合器の高周波出力端
子が別部材である場合について説明したが、図５に示す
本発明の第４実施形態のように、高周波出力端子１４
が、第２可変コンデンサ１５の他端そのものであっても
よい。

【００３６】また、以上述べた本発明の第１実施形態に
おいて、第２可変コンデンサの他端から対向電極までの
実質的な距離が、高周波電力の波長の１／１５である場
合について説明したが、第２可変コンデンサの他端から
対向電極またはアンテナまでの実質的な距離は、高周波
電力の波長の１／１０以下であることが望ましい。第２
可変コンデンサの他端から対向電極またはアンテナまで
の実質的な距離が、高周波電力の波長の１／１０より大
きいと、第２可変コンデンサの他端から対向電極または
アンテナまでのインダクタンスが大きくなりすぎるた
め、２つの可変コンデンサを用いてインピーダンスを整
合させるのが困難となる。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供
給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しなが
ら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して
設けられた対向電極またはアンテナに、周波数５０ＭＨ
ｚから３００ＭＨｚの高周波電力を印加することによ
り、前記真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理
するプラズマ処理方法であって、前記対向電極またはア
ンテナは、一端が高周波入力端子に接続され他端が整合
器筺体に接続された第１のリアクタンス素子と、一端が
前記高周波入力端子に接続され他端が高周波出力端子に
接続された第２のリアクタンス素子からなる 整合器及び
高周波結合器を介して高周波電力が印加され、前記高周
波出力端子の中心軸を通る直線と、第１のリアクタンス
素子の中心軸を通る直線と、第２のリアクタンス素子の
中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を通る直線
とが全て同一直線上にあるため、均一なプラズマを発生
させることができ、基板を均一に処理することができ
る。

【００３８】また、本願の第２発明のプラズマ処理方法
によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空
容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板
電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極ま
たはアンテナに、周波数５０ＭＨｚから３００ＭＨｚの
高周波電力を印加することにより、前記真空容器内にプ
ラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法で
あって、前記対向電極またはアンテナは、一端が高周波
入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続された第１
可変コンデンサと、一端が前記高周波入力端子に接続さ
れ他端が高周波出力端子に接続された第２可変コンデン
サからなる整合器及び高周波結合器を介して高周波電力
が印加され、前記高周波出力端子の中心軸を通る直線
と、第１可変コンデンサの中心軸を通る直線と、第２可
変コンデンサの中心軸を通る直線と、高周波結合器の中
心軸を通る直線とが全て同一直線上にあるため、均一な
プラズマを発生させることができ、基板を均一に処理す
ることができる。

【００３９】また、本願の第３発明のプラズマ処理装置
によれば、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給す
るガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置
と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、前記
基板電極に対向して設けられた対向電極またはアンテナ
と、対向電極またはアンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３
００ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記
高周波電源に接続された高周波入力端子と、一端が高周
波入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続された第
１のリアクタンス素子と、高周波出力端子と、一端が高
周波入力端子に接続され他端が高周波出力端子に接続さ
れた第２のリアクタンス素子とを備え、高周波出力端子
の中心軸を通る直線上に第２のリアクタンス素子及び高
周波出力端子が配置された整合器と、前記整合器の高周
波出力端子と対向電極またはアン テナとを接続する高周
波結合器とを備えたプラズマ処理装置であって、前記高
周波出力端子の中心軸を通る直線と、第１のリアクタン
ス素子の中心軸を通る直線と、第２のリアクタンス素子
の中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を通る直
線とが全て同一直線上にあるため、均一なプラズマを発
生させることができ、基板を均一に処理することができ
る。

【００４０】また、本願の第４発明のプラズマ処理装置
によれば、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給す
るガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置
と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、前記
基板電極に対向して設けられた対向電極またはアンテナ
と、対向電極またはアンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３
００ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記
高周波電源に接続された高周波入力端子と、一端が高周
波入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続された第
１可変コンデンサと、高周波出力端子と、一端が高周波
入力端子に接続され他端が高周波出力端子に接続された
第２可変コンデンサとを備え、高周波出力端子の中心軸
を通る直線上に第２可変コンデンサ及び高周波出力端子
が配置された整合器と、前記整合器の高周波出力端子と
対向電極またはアンテナとを接続する高周波結合器とを
備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波出力端子
の中心軸を通る直線と、第１可変コンデンサの中心軸を
通る直線と、第２可変コンデンサの中心軸を通る直線
と、高周波結合器の中心軸を通る直線とが全て同一直線
上にあるため、均一なプラズマを発生させることがで
き、基板を均一に処理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図

【図２】本発明の第１実施形態における、イオン飽和電
流密度の測定結果を示す図

【図３】本発明の第２実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図

【図４】本発明の第３実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図

【図５】本発明の第４実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図

【図６】従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す
断面図

【図７】従来例における、イオン飽和電流密度の測定結
果を示す図

【図８】他の従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を
示す断面図

【符号の説明】

１ 真空容器 ２ ガス供給装置 ３ ポンプ ４ 対向電極用高周波電源 ５ 整合器 ６ 高周波結合器 ７ 対向電極 ８ 基板電極 ９ 基板 １０ 基板電極用高周波電源 １１ 絶縁リング １２ 高周波入力端子 １３ 第１可変コンデンサ １４ 高周波出力端子 １５ 第２可変コンデンサ １６ 第１モータ １７ 第２モータ １８ モータ制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−198390（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−302996（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−172794（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−162696（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05H 1/46 H01L 21/3065 H01L 21/31

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、
   真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の
   基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電
   極またはアンテナに、周波数５０ＭＨｚから３００ＭＨ
   ｚの高周波電力を印加することにより、前記真空容器内
   にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方
   法であって、 前記対向電極またはアンテナは、一端が高周波入力端子
   に接続され他端が整合器筺体に接続された第１のリアク
   タンス素子と、一端が前記高周波入力端子に接続され他
   端が高周波出力端子に接続された第２のリアクタンス素
   子からなる整合器及び高周波結合器を介して高周波電力
   が印加され、前記高周波出力端子の中心軸を通る直線
   と、第１のリアクタンス素子の中心軸を通る直線と、第
   ２のリアクタンス素子の中心軸を通る直線と、高周波結
   合器の中心軸を通る直線とが全て同一直線上にあること
   を特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 高周波出力端子が、第２のリアクタンス
   素子の他端そのものであることを特徴とする請求項１記
   載のプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】 第２のリアクタンス素子の他端から対向
   電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電力
   の波長の１／１０以下であることを特徴とする請求項１
   記載のプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、
   真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の
   基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電
   極またはアンテナに、周波数５０ＭＨｚから３００ＭＨ
   ｚの高周波電力を印加することにより、前記真空容器内
   にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方
   法であって、 前記対向電極またはアンテナは、一端が高周波入力端子
   に接続され他端が整合器筺体に接続された第１可変コン
   デンサと、一端が前記高周波入力端子に接続され他端が
   高周波出力端子に接続された第２可変コンデンサからな
   る整合器及び高周波結合器を介して高周波電力が印加さ
   れ、前記高周波出力端子の中心軸を通る直線と、第１可
   変コンデンサの中心軸を通る直線と、第２可変コンデン
   サの中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を通る
   直線とが全て同一直線上にあることを特徴とするプラズ
   マ処理方法。
5. 【請求項５】 高周波出力端子が、第２可変コンデンサ
   の他端そのものであることを特徴とする請求項４記載の
   プラズマ処理方法。
6. 【請求項６】 第２可変コンデンサの他端から対向電極
   またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電力の波
   長の１／１０以下であることを特徴とする請求項４記載
   のプラズマ処理方法。
7. 【請求項７】 真空容器と、前記真空容器内にガスを供
   給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気
   装置と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、
   前記基板電極に対向して設けられた対向電極またはアン
   テナと、対向電極またはアンテナに周波数５０ＭＨｚ乃
   至３００ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、 前記高周波電源に接続された高周波入力端子と、一端が
   高周波入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続され
   た第１のリアクタンス素子と、高周波出力端子と、一端
   が高周波入力端子に接続され他端が高周波出力端子に接
   続された第２のリアクタンス素子とを備え、高周波出力
   端子の中心軸を通る直線上に第２のリアクタンス素子及
   び高周波出力端子が配置された整合器と、 前記整合器の高周波出力端子と対向電極またはアンテナ
   とを接続する高周波結合器とを備えたプラズマ処理装置
   であって、 前記高周波出力端子の中心軸を通る直線と、第１のリア
   クタンス素子の中心軸を通る直線と、第２のリアクタン
   ス素子の中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を
   通る直線とが全て同一直線上にあることを特徴とするプ
   ラズマ処理装置。
8. 【請求項８】 高周波出力端子が、第２のリアクタンス
   素子の他端そのものであることを特徴とする請求項７記
   載のプラズマ処理装置。
9. 【請求項９】 第２のリアクタンス素子の他端から対向
   電極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電力
   の波長の１／１０以下であることを特徴とする請求項７
   記載のプラズマ処理装置。
10. 【請求項１０】 真空容器と、前記真空容器内にガスを
    供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排
    気装置と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極
    と、前記基板電極に対向して設けられた対向電極または
    アンテナと、対向電極またはアンテナに周波数５０ＭＨ
    ｚ乃至３００ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源
    と、 前記高周波電源に接続された高周波入力端子と、一端が
    高周波入力端子に接続され他端が整合器筺体に接続され
    た第１可変コンデンサと、高周波出力端子と、一端が高
    周波入力端子に接続され他端が高周波出力端子に接続さ
    れた第２可変コンデンサとを備え、高周波出力端子の中
    心軸を通る直線上に第２可変コンデンサ及び高周波出力
    端子が配置された整合器と、 前記整合器の高周波出力端子と対向電極またはアンテナ
    とを接続する高周波結合器とを備えたプラズマ処理装置
    であって、 前記高周波出力端子の中心軸を通る直線と、第１可変コ
    ンデンサの中心軸を通る直線と、第２可変コンデンサの
    中心軸を通る直線と、高周波結合器の中心軸を通る直線
    とが全て同一直線上にあることを特徴とするプラズマ処
    理装置。
11. 【請求項１１】 高周波出力端子が、第２可変コンデン
    サの他端そのものであることを特徴とする請求項１０記
    載のプラズマ処理装置。
12. 【請求項１２】 第２可変コンデンサの他端から対向電
    極またはアンテナまでの実質的な距離が、高周波電力の
    波長の１／１０以下であることを特徴とする請求項１１
    記載のプラズマ処理装置。