KR20170043299A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20170043299A KR1020150142886A KR20150142886A KR20170043299A KR 20170043299 A KR20170043299 A KR 20170043299A KR 1020150142886 A KR1020150142886 A KR 1020150142886A KR 20150142886 A KR20150142886 A KR 20150142886A KR 20170043299 A KR20170043299 A KR 20170043299A
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버의 측벽에 처리 공간 및 가스 공급 유닛을 연결하는 가스 공급로가 형성되고, 상기 가스 공급로의 상기 측벽의 내면에 인접한 끝단에는 복수의 통공이 형성된 쉴드가 제공된다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 일부를 확대한 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참고하면, 마이크로파를 이용하여 플라스마를 생성하는 일반적인 기판 처리 장치는 마이크로파 인가 유닛(1), 안테나(2) 및 가스 공급 유닛(3)을 포함한다. 마이크로파 인가 유닛(1)은 안테나(2)로 마이크로파를 인가한다. 안테나(2)에 인가된 마이크로파는 가스 공급 유닛(3)으로부터 공급된 가스로부터 플라스마를 생성한다. 이 경우 가스는 가스 공급 유닛(3)으로부터 공정 챔버의 벽을 관통하여 형성된 가스 공급로(4)를 통해 공급된다.
일반적으로 가스 공급로(4)를 통해 공정 챔버의 내부로 공급되는 가스는 가스 공급로의 내부(5) 및 공정 챔버의 벽의 내측 공간 간에 급격한 면적 차이로 인해 공정 챔버 내부의 가스 공급로의 가스 유출구(7)에 인접한 위치에서 급격히 유속이 감소하여 공정 챔버 내부의 가스 유출구(7)에 인접한 영역의 가스의 밀도가 공정 챔버 내부의 다른 영역에 비해 높게 형성된다. 또한, 공정 챔버 내부에 마이크로파를 인가하는 경우, 공정 챔버의 벽의 내측면의 가스 유출구(7)와 인접한 영역에서 마이크로파의 전계가 집중된다. 따라서, 상대적으로 가스의 밀도가 높은 공정 챔버의 내측면의 가스 유출구(7)에 인접한 영역에 플라스마 반응으로 인한 부산물이 증착되고, 이러한 부산물로 인해 이물질이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 공정 챔버의 내측면에 부산물이 증착되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 증착 부산물로 인한 이물질의 발생을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 기판을 처리하는 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 처리 공간의 상부에 제공되는 유전판; 상기 유전판의 상부에 배치되는 안테나 판; 및 상기 안테나판에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛;을 포함하되, 상기 공정 챔버의 측벽에는 상기 처리 공간 및 상기 가스 공급 유닛을 연결하는 가스 공급로가 형성되고, 상기 가스 공급로의 상기 측벽의 내면에 인접한 끝단에는 복수의 통공이 형성된 쉴드(Shield);가 제공된다.
상기 통공은 상기 처리 공간에서 바라볼 때 단면의 최대 길이가 상기 처리 공간에 전달된 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공된다.
상기 가스 공급 홀은 상기 단면이 원형으로 제공된다.
상기 통공은 마이크로파의 유입을 방지할 수 있는 크기로 제공된다.
상기 쉴드는 매쉬(MESH)형태로 제공될 수 있다.
상기 쉴드의 매쉬에 제공된 통공에서 최대 거리는 상기 처리 공간에 전달된 마이크로파 파장의 50분의 1보다 작게 제공된다.
상기 가스 공급로는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 상기 쉴드에 인접한 영역이며, 상기 처리 공간에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역의 단면은 상기 제 2 영역의 단면보다 넓게 제공된다.
상기 제 2 영역은 상기 쉴드를 향해 갈수록 점진적으로 넓어지도록 제공된다.
상기 가스 공급로는 복수개로 제공되고, 상기 쉴드는 각각의 상기 가스 공급로에 대응되어 제공된다.
상기 쉴드는 상기 공정 챔버와 동일한 재질로 제공된다.
상기 공정 챔버의 내벽에 설치되는 라이너를 더 포함하되, 상기 라이너에는 상기 쉴드와 대향되도록 관통되는 관통홀이 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버의 내측면에 부산물이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 증착 부산물로 인한 이물질의 발생을 최소화할 수 있다.
도 1은 일반적인 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부를 확대한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 안테나의 저면을 나타낸 저면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 쉴드에 인접한 부분을 확대한 부분 사시도이다.
도 6은 도 3의 쉴드의 다른 실시 예를 나타낸 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라즈마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나 판(500), 지파판(600), 유전판(700) 그리고 라이너(900)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다.
바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(110)의 내벽에는 플랜지(920)가 삽입되는 홈(112)이 형성된다.
커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판 유입구(미도시)는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 기판 유입구는 도어 등 개폐 부재에 의해 개폐된다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배기 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230)을 포함한다.
지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈이 형성될 수 있다. 실시 예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.
리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지 플레이트(210)는 구동 부재(미도시)에 의해 상하 이동 가능하도록 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 처리 공간(101) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급로(105)는 처리 공간(101) 및 가스 공급 유닛(300)을 연결한다. 따라서, 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급로(105)를 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급로(105)는 복수개로 제공될 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나 판(500)으로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.
마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다.
제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.
제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.
외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.
내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나 판(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나 판(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나 판(500)으로 전파된다.
위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나 판(500) 측으로 전달된다.
위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.
도 4는 안테나 판(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 안테나 판(500)은 플레이트 형상으로 제공된다. 일 예로, 안테나 판(500)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나 판(500)은 유전판(700)의 상부에 배치된다. 안테나 판(500)은 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나 판(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나 판(500) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나 판(500)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나 판(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나 판(500)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.
다시 도 3을 참조하면, 지파판(600)은 안테나 판(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(600)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.
유전판(700)은 처리 공간(101)의 상부에 제공된다. 예를 들면, 유전판(700)은 안테나 판(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(700)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 유전판(700)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(700)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(700)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(700)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(700)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다. 실시 예에 의하면, 지파판(600), 안테나 판(500) 그리고 유전판(700)은 서로 밀착될 수 있다.
라이너(900)는 공정 챔버(100)의 내벽에 설치된다. 라이너(900)는 공정 챔버(100)의 내벽이 플라즈마로 인해 손상되는 것을 방지한다. 라이너(900)에는 쉴드(1000)와 대향되도록 관통되는 관통홀(912)이 형성된다.
일 실시 예에 따르면, 라이너(900)는 바디(910) 및 플랜지(920)를 포함한다.
바디(910)는 공정 챔버(100)의 내벽과 대향되는 링 형상을 가진다. 바디(910)에는 쉴드(1000)들과 대향되도록 관통된 복수개의 관통홀(912)이 형성된다. 가스 공급로(105)로부터 분사된 공정 가스는 관통홀(912)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 유입된다.
플랜지(920)는 바디(910)의 외벽으로부터 공정 챔버(100)의 벽 내부까지 연장되도록 제공된다. 플랜지(920)는 바디(910)의 둘레를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 플랜지(920)는 라이너(900)의 상단에 제공될 수 있다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치(10)의 쉴드(1000)에 인접한 부분을 확대한 부분 사시도이다. 도 5를 참조하면, 가스 공급로(105)의 공정 챔버(100)의 측벽의 내면에 인접한 끝단에는 쉴드(SHIELD, 1000)가 제공된다. 가스 공급로(105)가 복수개로 제공되는 경우, 쉴드(1000)는 각각의 상기 가스 공급로에 대응되어 제공된다. 쉴드(1000)는 공정 챔버(100)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 가스 공급로(105)가 형성된 바디(110)와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급로(105)는 제 1 영역(105a) 및 제 2 영역(105b)을 포함한다. 제 1 영역(105a)은 제 2 영역(105b)보다 쉴드(1000)에 더 인접한 영역이다. 처리 공간(101)에서 바라볼 때, 제 1 영역(105a)의 단면은 제 2 영역(105b)의 단면보다 넓게 제공된다. 따라서, 도 1의 종래의 기판 처리 장치와 달리, 처리 공간(101)으로 공급되는 가스의 유속이 급속히 느려짐으로써, 가스의 밀도가 상대적으로 높아지는 영역은 쉴드(1000)를 기준으로 공정 챔버(100)의 측벽 내측에 위치하게 된다.
제 1 영역(105a)은 쉴드(1000)를 향해 갈수록 점진적으로 넓어지도록 제공된다. 따라서, 제 1 영역(105a)을 지나는 가스의 유속이 급속히 느려지는 현상을 완화시킨다.
쉴드(1000)에는 복수의 통공(1100)이 형성된다. 통공(1100)은 마이크로파가 가스 공급로(105) 내로 유입되는 것을 방지할 수 있는 크기로 제공된다. 예를 들면, 통공(1100)은 처리 공간(101)에서 바라볼 때 단면의 최대 길이가 처리 공간(101)에 전달된 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공된다. 마이크로파는 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공된 공간은 통과할 수 없다. 따라서, 제 1 영역(105a) 내로 마이크로파가 유입되지 못하므로 제 1 영역(105a)에서는 마이크로파에 의해 플라스마가 발생되지 못한다. 통공(1100)은 처리 공간(101)에서 바라볼 때의 단면이 원형으로 제공될 수 있다. 이 경우, 통공(1100)의 직경은 처리 공간(101)에 전달된 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공된다.
이와 달리, 쉴드(1000)는 가스 공급로(105) 내부로 마이크로파의 유입을 방지할 수 있는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 도 6은 도 3의 쉴드의 다른 실시 예를 나타낸 정면도이다. 도 6을 참고하면, 쉴드(1000)는 복수개의 통공(1100)이 형성된 메쉬(MESH) 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 쉴드(1000)의 메쉬 형상으로 제공된 통공(1100)에서 최대 거리(l)는 처리 공간(101)에 전달된 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 비교적 공급되는 가스의 밀도가 높은 제 1 영역(105a)에 마이크로파가 유입되지 못하게 함으로서 공정 챔버 내에서의 불필요한 증착을 최소화할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시 이물질의 발생을 최소화 할 수 있다. 또한, 제 1 영역(105a)을 점진적으로 넓어지도록 제공함으로써, 가스가 제 1 영역(105a)으로부터 쉴드(1000) 통해 처리 공간(101)으로 유입될 경우, 가스의 유속의 급속한 저하를 완화시킬 수 있다.
W: 기판 G: 갭(Gap)
10; 기판 처리 장치 100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛 300: 가스 공급 유닛
400: 마이크로파 인가 유닛 500: 안테나 판
600: 지파판 700: 유전판
900: 라이너 1000: 쉴드
1100: 통공

Claims (11)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 처리 공간의 상부에 제공되는 유전판;
    상기 유전판의 상부에 배치되는 안테나 판; 및
    상기 안테나판에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛;을 포함하되,
    상기 공정 챔버의 측벽에는 상기 처리 공간 및 상기 가스 공급 유닛을 연결하는 가스 공급로가 형성되고,
    상기 가스 공급로의 상기 측벽의 내면에 인접한 끝단에는 복수의 통공이 형성된 쉴드(Shield);가 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 통공은 상기 처리 공간에서 바라볼 때 단면의 최대 길이가 상기 처리 공간에 전달된 마이크로파의 파장의 50분의 1보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 공급 홀은 상기 단면이 원형으로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 통공은 마이크로파의 유입을 방지할 수 있는 크기로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 쉴드는 매쉬(MESH)형태로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 쉴드의 매쉬에 제공된 통공에서 최대 거리는 상기 처리 공간에 전달된 마이크로파 파장의 50분의 1보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 가스 공급로는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고,
    상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 상기 쉴드에 인접한 영역이며,
    상기 처리 공간에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역의 단면은 상기 제 2 영역의 단면보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 상기 쉴드를 향해 갈수록 점진적으로 넓어지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 가스 공급로는 복수개로 제공되고, 상기 쉴드는 각각의 상기 가스 공급로에 대응되어 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 쉴드는 상기 공정 챔버와 동일한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 공정 챔버의 내벽에 설치되는 라이너를 더 포함하되,
    상기 라이너에는 상기 쉴드와 대향되도록 관통되는 관통홀이 형성되는 기판 처리 장치.
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