JP2000216000A - プラズマ処理方法とその装置 - Google Patents
プラズマ処理方法とその装置Info
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- JP2000216000A JP2000216000A JP11012544A JP1254499A JP2000216000A JP 2000216000 A JP2000216000 A JP 2000216000A JP 11012544 A JP11012544 A JP 11012544A JP 1254499 A JP1254499 A JP 1254499A JP 2000216000 A JP2000216000 A JP 2000216000A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークを処理するに適したプラズマ発生状態
が得られるように自動制御するのに適したプラズマ処理
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 第１，第２の可変コンデンサ４，５の値
を軸とする２次元領域上に、放電良好かつ可変コンデン
サの値が最適である領域を求め、それを最適放電領域と
し、実際のプラズマ処理において、放電中における第
１，第２の可変コンデンサ４，５の値を常時取り込み監
視し、その値がこの最適放電領域を外れ出した場合に異
常検出通知２４を出す。
が得られるように自動制御するのに適したプラズマ処理
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 第１，第２の可変コンデンサ４，５の値
を軸とする２次元領域上に、放電良好かつ可変コンデン
サの値が最適である領域を求め、それを最適放電領域と
し、実際のプラズマ処理において、放電中における第
１，第２の可変コンデンサ４，５の値を常時取り込み監
視し、その値がこの最適放電領域を外れ出した場合に異
常検出通知２４を出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル製造あ
るいは半導体製造装置など、基板（ウエハを含む）の処
理に利用されるドライエッチング、スパッタリング、プ
ラズマＣＶＤ等のプラズマ処理方法に関するものであ
る。
るいは半導体製造装置など、基板（ウエハを含む）の処
理に利用されるドライエッチング、スパッタリング、プ
ラズマＣＶＤ等のプラズマ処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のプラズマ処理装置を示す。
【０００３】真空チャンバー１には、高周波電源２から
整合回路３を介して高周波電力が供給されており、ワー
クが設置されている真空チャンバー１の内部でプラズマ
が発生している。
整合回路３を介して高周波電力が供給されており、ワー
クが設置されている真空チャンバー１の内部でプラズマ
が発生している。
【０００４】整合回路３は、第１，第２の可変コンデン
サ４，５と、高周波電力を計測するセンサー６と、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の操作軸を駆動するモ
ータ９，１０とで構成されている。
サ４，５と、高周波電力を計測するセンサー６と、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の操作軸を駆動するモ
ータ９，１０とで構成されている。
【０００５】１１はモータ９の位置情報のフィードバッ
ク値、１２はモータ１０の位置情報のフィードバック
値、１３はモータ９に対しての初期位置設定値、１４は
モータ１０に対しての初期位置設定値である。
ク値、１２はモータ１０の位置情報のフィードバック
値、１３はモータ９に対しての初期位置設定値、１４は
モータ１０に対しての初期位置設定値である。
【０００６】１７はコントローラで、高周波電源２から
の高周波電力のフィードバック値７と、反射電力のフィ
ードバック値８と、モータ９の位置情報のフィードバッ
ク値１１と、モータ１０の位置情報のフィードバック値
１２と、第１，第２の可変コンデンサ４，５に対する外
部からの初期設定値１８などの情報に基づいて、次のよ
うに、第１，第２の可変コンデンサ４，５をチューニン
グする。
の高周波電力のフィードバック値７と、反射電力のフィ
ードバック値８と、モータ９の位置情報のフィードバッ
ク値１１と、モータ１０の位置情報のフィードバック値
１２と、第１，第２の可変コンデンサ４，５に対する外
部からの初期設定値１８などの情報に基づいて、次のよ
うに、第１，第２の可変コンデンサ４，５をチューニン
グする。
【０００７】具体的には、高周波電力が真空チャンバー
１に印加されると、センサー６からのフィードバック信
号によって、高周波電力の反射電力を減少させるように
第１，第２の可変コンデンサ４，５の値をモータ９，１
０によって変化させる。
１に印加されると、センサー６からのフィードバック信
号によって、高周波電力の反射電力を減少させるように
第１，第２の可変コンデンサ４，５の値をモータ９，１
０によって変化させる。
【０００８】まず、第１，第２の可変コンデンサ４，５
を固定し、高周波電源２により電力を真空チャンバー１
に供給する。そして、その時の高周波電力や反射電力を
確認する。
を固定し、高周波電源２により電力を真空チャンバー１
に供給する。そして、その時の高周波電力や反射電力を
確認する。
【０００９】次に、第２の可変コンデンサ５を少し変化
させ、同様の操作を繰り返す。これを第２の可変コンデ
ンサ５の可変範囲にわたり行う。
させ、同様の操作を繰り返す。これを第２の可変コンデ
ンサ５の可変範囲にわたり行う。
【００１０】次に、第１の可変コンデンサ４の値を少し
変化させ固定し、第２の可変コンデンサ５に対し同じ処
理を行う。これを、第１，第２の可変コンデンサ４，５
の可変範囲において繰り返す。
変化させ固定し、第２の可変コンデンサ５に対し同じ処
理を行う。これを、第１，第２の可変コンデンサ４，５
の可変範囲において繰り返す。
【００１１】このようにして得られた結果から、高周波
電力が設定値に最も近く、反射電力が最も少ないと思わ
れる第１，第２の可変コンデンサ４，５の値の組み合わ
せがある程度の範囲で求められ、その範囲の中から実処
理を行う場合に最も適していると考えられる第１，第２
の可変コンデンサ４，５の値を選び、初期位置設定値１
３，１４とする。
電力が設定値に最も近く、反射電力が最も少ないと思わ
れる第１，第２の可変コンデンサ４，５の値の組み合わ
せがある程度の範囲で求められ、その範囲の中から実処
理を行う場合に最も適していると考えられる第１，第２
の可変コンデンサ４，５の値を選び、初期位置設定値１
３，１４とする。
【００１２】第１，第２の可変コンデンサ４，５の初期
位置設定値１３，１４を決定した後、実際にプラズマ処
理を繰り返し行っていく中で、真空チャンバー１のイン
ピーダンスが徐々に変化するなどして、第１，第２の可
変コンデンサ４，５のプラズマ処理中の最適値が、初期
位置設定値１３，１４からずれを生じ、プラズマ放電は
正常に行われているが、放電開始から整合状態になるま
でに要する時間が増加傾向を示し始めたり、プラズマ放
電が最適な状態から次第に外れていくを生じるため、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の値を取り込み、その
値とあらかじめ設定しておいた許容値を比較することで
異常監視を行っている。
位置設定値１３，１４を決定した後、実際にプラズマ処
理を繰り返し行っていく中で、真空チャンバー１のイン
ピーダンスが徐々に変化するなどして、第１，第２の可
変コンデンサ４，５のプラズマ処理中の最適値が、初期
位置設定値１３，１４からずれを生じ、プラズマ放電は
正常に行われているが、放電開始から整合状態になるま
でに要する時間が増加傾向を示し始めたり、プラズマ放
電が最適な状態から次第に外れていくを生じるため、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の値を取り込み、その
値とあらかじめ設定しておいた許容値を比較することで
異常監視を行っている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、プラズマ放電してワークを処理する前段階におい
て、整合回路３の第１，第２の可変コンデンサ４，５の
初期位置設定値１３，１４を決定している。
では、プラズマ放電してワークを処理する前段階におい
て、整合回路３の第１，第２の可変コンデンサ４，５の
初期位置設定値１３，１４を決定している。
【００１４】しかしながら、第１，第２の可変コンデン
サ４，５の許容値の設定を行う場合、実際の放電可能領
域に対応する第１，第２の可変コンデンサ４，５の許容
値を、例えば差分にて表せるような単純なものでないこ
ともあり、場合によっては非常に狭い範囲の許容値でし
か監視できないことが生じていた。
サ４，５の許容値の設定を行う場合、実際の放電可能領
域に対応する第１，第２の可変コンデンサ４，５の許容
値を、例えば差分にて表せるような単純なものでないこ
ともあり、場合によっては非常に狭い範囲の許容値でし
か監視できないことが生じていた。
【００１５】そこで本発明は、整合回路３の第１，第２
の可変コンデンサ４，５の値の組み合わせとその値の許
容値だけから真空チャンバー内のプラズマ状態を制御す
るのではなく、ワークを処理するに適したプラズマ発生
状態が得られるように自動制御するのに適したプラズマ
処理方法を提供することを目的とする。
の可変コンデンサ４，５の値の組み合わせとその値の許
容値だけから真空チャンバー内のプラズマ状態を制御す
るのではなく、ワークを処理するに適したプラズマ発生
状態が得られるように自動制御するのに適したプラズマ
処理方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、整合回路の第１のインピーダンス可変素子と第２
のインピーダンス可変素子の値を軸とする最適放電領域
を求め、実際のプラズマ処理中に整合回路内の第１，第
２のインピーダンス可変素子の現在値を取り込み、前記
最適放電領域内での位置関係を比較してプラズマ放電状
態を判定することを特徴とする。
法は、整合回路の第１のインピーダンス可変素子と第２
のインピーダンス可変素子の値を軸とする最適放電領域
を求め、実際のプラズマ処理中に整合回路内の第１，第
２のインピーダンス可変素子の現在値を取り込み、前記
最適放電領域内での位置関係を比較してプラズマ放電状
態を判定することを特徴とする。
【００１７】この構成によると、最適放電領域内での位
置関係を比較してプラズマ放電状態を判定するので、プ
ラズマ発生状態が異常になっていることを検出できる。
置関係を比較してプラズマ放電状態を判定するので、プ
ラズマ発生状態が異常になっていることを検出できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】請求項１記載のプラズマ処理方法
は、整合回路を介して高周波電力を真空チャンバー内に
供給してプラズマを発生させ前記真空チャンバー内の基
板を処理するに際し、前記整合回路の第１のインピーダ
ンス可変素子と第２のインピーダンス可変素子を可変範
囲内で変化させてプラズマ発生時の高周波電源の高周波
電力とその反射電力の現在値を取り込み、加えて反射電
力が許容値内に収まるまでに要する時間を計測し、それ
らの値とあらかじめ設定している高周波電力と反射電力
の正常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるまでに
要する時間の許容値と比較し、その比較結果から、第
１，第２のインピーダンス可変素子の値を軸とする最適
放電領域を求め、実際のプラズマ処理中に整合回路内の
第１，第２のインピーダンス可変素子の現在値を取り込
み、前記最適放電領域内での位置関係を比較してプラズ
マ放電状態を判定することを特徴とする。
は、整合回路を介して高周波電力を真空チャンバー内に
供給してプラズマを発生させ前記真空チャンバー内の基
板を処理するに際し、前記整合回路の第１のインピーダ
ンス可変素子と第２のインピーダンス可変素子を可変範
囲内で変化させてプラズマ発生時の高周波電源の高周波
電力とその反射電力の現在値を取り込み、加えて反射電
力が許容値内に収まるまでに要する時間を計測し、それ
らの値とあらかじめ設定している高周波電力と反射電力
の正常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるまでに
要する時間の許容値と比較し、その比較結果から、第
１，第２のインピーダンス可変素子の値を軸とする最適
放電領域を求め、実際のプラズマ処理中に整合回路内の
第１，第２のインピーダンス可変素子の現在値を取り込
み、前記最適放電領域内での位置関係を比較してプラズ
マ放電状態を判定することを特徴とする。
【００１９】請求項２記載のプラズマ処理装置は、整合
回路を介して高周波電力を真空チャンバー内に供給して
プラズマを発生させ前記真空チャンバー内の基板を処理
するプラズマ処理装置であって、前記整合回路の第１の
インピーダンス可変素子と第２のインピーダンス可変素
子を可変範囲内で変化させてプラズマ発生時の高周波電
源の高周波電力とその反射電力の現在値を取り込み、加
えて反射電力が許容値内に収まるまでに要する時間を計
測する計測手段と、それらの値とあらかじめ設定してい
る高周波電力と反射電力の正常許容値、及び反射電力の
許容値内に収まるまでに要する時間の許容値と比較する
比較手段と、前記比較手段の比較結果から第１，第２の
インピーダンス可変素子の値を軸とする最適放電領域を
求める演算手段と、実際のプラズマ処理中に整合回路内
の第１，第２のインピーダンス可変素子の現在値を取り
込み、前記最適放電領域内での位置関係を比較してプラ
ズマ放電状態を判定する判定手段とを設けたことを特徴
とする。
回路を介して高周波電力を真空チャンバー内に供給して
プラズマを発生させ前記真空チャンバー内の基板を処理
するプラズマ処理装置であって、前記整合回路の第１の
インピーダンス可変素子と第２のインピーダンス可変素
子を可変範囲内で変化させてプラズマ発生時の高周波電
源の高周波電力とその反射電力の現在値を取り込み、加
えて反射電力が許容値内に収まるまでに要する時間を計
測する計測手段と、それらの値とあらかじめ設定してい
る高周波電力と反射電力の正常許容値、及び反射電力の
許容値内に収まるまでに要する時間の許容値と比較する
比較手段と、前記比較手段の比較結果から第１，第２の
インピーダンス可変素子の値を軸とする最適放電領域を
求める演算手段と、実際のプラズマ処理中に整合回路内
の第１，第２のインピーダンス可変素子の現在値を取り
込み、前記最適放電領域内での位置関係を比較してプラ
ズマ放電状態を判定する判定手段とを設けたことを特徴
とする。
【００２０】以下、本発明のプラズマ処理方法を具体的
な実施の形態に基づいて説明する。
な実施の形態に基づいて説明する。
【００２１】図１は本発明の実施に使用するプラズマ処
理装置を示し、真空チャンバー１，高周波電源２，整合
回路３などは図３に示した従来例と同じであって、コン
トローラの構成が従来とは異なっている。なお、機能が
同一のものには図３と同一の符号を付けて説明する。
理装置を示し、真空チャンバー１，高周波電源２，整合
回路３などは図３に示した従来例と同じであって、コン
トローラの構成が従来とは異なっている。なお、機能が
同一のものには図３と同一の符号を付けて説明する。
【００２２】この実施の形態のコントローラ１９は、マ
イクロコンピュータを主要部としており、次のように構
成されている。
イクロコンピュータを主要部としており、次のように構
成されている。
【００２３】コントローラ１９は、計測手段２０と比較
手段２１と演算手段２２および判定手段２３とで構成さ
れている。
手段２１と演算手段２２および判定手段２３とで構成さ
れている。
【００２４】計測手段２０は、インピーダンス可変素子
としての第１，第２の可変コンデンサ４，５を可変範囲
内で変化させてプラズマ発生時の高周波電源２の高周波
電力とその反射電力の現在値を取り込み、加えて反射電
力が許容値内に収まるまでに要する時間を計測するよう
に構成されている。
としての第１，第２の可変コンデンサ４，５を可変範囲
内で変化させてプラズマ発生時の高周波電源２の高周波
電力とその反射電力の現在値を取り込み、加えて反射電
力が許容値内に収まるまでに要する時間を計測するよう
に構成されている。
【００２５】比較手段２１は、計測手段２０が収集した
値とあらかじめ設定している高周波電力と反射電力の正
常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるまでに要す
る時間の許容値と比較するように構成されている。
値とあらかじめ設定している高周波電力と反射電力の正
常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるまでに要す
る時間の許容値と比較するように構成されている。
【００２６】演算手段２２は、比較手段２１の比較結果
から第１，第２の可変コンデンサ４，５の値を軸とする
２次元領域内に、プラズマ発生可能領域およびその内側
に最適放電領域を決定するように構成されている。
から第１，第２の可変コンデンサ４，５の値を軸とする
２次元領域内に、プラズマ発生可能領域およびその内側
に最適放電領域を決定するように構成されている。
【００２７】判定手段２３は、実際のプラズマ処理中に
整合回路３内の第１，第２の可変コンデンサ４，５の現
在値を取り込み、前記最適放電領域内での位置関係を比
較してプラズマ放電状態を判定するように構成されてい
る。
整合回路３内の第１，第２の可変コンデンサ４，５の現
在値を取り込み、前記最適放電領域内での位置関係を比
較してプラズマ放電状態を判定するように構成されてい
る。
【００２８】コントローラ１９は、まず、第１，第２の
可変コンデンサ４，５の値を調整可能範囲内で固定して
おき、高周波電源２により整合回路３を介して電力を真
空チャンバー１に供給する。
可変コンデンサ４，５の値を調整可能範囲内で固定して
おき、高周波電源２により整合回路３を介して電力を真
空チャンバー１に供給する。
【００２９】このとき、高周波電源２からの高周波電力
値と反射電力値を、演算回路に取り込んで、初期設定値
と比較を行う。この初期設定値とは、プラズマ放電が確
実に行われている時の値に対し許容量を含んだ値とし、
高周波電力は、その設定値以上、反射電力はそれ以下の
場合に、放電状態を良好とみなす。
値と反射電力値を、演算回路に取り込んで、初期設定値
と比較を行う。この初期設定値とは、プラズマ放電が確
実に行われている時の値に対し許容量を含んだ値とし、
高周波電力は、その設定値以上、反射電力はそれ以下の
場合に、放電状態を良好とみなす。
【００３０】また、反射電力が許容量以下になるまでの
時間を監視し、これをあらかじめ設定してある時間と比
較することで、時間内であれば放電可能かつ可変コンデ
ンサの値が最適、そして時間内でなければ、放電可能か
つ可変コンデンサの値は最適ではないという２種類の領
域を、第１，第２の可変コンデンサ４，５の値を軸とす
るの２次元領域上に、放電良好かつインピーダンス可変
素子の値が最適、放電は可能だがインピーダンス可変素
子の値が最適ではない、放電が良好ではないという３種
類のポイントをそれぞれプロットしていく。これを、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の可変範囲内にわたっ
て、任意に設定した一定の刻み値ごとに行う。
時間を監視し、これをあらかじめ設定してある時間と比
較することで、時間内であれば放電可能かつ可変コンデ
ンサの値が最適、そして時間内でなければ、放電可能か
つ可変コンデンサの値は最適ではないという２種類の領
域を、第１，第２の可変コンデンサ４，５の値を軸とす
るの２次元領域上に、放電良好かつインピーダンス可変
素子の値が最適、放電は可能だがインピーダンス可変素
子の値が最適ではない、放電が良好ではないという３種
類のポイントをそれぞれプロットしていく。これを、第
１，第２の可変コンデンサ４，５の可変範囲内にわたっ
て、任意に設定した一定の刻み値ごとに行う。
【００３１】このようにして、図２に示すように２つの
可変コンデンサ４，５の値を軸とする２次元の放電可能
領域Ａを求める。
可変コンデンサ４，５の値を軸とする２次元の放電可能
領域Ａを求める。
【００３２】そして、放電可能かつ可変コンデンサの値
が最適である領域を最適放電領域Ｂとし、実際のプラズ
マ処理において、放電中の第１，第２の可変コンデンサ
４，５の値（実際には、モータ９，１０の位置情報であ
るとフィードバック値１１，１２から演算した値）を常
時取り込み監視し、その値がこの最適放電領域Ｂを外れ
出した場合、つまり、放電は可能だが第１，第２の可変
コンデンサ４，５の値が最適ではない、あるいは放電が
良好ではないという領域に入った場合に、異常検出通知
２４を出す。
が最適である領域を最適放電領域Ｂとし、実際のプラズ
マ処理において、放電中の第１，第２の可変コンデンサ
４，５の値（実際には、モータ９，１０の位置情報であ
るとフィードバック値１１，１２から演算した値）を常
時取り込み監視し、その値がこの最適放電領域Ｂを外れ
出した場合、つまり、放電は可能だが第１，第２の可変
コンデンサ４，５の値が最適ではない、あるいは放電が
良好ではないという領域に入った場合に、異常検出通知
２４を出す。
【００３３】ここで、領域で監視することによって、通
常許容範囲を設定して行う場合、任意の放電可能領域に
おいても、その監視領域を自動で求め、可変コンデンサ
の値の異常を監視することを可能としている。
常許容範囲を設定して行う場合、任意の放電可能領域に
おいても、その監視領域を自動で求め、可変コンデンサ
の値の異常を監視することを可能としている。
【００３４】また、インピーダンスが変化した場合など
には、再度放電可能領域を求め直し、結果インピーダン
スが変化してきた場合でも、早期に検出を行い、確実に
整合状態の監視を行うことができる。
には、再度放電可能領域を求め直し、結果インピーダン
スが変化してきた場合でも、早期に検出を行い、確実に
整合状態の監視を行うことができる。
【００３５】なお、ここでは整合回路３内のインピーダ
ンス可変素子としてコンデンサを例にとって説明した
が、インピーダンス可変素子としてインダクタを用いて
いる場合も同様のことが実現できる。
ンス可変素子としてコンデンサを例にとって説明した
が、インピーダンス可変素子としてインダクタを用いて
いる場合も同様のことが実現できる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によると、整合回路
の第１，第２のインピーダンス可変素子のそれぞれの値
を変化させ、プラズマ放電を行った時の第１，第２のイ
ンピーダンス可変素子を軸とするの２次元領域上に放電
可能領域とその内側に最適放電領域を求め、その最適放
電領域における第１，第２のインピーダンス可変素子の
位置をプラズマ処理中常時監視することで、真空チャン
バーのインピーダンスの変化などに伴う整合回路の整合
点の変化による、放電トラブルの事前検知を、実際の放
電可能領域内にみあった最適な領域内で可能としてい
る。
の第１，第２のインピーダンス可変素子のそれぞれの値
を変化させ、プラズマ放電を行った時の第１，第２のイ
ンピーダンス可変素子を軸とするの２次元領域上に放電
可能領域とその内側に最適放電領域を求め、その最適放
電領域における第１，第２のインピーダンス可変素子の
位置をプラズマ処理中常時監視することで、真空チャン
バーのインピーダンスの変化などに伴う整合回路の整合
点の変化による、放電トラブルの事前検知を、実際の放
電可能領域内にみあった最適な領域内で可能としてい
る。
【図１】本発明のプラズマ処理方法を実行するプラズマ
処理装置の構成図
処理装置の構成図
【図２】同実施の形態の演算手段の処理内容の説明図
【図３】従来のプラズマ処理装置の構成図
１ 真空チャンバー ２ 高周波電源 ３ 整合回路 ４ 第１の可変コンデンサ ５ 第２の可変コンデンサ ６ センサー ９，１０ モータ １９ コントローラ ２０ 計測手段 ２１ 比較手段 ２２ 演算手段 ２３ 判定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ａ Ｈ０５Ｈ 1/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】整合回路を介して高周波電力を真空チャン
バー内に供給してプラズマを発生させ前記真空チャンバ
ー内の基板を処理するに際し、 前記整合回路の第１のインピーダンス可変素子と第２の
インピーダンス可変素子を可変範囲内で変化させてプラ
ズマ発生時の高周波電源の高周波電力とその反射電力の
現在値を取り込み、加えて反射電力が許容値内に収まる
までに要する時間を計測し、 それらの値とあらかじめ設定している高周波電力と反射
電力の正常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるま
でに要する時間の許容値と比較し、 その比較結果から、第１，第２のインピーダンス可変素
子の値を軸とする最適放電領域を求め、 実際のプラズマ処理中に整合回路内の第１，第２のイン
ピーダンス可変素子の現在値を取り込み、前記最適放電
領域内での位置関係を比較してプラズマ放電状態を判定
するプラズマ処理方法。 - 【請求項２】整合回路を介して高周波電力を真空チャン
バー内に供給してプラズマを発生させ前記真空チャンバ
ー内の基板を処理するプラズマ処理装置であって、 前記整合回路の第１のインピーダンス可変素子と第２の
インピーダンス可変素子を可変範囲内で変化させてプラ
ズマ発生時の高周波電源の高周波電力とその反射電力の
現在値を取り込み、加えて反射電力が許容値内に収まる
までに要する時間を計測する計測手段と、 それらの値とあらかじめ設定している高周波電力と反射
電力の正常許容値、及び反射電力の許容値内に収まるま
でに要する時間の許容値と比較する比較手段と、 前記比較手段の比較結果から第１，第２のインピーダン
ス可変素子の値を軸とする最適放電領域を求める演算手
段と、 実際のプラズマ処理中に整合回路内の第１，第２のイン
ピーダンス可変素子の現在値を取り込み、前記最適放電
領域内での位置関係を比較してプラズマ放電状態を判定
する判定手段とを設けたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012544A JP2000216000A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | プラズマ処理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012544A JP2000216000A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | プラズマ処理方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216000A true JP2000216000A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11808289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11012544A Pending JP2000216000A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | プラズマ処理方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216000A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012555A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009093990A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2010135422A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
-
1999
- 1999-01-21 JP JP11012544A patent/JP2000216000A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012555A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009093990A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2010135422A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
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