KR101681182B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101681182B1
KR101681182B1 KR1020140081127A KR20140081127A KR101681182B1 KR 101681182 B1 KR101681182 B1 KR 101681182B1 KR 1020140081127 A KR1020140081127 A KR 1020140081127A KR 20140081127 A KR20140081127 A KR 20140081127A KR 101681182 B1 KR101681182 B1 KR 101681182B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
base plate
lower plate
antenna
substrate
Prior art date
Application number
KR1020140081127A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160002535A (ko
Inventor
장용수
김선래
홍성환
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140081127A priority Critical patent/KR101681182B1/ko
Publication of KR20160002535A publication Critical patent/KR20160002535A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101681182B1 publication Critical patent/KR101681182B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 기판 지지 유닛, 안테나 및 유전판 등을 포함한다. 유전판은 베이스 판 및 베이스 판의 저면에 탈부착이 가능한 하부 판을 가진다. 따라서, 하부판을 베이스 판에 비해 내 플라스마성이 강한 재질로 제공함으로써 플라스마에 의한 유전판의 손상을 방지하고, 유전판의 일부만을 교체 가능함으로써 교체가 용이하고 교체 비용이 감소하며, 하부판이 베이스 판에 비해 얇은 두께로 제공됨으로써, 하부판을 베이스 판과 상이한 재질로 제공한 경우에도 유전판 전체에 대한 마이크로파 전계의 투과율 및 굴절율 등이 공정 요건의 범위를 벗어나지 않게 된다. 또한, 하부판의 형상 및 베이스 판과 하부판이 맞닿는 면의 형상을 변경함으로써 마이크로파 전계의 영역별 밀도를 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라스마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
마이크로파를 이용하여 플라스마를 생성하는 경우, 마이크로파는 유전판을 거쳐 공정 챔버 내부로 방사된다. 도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조 하면, 일반적으로 유전판(1)은 전체가 동일 재질인 일체형으로 제공된다. 따라서, 유전판(1) 손상 발생시 교체가 용이하지 않고 교체 비용이 높다. 또한, 플라스마로 인한, 유전판의 손상을 막기 위해 내플라스마성이 강한 재질로 유전판 전체의 재질을 변경할 경우 마이크로파의 투사율 및 굴절율을 만족시키기 어렵다. 또한, 일반적으로 마이크로파 전계의 밀도 조절은 안테나의 슬롯의 형상 및 배열로 조절하나 이것만으로는 마이크로파 전계의 밀도 조절이 용이하지 않다.
본 발명은 플라스마로 인한 유전판의 손상을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 유전판 교체 비용을 절감할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 마이크로파의 영역별 전계 밀도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나와; 상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛과; 상기 안테나의 하부에 제공되고, 마이크로파를 상기 공정 챔버 내부 공간으로 확산 및 투과시키는 유전판;을 가지되, 상기 유전판은, 유전체 재질로 제공되는 베이스 판과; 상기 베이스 판의 저면에 결합되는 하부판;을 포함한다.
상기 베이스 판의 저면에는 홈이 형성되고, 상기 하부판은 상기 홈에 삽입된다.
상기 하부판의 두께는 상기 베이스 판의 두께의 30%이하로 제공된다.
상기 베이스 판과 상기 하부판 사이의 거리는, 영역에 따라 상이하게 제공될 수 있다.
상기 하부판은, 그 영역별로 두께가 상이하게 제공될 수 있다.
상기 하부판의 상면의 일부 영역은 다른 영역에 비해 상부로 돌출될 수 있다.
상기 베이스 판 및 상기 하부판은, 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다.
상기 하부판은, 상기 베이스 판보다 내 플라스마성이 강한 재질로 제공될 수 있다.
상기 하부판은, 탈부착이 가능하도록 제공되고, 상기 하부판의 상면 또는 상기 베이스 판의 저면 중 하나에는 끼움 돌기가 형성되고, 다른 하나에는 상기 끼움 돌기가 삽입 가능한 끼움 홈이 형성될 수 있다.
상기 하부판은, 세라믹을 포함하는 재질, 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 플라스마로 인한 유전판의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 유전판 교체 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 마이크로파의 영역별 전계 밀도를 조절할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 안테나의 저면을 나타낸 저면도이다.
도 4는 도 2의 베이스 판의 저면을 나타낸 저면도이다.
도 5는 도 2의 하부판을 나타낸 사시도이다.
도 6 및 도 7은 도 2의 유전판의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라스마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나(500), 지파판(600) 그리고 유전판(700)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. 바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배리 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 공정 챔버(100)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220)와 지지축(230)을 포함한다.
지지 플레이트(210)는 소정 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 실시예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)의 상면에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.
리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다.
가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나(500)로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.
마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다.
제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.
제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.
외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.
내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나(500)로 전파된다.
위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나(500) 측으로 전달된다.
위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.
도 3은 안테나(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 1 및 도 3을 참조하면, 안테나(500)는 플레이트 형상으로 제공된다. 일 예로, 안테나(500)는 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나(500)는 지지 플레이트(210)에 대향되도록 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 안테나(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나(500) 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나(500) 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나(500)와 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.
다시 도 1을 참조하면, 지파판(600)은 안테나(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다. 또한 유전판(700)으로부터 반사된 마이크로파를 재반사하여 유전판(700)으로 돌려보낸다.
도 4는 도 2의 베이스 판(710)의 저면을 나타낸 저면도이고, 도 5는 도 2의 하부판(720)을 나타낸 사시도이다. 도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 유전판(700)은 베이스 판(710) 및 하부판(720)을 포함한다. 유전판(710)은 안테나의 하부에 제공된다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 확산 및 투과된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기 된다.
베이스 판(710)은 안테나(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 베이스 판(710)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 베이스 판(710)은 그 하단이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 베이스 판(710)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 베이스 판(710)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 베이스 판(710)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 실시 예에 의하면, 지파판(600), 안테나(500) 그리고 베이스 판(700)은 서로 밀착될 수 있다. 베이스 판(710)은 일반적으로 유전체 재질로 제공된다. 예를 들면 베이스 판(710)은 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 베이스 판(710)의 저면에는 하부판(720)이 삽입되는 홈(712)이 형성된다.
하부판(720)은 베이스 판(710)의 저면에 결합되며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 하부판(720)의 두께는 베이스 판(710)의 두께의 30%이하로 제공된다. 따라서, 하부판(720) 베이스 판(710)과 상이한 재질로 제공되더라도 유전판(700) 전체의 마이크로파 전계의 투과율 및 굴절율이 공정 조건의 범위를 벗어나지 않는다. 하부판(720)은 베이스 판(720)의 저면에 탈 부착이 가능하도록 제공된다. 예를 들면, 하부판(720)의 상면 또는 베이스 판(710)의 저면 중 하나에는 끼움 돌기(721)가 형성되고, 다른 하나에는 끼움 돌기(721)가 삽입 가능한 끼움 홈(711)이 형성될 수 있다. 이와 달리 하부판(720)은 베이스 판(710)의 저면에 부분 용접에 의해 결합될 수 있다. 따라서, 플라스마에 의해 손상되기 쉬운 유전판(700)의 저면의 중앙영역이 손상된 경우, 그 일부인 하부판(720)만을 교체함으로써, 교체가 용이하고 교체 비용을 절감할 수 있다.
도 6 및 도 7은 도 2의 유전판(700)의 단면을 나타낸 단면도이다. 베이스 판(710)과 하부판(720) 사이의 거리는, 영역에 따라 상이하게 제공될 수 있다. 또한, 하부판(720)은 그 영역별로 두께가 상이하게 제공될 수 있다. 예를 들면, 도 6을 참고하면, 하부판(720)의 상면의 일부 영역은 다른 영역에 비해 상부로 돌출되도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 도 7을 참고하면, 베이스 판(710)과 하부판(720)은 밀착되도록 제공되고, 베이스 판(710)과 하부판(720)이 맞닿는 면의 형태를 변형시킬 수 있다. 상술한 베이스 판과 하부판(720) 사이의 거리, 하부판(720)의 영역별 두께 또는 베이스 판(710)과 하부판(720)이 맞닿는 면의 형태를 변경시킴으로써 투과되는 마이크로파 전계의 영역별 밀도를 조절할 수 있다.
하부판(720)은 베이스 판(710)과 상이한 재질로 제공될 수 있다. 하부판(720)이 베이스 판(710)의 재질과 상이한 재질로 제공되는 경우, 하부판(720)은 베이스 판(710) 보다 내 플라스마성이 강한 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 플라스마에 의한 손상 가능성이 높은 유전판(700)의 저면의 중앙 영역의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들면, 하부판(720)은 세라믹을 포함하는 재질 또는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
이와 달리, 하부판(720)은 베이스 판(710)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 이 경우, 하부판(720)은 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
W:기판 10: 기판 처리 장치
100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 마이크로파 인가 유닛
500: 안테나 600: 지파판
700: 유전판 710: 베이스 판
720: 하부판

Claims (13)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나와;
    상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛과;
    상기 안테나의 하부에 제공되고, 마이크로파를 상기 공정 챔버 내부 공간으로 확산 및 투과시키는 유전판;을 가지되,
    상기 유전판은,
    유전체 재질로 제공되는 베이스 판과;
    상기 베이스 판의 저면에 결합되는 하부판;을 포함하되,
    상기 저면의 중앙 영역에는 내측으로 만입된 오목면이 형성되고,
    상기 오목면에는 홈이 형성되고,
    상기 하부판은 상기 홈에 삽입되고, 영역별로 두께가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나와;
    상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛과;
    상기 안테나의 하부에 제공되고, 마이크로파를 상기 공정 챔버 내부 공간으로 확산 및 투과시키는 유전판;을 가지되,
    상기 유전판은,
    유전체 재질로 제공되는 베이스 판과;
    상기 베이스 판의 저면에 결합되는 하부판;을 포함하되,
    상기 저면의 중앙 영역에는 내측으로 만입된 오목면이 형성되고,
    상기 오목면에는 홈이 형성되고,
    상기 하부판은 상기 홈에 삽입되고, 상면의 일부 영역은 다른 영역에 비해 상부로 돌출된 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하부판의 두께는 상기 베이스 판의 두께의 30%이하로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 베이스 판 및 상기 하부판은, 서로 상이한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하부판은, 상기 베이스 판보다 내 플라스마성이 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하부판은, 탈부착이 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하부판의 상면 또는 상기 베이스 판의 저면 중 하나에는 끼움 돌기가 형성되고, 다른 하나에는 상기 끼움 돌기가 삽입 가능한 끼움 홈이 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하부판은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하부판은, 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하부판은, 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020140081127A 2014-06-30 2014-06-30 기판 처리 장치 KR101681182B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140081127A KR101681182B1 (ko) 2014-06-30 2014-06-30 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140081127A KR101681182B1 (ko) 2014-06-30 2014-06-30 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160002535A KR20160002535A (ko) 2016-01-08
KR101681182B1 true KR101681182B1 (ko) 2016-12-02

Family

ID=55170430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140081127A KR101681182B1 (ko) 2014-06-30 2014-06-30 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101681182B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068252A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置および処理方法
JP2002299240A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
KR101115996B1 (ko) * 2004-03-19 2012-02-21 샤프 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5213530B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068252A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置および処理方法
JP2002299240A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
KR101115996B1 (ko) * 2004-03-19 2012-02-21 샤프 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160002535A (ko) 2016-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160002543A (ko) 기판 처리 장치
US20150118416A1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102175082B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102175080B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101754564B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102493574B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101681182B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102108318B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101528457B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101966810B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102278075B1 (ko) 유전판 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102240923B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101736842B1 (ko) 유전판 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101736839B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101966807B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102344527B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101570170B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101853362B1 (ko) 기판 처리 장치의 제조 방법
KR101991800B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101736840B1 (ko) 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20170046999A (ko) 기판 처리 장치
KR101934983B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230162949A1 (en) Apparatus for processing substrate
KR102189872B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101543697B1 (ko) 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191115

Year of fee payment: 4