JP2010212424A - シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバー201に、基板を載置するための載置台202と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔11から基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッド100である。対向面と、対向面とは反対側の面との間を貫通して設けられ、対向面から反対側の面に向けて排気を行うための複数の排気孔13と、対向面とは反対側の面に設けられ、イオン閉じ込め用の電圧が印加される複数の電極16とを具備している。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 内部で基板を処理する処理チャンバーに、前記基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、前記載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッドであって、
前記対向面と、前記対向面とは反対側の面との間を貫通して設けられ、前記対向面から前記反対側の面に向けて排気を行うための複数の排気孔と、
前記反対側の面に設けられ、イオン閉じ込め用の電圧が印加される複数の電極と、
を具備したことを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1記載のシャワーヘッドであって、
前記電極が、棒状又は筒状とされている
ことを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1又は2記載のシャワーヘッドであって、
前記電極は、2つで一対とされ、これらの一対の電極の間に、前記イオン閉じ込め用の電圧として、高周波電圧又は直流電圧が印加される
ことを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のシャワーヘッドであって、
前記電極は、2つで一対とされ、これらの一対の電極の間に、前記イオン閉じ込め用の電圧として、一方の前記電極に高周波電圧とプラスの直流電圧を重畳した電圧が印加され、他方の前記電極に高周波電圧とマイナスの直流電圧を重畳した電圧が印加される
ことを特徴とするシャワーヘッド。 - 内部で基板を処理する処理チャンバーに、前記基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、前記載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、
前記シャワーヘッドが、
前記対向面と、前記対向面とは反対側の面との間を貫通して設けられ、前記対向面から前記反対側の面に向けて排気を行うための複数の排気孔と、
前記反対側の面に設けられ、イオン閉じ込め用の電圧が印加される複数の電極と、
を具備した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項5記載のプラズマ処理装置であって、
前記シャワーヘッドが、前記載置台と対向する対向電極を構成することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009056522A JP5248370B2 (ja) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 |
US12/719,502 US8758550B2 (en) | 2009-03-10 | 2010-03-08 | Shower head and plasma processing apparatus having same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009056522A JP5248370B2 (ja) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212424A true JP2010212424A (ja) | 2010-09-24 |
JP5248370B2 JP5248370B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=42729737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009056522A Expired - Fee Related JP5248370B2 (ja) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8758550B2 (ja) |
JP (1) | JP5248370B2 (ja) |
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JP2012186223A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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JP5248370B2 (ja) | 2013-07-31 |
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