JP4493896B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法に関し、更に詳しくは、プラズマ処理中に印加電力が瞬間的に急激に変化した時にプラズマ処理を中止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ処理では処理容器内でプラズマを発生させウエハ等の被処理体に対してエッチング等のプラズマ処理を施す。プラズマ発生手段として高周波電力等が広く用いられている。そして、プラズマ処理時には高周波電力を一定に制御し、プラズマ状態を安定化し、安定したプラズマ処理を行っている。
【0003】
例えば、特開平10−242121号公報ではプラズマ発生手段として用いる高周波電源をフィードバック制御し、高周波電力または高周波電力のピークツウピーク電圧(VPP)の値を一定の範囲内に制御して再現性の良いプラズマ処理を行う技術が提案されている。また、特開平8−199378号公報では試料台に印加してバイアス電圧を得る高周波電力をフィードバック制御し、ピークツウピーク電圧を目標値に制御し、常に一定のエッチングレートを確保する技術が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各公報において提案された技術では、被処理体の種類の相違やプラズマ処理による経時的変化(例えば、処理容器内への副生成物の付着)等に応じて高周波電力やピークツウピーク電圧を制御してプラズマ処理を安定化し、再現性を高めることができるが、例えば、整合器の可変コンデンサ等のプリセット値が適当でないなど、高周波電力が何等かの原因で瞬間的且つ急激に落ち込んだ場合には対応することができず、被処理体のパターン欠陥が発生し、大量のロット不良を生じさせるという課題があった。
【0005】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、高周波電力が瞬間的に落ち込むなど急激に変化した場合であっても被処理体のパターン欠陥を防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載のプラズマ処理装置は、処理容器内で互いに平行に配置された第1、第2の電極を有し、これらの電極に第1、第2の整合器を介して第1、第2の高周波電力をそれぞれ印加してプラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記第1の高周波電力の印加を開始した後、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する監視手段を設け、上記監視手段は、第1検出手段、遅延手段、タイマ、第2検出手段及び停止手段を有し、上記第1検出手段は、上記第1の高周波電力の印加が開始されたことをトリガー信号として検出し、上記トリガー信号を上記遅延手段へ出力した後、上記遅延手段は、上記第1検出手段からの上記トリガー信号を、所定時間遅延させて上記タイマへ出力し、上記タイマは、上記遅延手段からの信号に基づいて上記トリガー信号を、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する時間だけ上記停止手段へ出力し続ける一方、上記第2検出手段は、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の上記所定値までの落ち込みを検出し、この検出信号を上記停止手段へ出力し、上記停止手段は、上記タイマからの信号と上記第2検出手段からの信号に基づいてプラズマ処理を停止させることを特徴とするものである。
【0007】
また、本発明の請求項2に記載のプラズマ処理装置は、請求項1に記載の発明において、上記監視手段は、上記第1の電極と上記第1の整合器の間に設けられていることを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項3に記載のプラズマ処理停止方法は、処理容器内で互いに平行に配置された第1、第2の電極のうち、上記第1の電極に第1の高周波電力を印加する工程と、上記第2の電極に第2の高周波電力を印加する工程と、第1検出手段、遅延手段、タイマ、第2検出手段及び停止手段を有する監視手段を用いて、上記第1の高周波電力の印加を開始した後、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する工程と、を備え、上記監視手段を用いて上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する工程は、上記第1検出手段を用いて上記第1の高周波電力の印加が開始されたことをトリガー信号として検出し、上記トリガー信号を上記遅延手段へ出力する工程と、上記遅延手段を用いて上記第1検出手段からの上記トリガー信号を、所定時間遅延させて上記タイマへ出力する工程と、上記タイマを用いて上記遅延手段からの信号に基づいて上記トリガー信号を、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する時間だけ上記停止手段へ出力し続ける工程と、上記第2検出手段を用いて上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の上記所定値までの落ち込みを検出し、この検出信号を上記停止手段へ出力する工程と、上記停止手段を用いて上記タイマからの信号と上記第2検出手段からの信号に基づいてプラズマ処理を停止させる工程と、を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載のプラズマ処理停止方法は、請求項3に記載の発明において、上記監視手段は、上記第1の電極と上記第1の整合器の間に設けられていることを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図3に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置10は、例えば図1に示すように、アルミニウム等の導電性材料からなる処理容器11と、この処理容器11内に互いに所定間隔を隔てて平行に配設された上部電極12及び下部電極13と、これらの両電極12、13に接続された第1、第2の高周波電源14、15とを備えている。下部電極13は被処理体(例えば、半導体ウエハ)を載置する載置台を兼ねている。第1の高周波電源14は例えば60MHzの高周波電力を上部電極12に印加し、第2の高周波電源15は第1の高周波電源14からの印加後例えば2秒後に例えば2MHzの高周波電力を下部電極13に印加し、上部電極12と下部電極13の間で処理容器11内に供給されたプロセスガスからプラズマPを発生させる。この際、第2の高周波電力によって下部電極13にバイアス電位が発生し、プラズマ中のイオン成分を半導体ウエハW面に引き込み、例えば反応性イオンエッチングを行う。
【0013】
第1の高周波電源14の第1の電力供給ライン16には第1の整合器17が設けられ、第1の整合器17を介して第1の高周波電源14から上部電極12へ高周波電力を供給する。第1の整合器17は例えば可変コンデンサ(図示せず)を有し、予め可変コンデンサを所定のプリセット値に設定することにより高周波電力の整合を取る。第2の高周波電源15の第2の電力供給ライン18には第2の整合器19が設けられ、第2の整合器19を介して第2の高周波電源15から下部電極13へ高周波電力を供給する。第2の整合器19は例えば可変リアクタンス(図示せず)を有し、予め可変リアクタンスを所定のプリセット値に設定することにより高周波電力の整合を取る。第1、第2の整合器17、19はオペレータの経験に基づいてプリセットされる。
【0014】
ところが、第1の高周波電力を印加した後第2の高周波電力を印加すると、第2の高周波電力を印加した時に処理容器1内のインピーダンスが変化する。この際、第2の整合器19のプリセット値の設定が悪いとインピーダンスが急激に変化するため、第1の整合器17の整合動作が間に合わずに第1の高周波電力の反射波が発生する。この反射波が大きいと第1の高周波電源14の反射波保護機能が動作して第1の高周波電力が低下する。
【0015】
例えば図2の(a)は第2の整合器19におけるリアクタンスのプリセット値の取り方が悪い場合の上部電極12及び下部電極13のピークツウピーク電圧のVPPの波形図である。上段の波形図が上部電極12のVPP値、下段の波形図が下部電極13のVPP値を表し、上下段とも横軸は時間を表している。図2の(b)は第2の整合器19におけるリアクタンスのプリセット値の取り方が良い場合の上部電極12及び下部電極13のピークツウピーク電圧のVPPの波形図である。上段の波形図が上部電極12のVPP値、下段の波形図が下部電極13のVPP値を表し、上下段とも横軸は時間を表している。図2の(a)、(b)共に、第1の高周波電力を印加した後、2秒後に第2の高周波電力を印加した場合の波形を表している。第2の整合器19のプリセット値の取り方が良い場合には、図2の(b)に示すように上部電極12のVPP値、下部電極13のVPP値共に瞬間的な変動がなく非常に安定している。ところが、第2の整合器19のプリセット値の取り方が悪い場合には、図2の(a)にα点で示すように第1の高周波電力を印加した後第2の高周波電力を印加した時に第1の高周波電力(即ち、上部電極12のVPP値)が瞬間的に落ち込んでしまう。この落ち込みにより半導体ウエハのプラズマ処理に支障をきたす可能性がある。
【0016】
そこで、本実施形態では、例えば図1に示すように第1の整合器17には監視手段20が接続されている。そして、第1の高周波電力が所定の閾値まで落ち込んだ時には、監視手段20は、インターロック信号を第1、第2の高周波電源14、15に出力し、プラズマ処理を中断すると共に警報器21を付勢して警報を発するようにしてある。
【0017】
そこで、監視手段20について詳述する。この監視手段20は、例えば図3に示すように、第1の高周波電力印加時のピークツウピーク電圧VPP値をトリガー信号として検出する第1検出手段20Aと、第1検出手段20Aからの検出信号を所定時間だけ遅らせて出力する遅延回路20Bと、遅延回路20Bからの信号に基づいて一定時間作動して信号を出力し続けるタイマ20Cと、この間上部電極12のピークツウピーク電圧VPP値の所定の閾値以下までの落ち込みを検出20Cからの信号とする第2検出手段20Dと、タイマ20Cからの信号と第2検出手段20Dからの信号に基づいて停止信号(インターロック信号)を出力する停止手段(インターロック手段)20Eとを備えている。
【0018】
即ち、上部電極12で発生するピークツウピーク電圧VPP及びバイアス電圧VDCは第1の整合器17において検出され、これらの電圧を監視手段20に入力する。下部電極13で発生するピークツウピーク電圧VPP及びバイアス電圧VDCは第2の整合器19において検出され、これらの電圧を監視手段20に入力する。また、上部電極12の高周波進行波及びその反射波は第1の高周波電源14において検出され、これらの高周波進行波及び反射波を監視手段20に入力する。下部電極13の高周波進行波及びその反射波は第2の高周波電源15において検出され、これらの高周波進行波及び反射波を監視手段20に入力する。そして、監視手段20はトリガー信号とターゲット信号をそれぞれ適宜選択し、これらの信号を目的に応じて使用する。
【0019】
監視手段20について図2の(a)を用いて更に説明すると、第1検出手段20Aはトリガー信号(上部電極のVPP値)が一定の閾値T1を超えた時に遅延回路20Bに信号を出力する。遅延回路20Bは、第1検出手段20Aからの信号を例えば1秒間遅らせてタイマ20Cへ信号を出力する。タイマ20Cは上部電極12のピークツウピーク電圧VPPの監視時間を設定するもので、遅延回路20Bからの信号に基づいて1〜10秒間インターロック手段20Eへ信号を出力する。一方、第2検出手段20Dは例えば閾値(例えば、0V)T2がターゲット電位として設定され、上部電極12のピークツウピーク電圧VPPをターゲット信号として検出し、このターゲット信号がターゲット電位まで落ち込んだ時に検出信号をインターロック手段20Eへ出力する。インターロック手段20Eは、図2に示すようにタイマ20C及び第2検出手段20Dの双方からの信号に基づいてインターロック信号を第1、第2の高周波電源14、15及び警報器21へ出力する。
【0020】
従って、例えば第2の整合器19の可変リアクタンスが適正なプリセット値であれば、図2の(b)に示すようにピークツウピーク電圧VPPが瞬間的にターゲット電位まで落ち込むことがなく所定の電位で安定する。そして、インターロック手段20Eはインターロック信号を出力することはなく、プラズマ処理を続行することになる。
【0021】
次に、本実施形態のプラズマ処理装置の一連の動作について説明する。まず、第1、第2の整合器17、19の可変リアクタンス及び可変コンデンサを所定の値にプリセットした後、プラズマ処理装置10の処理容器11内を所定の真空度まで減圧した後、処理容器11内の下部電極13にウエハWを載置し、処理容器11内にプロセスガスを供給し所定の真空度まで減圧する。
【0022】
次いで、第1の整合器17を介して第1の高周波電源14から上部電極12に対して第1の高周波電力を印加する。図2の(a)に示すように上部電極12のピークツウピーク電圧VPPが閾値T1を超えると監視手段20の第1検出手段20Aがトリガー信号として検出し、遅延回路20Bに信号を出力する。遅延回路20Bはトリガー信号の入力後1秒経過すると、タイマ2Cに信号を出力する。タイマ20Cはインターロック手段20Eに信号を1〜10秒間出力する。また、第1の高周波電電力を印加した2秒後に第2の整合器19を介して第2の高周波電源15から下部電極13に第2の高周波電力を印加すると、そのピークツウピーク電圧Vppが所定の電位まで上昇する。
【0023】
この際、例えば仮に第1、第2の整合器17、19のプリセット値が悪いと、第2の高周波電力を印加した後、第1の高周波電力のピークツウピーク電圧Vppが瞬間的に閾値T2のターゲット電位まで落ち込み、第2検出手段20Dは検出信号をインターロック手段20Eへ出力する。インターロック手段20Eはタイマ20Cからの信号及び第2検出手段20Dからの信号を同時に受信するとインターロック信号を第1、第2の高周波電源14、15へ出力し、第1、第2の高周波電力の印加を停止し、プラズマ処理を停止する。また、これと同時にインターロック手段20Eは警報器21へ信号を出力し、第1の高周波電力の印加電圧が瞬間的に落ち込んだことを報知する。第2の整合器19のプリセット値が良いと、第1の高周波電力の落ち込みがなく、プラズマ処理が継続する。
【0024】
以上説明したように本実施形態によれば、監視手段20を用いて上部電極12と第1の整合器17の間で第1の高周波電力の印加電力を検出し、この検出値の所定の閾値(ターゲット電位)T2までの落ち込みを監視するようにしたため、第1の高周波電力のピークツウピーク電圧VPPのターゲット電位までの瞬間的な落ち込みを監視することができ、ウエハWのパターン欠陥を未然に防止することができ、ひいては大量のロット不良を防止することができる。
【0025】
また、監視手段20は、第1の高周波電力印加時のピークツウピーク電圧VPPをトリガー信号として検出する第1検出手段20Aと、第1検出手段20Aからの信号を1秒間だけ遅らせて出力する遅延回路20Bと、遅延回路20Bからの信号に基づいて一定時間(1〜10秒)作動するタイマ20Cと、このタイマ20Cの作動中にピークツウピーク電圧VPPのターゲット電位までの落ち込みを検出する第2検出手段20Dと、第2検出手段20Dからの信号に基づいてプラズマ処理をインターロックするインターロック手段20Eとを有するため、第1の高周波電力のピークツウピーク電圧VPPがターゲット電位まで瞬間的に落ち込んだ時にインターロック手段20Eが作動して第1、第2の高周波電源14、15から上部電極12及び下部電極13への電力印加を停止してプラズマ処理を停止し、ウエハWのパターン欠陥を未然に防止することができ、ひいては大量のロット不良を防止することができる。
【0026】
尚、上記実施形態では、印加電力のピークツウピーク電圧VPPを監視する場合について説明したが、ピークツウピーク電圧VPPの他、各電極12、13におけるバイアス電圧VDC、印加電力の高周波進行波、高周波反射波を用いることもできる。また、上記実施形態では第1の高周波電力を監視する場合について説明したが、第1、第2の高周波電力の双方を監視するようにしても良い。第2の高周波電力をも監視することで第1、第2の高周波電力の瞬間的な落ち込みを個別に監視することができ、いずれか一方の高周波電力の瞬間的な落ち込みを監視することができる。また、上記実施形態では上部電極12に印加する高周波電源を第1の高周波電源、下部電極13に印加する高周波電源を第2の高周波電源として、上部電極12に先に高周波電源を印加する場合について説明した。しかし、下部電極13に先に印加して上部電極12の高周波電力の落ち込みを検出するようにしても良いことは云うまでもない。この場合上記実施形態において第1の高周波電源と第2の高周波電源を入れ替えれば成立つことになる。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、整合器の可変コンデンサ等のプリセット値が適当でないなどの原因により、高周波電力が瞬間的に落ち込むなど急激に変化した場合であっても被処理体のパターン欠陥を防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を示す構成図である。
【図2】図1に示すプラズマ処理装置の第1、第2の高周波電源それぞれの高周波電圧の波形図で、(a)は第1の高周波電圧が異常に落ち込んだ場合の波形図、(b)は第1の高周波電圧の正常な波形図ある。
【図3】図1に示す監視手段を示すブロック図である。
【符号の説明】
10 プラズマ処理装置
11 処理容器
12 上部電極
13 下部電極
14 第1の高周波電源
15 第2の高周波電源
17 第1の整合器
19 第2の整合器
20 監視手段
20A 第1検出手段
20B 遅延回路(遅延手段)
20C タイマ
20D インターロック手段(停止手段)
20E 第2検出手段
W ウエハ(被処理体)
Claims (4)
- 処理容器内で互いに平行に配置された第1、第2の電極を有し、これらの電極に第1、第2の整合器を介して第1、第2の高周波電力をそれぞれ印加してプラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
上記第1の高周波電力の印加を開始した後、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する監視手段を設け、
上記監視手段は、第1検出手段、遅延手段、タイマ、第2検出手段及び停止手段を有し、
上記第1検出手段は、上記第1の高周波電力の印加が開始されたことをトリガー信号として検出し、上記トリガー信号を上記遅延手段へ出力した後、
上記遅延手段は、上記第1検出手段からの上記トリガー信号を、所定時間遅延させて上記タイマへ出力し、
上記タイマは、上記遅延手段からの信号に基づいて上記トリガー信号を、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する時間だけ上記停止手段へ出力し続ける一方、
上記第2検出手段は、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の上記所定値までの落ち込みを検出し、この検出信号を上記停止手段へ出力し、
上記停止手段は、上記タイマからの信号と上記第2検出手段からの信号に基づいてプラズマ処理を停止させる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 上記監視手段は、上記第1の電極と上記第1の整合器の間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 処理容器内で互いに平行に配置された第1、第2の電極のうち、上記第1の電極に第1の高周波電力を印加する工程と、上記第2の電極に第2の高周波電力を印加する工程と、第1検出手段、遅延手段、タイマ、第2検出手段及び停止手段を有する監視手段を用いて、上記第1の高周波電力の印加を開始した後、上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する工程と、を備え、
上記監視手段を用いて上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する工程は、
上記第1検出手段を用いて上記第1の高周波電力の印加が開始されたことをトリガー信号として検出し、上記トリガー信号を上記遅延手段へ出力する工程と、
上記遅延手段を用いて上記第1検出手段からの上記トリガー信号を、所定時間遅延させて上記タイマへ出力する工程と、
上記タイマを用いて上記遅延手段からの信号に基づいて上記トリガー信号を、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の所定値までの落ち込みを監視する時間だけ上記停止手段へ出力し続ける工程と、
上記第2検出手段を用いて上記第2の高周波電力の印加を開始した際の、上記第1の高周波電力の電力値または電圧値の上記所定値までの落ち込みを検出し、この検出信号を上記停止手段へ出力する工程と、
上記停止手段を用いて上記タイマからの信号と上記第2検出手段からの信号に基づいてプラズマ処理を停止させる工程と、を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理停止方法。 - 上記監視手段は、上記第1の電極と上記第1の整合器の間に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理停止方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066370A JP4493896B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 |
PCT/JP2003/002933 WO2003077304A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | Systeme de traitement par plasma et methode d'interruption du traitement par plasma |
AU2003221363A AU2003221363A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | Plasma processing system and method for interrupting plasma processing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066370A JP4493896B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003264180A JP2003264180A (ja) | 2003-09-19 |
JP4493896B2 true JP4493896B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=27800251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002066370A Expired - Fee Related JP4493896B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493896B2 (ja) |
AU (1) | AU2003221363A1 (ja) |
WO (1) | WO2003077304A1 (ja) |
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-
2002
- 2002-03-12 JP JP2002066370A patent/JP4493896B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-12 WO PCT/JP2003/002933 patent/WO2003077304A1/ja active Application Filing
- 2003-03-12 AU AU2003221363A patent/AU2003221363A1/en not_active Abandoned
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003077304A1 (fr) | 2003-09-18 |
JP2003264180A (ja) | 2003-09-19 |
AU2003221363A1 (en) | 2003-09-22 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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