JP2005302681A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005302681A JP2005302681A JP2004142335A JP2004142335A JP2005302681A JP 2005302681 A JP2005302681 A JP 2005302681A JP 2004142335 A JP2004142335 A JP 2004142335A JP 2004142335 A JP2004142335 A JP 2004142335A JP 2005302681 A JP2005302681 A JP 2005302681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive member
- lead
- plasma
- insulating
- electrode structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 プラズマ処理装置において、電極から導電部材の吹出し口縁部への放電を防止したり、処理ガスの勢いを所望にしたりする。
【解決手段】 電極構造30より被処理物側に絶縁部材41を介して導電部材51を設け、該部材51を電気的に接地する。絶縁部材41に、電極構造のプラズマ化空間30aに連なる導出路40aを形成し、導電部材51に、導出路40aに連なる吹出し口50aを形成する。この吹出し口50aの縁面を、絶縁部材41の導出路40a形成面に対し非面一にする。
【選択図】 図3
【解決手段】 電極構造30より被処理物側に絶縁部材41を介して導電部材51を設け、該部材51を電気的に接地する。絶縁部材41に、電極構造のプラズマ化空間30aに連なる導出路40aを形成し、導電部材51に、導出路40aに連なる吹出し口50aを形成する。この吹出し口50aの縁面を、絶縁部材41の導出路40a形成面に対し非面一にする。
【選択図】 図3
Description
この発明は、処理ガスをプラズマ化して被処理物すなわちワークに当て、洗浄、成膜、エッチング、表面改質などの表面処理を行なう装置に関し、特に、プラズマ化空間の外にワークを配置する所謂リモート式のプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置は、ワークを電極間のプラズマ化空間内に配置する所謂ダイレクト式と、外部に配置する所謂リモート式に大別される。
リモート式のプラズマ処理装置として、例えば特許文献1に記載のものは、垂直な平板状をなす左右一対の電極を備えている。一方の電極は、高周波電源に接続され、他方の電極は、接地されている。電極の下側には、セラミック製の下部ホルダが設けられている。このホルダの下面がワークと対面することになる。上記電源による電界印加によって電極間の空間がプラズマ化空間となる。この空間の上端部から処理ガスが導入されてプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、下方へ吹出され、ワークに当てられる。これによって、ワークのプラズマ表面処理を行なうことができる。
リモート式のプラズマ処理装置として、例えば特許文献1に記載のものは、垂直な平板状をなす左右一対の電極を備えている。一方の電極は、高周波電源に接続され、他方の電極は、接地されている。電極の下側には、セラミック製の下部ホルダが設けられている。このホルダの下面がワークと対面することになる。上記電源による電界印加によって電極間の空間がプラズマ化空間となる。この空間の上端部から処理ガスが導入されてプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、下方へ吹出され、ワークに当てられる。これによって、ワークのプラズマ表面処理を行なうことができる。
上記特許文献1の装置では、電極ひいてはプラズマ化空間を、少なくともセラミック製下部ホルダの厚さ分、ワークから離さざるを得ない。そのため、処理ガスがワークに届くまでに失活する割合が大きく、表面処理の効率が十分でない。特に、常圧下で処理を行なう場合は、失活割合が一層大きくなり、効率が一層悪くなる。一方、下部ホルダを薄くし過ぎると、電極をワークに近づけた時、ワークにアークが落ちてしまい、処理不良やワークの損傷を招きやすくなる。特に常圧下ではアークが落ちやすい。電極からの電界によってワークが影響を受けるおそれもある。
そこで、特許文献2に記載のプラズマ処理装置では、少なくとも電源側の電極の下方に絶縁部材を介して金属板が設けられている。金属板は、電気的に接地されている。この金属板がワークと対面するようになっている。絶縁部材には、プラズマ化空間の下流に連なる導出路が形成され、金属板には、導出路の下流に連なる吹出し口が形成されている。電極のプラズマ化空間形成面と、絶縁部材の導出路形成面と、金属板の吹出し口縁面とは、互いに面一になっており、プラズマ化空間と導出路と吹出し口が、ストレートに連なり、流路断面積が全体的に一様になっている。プラズマ化空間でプラズマ化された処理ガスは、導出路を経て、吹出し口から吹出される。これによって、ワークへのアーク放電を防止できるとともに、プラズマ化空間をワークに近づけることができ、処理効率を高めることができる。また、金属板によって電極とワークの間の電界遮蔽を行なうことができ、電界がワークへ洩れるのを防止でき、ワークが電界によって影響を受けないようにすることができる。
上掲特許文献2において、電極のプラズマ化空間形成面と、絶縁部材の導出路形成面と、金属板の吹出し口縁面とは、必ずしも面一にする必要性はなく、相互に突出または引っ込ませることにより、電極から導電部材、または絶縁部材から導電部材への放電を防止することができると考えられる。或いは、流路断面積を変え、処理ガスの勢いを所望にすることも可能となる。
本発明は、上記考察に基づいてなされたものであり、処理ガスをプラズマ化し被処理物(ワーク)へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側(吹出し側)に絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、前記導電部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極のプラズマ化空間形成面に対し非面一になっていることを第1特徴とする。すなわち、前記導電部材の吹出し口縁面が、前記電極のプラズマ化空間形成面より引っ込んでいるか、または、前記電極のプラズマ化空間形成面より突き出ている。電極のプラズマ化空間形成面には、固体誘電体層が設けられている場合がある。この場合、前記導電部材の吹出し口縁面が、電極のプラズマ化空間形成面に止まらず、固体誘電体の表面より突き出ていてもよい。引っ込んでいることにすると、電極から導電部材の吹出し口縁部への放電を防止できる。突き出ていることにすると、処理ガスを勢い良く吹出すことができ、処理効率を高めることができる。前記絶縁手段は、固体の絶縁性材料からなる絶縁部材にて構成されていてもよく、空気等の気体層で構成されていてもよく、絶縁部材と気体層の両方で構成されていてもよい。前記絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なるとともに前記吹出し口の上流に連なる導出路(吹出し路)を形成する面を有しているのが好ましい。導出路を形成する部分の絶縁性材料は、耐プラズマ性を有しているのが望ましい。導電部材と絶縁部材とを互いに接するようにすれば、絶縁手段に電荷が蓄積されるのを防止することができる。前記気体層が、絶縁部材の導出路側とは逆側に設けられていてもよい。
また、本発明は、処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側(吹出し側)に固体の絶縁部材を含む絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、前記絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる導出路(吹出し路)を形成する面を有し、前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導出路形成面に対し非面一になっていることを第2特徴とする。すなわち、前記導電部材の吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導出路形成面より引っ込んでいるか、または、突き出ている。引っ込んでいることにすれば、電極から導電部材の吹出し口縁部への放電をより一層確実に防止できる。突き出ていることにすれば、処理ガスの吹出しの勢いを高めることができ、処理効率を一層高めることができる。前記絶縁手段は、固体の絶縁部材だけでなく空気等の気体層を含んでいてもよい。
前記絶縁部材の導出路形成面は、前記電極構造のプラズマ化空間形成面より引っ込んでいることが望ましい。これによって、絶縁部材が、プラズマによって損傷を受けるのを防止することができる。前記絶縁部材における少なくとも導出路形成部分は、耐プラズマ性を有しているのが望ましい。これによって、損傷を一層確実に防止することができる。
前記導電部材の前記吹出し口とは逆側の外面(背面)は、前記電極におけるプラズマ化空間とは逆側の外面(背面)と面一であってもよく、前記電極外面より内側(吹出し口側)に引っ込んで位置していてもよく、前記電極外面より外側に突出していてもよい。
前記絶縁部材の電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角が、面取り(R面取り、角面取りを含む)され、第1面取り部が形成されていることが望ましい。これによって、絶縁部材の電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角がプラズマによって欠けるのを防止でき、パーティクルが発生するのを防止できる。
前記絶縁部材の導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角が、面取り(R面取り、角面取りを含む)され、第2面取り部が形成されていてもよい。これによって、絶縁部材と導電部材の間で放電が起きるのを防止できる。
前記絶縁部材の電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角の欠損防止を、絶縁部材と導電部材の間での放電防止より優先する見地からは、前記第1面取り部が、前記第2面取り部より大きいことが望ましい。
前記導電部材の吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導電部材を向く面と前記第2面取り部との境と略同位置又はそれより引込んでいることが望ましい。これによって、絶縁部材と導電部材の間で放電が発生するのを防止できる。
前記導電部材の吹出し口縁面と絶縁手段を向く面とのなす角が、面取り(R面取り、角面取りを含む)されていることが望ましい。さらに、吹出し口縁面と被処理物を向くべき面(絶縁手段を向く面の逆側の面)とのなす角も、面取り(R面取り、角面取りを含む)されていることがより望ましい。又は、前記吹出し口縁面が、絶縁手段を向く面と被処理物を向くべき面にそれぞれ向かって丸みを付けられていることがより望ましい。これによって、電極と導電部材の間、または絶縁部材と導電部材の間で放電が発生するのを防止できる。
前記電極構造が、電界印加手段に接続された電界印加電極と、電気的に接地された接地電極とからなり、前記導電部材が、これら電極のうち少なくとも電界印加電極に対応して設けられていればよい。これによって、ワークへの放電や電界の漏れを確実に防止することができる。
本発明のプラズマ処理装置の一態様では、例えば、前記電極構造の一対の電極が、互いの対向方向と直交して延び、前記導電部材ひいては前記吹出し口が、前記電極と同方向に延び、処理ガスの吹出し方向が、前記対向方向及び延び方向と略直交する方向に向けられている。(一対の電極の各々が、互いの対向方向と吹出し軸とに略直交する方向に延び、これと同方向に上記導電部材が延びている。)これによって、吹出し口を長くすることができ、この長さ分の表面処理を一度に行なうことができる。
本発明では、導電部材によって、ワークへのアーク放電を防止しつつ電極をワークに近づけることができる。したがって、処理不良やワークの損傷を確実に防止できるとともに、プラズマ化された処理ガスが失活しないうちにワークに確実に当てることができ、プラズマ表面処理の効率を向上させることができる。特に、略常圧下で処理する場合に、そのメリットが大きい。また、電界がワークへ洩れるのを防止でき、ワークが電界によって影響を受けないようにすることができる。導電部材と絶縁部材とを互いに接するようにすれば、絶縁部材に電荷が蓄積されるのを防止することができる。
なお、本発明における略常圧(大気圧近傍の圧力)とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
なお、本発明における略常圧(大気圧近傍の圧力)とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
本発明によれば、電極から導電部材の吹出し口縁部への放電を防止したり、処理ガスの勢いを所望にしたりすることができる。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る常圧プラズマ処理装置M1を示したものである。常圧プラズマ処理装置M1は、処理ガス源2と、パルス電源3(電界印加手段)と、ワーク送り機構4と、門型のフレーム60と、左右一対のノズルヘッド(処理ヘッド)1とを備えている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る常圧プラズマ処理装置M1を示したものである。常圧プラズマ処理装置M1は、処理ガス源2と、パルス電源3(電界印加手段)と、ワーク送り機構4と、門型のフレーム60と、左右一対のノズルヘッド(処理ヘッド)1とを備えている。
処理ガス源2には、例えばプラズマ洗浄用の処理ガスとしてN2の純ガスまたはN2と微量のO2との混合ガスが貯えられている。液相で貯え、適量ずつ気化するようになっていてもよい。
電源3は、例えばパルス状の高周波電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び/又は立下り時間は、10μs以下、電極31,32間での電界強度は10〜1000kV/cm、周波数は0.5kHz以上であることが望ましい。なお、電圧形状は、パルス状に代えて、正弦波状であってもよい。ピーク間電圧Vppは、数kV〜数十kVの範囲で定められる。
送り機構4は、水平に並べられた多数のローラ4aを有している。これらローラ4a上に大面積の板状ワークWが載せられ、図1の矢印にて示す一方向へ送られる。このワークWに、上記ノズルヘッド1でプラズマ化された処理ガスが吹き付けられ、例えば洗浄などのプラズマ表面処理が行なわれる。
門型フレーム60は、左右の脚62を有し、送り機構4の上方に設置されている。門型フレーム60内は、空洞になっており、処理済みのガス(処理により生じた副生成物も含む)のための排気ダクトを構成している。すなわち、門型フレーム60の各脚62の内部は、隔壁64によって内外2つの吸引室62a,62bに仕切られている。脚62の底板63には、これら吸引室62a,62bにそれぞれ連なる内外2つの吸込み口63a,63bが形成されている。吸込み口63a,63bは、図1の紙面と直交する前後方向に延びるスリット状をなしているが、該紙面直交方向に並べられた複数のスポット状の孔であってもよい。
一方、内外の吸引室62a,62bの上端部は、門型フレーム60の中空をなす上架フレーム部61内に連なっている。上架フレーム部61の中央部から吸引管6aが延び、この吸引管6aが、排気ポンプ6に接続されている。この排気ポンプ6の駆動によって、ノズルヘッド1での処理済みのガスが、内側吸込み口63aから内側吸引室62aに吸込まれるとともに、そこで吸込み切れなかった処理済みガスや外気が、外側吸込み口63bから外側吸引室62bに吸込まれる。これによって、処理済みガスの吸込み漏れを確実に防止できるとともに、内側吸込み口63aでの外気吸込みを防止して処理済みガスのみが内側吸込み口63aに吸込まれるようにすることができる。各室62a,62bに吸込まれたガスは、上架フレーム部61の内部で合流した後、吸引管6aを経て、排気ポンプ6から排気されるようになっている。
各脚62の上側部には、内外2つの絞り板65A,65Bが、出没可能に設けられている。これら絞り板65A,65Bによって室62a,62bの絞り量をそれぞれ調節でき、ひいては、各吸込み口63a,63bからのガス吸込み量をそれぞれ調節することができるようになっている。
次に、常圧プラズマ処理装置M1のノズルヘッド1について説明する。
ノズルヘッド1は、左右一対をなし、ローラ4aの上方すなわちワークWの移動平面の上方に位置されるようにして、門型フレーム60の左右両脚62の間に支持されている。左右のノズルヘッド1は、互いに同一構成になっている。
ノズルヘッド1は、左右一対をなし、ローラ4aの上方すなわちワークWの移動平面の上方に位置されるようにして、門型フレーム60の左右両脚62の間に支持されている。左右のノズルヘッド1は、互いに同一構成になっている。
図1〜図3に示すように、各ノズルヘッド1は、上側のガス整流部10(ガス均一化部)と、下側の放電処理部20とで構成され、図1および図3の紙面と直交する前後方向に長く延び、長尺状をなしている。ガス整流部10は、前後細長の容器状をなす本体11を有し、この本体11にパイプユニット12が収容されている。パイプユニット12は、左右一対のパイプ13,13と、これらを挟持する上下一対のパイプホルダ14,14を有し、本体11と同方向に延びている。パイプユニット12によって本体11の内部が上下2つのチャンバー11a,11bに仕切られている。図2に示すように、ガス整流部10の長手方向の一端部に一方のパイプ13のインレットポート13aが設けられ、他端部に他方のパイプ13のインレットポート13aが設けられている。なお、各パイプ13,13のポート13a,13a側の端部とは逆側の端部は、プラグによって塞がれている。
処理ガス源2からガス供給管2aが延び、このガス供給管2aが分岐して、各パイプ13,13のインレットポート13a,13aにそれぞれ接続されている。処理ガス源の処理ガスが、管2aを経て、2つのパイプ13,13に導入され、これらパイプ13,13内を互いに逆方向に流れる。各パイプ13,13の上側部および上側のパイプホルダ14には、孔11eが前後長手方向に延在されている。孔11eは、スポット状をなして前後に短間隔置きに多数設けられていてもよく、スリット状をなして前後に延びていてもよい。パイプ13,13内の処理ガスは、この孔11eを通って上側チャンバー11aへ漏れ出る。その後、パイプユニット12の両脇のスリット状の隙間11cを通って下側チャンバー11bへ流れ込む。これによって、処理ガスを長手方向に均一化することができる。
ノズルヘッド1の放電処理部20について説明する。
図3に示すように、放電処理部20は、電極構造30と、この電極構造30を保持する電極ホルダ21とを有している。ホルダ21は、絶縁樹脂からなる一対の逆L字状のアングル部材(アングルホルダ)24,24と、これらアングル部材24,24の上面に跨るようにして被せられた鋼材(導電体)からなる上部プレート22と、各アングル部材24の左右外面にそれぞれ添えられた鋼材(導電体)からなる左右のサイドプレート23と、ノズルヘッド1の底部を構成するロア部50(下部プレート、ノズルエンド構成部材、図2において省略)とを備えている。各サイドプレート23の上端部が、アッパープレート22にボルト締めにて連結され、剛結合されている。アッパープレート22と左右のサイドプレート23により門型のフレームが構成されている。
ロア部50は、本発明の要旨に係るものであるので、追って詳述する。
図3に示すように、放電処理部20は、電極構造30と、この電極構造30を保持する電極ホルダ21とを有している。ホルダ21は、絶縁樹脂からなる一対の逆L字状のアングル部材(アングルホルダ)24,24と、これらアングル部材24,24の上面に跨るようにして被せられた鋼材(導電体)からなる上部プレート22と、各アングル部材24の左右外面にそれぞれ添えられた鋼材(導電体)からなる左右のサイドプレート23と、ノズルヘッド1の底部を構成するロア部50(下部プレート、ノズルエンド構成部材、図2において省略)とを備えている。各サイドプレート23の上端部が、アッパープレート22にボルト締めにて連結され、剛結合されている。アッパープレート22と左右のサイドプレート23により門型のフレームが構成されている。
ロア部50は、本発明の要旨に係るものであるので、追って詳述する。
電極構造30は、一対の電極31,32によって構成されている。各電極31,32は、四角形断面をなして前後方向に長く延びている。各電極31,32の上面と背面(他方の電極との対向面とは逆側の面)とにアングル部材24が添えられている。一対の電極31,32は、互いに狭い隙間を隔てて左右に対向配置されている。この電極31,32間の隙間が、プラズマ化空間30aとなっている。図4に示すように、電極31,32の長手方向の両端部間には、隙間を維持するための絶縁樹脂製のスペーサ34が挟まれている。各電極31,32の角は、アーク防止のためにRになっている。
図3に示すように、一方の電極31は、給電線3aを介して電源3に接続され、電界印加電極となっている。他方の電極32は、接地線3bを介して接地され、接地電極となっている。電極31,32の互いの対向面と上下の面とには、アルミナからなる固体誘電体層33が、溶射によって被膜されている。なお、図面において、固体誘電体層33の厚さは、誇張して図示されている。固体誘電体は、溶射膜に代えて、電極31,32の金属本体とは別体の誘電体の薄板にて構成してもよい。各電極31,32の内部には、温調用の冷媒路30cが形成されている。
上記ガス整流部10において前後長手方向に均一化された処理ガスは、上部プレート22の前後長手方向に延びるスリット22a、アングル部材24の上端部間の隙間24aを順次経て、電極31,32間のプラズマ化空間30aに導入される。併行して、パルス電源3からパルス電圧が電界印加電極31に印加され、空間30a内にパルス電界が形成される。これによって、グロー放電が起き、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、後述の導出路40aおよび吹出し口50aを経て下方すなわち電極31,32どうしの対向方向と直交する吹出し軸に沿って吹出され、ワークWの上面(被処理面)に当たる。これにより、ワークWをプラズマ洗浄することができる。
図2および図3に示すように、放電処理部20のサイドプレート23には、押しボルト25(電極の接近手段、離間阻止手段)と引きボルト26(電極の離間手段、接近阻止手段)が、それぞれ長手方向に離間して複数設けられている。押しボルト25は、サイドプレート23にねじ込まれるとともに、先端がアングル部材24の背面に突き当てられ、ひいてはアングル部材24を介して電極31,32を他方の電極に接近する方向に押すことができ、かつ他方の電極から遠ざかるのを阻止するようになっている。引きボルト26は、樹脂製のボルトカラー(ボルトホルダ)27に収容された状態で電極31,32にねじ込まれ、電極31,32を他方の電極から遠ざかる方向に引くことができ、かつ他方の電極へ接近するのを阻止するようになっている。これらボルト25,26のねじ込み量を調節することによって、長尺電極31,32の歪みを矯正して互いに確実に平行なるようにでき、プラズマ化空間30aの幅を全長にわたって一定にすることができる。また、電極31,32が、クーロン力や、該電極31,32の金属本体と表面の誘電体層33との熱膨張率の違いや電極内部の温度差による熱応力等熱応力等によって歪むのを阻止することができる。この結果、処理ガスを、長手方向に沿って確実に均一に吹出すことができ、ひいてはワークWを確実に均一にプラズマ処理することができる。
本発明の主要部に係るロア部50について説明する。
図3に示すように、ロア部50は、絶縁手段45と、この絶縁手段45の下面に重ねられた導電部材51を備え、図3の紙面と直交する前後方向に水平に延びている。ロア部50は、左右のサイドプレート23,23とアングル部材24,24と電極構造30の下面に跨り、自身より上側のノズルヘッド1の構成要素を支持している。したがって、ロア部50は、電極構造30のワークWを向くべき下面を覆い、電極構造30がワークWに直接対面しないように遮っている。言い換えると、電極構造30のワークWを向くべき下面がロア部50の導電部材51にて覆われるとともに、これら電極構造30と導電部材51との間に両者を絶縁する絶縁手段45が介在、装填されている。
図3に示すように、ロア部50は、絶縁手段45と、この絶縁手段45の下面に重ねられた導電部材51を備え、図3の紙面と直交する前後方向に水平に延びている。ロア部50は、左右のサイドプレート23,23とアングル部材24,24と電極構造30の下面に跨り、自身より上側のノズルヘッド1の構成要素を支持している。したがって、ロア部50は、電極構造30のワークWを向くべき下面を覆い、電極構造30がワークWに直接対面しないように遮っている。言い換えると、電極構造30のワークWを向くべき下面がロア部50の導電部材51にて覆われるとともに、これら電極構造30と導電部材51との間に両者を絶縁する絶縁手段45が介在、装填されている。
絶縁手段45は、内側の第1絶縁板41と、外側の第2絶縁板42とによって構成されている。すなわち、板状の固体絶縁体からなる第1絶縁部41と、板状の固体絶縁体からなる第2絶縁部42とによって構成されている。第1絶縁板41は、幅細をなして前後に延びている。第2絶縁板42は、幅広をなし、左右両端部がサイドプレート23より突出している。第2絶縁板42の左右中央部に前後方向に延びるスリット状の開口が形成されており、このスリット状開口に第1絶縁板41が嵌め込まれている。第2絶縁板42のスリット状開口の左右両側の内縁と、第1絶縁板42の左右両側の外縁には、それぞれ段差が形成されており、これら段差が互いに噛み合わされることにより、第1、第2絶縁板41,42どうしが相欠き継ぎにて接合されている。
第1絶縁板41の左右幅方向の中央部に導出路40a(吹出し路)が形成されている。導出路40aは、スリット状をなして図3の紙面と直交する前後方向に細長く延びている。この導出路40aの前後全長が、前記電極構造30のプラズマ化空間30aの下端部すなわち下流端に連なっている。
したがって、第2絶縁板42は、第1絶縁板41の導出路40a側とは逆側に配置されている。
したがって、第2絶縁板42は、第1絶縁板41の導出路40a側とは逆側に配置されている。
絶縁板41において導出路40aの左右両側の内端面すなわち導出路形成面は、電極31,32の対向面すなわちプラズマ化空間形成面よりそれぞれ左右外側に僅かに引込んでいる。これによって、導出路40aは、プラズマ化空間30aより幅広になっている。第1絶縁部を、一体モノの板41に代えて、左右一対の板部材によって構成し、これら板部材どうしの間に導出路40aを形成してもよい。
第1、第2絶縁板41,42は、互いに異なる固体絶縁材料にて構成されている。
第1絶縁板41は、耐プラズマ性の材料にて構成されている。更に言えば、第1絶縁板41は、第2絶縁板42より耐プラズマ性の高い絶縁材料で構成されている。例えば、第1絶縁板41は、石英にて構成され、第2絶縁板42は、塩化ビニルで構成されている。一般に、石英のような耐プラズマ性の高い材料は、そうでない塩化ビニルなどと比べ高価である。
第1絶縁板41は、耐プラズマ性の材料にて構成されている。更に言えば、第1絶縁板41は、第2絶縁板42より耐プラズマ性の高い絶縁材料で構成されている。例えば、第1絶縁板41は、石英にて構成され、第2絶縁板42は、塩化ビニルで構成されている。一般に、石英のような耐プラズマ性の高い材料は、そうでない塩化ビニルなどと比べ高価である。
図3に示すように、第2絶縁板42の上面には、凸条40cが図3の紙面と直交する前後長手方向に延びるようにして形成されている。この凸条40cが、アングル部材24の下端面に形成された凹溝24bに嵌め込まれている。なお、ロア部50とサイドプレート23とをボルト等にて連結することにしてもよい。
図1に示すように、ロア部50の左右片側は、連結板59を介して隣りのノズルヘッド1のロア部50と連結されている。連結板59とロア部50は、ボルト56で連結されている。図3に示すように、ロア部50の絶縁板42と導電部材51は、サイドプレート23より左右外側に延出されている。この延出部分の導電部材51の上面に、ナット55が溶接にて固定されている。絶縁板42の下面には、ナット55用の嵌合凹部40dが形成されている。さらに、絶縁板42には、上面から嵌合凹部40dに達するボルト挿通孔40eが形成されている。そして、金属製のボルト56が、挿通孔40eを通してナット55に螺合されている。これによって、絶縁板42と導電部材51が接合されている。
導電部材51は、例えばステンレスなどの導電金属にて出来、ノズルヘッド1の底面を構成している。上述した通り、導電部材51は、電極構造30より処理ガスの吹出し側すなわちワークWの側に配され、電極構造30がワークWと直接対面するのを遮っている。この導電部材51において電極構造30側とは逆側の下面が、ワークWと直接対面するようになっている。
ボルト56の頭部に、接地リード線5の端子5aが係合されている。このリード線5が、接地されている。これによって、導電部材51が、ボルト56およびナット55を介して電気的に接地されている。
ボルト56の頭部に、接地リード線5の端子5aが係合されている。このリード線5が、接地されている。これによって、導電部材51が、ボルト56およびナット55を介して電気的に接地されている。
導電部材50の左右幅方向の中央部に吹出し口50aが形成されている。吹出し口50aは、スリット状をなして前後方向に細長く延びている。この吹出し口50aの前後全長が、前記第1絶縁板41の導出路40aの下端部すなわち下流端に連なっている。ひいては、導出路40aを介して電極構造30のプラズマ化空間30aに連なっている。プラズマ化空間30aと導出路40aと吹出し口50aは、上下にストレートに連なっている。(これにより、ロア部50が、処理ガスの吹出しを許容する構造になっている。)
導電部材51において吹出し口50aの左右両側の縁面すなわち吹出し口縁面は、絶縁板41の導出路形成面より外側に僅かに引込んでいる。これによって、吹出し口50aは、導出路40aより幅広になっている。
なお、導電部材51を、一体モノに代えて、左右一対の板部材によって構成し、これら板部材どうしの間に吹出し口50aを形成してもよい。図4に示すように、導電部材51の吹出し口形成端面の長手方向の両端部に、R状の避け部51aを形成し、電極31,32とスペーサ34との境を避けるようにするのが望ましい。
作用を説明する。
上記構成の常圧プラズマ処理装置M1によれば、電極31,32よりワークWの側に、接地された導電部材51が配されることになるので、電極31,32からワークWへの電界の洩出や放電を防止することができる。これによって、処理不良やワークWの損傷を招くことなく、ノズルヘッド1ひいてはプラズマ化空間30aをワークWに近づけることができる。この結果、常圧下においても、プラズマをワークWに確実に当てることができ、プラズマ処理の効率を向上させることができる。また、ワークWが電界によって影響を受けるのを防止できる。
上記構成の常圧プラズマ処理装置M1によれば、電極31,32よりワークWの側に、接地された導電部材51が配されることになるので、電極31,32からワークWへの電界の洩出や放電を防止することができる。これによって、処理不良やワークWの損傷を招くことなく、ノズルヘッド1ひいてはプラズマ化空間30aをワークWに近づけることができる。この結果、常圧下においても、プラズマをワークWに確実に当てることができ、プラズマ処理の効率を向上させることができる。また、ワークWが電界によって影響を受けるのを防止できる。
電極31,32と導電部材51との間には絶縁板41,42が介在されているので、この間で放電が起きるのを防止することができる。また、絶縁材41,42に電荷が蓄積されてもこれを導電部材51でアースすることができ、絶縁材41,42からワークWへの放電をも防止することができる。
導出路40aを形成する第1絶縁板41は、石英ガラスで構成することによって耐プラズマ性を確保でき、一方、プラズマに曝されることのない第2絶縁板42については、安価な塩ビで構成することによって、絶縁手段45の全体を石英で構成するよりも材料コストを削減することができる。
第1絶縁板41の導出路40a形成面が、電極構造30のプラズマ化空間30a形成面より引っ込んでいるので、第1絶縁板41がプラズマにより損傷するのを一層確実に防止することができる。
導電部材51の吹出し口50a縁面が、電極構造30のプラズマ化空間30a形成面より引っ込み、更に第1絶縁板41の導出路40a形成面より引込んでいるので、電極31と導電部材51の吹出し口縁部の間で放電が起きるのを確実に防止することができる。
長尺ノズルヘッド1の長手方向の両端部においては、導電部材51が、スペーサ34と電極31,32との境を避ける構成にすることにより、スペーサ34と電極31,32との境で沿面放電が起きたとき、これが導電部材51に伝わるのを防止することができる。
導電部材51の吹出し口50a縁面が、電極構造30のプラズマ化空間30a形成面より引っ込み、更に第1絶縁板41の導出路40a形成面より引込んでいるので、電極31と導電部材51の吹出し口縁部の間で放電が起きるのを確実に防止することができる。
長尺ノズルヘッド1の長手方向の両端部においては、導電部材51が、スペーサ34と電極31,32との境を避ける構成にすることにより、スペーサ34と電極31,32との境で沿面放電が起きたとき、これが導電部材51に伝わるのを防止することができる。
次に、第1実施形態の変形態様について説明する。
上記のように、図3の装置M1では、導電部材51の吹出し口縁面が電極構造30のプラズマ化空間形成面より引っ込み、これにより電極31から導電部材51への放電を防止できるようにしていたが、場合によってはこれら面の位置関係を逆にしてもよい。
すなわち、図5に示すように、導電部材51の吹出し口50a縁面が、絶縁部材41の導出路40a形成面より突出し、かつ、電極31,32のプラズマ化空間30a形成面より突出していてもよい。そうすることにより、吹出し口50aがプラズマ化空間30aより幅狭になる。これによって、処理ガスを吹出し口50aで絞って勢いを付け、ワークWに確実に当てることができる。この結果、処理効率を一層向上させることができる。また、プラズマ化空間30aで加熱された処理ガスを高温のままワークWに吹付けることができる。
上記のように、図3の装置M1では、導電部材51の吹出し口縁面が電極構造30のプラズマ化空間形成面より引っ込み、これにより電極31から導電部材51への放電を防止できるようにしていたが、場合によってはこれら面の位置関係を逆にしてもよい。
すなわち、図5に示すように、導電部材51の吹出し口50a縁面が、絶縁部材41の導出路40a形成面より突出し、かつ、電極31,32のプラズマ化空間30a形成面より突出していてもよい。そうすることにより、吹出し口50aがプラズマ化空間30aより幅狭になる。これによって、処理ガスを吹出し口50aで絞って勢いを付け、ワークWに確実に当てることができる。この結果、処理効率を一層向上させることができる。また、プラズマ化空間30aで加熱された処理ガスを高温のままワークWに吹付けることができる。
或いは、図6に示すように、導電部材51の吹出し口50a縁面が、絶縁部材41の導出路40a形成面より突出し、かつ、電極31,32のプラズマ化空間30a形成面と面一になっていてもよい。これによって、処理ガスの吹出しの勢いが減退するのを防止することができ、処理効率を確保することができる。
また、図3の装置M1では、導電部材51の外端面すなわち導電部材51の吹出し口50aを挟んで左右各部における吹出し口50aとは逆側の背面が、電極31,32の外側面すなわちプラズマ化空間30aとは逆側の背面より外側に突出して位置しているが、図5、図6に示すように、これら面が互いに面一になるように構成してもよい。
さらには、図7に示すように、導電部材51の外端面が、電極31,32の外側面より内側の吹出し口50a寄りに位置していてもよい。
さらには、図7に示すように、導電部材51の外端面が、電極31,32の外側面より内側の吹出し口50a寄りに位置していてもよい。
図8に示すように、絶縁板41,42と導電部材51の間に、間隙40bが形成されていてもよい。間隙40bは、空気等の気体で満たされ、気体層になっている。空気等の気体は、良好な絶縁耐力を有する絶縁体である。よって、間隙すなわち気体層40bは、固体の絶縁板41,42と協動して、電極31と導電部材51を絶縁する絶縁体を構成している。気体層40bの厚さ、すなわち絶縁板41,42と導電部材51との距離dは、気体層40bにかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されている。
絶縁手段45の第2絶縁部が、板42等の固体絶縁体に代えて空気等の気体にて構成されていてもよい。詳述すると、図9に示すように、電極構造30と導電部材51の間の第1絶縁板41より外側(導出路40aとは逆側)には、間隙42Sが画成されている。間隙42S内は、空気等の気体絶縁体で満たされている。この間隙すなわち気体層42Sによって第2絶縁部が構成されている。この変形態様によれば、第2絶縁板42が不要であるので、材料コストの一層の削減を図ることができる。
図10に示すように、絶縁手段45の全体が、気体層で構成されていてもよい。すなわち、電極構造30と導電部材51との間に、第1、第2絶縁板41,42等の固体絶縁部材に代えて、間隙すなわち気体層40bが画成されている。この気体層だけで、電極31と導電部材51を絶縁する絶縁手段45が構成されている。気体層の厚さ、すなわち電極構造30と導電部材51との距離は、そこにかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されている。
なお、図5〜図10において、電極31,32の固体誘電体層33の図示は省略してある。
なお、図5〜図10において、電極31,32の固体誘電体層33の図示は省略してある。
図11は、第1絶縁板41の導出路形成部の形状についての変形態様を示したものである。該態様では、第1絶縁板41の上面(電極構造30を向く面)と導出路40a形成面とのなす角が、所定角度(例えば45度)に角面取りされ、第1面取り部41aが形成されている。また、第1絶縁板41の導出路40a形成面と下面(導電部材30を向く面)とのなす角が、所定角度(例えば45度)に角面取りされ、第2面取り部41bが形成されている。
第1面取り部41aによって、第1絶縁板41の上面と導出路形成面とのなす角がプラズマによって欠けるのを防止でき、パーティクルが発生するのを防止できる。ひいては、処理品質を向上させることができ、歩留まりを高めることができる。
第1面取り部41aは、第2面取り部41bより大きい。これによって、第1絶縁板41の上面と導出路形成面とのなす角の欠損ひいてはパーティクルの発生をより確実に防止できる。
第1面取り部41aは、第2面取り部41bより大きい。これによって、第1絶縁板41の上面と導出路形成面とのなす角の欠損ひいてはパーティクルの発生をより確実に防止できる。
更に、図11の変形態様では、導電部材51の吹出し口50a縁面が、第1絶縁板41の第2面取り部41bと下面との境に対し左右方向の同位置に位置されている。これによって、電極31と導電部材51の間でアークが飛ぶのを確実に防止できる。また、吹出し口50aが導出路40aより広くなり、処理ガスをスムーズに吹出すことができる。
なお、導電部材51の吹出し口50a縁面が、第1絶縁部の第2面取り部41bと下面との境より左右外側に引込んでいてもよい。
なお、導電部材51の吹出し口50a縁面が、第1絶縁部の第2面取り部41bと下面との境より左右外側に引込んでいてもよい。
図12は、上記面取りの他の態様を示したものである。この変形態様では、第1絶縁板41の面取りが、それぞれ角面取りに代えて、R面取りになっている。詳述すると、第1絶縁板41の上面と導出路40a形成面とのなす角が、R面取りされ、第1面取り部41cが形成されるとともに、導出路40a形成面と下面とのなす角が、R面取りされ、第2面取り部41dが形成されている。第1面取り部41cの曲率半径Rは、第2面取り部41dのものより大きい。これによって、電極31と導電部材51の間でアークが飛ぶのをより確実に防止できる。
図13は、導電部材51の吹出し口形成部の形状についての変形態様を示したものである。該態様の導電部材51では、吹出し口50a縁面が、第1絶縁板41を向く上面とワークWを向くべき下面にそれぞれ向かって半円状の丸みを付けられている。換言すると、導電部材51の上面と吹出し口50a縁面とのなす角がR面取りされるとともに、吹出し口50a縁面と下面のなす角がR面取りされている。これによって、電極31と導電部材51の間、または絶縁板41と導電部材51の間でアークが飛ぶのを一層確実に防止することができる。なお、導電部材51の上面と吹出し口50a縁面とのなす角だけを面取りし、吹出し口50a縁面と下面のなす角は面取りしないことにしてもよい。R面取りに代えて、角面取りにしてもよい。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その精神に反しない限りにおいて種々の形態を採用可能である。
例えば、絶縁手段または絶縁部材は、少なくとも電界印加電極と導電部材との間に設けられていればよく、接地電極と導電部材との間には設けられていなくてもよい。
本発明は、常圧下だけでなく、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、洗浄だけでなく、エッチング、成膜、表面改質、アッシング等の種々のプラズマ処理に遍く適用できる。
例えば、絶縁手段または絶縁部材は、少なくとも電界印加電極と導電部材との間に設けられていればよく、接地電極と導電部材との間には設けられていなくてもよい。
本発明は、常圧下だけでなく、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、洗浄だけでなく、エッチング、成膜、表面改質、アッシング等の種々のプラズマ処理に遍く適用できる。
本発明は、例えば、半導体製造工程における基材の洗浄、エッチング、成膜等の表面処理に利用可能である。
M1 常圧プラズマ処理装置
W ワーク
5 接地リード線
3 パルス電源(電界印加手段)
30 電極構造
30a プラズマ化空間
31 電界印加電極
32 接地電極
40a 導出路
41,42 絶縁板(板状の固体絶縁部材)
41a,41b,41c,41d 面取り部
42S,40b 絶縁手段としての気体層
45 絶縁手段
50a 吹出し口
51 導電部材
W ワーク
5 接地リード線
3 パルス電源(電界印加手段)
30 電極構造
30a プラズマ化空間
31 電界印加電極
32 接地電極
40a 導出路
41,42 絶縁板(板状の固体絶縁部材)
41a,41b,41c,41d 面取り部
42S,40b 絶縁手段としての気体層
45 絶縁手段
50a 吹出し口
51 導電部材
Claims (16)
- 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記導電部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極のプラズマ化空間形成面に対し非面一になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記導電部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極のプラズマ化空間形成面より引っ込んでいることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記導電部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極のプラズマ化空間形成面より突き出ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記絶縁手段が、固体の絶縁部材を含み、この絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なるとともに前記吹出し口の上流に連なる導出路を形成する面を有していることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に固体の絶縁部材を含む絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる導出路を形成する面を有し、
前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導出路形成面に対し非面一になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に固体の絶縁部材を含む絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる導出路を形成する面を有し、
前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導出路形成面より引っ込んでいることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側に固体の絶縁部材を含む絶縁手段を介して配置された導電部材と、を備え、
前記絶縁部材が、前記プラズマ化空間の下流に連なる導出路を形成する面を有し、
前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導出路形成面より突き出ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記絶縁部材の導出路形成面が、前記電極構造のプラズマ化空間形成面より引っ込んでいることを特徴とする請求項4〜7の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材が、電極構造を向く面と、前記導出路形成面と、導電部材を向く面とを有し、前記電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項4〜8の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材が、電極構造を向く面と、前記導出路形成面と、導電部材を向く面とを有し、前記電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角が、それぞれ面取りされ、しかも、前者が、後者より大きく面取りされていることを特徴とする請求項4〜8の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材の導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角が、面取りされており、
前記導電部材の吹出し口縁面が、前記絶縁部材の導電部材を向く面と前記面取り部との境と略同位置又はそれより引込んでいることを特徴とする請求項4又は6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記導電部材が、絶縁手段を向く面と、前記吹出し口縁面と、被処理物を向くべき面とを有し、前記絶縁手段を向く面と吹出し口縁面とのなす角と、吹出し口縁面と被処理物を向くべき面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材の吹出し口縁面が、絶縁手段を向く面と被処理物を向くべき面にそれぞれ向かって丸みを付けられていることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁手段が、気体層を含むことを特徴とする請求項1〜13の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極構造が、電界印加手段に接続された電界印加電極と、電気的に接地された接地電極とからなり、前記導電部材が、これら電極のうち少なくとも電界印加電極に対応して設けられていることを特徴とする請求項1〜14の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極構造の一対の電極が、互いの対向方向と直交して延び、前記導電部材ひいては前記吹出し口が、前記電極と同方向に延び、処理ガスの吹出し方向が、前記対向方向及び延び方向と略直交する方向に向けられていることを特徴とする請求項1〜15の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004142335A JP2005302681A (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
EP04732743A EP1631128A4 (en) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING THE APPARATUS |
CA002524484A CA2524484A1 (en) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | Plasma processing apparatus and method for producing same |
CN2008100949849A CN101296549B (zh) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | 等离子处理设备 |
PCT/JP2004/006434 WO2004103035A1 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | プラズマ処理装置およびその製造方法 |
KR1020057021432A KR101098083B1 (ko) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | 플라스마 처리 장치 및 그 제조 방법 |
TW093113760A TWI244112B (en) | 2003-05-14 | 2004-05-14 | Plasma processing apparatus and method for manufacturing the same |
US12/252,035 US20090044909A1 (en) | 2003-05-14 | 2008-10-15 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003136295 | 2003-05-14 | ||
JP2004077217 | 2004-03-17 | ||
JP2004142335A JP2005302681A (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005302681A true JP2005302681A (ja) | 2005-10-27 |
Family
ID=35333893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004142335A Pending JP2005302681A (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005302681A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007250426A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置の電極構造およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
JP2008117857A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
WO2008132901A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | プラズマ処理装置 |
US20140216343A1 (en) | 2008-08-04 | 2014-08-07 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US9721764B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US9721765B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US10242846B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-03-26 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Hollow cathode ion source |
US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of extracting and accelerating ions |
US10586685B2 (en) | 2014-12-05 | 2020-03-10 | Agc Glass Europe | Hollow cathode plasma source |
US10755901B2 (en) | 2014-12-05 | 2020-08-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces |
WO2021079420A1 (ja) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置、およびプラズマ処理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213497A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに液晶パネル及びその製造方法 |
JPH11106531A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2002158219A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
JP2003093869A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2003100646A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
-
2004
- 2004-05-12 JP JP2004142335A patent/JP2005302681A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213497A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに液晶パネル及びその製造方法 |
JPH11106531A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2002158219A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
JP2003093869A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2003100646A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007250426A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置の電極構造およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
JP2008117857A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
JP4733616B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2011-07-27 | 積水化学工業株式会社 | 表面処理装置 |
WO2008132901A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | プラズマ処理装置 |
JPWO2008132901A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2010-07-22 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4647705B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2011-03-09 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10580625B2 (en) | 2008-08-04 | 2020-03-03 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US10580624B2 (en) | 2008-08-04 | 2020-03-03 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US20150002021A1 (en) | 2008-08-04 | 2015-01-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
JP2016001607A (ja) * | 2008-08-04 | 2016-01-07 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッドAgc Flat Glass North America,Inc. | プラズマ源、及びプラズマ強化化学蒸着を利用して薄膜被覆を堆積させる方法 |
US9478401B2 (en) | 2008-08-04 | 2016-10-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US20150004330A1 (en) | 2008-08-04 | 2015-01-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US20140216343A1 (en) | 2008-08-04 | 2014-08-07 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US10438778B2 (en) | 2008-08-04 | 2019-10-08 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition |
US10586685B2 (en) | 2014-12-05 | 2020-03-10 | Agc Glass Europe | Hollow cathode plasma source |
US10755901B2 (en) | 2014-12-05 | 2020-08-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces |
US11875976B2 (en) | 2014-12-05 | 2024-01-16 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces |
US20170309458A1 (en) | 2015-11-16 | 2017-10-26 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US10559452B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-11 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US9721765B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US9721764B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US10242846B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-03-26 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Hollow cathode ion source |
US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of extracting and accelerating ions |
WO2021079420A1 (ja) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置、およびプラズマ処理方法 |
JPWO2021079420A1 (ja) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | ||
JP7133724B2 (ja) | 2019-10-22 | 2022-09-08 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置、およびプラズマ処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4077704B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI460017B (zh) | 於電暈放電離子化棒中自氣體離子分離污染物 | |
JP2005302681A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPWO2008123142A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101098083B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2010212424A (ja) | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 | |
CN100553400C (zh) | 制造等离子处理设备的方法 | |
JP2020017419A (ja) | プラズマ発生装置 | |
US20070123041A1 (en) | Apparatus and method for surface processing such as plasma processing | |
JP3686662B1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3853803B2 (ja) | プラズマ処理装置およびその製造方法 | |
JP4331117B2 (ja) | プラズマ処理装置の電極構造 | |
JP2003007497A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
JP4574387B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4714557B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2934852B1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4401928B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4429681B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4541114B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3984609B2 (ja) | プラズマ処理装置の電極構造 | |
JP3646117B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005243600A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3686663B1 (ja) | プラズマ処理装置の電極構造 | |
JP4495023B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3709411B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060704 |