KR102223766B1 - 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판이 놓이는 유전판과; 상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과; 상기 전극판에 전력을 인가하는 전력 공급 로드를 포함하되, 상기 전력 공급 로드 내에는 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 지지 유닛 사이의 공간으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공되는 가스 공급 라인이 제공될 수 있다.

Description

지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치{A support unit, a substrate processing apparatus including the support unit}
본 발명은 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 식각, 애싱 공정 등을 포함할 수 있다. 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 웨이퍼와 충돌함으로써 수행된다.
일반적으로 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 기판을 소정의 온도로 제어할 수 있도록 제공된다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 일반적인 장치는 기판을 지지하는 정전척(1)을 포함한다. 그리고 정전척은 하부 전극(2), 도전성 부재(3), 그리고 절연 부재(4)를 포함한다. 도전성 부재(3)는 접지된다. 하부 전극(2), 도전성 부재(3), 그리고 절연 부재(4)에는 가스 공급 라인(5)이 제공된다. 가스 공급 라인(5) 가스 공급원(6)과 연결된다. 가스 공급원(6)은 열 전달 가스를 저장하고 있으며, 가스 공급원(6)에 저장된 열 전달 가스는 가스 공급 라인(5)을 통해 기판의 하면으로 공급된다. 열 전달 가스는 예컨대 헬륨(He) 가스일 수 있다. 열 전달 가스는 기판을 소정의 온도로 제어한다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 때에는 하부 전극(2)에 고주파 전력이 인가되고, 이에 기판의 상부에 플라즈마가 생성된다. 이때, 하부 전극(2)과 도전성 부재(3) 사이에는 고주파 전력에 의해 전압이 생기게 된다. 이 전압에 의해서 가스 공급 라인(5)에 흐르는 열 전달 가스 속 전자가 가속되어 방전을 일으킬 수 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 경로를 단순화할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인에서 열 전달 가스가 방전되는 것을 최소화 할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 유전판과; 상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과; 상기 전극판에 전력을 인가하는 전력 공급 로드를 포함하되, 상기 전력 공급 로드 내에는 상기 지지 유닛에 놓인 기판과 상기 지지 유닛 사이의 사이 공간으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공되는 가스 공급 라인이 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 지지 유닛에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고, 상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드는 금속 재질일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드의 일단 및/또는 타단에는 메쉬 부재가 설치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 메쉬 부재는 상기 전력 공급 로드와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드는 정합기와 연결되고, 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 정합기를 거치도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 정합기를 거치는 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 전극판이 발생시키는 전계 방향에 대하여 경사지도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 라인은 복수로 제공되고, 상기 가스 공급관 중 어느 일부는 상기 사이 공간 중 기판의 가장자리에 대응하는 영역에 상기 열 전달 가스를 공급하고, 상기 가스 공급관 중 다른 일부는 상기 사이 공간 중 기판의 중앙에 대응하는 영역에 상기 열 전달 가스를 공급할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전극판은, 상부 전극판과; 상기 상부 전극판의 하부에 배치되는 하부 전극판을 더 포함하되, 상부 전극판과 하부 전극판에는 상기 열 전달 가스가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판이 놓이는 유전판과; 상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과; 상기 전극판에 전력을 인가하는 전력 공급 로드를 포함하되, 상기 전력 공급 로드 내에는 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 지지 유닛 사이의 공간으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공되는 가스 공급 라인이 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 지지 유닛에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고, 상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드의 일단 및/또는 타단에 설치되고, 상기 전력 공급 로드와 전기적으로 연결되는 메쉬 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드는 정합기와 연결되고, 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 정합기를 거치도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 정합기를 거치는 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 전극판이 발생시키는 전계 방향에 대하여 경사지도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 로드는 금속 재질로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 유전판과; 상기 유전판 아래에 배치되는 전극판과; 내부에 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 유전판 사이의 공간으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인이 제공된 금속 로드를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 금속 로드는, 상기 전극판과 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 금속 로드는 상기 전극판에 전력을 인가하는 전원과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 유전판에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고, 상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 라인은 비활성 가스를 저장하는 가스 공급원과 연결될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛보다 상부에 배치되는 상부 전극과; 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 유전판과; 상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과; 상기 전극판에 전력을 인가하는 전력 공급 로드를 포함하되, 상기 전력 공급 로드에는 상기 전력 공급 로드의 내부 공간으로 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 지지 유닛의 사이 공간으로 공급되는 열 전달 가스를 유입시키는 가스 유입단이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 유입단과 상기 챔버 내벽 사이에는 방전 방지 부재가 제공되고, 상기 방전 방지 부재는, 상기 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인과 연결되고, 상기 챔버 내 공간에서 발생하는 전기장의 방향에 대하여 경사지고, 상기 열 전달 가스가 흐르는 유로를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 방전 방지 부재는, 외측 바디와; 상기 외측 바디에 삽입되는 내측 바디를 포함하고, 상기 외측 바디의 내면과 상기 내측 바디의 외면은 서로 이격되어 상기 유로를 형성할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외측 바디는 상부가 절단된 역 깔대기 형상을 가지고, 상기 내측 바디는 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 경로를 단순화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인에서 열 전달 가스가 방전되는 것을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 정전척의 일부를 보여주는 도면이다.
도 2은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3는 도 2의 가스 공급 라인에서 열 전달 가스가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 4은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 7는 도 6의 전력 공급 로드의 일부의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 전극판의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 열 전달 가스가 전력 공급 로드로 유입되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛과, 방전 방지 부재의 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 11의 방전 방지 부재의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 11의 방전 방지 부재의 일부 모습을 보여주는 사시도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 플라즈마를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 샤워 헤드 유닛(300), 가스 공급 유닛(400), 플라즈마 소스, 라이너 유닛(500), 배플 유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간(102)을 가진다. 챔버(100)는 밀폐된 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 도전성 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 챔버(100)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(104)이 형성된다. 배기홀(104)은 배기 라인(151)과 연결된다. 배기 라인(151)은 펌프(미도시)와 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버(100)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다. 이와 달리, 별도의 감압 부재(미도시)가 제공되어 처리 공간(102)의 내부를 소정 압력으로 감압 시킬 수 있다.
챔버(100)의 벽에는 히터(미도시)가 제공된다. 히터는 챔버(100)의 벽을 가열한다. 히터는 가열 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터는 가열 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 히터에서 발생된 열은 내부 공간으로 전달된다. 히터에서 발생된 열에 의해서 처리공간은 소정 온도로 유지된다. 히터는 코일 형상의 열선으로 제공된다. 히터는 챔버(100)의 벽에 복수 개 제공될 수 있다.
챔버(100)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척으로 제공될 수 있다. 지지 유닛(200)은 유전판(210), 전극판(220), 하부 커버(230), 하부 지지 부재(240), 전력 공급 로드(250), 정합기(260), 가스 공급 라인(270), 그리고 링 부재(280)를 포함한다.
유전판(210)에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(210)은 외부의 전원을 공급받아 기판(W)에 정전기력을 작용한다. 유전판(210)에는 정전 전극(211)이 제공된다. 정전 전극(211)은 흡착 전원(213)과 전기적으로 연결된다. 흡착 전원(213)은 직류 전원을 포함한다. 정전 전극(211)과 흡착 전원(213) 사이에는 스위치(미도시)가 설치될 수 있다. 정전 전극(211)은 스위치의 온/오프(ON/OFF)에 의해 흡착 전원(213)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(212)가 온(ON)되면, 정전 전극(211)에는 직류 전류가 인가된다. 정전 전극(211)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(211)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용한다. 기판(W)은 정전기력에 의해 유전판(210)에 흡착 및/또는 고정될 수 있다.
전극판(220)은 유전판(210)의 아래에 제공된다. 전극판(220)의 상부면은 유전판(210)의 하부면과 접촉될 수 있다. 전극판(220)은 원판형상으로 제공될 수 있다. 전극판(220)은 도전성 재질로 제공된다. 일 예로 전극판(220)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 또한, 전극판(220) 내에는 전극판을 소정의 온도로 제어하는 유체 통로(미도시)가 형성될 수 있다. 유체 통로에는 냉각 유체가 흐를 수 있다.
하부 커버(230)는 전극판(220)을 지지한다. 하부 커버(230)는 전극판(220)의 측면과 접하도록 제공될 수 있다. 하부 커버(230)는 전극판(220)의 하면의 가장 자리 영역과 접하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 하부 커버(230)는 상부와 하부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 또한, 하부 커버(230)는 전극판(220)이 하부 커버(230)에 의해 지지될 수 있도록 내측이 단차 질 수 있다. 하부 커버 (230)는 절연성을 가지는 재질로 제공될 수 있다.
하부 지지 부재(240)는 하부 커버(230)의 아래에 배치된다. 하부 지지 부재(240)는 하부 커버(230)의 아래에 배치되어 하부 커버(230)를 지지한다. 또한, 하부 지지 부재(240)는 도전성 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 하부 지지 부재(240)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 하부 지지 부재(240)는 챔버(100)와 전기적으로 연결될 수 있다.
전력 공급 로드(250)는 전극판(220)에 전력을 인가할 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 전극판(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 하부 전원(252)과 연결될 수 있다. 하부 전원(252)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. RF 전원은 하이 바이어스 파워 알에프(High Bias Power RF) 전원으로 제공될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 하부 전원(252)으로부터 고주파 전력을 인가 받는다. 전력 공급 로드(250)와 전기적으로 연결되는 전극판(220)은 하부 전극으로 기능할 수 있다.
전력 공급 로드(250)는 도전성 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 전력 공급 로드(250)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 금속 로드일 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 통 형상으로 제공될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 상부와 하부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 전력 공급 로드(250)는 정합기(260)와 연결될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 정합기(260)를 거쳐서 하부 전원(252)과 연결될 수 있다. 정합기(260)는 임피던스 매칭(Impedace Matching)을 수행할 수 있다.
가스 공급 라인(270)은 기판(W)의 하부 공간으로 열 전달 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(270)은 가스 공급원(278)과 연결될 수 있다. 가스 공급원(278)은 열 전달 가스를 저장하고, 가스 공급 라인(270)에 열 전달 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급원(278)이 저장 및 공급하는 열 전달 가스는 비활성 가스일 수 있다. 비활성 가스는 헬륨(He) 가스 일 수 있다.
가스 공급 라인(270)은 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)과 지지 유닛(200) 사이의 사이 공간(G)으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(270)은 유전판(210)에 놓인 기판(W)과 유전판(210) 사이의 공간(G)으로 열 전달 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(270) 중 일부는 정합기(260)를 거치도록 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(270) 중 일부는 정합기(260)의 전력 연결부를 거치도록 제공될 수 있다.
가스 공급 라인(270)은 전력 공급 로드(250) 내에 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(270)은 유전판(210), 그리고 전극판(220)에 형성된 가스 통로(273)와 연결될 수 있다. 가스 통로(273)는 지지 유닛(200)에서 기판(W)을 지지하는 지지면까지 연장될 수 있다. 가스 통로(273)는 기판(W)의 가장자리 영역에 대응하는 지지면까지 연장될 수 있다. 이에, 가스 공급 라인(270)이 공급하는 열 전달 가스는 가스 통로(273)를 거쳐 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 가스 통로(273)는 기판(W)의 중앙 영역에 대응하는 지지면까지 연장될 수 있다. 이 경우 가스 공급 라인(270)에서 공급하는 열 전달 가스는 가스 통로(273)를 거쳐 기판(W)의 중앙 영역으로 공급될 수 있다.
도 3은 도 2의 가스 공급 라인에서 열 전달 가스가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 가스 공급 라인(270)은 전력 공급 로드(250)의 내부에 제공된다. 또한, 전력 공급 로드(250)는 도전성 재질로 제공된다. 전력 공급 로드(250)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 전력 공급 로드(250)는 금속 로드로 제공될 수 있다. 또한, 전력 공급 로드(250)는 고주파 전력을 인가하는 하부 전원(252)이 연결된다. 하부 전원(252)에 의해 전력 공급 로드(250)에는 전류가 흐른다. 이에, 가스 공급 라인(270)에 흐르는 열 전달 가스가 방전되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로 가스가 방전되어 플라즈마 상태가 되기 위해서는 방전 가스가 공급되고, 방전 공간이 진공압에 가까운 낮은 압력이어야 하고, 그리고 전기장이 존재해야 한다. 그런데, 전류가 흐르는 도체 내부의 전기장은 0 이다. 즉, 전력 공급 로드(250)의 내부 공간에는 전기장이 발생하지 않는다. 이에, 전력 공급 로드(250) 내에 제공되는 가스 공급 라인(270) 내에는 전기장이 발생하지 않는다. 이에 가스 공급 라인(270)에 열 전달 가스가 흐르더라도 전기장이 발생하지 않아 열 전달 가스가 방전되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 가스 공급 라인(270)에 흐르는 열 전달 가스가 방전되는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 금속 로드인 전력 공급 로드(250) 내에 가스 공급 라인(270)이 제공되어, 열 전달 가스의 방전을 방지하기 위해 가스 공급 라인(270)을 경사지게 구성할 필요 없다. 이에 가스 공급 라인(270)의 경로를 단순화 할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 링 부재(280)는 지지 유닛(200)의 가장 자리 영역에 배치된다. 링 부재(280)는 링 형상을 가진다. 링 부재(280)는 유전판(210)의 상면 중 가장자리 영역을 감싸도록 제공될 수 있다. 또한, 링 부재(280)는 유전판(210)의 측면을 감싸도록 제공될 수 있다. 또한, 링 부재(280)는 하부 커버(230)의 상면에 배치될 수 있다. 링 부재(280)는 포커스링으로 제공될 수 있다.
샤워 헤드 유닛(300)은 상부에서 공급되는 가스를 분산시킬 수 있다. 또한, 샤워 헤드 유닛(300)은 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스가 처리 공간(102)에 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 샤워 헤드(310), 가스 분사판(320)을 포함한다.
샤워 헤드(310)는 가스 분사판(320)의 하부에 배치된다. 샤워 헤드(310)는 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 샤워 헤드(310)는 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드(310)와 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 샤워 헤드(310)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 샤워 헤드(310)의 단면은 지지 유닛(200)과 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드(310)에는 복수의 가스 공급홀(312)이 형성된다. 포함한다. 가스 공급 홀 (312)은 샤워 헤드(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통하여 형성될 수 있다.
샤워 헤드(310)는 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스로부터 발생되는 플라즈마와 반응하여 화합물을 생성하는 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 샤워 헤드(310)는 플라즈마가 포함하는 이온들 중 전기 음성도가 가장 큰 이온과 반응하여 화합물을 생성하는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 샤워 헤드(310)는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
가스 분사판(320)은 샤워 헤드(310)의 상부에 배치된다. 가스 분사판(320)은 챔버(100)의 상면에서 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분사판(320)은 상부에서 공급되는 가스를 확산시킬 수 있다. 가스 분사판(320)에는 가스 도입홀(322)이 형성될 수 있다. 가스 도입홀(322)은 상술한 가스 공급홀(312)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 가스 도입홀(322)은 가스 공급홀(312)과 연통될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(300)의 상부에서 공급되는 가스는 가스 도입홀(322)과 가스 공급홀(312)을 순차적으로 거쳐 샤워 헤드(310)의 하부로 공급될 수 있다. 가스 분사판(320)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 가스 분사판(320)은 접지될 수 있다. 가스 분사판(320)은 접지되어 상부 전극으로 기능할 수 있다.
절연 링(380)은 샤워 헤드(310), 가스 분사판의 둘레를 감싸도록 배치된다. 절연 링(380)은 전체적으로 원형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 절연 링(380)은 비금속 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스는, 플라즈마 소스에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 또한, 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스는 플루오린(Fluorine)을 포함하는 가스일 수 있다. 예컨대, 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스는 사불화탄소일 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함한다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급한다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치된다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 소스는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 플라즈마 소스로 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용된다. 용량 결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판(W) 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드 유닛(300)으로 제공되고, 하부 전극은 전극 플레이트로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.
라이너 유닛(500)은 공정 중 챔버(100)의 내벽 및 지지 유닛(200)이 손상되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(500)은 공정 중에 발생한 불술물이 내측벽 및 지지 유닛(200)에 증착되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(500)은 내측 라이너(510)와 외측 라이너(530)를 포함한다.
외측 라이너(530)는 챔버(100)의 내벽에 제공된다. 외측 라이너(530)는 상면 및 하면이 개방된 공간을 가진다. 외측 라이너(530)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 외측 라이너(530)는 챔버(100)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 외측 라이너(530)는 챔버(100)의 내측면을 따라 제공된다.
외측 라이너(530)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 외측 라이너(530)는 몸체(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 챔버(100)를 손상시킨다. 외측 라이너(530)는 몸체(110)의 내측면을 보호하여 몸체(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다.
내측 라이너(510)는 지지 유닛(200)을 감싸며 제공된다. 내측 라이너(510)는 링 형상으로 제공된다. 내측 라이너(510)는 유전판(210), 전극판(220), 하부 커버(230), 그리고 하부 지지 부재(240) 전부를 감싸도록 제공된다. 내측 라이너(510)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 내측 라이너(510)는 지지 유닛(200)의 외측면을 보호한다.
배플 유닛(600)은 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플에는 복수의 관통홀들이 형성된다. 챔버(100) 내에 제공된 가스는 배플의 관통홀들을 통과하여 배기홀(104)로 배기된다. 배플의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
상술한 예에서는 가스 통로(273)가 기판(W)의 가장자리 영역에 대응하는 영역의 지지면까지 연장되고, 가스 공급 라인(270)이 가스 통로(273)와 연결되어 기판(W)의 가장자리 영역으로 열 전달 가스를 공급하는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 가스 공급 라인(270)은 복수로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(270)은 제1가스 공급 라인(271), 그리고 제2가스 공급 라인(272)을 포함할 수 있다. 제1가스 공급 라인(271)은 제1가스 공급원(278a)과 연결될 수 있다. 제1가스 공급 라인(271)은 제1가스 통로(273a)와 연결될 수 있다. 제1가스 통로(273b)는 유전판(210), 그리고 전극판(220)에 형성되며, 지지 유닛(200)에서 기판(W)을 지지하는 지지면 중 기판(W)의 중앙 영역에 대응하는 지지면까지 연장될 수 있다. 이에, 제1가스 공급 라인(271)은 기판(W)과 지지 유닛(200)의 사이 공간 중 기판(W)의 중앙에 대응하는 영역으로 열 전달 가스를 공급할 수 있다. 제2가스 공급 라인(272)은 제2가스 공급원(278b)과 연결될 수 있다. 제2가스 공급 라인(272)은 제2가스 통로(273b)와 연결될 수 있다. 제2가스 통로(273b)는 유전판(210), 그리고 전극판(220)에 형성되며, 지지 유닛(200)에서 기판(W)을 지지하는 지지면 중 기판(W)의 가장자리 영역에 대응하는 지지면까지 연장될 수 있다. 이에, 제2가스 공급 라인(272)은 기판(W)과 지지 유닛(200)의 사이 공간 중 기판(W)의 가장자리에 대응하는 영역으로 열 전달 가스를 공급할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 전력 공급 로드(250)는 정합기(260)와 연결될 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(270) 중 일부는 정합기(260)를 거치도록 제공될 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(270) 중 일부는 정합기(260)의 전력 연결부를 거치도록 제공될 수 있다. 또한, 정합기(260)를 거치는 가스 공급 라인(270) 중 일부는 전극판(220)이 발생시키는 전계 방향에 대하여 경사지도록 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(270)이 경사지게 제공되면, 가스 공급 라인(270)에 흐르는 열 전달 가스 내 전자가 진동하는 폭이 좁아진다. 이에, 가스 공급 라인(270)에 흐르는 열 전달 가스가 방전되는 것을 최소화 할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 전력 공급 로드(250)의 외부로 노출되는 가스 공급 라인(270)에 흐르는 열 전달 가스가 전기장에 의해 방전되는 것을 최소화 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이고, 도 7는 도 6의 전력 공급 로드의 일부의 모습을 보여주는 사시도이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 전력 공급 로드(250)의 일단 및/또는 타단에는 메쉬 부재(279)가 제공될 수 있다. 메쉬 부재(279)는 도전성 재질로 제공될 수 있다. 메쉬 부재(279)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 메쉬 부재(279)는 전력 공급 로드(250)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 메쉬 부재(279)는 전력 공급 로드(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 메쉬 부재(279)는 제1메쉬 부재(279a)와 제2메쉬 부재(279b)를 포함할 수 있다. 제1메쉬 부재(279a)는 가스 통로(273)에 인접하게 제공될 수 있다. 제2메쉬 부재(279b)는 가스 공급원(278)과 인접하게 제공될 수 있다. 제1메쉬 부재(279a)와 제2메쉬 부재(279b)는 동일한 형상을 가질 수 있다. 메쉬 부재(279)는 전력 공급 로드(250) 외부의 전기장이, 전력 공급 로드(250의 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 메쉬 부재(279)는 가스 공급 라인(270)이 공급하는 열 전달 가스의 공급 압력이 급격히 변화하는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이고, 도 9는 도 8의 전극판의 모습을 보여주는 도면이다. 도 8과 도 9를 참조하면, 전극판(220)은 상부 전극판(220a), 그리고 하부 전극판(220b)을 포함할 수 있다. 하부 전극판(220b)은 상부 전극판(220a)의 하부에 배치될 수 있다. 상부 전극판(220a)과 하부 전극판(220b)은 서로 결합될 수 있다. 예컨대, 상부 전극판(220a)과 하부 전극판(220b) 브레이징(Brazing)을 이용한 방법으로 서로 접합될 수 있다.
상부 전극판(220a)에는 상부 홈(221a, 222a)들이 형성될 수 있다. 상부 홈(221a)은 센터 상부홈(221a)과 에지 상부홈(222a)을 포함할 수 있다. 센터 상부홈(221a)은 상부 전극판(220a)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되어 형성될 수 있다. 센터 상부홈(221a)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 또한, 센터 상부홈(221a)의 중심에는 센터 상부홈(221a)으로부터 상부 전극판(220a)의 하면까지 연장되는 홀이 형성될 수 있다. 센터 상부홈(221a)의 중심에 형성되는 홀은 후술하는 센터 하부홈(221b)과 서로 연결될 수 있다.
에지 상부홈(222a)은 상부 전극판(220a)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되어 형성될 수 있다. 에지 상부홈(222a)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 에지 상부홈(222a)에는 에지 상부홈(222a)으로부터 상부 전극판(220a)의 하면까지 연장되는 홀이 형성될 수 있다. 예컨대, 홀은 원형의 슬릿일 수 있다. 그러나 이와 달리 홀은 복수의 원통 형상의 홀일 수도 있다. 에지 상부홈(222a)에 형성되는 홀은 후술하는 에지 하부홈(222b)과 서로 연결될 수 있다.
하부 전극판(220b)에는 하부 홈(221b, 222b)들이 형성될 수 있다. 하부 홈(221b, 222b)들은 센터 하부홈(221b)과 에지 하부 홈(222b)을 포함할 수 있다. 센터 하부홈(221b)은 센터 상부홈(222b)과 서로 연결될 수 있다. 에지 하부홈(222b)은 에지 상부홈(222a)과 서로 연결될 수 있다. 즉, 상부 전극판(220a)과 하부 전극판(220b)에는 각각 홈(221a, 222a, 221b, 222b)들이 형성되고, 상부 전극판(220a)과 하부 전극판(220b)에 형성된 홀은 서로 연결되어 가스가 흐르는 유로를 형성할 수 있다.
가스 공급원(278a, 278b)들에 의해 홈(221a, 222a, 221b, 222b)에 유입되는 가스는 하부 전극판(220b)과 상부 전극판(220)을 거쳐 유전판(210)에 형성된 센터 가스 통로(273a)와 에지 가스 통로(273b)에 전달될 수 있다. 또한, 가스 공급원(278a, 278b)에서 공급하는 열 전달 가스는 상부홈(221a, 222a)에서 일정 시간 잔류하여 유전판(210)의 온도를 조절할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 열 전달 가스가 전력 공급 로드로 유입되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10에서는 설명의 편의를 위해 일부 구성들이 생략되어 있으나, 도 10에서 개시하고 있는 본 발명의 다른 실시 예에서도 도 2에서 도시하고 있는 챔버(100), 지지 유닛(200), 샤워 헤드 유닛(300), 라이너 유닛(500), 그리고 배플 유닛(600)의 구성은 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 상술한 예에서는 전력 공급 로드(250) 내에 가스 공급 라인(270)이 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 10에 도시된 바와 같이 가스 공급 라인(272)은 정합기(260) 내에 제공되고, 가스 공급 라인(272)이 공급하는 열 전달 가스는 정합기(260)에 형성된 토출단을 통해 전력 공급 로드(250)의 내부 공간으로 공급될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛과, 방전 방지 부재의 모습을 보여주는 도면이다. 도 11에서는 설명의 편의를 위해 일부 구성들이 생략되어 있으나, 도 11에서 개시하고 있는 본 발명의 다른 실시 예에서도 도 2에서 도시하고 있는 챔버(100), 지지 유닛(200), 샤워 헤드 유닛(300), 라이너 유닛(500), 그리고 배플 유닛(600)의 구성은 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
도 11을 참조하면, 전력 공급 로드(250)에는 가스 유입단(253)이 형성될 수 있다. 가스 공급 라인(272)이 공급하는 열 전달 가스는 전력 공급 로드(250)에 형성된 가스 유입단(253)을 통해 전력 공급 로드(250)의 내부 공간으로 유입될 수 있다. 또한, 전력 공급 로드(250)에 형성된 가스 유입단(253)과 챔버(100)의 내벽 사이에는 방전 방지 부재(700)가 제공될 수 있다. 방전 방지 부재(700)는 가스 공급 라인(272)이 공급하는 열 전달 가스를 전력 공급 로드(250)의 내부 공간으로 전달할 수 있다.
도 12는 도 11의 방전 방지 부재의 모습을 보여주는 단면도이고, 도 13은 도 11의 방전 방지 부재의 일부 모습을 보여주는 사시도이다. 도 12와 도 13을 참조하면, 방전 방지 부재(700)는 가스 공급 라인(272)이 공급하는 열 전달 가스가 흐르는 유로를 가질 수 있다. 또한, 방전 방지 부재(700)가 가지는 유로는 전기장의 방향에 대하여 경사진 방향으로 형성될 수 있다.
방전 방지 부재(700)는 하부 바디(710)와 상부 바디(730)를 포함할 수 있다. 하부 바디(710)와 상부 바디(730)는 절연성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 하부 바디(710)와 상부 바디(730)는 수지를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 하부 바디(710)는 기둥 형상을 가질 수 있다. 하부 바디(710)는 원 기둥 형상을 가질 수 있다. 하부 바디(710)의 중심에는 가스가 흐르는 가스 유동홀(712)이 형성될 수 있다. 가스 유동홀(712)은 후술하는 상부 바디(730)가 가지는 유로와 서로 연통할 수 있다.
상부 바디(730)는 외측 바디(731)와 내측 바디(736)를 포함할 수 있다. 외측 바디(731)는 상부가 절단된 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 내측 바디(736)는 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가질 수 있다. 내측 바디(736)의 상면에는, 내측 바디(736)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되어 형성되는 그루브(738)가 형성될 수 있다.
내측 바디(736)는 외측 바디(731)에 삽입될 수 있다. 내측 바디(736)의 상면은 외측 바디(732)의 상부 내측면과 서로 접하도록 제공될 수 있다. 내측 바디(736)의 외면과 외측 바디(731)의 내면은 서로 이격되어 열 전달 가스가 흐르는 유로를 형성할 수 있다. 내측 바디(736)와 외측 바디(731)가 서로 조합되어 형성하는 유로는 전기장 방향에 대하여 경사진 방향으로 형성될 수 있다. 이에, 방전 방지 부재(700)에 흐르는 열 전달 가스가 진동하는 폭이 작아진다. 구체적으로, 방전 방지 부재(700)에서 전기장 방향에 대하여 경사진 방향으로 형성되는 유로에 흐르는 열 전달 가스가 진동하는 폭이 작아진다. 따라서, 열 전달 가스가 방전되는 것을 방지할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 처리 장치 : 10
챔버 : 100
처리 공간 : 102
배기홀 : 104
배기라인 : 151
지지 유닛 : 200
유전판 : 210
정전 전극 : 211
흡착 전원 : 213
전극판 : 220
하부커버 : 230
하부 지지부재 : 240
전력 공급 로드 : 250
하부 전원 : 252
가스 공급 라인 : 270
가스 통로 : 273
가스 공급원 : 278
메쉬 부재 : 279
링부재 : 280
샤워 헤드 유닛 : 300
샤워헤드 : 310
가스 분사홀 : 312
가스 분사판 : 320
가스 도입홀 : 322
절연링 : 380
라이너 유닛 : 500
내측 라이너 : 510
외측 라이너 : 530
배플 유닛 : 600

Claims (24)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 유전판과;
    상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과;
    상기 전극판에 전력을 인가하고, 내부 공간을 가지는 전력 공급 로드를 포함하되,
    상기 전력 공급 로드의 상기 내부 공간에는 상기 지지 유닛에 놓인 기판과 상기 지지 유닛 사이의 사이 공간으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공되는 가스 공급 라인이 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 지지 유닛에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고,
    상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드는 금속 재질인 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드의 일단 및/또는 타단에는 메쉬 부재가 설치되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 메쉬 부재는 상기 전력 공급 로드와 전기적으로 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드는 정합기와 연결되고,
    상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 정합기를 거치도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 정합기를 거치는 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 전극판이 발생시키는 전계 방향에 대하여 경사지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인은 복수로 제공되고,
    상기 가스 공급 라인 중 어느 일부는 상기 사이 공간 중 기판의 가장자리에 대응하는 영역에 상기 열 전달 가스를 공급하고,
    상기 가스 공급 라인 중 다른 일부는 상기 사이 공간 중 기판의 중앙에 대응하는 영역에 상기 열 전달 가스를 공급하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극판은,
    상부 전극판과;
    상기 상부 전극판의 하부에 배치되는 하부 전극판을 더 포함하되,
    상부 전극판과 하부 전극판에는 상기 열 전달 가스가 흐르는 유로가 형성되는 기판 처리 장치.
  10. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 지지 유닛에 있어서,
    기판이 놓이는 유전판과;
    상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과;
    상기 전극판에 전력을 인가하고, 내부 공간을 가지는 전력 공급 로드를 포함하되,
    상기 전력 공급 로드의 상기 내부 공간에는 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 지지 유닛 사이의 공간으로 공급되는 열 전달 가스의 이동 경로의 일부로 제공되는 가스 공급 라인이 제공되는 지지 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 지지 유닛에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고,
    상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결되는 지지 유닛.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드의 일단 및/또는 타단에 설치되고, 상기 전력 공급 로드와 전기적으로 연결되는 메쉬 부재를 포함하는 지지 유닛.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드는 정합기와 연결되고,
    상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 정합기를 거치도록 제공되는 지지 유닛.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 정합기를 거치는 상기 가스 공급 라인 중 일부는 상기 전극판이 발생시키는 전계 방향에 대하여 경사지도록 제공되는 지지 유닛.
  15. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전력 공급 로드는 금속 재질로 제공되는 지지 유닛.
  16. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 유전판과;
    상기 유전판 아래에 배치되는 전극판과;
    내부 공간을 가지고, 상기 내부 공간에 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 유전판 사이의 공간으로 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인이 제공된 금속 로드를 포함하고,
    상기 금속 로드는 상기 전극판에 전력을 인가하는 전원과 연결되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 금속 로드는,
    상기 전극판과 결합되는 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 제16항에 있어서,
    상기 전극판 및 상기 유전판에는 상기 유전판에서 기판을 지지하는 지지면까지 연장된 가스 통로가 형성되고,
    상기 가스 공급 라인은 상기 가스 통로와 연결되는 기판 처리 장치.
  20. 제16항, 제17항 및 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인은 비활성 가스를 저장하는 가스 공급원과 연결되는 기판 처리 장치.
  21. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛보다 상부에 배치되는 상부 전극과;
    상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 유전판과;
    상기 유전판의 아래에 배치되는 전극판과;
    상기 전극판에 전력을 인가하고, 내부 공간을 가지는 전력 공급 로드를 포함하되,
    상기 전력 공급 로드에는 상기 전력 공급 로드의 상기 내부 공간으로 상기 유전판에 놓인 기판과 상기 지지 유닛의 사이 공간으로 공급되는 열 전달 가스를 유입시키는 가스 유입단이 형성되는 기판 처리 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 가스 유입단과 상기 챔버 내벽 사이에는 방전 방지 부재가 제공되고,
    상기 방전 방지 부재는,
    상기 열 전달 가스를 공급하는 가스 공급 라인과 연결되고,
    상기 챔버 내 공간에서 발생하는 전기장의 방향에 대하여 경사지고, 상기 열 전달 가스가 흐르는 유로를 포함하는 기판 처리 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 방전 방지 부재는,
    외측 바디와;
    상기 외측 바디에 삽입되는 내측 바디를 포함하고,
    상기 외측 바디의 내면과 상기 내측 바디의 외면은 서로 이격되어 상기 유로를 형성하는 기판 처리 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 외측 바디는 상부가 절단된 역 깔대기 형상을 가지고,
    상기 내측 바디는 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지는 기판 처리 장치.


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