JP2002299240A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JP2002299240A
JP2002299240A JP2001094275A JP2001094275A JP2002299240A JP 2002299240 A JP2002299240 A JP 2002299240A JP 2001094275 A JP2001094275 A JP 2001094275A JP 2001094275 A JP2001094275 A JP 2001094275A JP 2002299240 A JP2002299240 A JP 2002299240A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
processing apparatus
plasma processing
microwave
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001094275A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Masaki Hirayama
昌樹 平山
Shigetoshi Sugawa
成利 須川
Tetsuya Goto
哲也 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001094275A priority Critical patent/JP2002299240A/ja
Priority to KR1020037012541A priority patent/KR100685248B1/ko
Priority to EP02708713A priority patent/EP1376670A4/en
Priority to CNB028074904A priority patent/CN1306566C/zh
Priority to PCT/JP2002/003111 priority patent/WO2002080252A1/ja
Priority to US10/473,302 priority patent/US20040094094A1/en
Priority to CNB2007100032657A priority patent/CN100483620C/zh
Publication of JP2002299240A publication Critical patent/JP2002299240A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、被処
理基板周辺部でのプラズマ密度の低下を補償する。 【解決手段】 被処理基板に対面するシャワープレート
あるいはプラズマ透過窓の、前記被処理基板に対面する
側を凹面形状とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般にプラズマ処理
装置に係わり、特にマイクロ波プラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】プラズマ処理工程およびプラズマ処理装置
は、近年のいわゆるディープサブミクロン素子あるいは
ディープサブクォーターミクロン素子と呼ばれる０．１
μｍに近い、あるいはそれ以下のゲート長を有する超微
細化半導体装置の製造や、液晶表示装置を含む高解像度
平面表示装置の製造にとって、不可欠の技術である。
【０００３】半導体装置や液晶表示装置の製造に使われ
るプラズマ処理装置としては、従来より様々なプラズマ
の励起方式が使われているが、特に平行平板型高周波励
起プラズマ処理装置あるいは誘導結合型プラズマ処理装
置が一般的である。しかしこれら従来のプラズマ処理装
置は、プラズマ形成が不均一であり、電子密度の高い領
域が限定されているため大きな処理速度すなわちスルー
プットで被処理基板全面にわたり均一なプロセスを行う
のが困難である問題点を有している。この問題は、特に
大径の基板を処理する場合に深刻になる。しかもこれら
従来のプラズマ処理装置では、電子温度が高いため被処
理基板上に形成される半導体素子にダメージが生じ、ま
た処理室壁のスパッタリングによる金属汚染が大きいな
ど、いくつかの本質的な問題を有している。このため、
従来のプラズマ処理装置では、半導体装置や液晶表示装
置のさらなる微細化およびさらなる生産性の向上に対す
る厳しい要求を満たすことが困難になりつつある。
【０００４】一方、従来より直流磁場を用いずにマイク
ロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイク
ロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一
なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロッ
トを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロット
アンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、この
マイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラ
ズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されて
いる。例えば特開平９−６３７９３公報を参照。このよ
うな手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ
直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現で
き、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能であ
る。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマ
ではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度
が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避するこ
とができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを
容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導
体装置の製造工程や大型液晶表示装置の製造にも容易に
対応できる。
【０００５】
【従来の技術】図１（Ａ），（Ｂ）は、かかるラジアル
ラインスロットアンテナを使った従来のマイクロ波プラ
ズマ処理装置１００の構成を示す。ただし図１（Ａ）は
マイクロ波プラズマ処理装置１００の断面図を、また図
１（Ｂ）はラジアルラインスロットアンテナの構成を示
す図である。
【０００６】図１（Ａ）を参照するに、マイクロ波プラ
ズマ処理装置１００は複数の排気ポート１１６から排気
される処理室１０１を有し、前記処理室１０１中には被
処理基板１１４を保持する保持台１１５が形成されてい
る。前記処理室１０１の均一な排気を実現するため、前
記保持台１１５の周囲にはリング状に空間１０１Ａが形
成されており、前記複数の排気ポート１１６を前記空間
１０１Ａに連通するように等間隔で、すなわち被処理基
板に対して軸対称に形成することにより、前記処理室１
０１を前記空間１０１Ａおよび排気ポート１１６を介し
て均一に排気することができる。
【０００７】前記処理室１０１上には、前記保持台１１
５上の被処理基板１１４に対応する位置に、前記処理室
１０１の外壁の一部として、低損失誘電体よりなり多数
の開口部１０７を形成された板状のシャワープレート１
０３がシールリング１０９を介して形成されており、さ
らに前記シャワープレート１０３の外側に同じく低損失
誘電体よりなるカバープレート１０２が、別のシールリ
ング１０８を介して設けられている。
【０００８】前記シャワープレート１０３にはその上面
にプラズマガスの通路１０４が形成されており、前記複
数の開口部１０７の各々は前記プラズマガス通路１０４
に連通するように形成されている。さらに、前記シャワ
ープレート１０３の内部には、前記処理容器１０１の外
壁に設けられたプラズマガス供給ポート１０５に連通す
るプラズマガスの供給通路１０８が形成されており、前
記プラズマガス供給ポート１０５に供給されたＡｒやＫ
ｒ等のプラズマガスは、前記供給通路１０８から前記通
路１０４を介して前記開口部１０７に供給され、前記開
口部１０７から前記処理容器１０１内部の前記シャワー
プレート１０３直下の空間１０１Ｂに、実質的に一様な
濃度で放出される。
【０００９】前記処理容器１０１上には、さらに前記カ
バープレート１０２の外側に、前記カバープレート１０
２から４〜５ｍｍ離間して、図１（Ｂ）に示す放射面を
有するラジアルラインスロットアンテナ１１０が設けら
れている。前記ラジアルラインスロットアンテナ１１０
は外部のマイクロ波源（図示せず）に同軸導波管１１０
Ａを介して接続されており、前記マイクロ波源からのマ
イクロ波により、前記空間１０１Ｂに放出されたプラズ
マガスを励起する。前記カバープレート１０２とラジア
ルラインスロットアンテナ１１０の放射面との間の隙間
は大気により充填されている。
【００１０】前記ラジアルラインスロットアンテナ１１
０は、前記同軸導波管１１０Ａの外側導波管に接続され
た平坦なディスク状のアンテナ本体１１０Ｂと、前記ア
ンテナ本体１１０Ｂの開口部に形成された、図１（Ｂ）
に示す多数のスロット１１０ａおよびこれに直交する多
数のスロット１１０ｂを形成された放射板１１０Ｃとよ
りなり、前記アンテナ本体１１０Ｂと前記放射板１１０
Ｃとの間には、厚さが一定の誘電体板よりなる遅相板１
１０Ｄが挿入されている。
【００１１】かかる構成のラジアルラインスロットアン
テナ１１０では、前記同軸導波管１１０から給電された
マイクロ波は、前記ディスク状のアンテナ本体１１０Ｂ
と放射板１１０Ｃとの間を、半径方向に広がりながら進
行するが、その際に前記遅相板１１０Ｄの作用により波
長が圧縮される。そこで、このようにして半径方向に進
行するマイクロ波の波長に対応して前記スロット１１０
ａおよび１１０ｂを同心円状に、かつ相互に直交するよ
うに形成しておくことにより、円偏波を有する平面波を
前記放射板１１０Ｃに実質的に垂直な方向に放射するこ
とができる。
【００１２】かかるラジアルラインスロットアンテナ１
１０を使うことにより、前記シャワープレート１０３直
下の空間１０１Ｂに均一な高密度プラズマが形成され
る。このようにして形成された高密度プラズマは電子温
度が低く、そのため被処理基板１１４にダメージが生じ
ることがなく、また処理容器１０１の器壁のスパッタリ
ングに起因する金属汚染が生じることもない。
【００１３】図１のプラズマ処理装置１００では、さら
に前記処理容器１０１中、前記シャワープレート１０３
と被処理基板１１４との間に、外部の処理ガス源（図示
せず）から前記処理容器１０１中に形成された処理ガス
通路１１２を介して処理ガスを供給する多数のノズル１
１３を形成された導体構造物１１１が形成されており、
前記ノズル１１３の各々は、供給された処理ガスを、前
記導体構造物１１１と被処理基板１１４との間の空間１
０１Ｃに放出する。前記導体構造物１１１には、前記隣
接するノズル１１３と１１３との間に、前記空間１０１
Ｂにおいて形成されたプラズマを前記空間１０１Ｂから
前記空間１０１Ｃに拡散により、効率よく通過させるよ
うな大きさの開口部が形成されている。
【００１４】そこで、このように前記導体構造物１１１
から前記ノズル１１３を介して処理ガスを前記空間１０
１Ｃに放出した場合、放出された処理ガスは前記空間１
０１Ｂにおいて形成された高密度プラズマにより励起さ
れ、前記被処理基板１１４上に、一様なプラズマ処理
が、効率的かつ高速に、しかも基板および基板上の素子
構造を損傷させることなく、また基板を汚染することな
く行われる。一方前記ラジアルラインスロットアンテナ
１１０から放射されたマイクロ波は、かかる導体構造物
１１１により阻止され、被処理基板１１４を損傷させる
ことはない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで図１（Ａ），
（Ｂ）の従来のプラズマ処理装置１００では、前記シャ
ワープレート１０３と被処理基板１１４との間の間隔が
狭いため、前記空間１０１Ｂおよび１０１Ｃにはシャワ
ープレート１０３の径方向への連続的で安定なプラズマ
流が形成され、前記被処理基板１１４が大口径基板であ
っても非常に均一なプラズマ処理が可能になるが、一方
で前記処理容器１０１内の圧力が低下した場合、特にシ
ャワープレート１０３の周辺部においてプラズマ密度が
低下しやすい問題が生じる。例えば処理容器１０１内の
圧力がＡｒ雰囲気中で３００ｍＴｏｒｒ以下に低下した
場合、シャワープレート１０３の周辺部においてプラズ
マ密度が大きく低下する。これは処理容器１０１内の圧
力が低下した場合、解離した電子の拡散が促進され、処
理容器１０１の内壁面で消滅することに起因するものと
考えられる。プラズマのカットオフ密度は７．５×１０
10ｃｍ-3であるため、プラズマ密度がかかるカットオフ
密度以下に低下するとプラズマを維持することができな
くなる。かかるシャワープレート１０３周辺部における
プラズマ密度の低下は、処理速度の低下を招くだけでな
く、マイクロ波が被処理基板１１４に直接に印加されて
しまい、損傷を誘起してしまう問題を生じる。
【００１６】そこで、本発明は従来の課題を解決した新
規で有用なプラズマ処理装置を提供することを概括的課
題とする。
【００１７】本発明のより具体的な課題は、低い処理圧
においても被処理基板表面全体にわたり均一な処理が可
能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、外壁により画成され、被処
理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理
容器に結合された排気系と、前記処理容器上に、前記保
持台上の被処理基板に対面するように、前記外壁の一部
として設けられたマイクロ波透過窓と、前記処理容器中
にプラズマガスを供給するプラズマガス供給部と、前記
処理容器上に、前記マイクロ波に対応して設けられたマ
イクロ波アンテナとよりなり、前記マイクロ波透過窓
は、前記被処理基板と対面する側の内面が、前記被処理
基板表面に一致する平面との間の間隔が、前記マイクロ
波透過窓の径方向外側に向って減少する凹面形状を有す
ることを特徴とするプラズマ処理装置により、または請
求項２に記載したように、前記間隔は、前記マイクロ波
透過窓の径方向外側に向って連続的に減少することを特
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置により、また
は請求項３に記載したように、前記間隔は、前記マイク
ロ波透過窓の径方向外側に向って滑らかに減少すること
を特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置により、
または請求項４に記載したように、前記間隔は、前記マ
イクロ波透過窓の径方向外側に向って直線的に減少する
ことを特徴とする請求項２または３記載のプラズマ処理
装置により、または請求項５に記載したように、前記間
隔は、前記マイクロ波透過窓の径方向外側に向って非直
線的に減少することを特徴とする請求項２または３記載
のプラズマ処理装置により、または請求項６に記載した
ように、前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径方向外
側に向って階段状に減少することを特徴とする請求項１
記載のプラズマ処理装置により、または請求項７に記載
したように、前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の周辺
部においてのみ、前記マイクロ波透過窓の径方向外側に
向って減少することを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理装置により、または請求項８に記載したように、
前記マイクロ波透過窓は、前記内面に対向する外面が平
坦面よりなることを特徴とする請求項１〜７のうち、い
ずれか一項記載のプラズマ処理装置により、または請求
項９に記載したように、前記マイクロ波透過窓は、内部
にプラズマガス通路を有し、前記処理容器中にプラズマ
ガスを放出する前記プラズマガス供給部を構成すること
を特徴とする請求項１〜８のうち、いずれか一項記載の
プラズマ処理装置により、または請求項１０に記載した
ように、前記マイクロ波透過窓は、前記プラズマガス通
路に連通する複数の開口部を有することを特徴とする請
求項９記載のプラズマ処理装置により、または請求項１
１に記載したように、マイクロ波透過窓は、前記処理容
器の外壁の一部を構成するカバープレートと、前記カバ
ープレートに密接して設けられ、前記プラズマガス通路
とこれに連通する複数の開口部とを有するシャワープレ
ートよりなることを特徴とする請求項９記載のプラズマ
処理装置により、または請求項１２に記載したように、
前記マイクロ波透過窓は緻密なセラミックよりなること
を特徴とする請求項８または１１記載のプラズマ処理装
置により、または請求項１３に記載したように、前記マ
イクロ波透過窓は、多孔質媒体より構成されることを特
徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置により、また
は請求項１４に記載したように、前記マイクロ波透過窓
は、前記処理容器の一部を構成するカバープレートと、
前記カバープレートに密接して設けられた多孔質媒体よ
りなるシャワープレートとよりなることを特徴とする請
求項９記載のプラズマ処理装置により、または請求項１
５に記載したように、前記多孔質媒体は、焼結セラミッ
クよりなることを特徴とする請求項１３または１４記載
のプラズマ処理装置により、または請求項１６に記載し
たように、前記プラズマガス供給部は、前記処理容器外
壁に形成された、プラズマガス源に接続可能な管よりな
ることを特徴とする請求項１〜８のうち、いずれか一項
記載のプラズマ処理装置により、または請求項１７に記
載したように、前記マイクロ波透過窓は、緻密なセラミ
ックよりなることを特徴とする請求項１６記載のプラズ
マ処理装置により、または請求項１８に記載したよう
に、さらに、前記被処理基板と前記プラズマガス源との
間に、処理ガス供給部を設けたことを特徴とする請求項
１〜１７のうち、いずれか一項記載のプラズマ処理装置
により、または請求項１９に記載したように、前記処理
ガス供給部は、プラズマを通過させるプラズマ通路と、
処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス
通路に連通した多数のノズル開口部とを有することを特
徴とする請求項１８記載のプラズマ処理装置により、ま
たは請求項２０に記載したように、さらに前記保持台に
接続された高周波電源を含むことを特徴とする請求項１
〜１９のうち、いずれか一項記載のプラズマ処理装置に
より、または請求項２１に記載したように、前記マイク
ロ波アンテナはラジアルラインスロットアンテナよりな
ることを特徴とする請求項１〜２０のうち、いずれか一
項記載のプラズマ処理装置により、解決する。 ［作用］本発明によれば、前記シャワープレートの被処
理基板に対面する側に凹面を形成することにより、被処
理基板周辺部において高密度プラズマが形成されるシャ
ワープレート下面と被処理基板表面との間の間隔が減少
し、シャワープレート周辺部におけるプラズマ密度の低
下が補償される。その結果、エッチングなど低圧におけ
るプラズマ処理を行った場合にも被処理基板表面近傍に
おいて安定で均一なプラズマが維持される。またかかる
構成により、プラズマの着火も促進される。かかる凹面
形成によるプラズマの安定化は、被処理基板とプラズマ
ガス供給部の間に処理ガス供給部を設けた構成のみなら
ず、処理ガス供給部を省略した構成に対しても適用可能
である。
【００１９】かかる凹面を有するシャワープレートとし
ては、プラズマガス通路とこれに連通した多数の開口部
を形成された緻密なセラミック部材を使うことが可能で
あるが、前記緻密なセラミック部材の代わりに多孔質セ
ラミック部材を使うことも可能である。これらのシャワ
ープレートは、処理容器外壁の一部をなしプラズマ透過
窓を構成する緻密なカバープレートに密接して設けられ
るが、本発明においてはさらにマイクロ波透過窓自体に
前記凹部を形成し、プラズマガスを別途、シャワープレ
ートを使わずに、管などにより前記処理室中に導入する
ことも可能である。
【００２０】本発明によるシャワープレートあるいはマ
イクロ波透過窓では、前記凹面をなす内面に対向する外
面が平坦面であると、マイクロ波アンテナとの密着が容
易に確保でき、アンテナを介したシャワープレートの冷
却が可能となるため有利である。
【００２１】
【発明の実施の形態】［第１実施例］図２（Ａ），
（Ｂ）は、本発明の第１実施例によるマイクロ波プラズ
マ処理装置１０の構成を示す。
【００２２】図２（Ａ）を参照するに、前記マイクロ波
プラズマ処理装置１０は処理容器１１と、前記処理容器
１１内に設けられ、被処理基板１２を静電チャックによ
り保持する好ましくは熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ）によ
り形成されたＡｌＮもしくはＡｌ2Ｏ3よりなる保持台１
３とを含み、前記処理容器１１内には前記保持台１３を
囲む空間１１Ａに等間隔に、すなわち前記保持台１３上
の被処理基板１２に対して略軸対称な関係で少なくとも
二箇所、好ましくは三箇所以上に排気ポート１１ａが形
成されている。前記処理容器１１は、かかる排気ポート
１１ａを介して不等ピッチ不等傾角スクリューポンプ等
により、排気・減圧される。
【００２３】前記処理容器１１は好ましくはＡｌを含有
するオーステナイトステンレス鋼よりなり、内壁面には
酸化処理により酸化アルミニウムよりなる保護膜が形成
されている。また前記処理容器１１の外壁のうち前記被
処理基板１２に対応する部分には、ＨＩＰ法により形成
された緻密なＡｌ2Ｏ3よりなり多数のノズル開口部１４
Ａを形成されたディスク状のシャワープレート１４が、
前記外壁の一部として形成される。かかるＨＩＰ法によ
り形成されたＡｌ2Ｏ3シャワープレート１４はＹ2Ｏ3を
焼結助剤として使って形成され、気孔率が０．０３％以
下で実質的に気孔やピンホールを含んでおらず、３０Ｗ
／ｍ・Ｋに達する、セラミックとしては非常に大きな熱
伝導率を有する。
【００２４】前記シャワープレート１４は前記処理容器
１１上にシールリング１１ｓを介して装着され、さらに
前記シャワープレート１４上には同様なＨＩＰ処理によ
り形成された緻密なＡｌ2Ｏ3よりなるカバープレート１
５が、シールリング１１ｔを介して設けられている。前
記シャワープレート１４の前記カバープレート１５と接
する側には前記ノズル開口部１４Ａの各々に連通しプラ
ズマガス流路となる凹部１４Ｂが形成されており、前記
凹部１４Ｂは前記シャワープレート１４の内部に形成さ
れ、前記処理容器１１の外壁に形成されたプラズマガス
入口１１ｐに連通する別のプラズマガス流路１４Ｃに連
通している。
【００２５】前記シャワープレート１４は前記処理容器
１１の内壁に形成された張り出し部１１ｂにより保持さ
れており、前記張り出し部１１ｂのうち、前記シャワー
プレート１４を保持する部分には異常放電を抑制するた
めに丸みが形成されている。
【００２６】そこで、前記プラズマガス入口１１ｐに供
給されたＡｒやＫｒ等のプラズマガスは前記シャワープ
レート１４内部の流路１４Ｃおよび１４Ｂを順次通過し
た後、前記開口部１４Ａを介して前記シャワープレート
１４直下の空間１１Ｂ中に一様に供給される。
【００２７】前記カバープレート１５上には、前記カバ
ープレート１５に密接し図３（Ｂ）に示す多数のスロッ
ト１６ａ，１６ｂを形成されたディスク状のスロット板
１６と、前記スロット板１６を保持するディスク状のア
ンテナ本体１７と、前記スロット板１６と前記アンテナ
本体１７との間に挟持されたＡｌ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ
ＯＮあるいはＳｉＯ2等の低損失誘電体材料よりなる遅
相板１８とにより構成されたラジアルラインスロットア
ンテナ２０が設けられている。前記ラジアルスロットラ
インアンテナ２０は前記処理容器１１上にシールリング
１１ｕを介して装着されており、前記ラジアルラインス
ロットアンテナ２０には矩形あるいは円形断面を有する
同軸導波管２１を介して外部のマイクロ波源（図示せ
ず）より周波数が２．４５ＧＨｚあるいは８．３ＧＨｚ
のマイクロ波が供給される。供給されたマイクロ波は前
記スロット板１６上のスロット１６ａ，１６ｂから前記
カバープレート１５およびシャワープレート１４を介し
て前記処理容器１１中に放射され、前記シャワープレー
ト１４直下の空間１１Ｂにおいて、前記開口部１４Ａか
ら供給されたプラズマガス中にプラズマを励起する。そ
の際、前記カバープレート１５およびシャワープレート
１４はＡｌ2Ｏ3により形成されており、効率的なマイク
ロ波透過窓として作用する。その際、前記プラズマガス
流路１４Ａ〜１４Ｃにおいてプラズマが励起されるのを
回避するため、前記プラズマガスは、前記流路１４Ａ〜
１４Ｃにおいて約６６６６Ｐａ〜１３３３２Ｐａ（約５
０〜１００Ｔｏｒｒ）の圧力に保持される。
【００２８】前記ラジアルラインスロットアンテナ２０
と前記カバープレート１５との密着性を向上させるた
め、本実施例のマイクロ波プラズマ処理装置１０では前
記スロット板１６に係合する前記処理容器１１の上面の
一部にリング状の溝１１ｇが形成されており、かかる溝
１１ｇを、これに連通した排気ポート１１Ｇを介して排
気することにより、前記スロット板１６とカバープレー
ト１５との間に形成された隙間を減圧し、大気圧によ
り、前記ラジアルラインスロットアンテナ２０を前記カ
バープレート１５にしっかりと押し付けることが可能に
なる。かかる隙間には、前記スロット板１６に形成され
たスロット１６ａ，１６ｂが含まれるが、それ以外にも
カバープレート１５表面の微細な凹凸など様々な理由に
より隙間が形成されることがある。かかる隙間は、前記
ラジアルラインスロットアンテナ２０と処理容器１１と
の間のシールリング１１ｕにより封止されている。
【００２９】さらに前記排気ポート１１Ｇおよび溝１５
ｇを介して前記スロット板１６と前記カバープレート１
５との間の隙間に分子量の小さい不活性気体を充填する
ことにより、前記カバープレート１５から前記スロット
板１６への熱の輸送を促進することができる。かかる不
活性気体としては、熱伝導率が大きくしかもイオン化エ
ネルギの高いＨｅを使うのが好ましい。前記隙間にＨｅ
を充填する場合には、０．８気圧程度の圧力に設定する
のが好ましい。図３の構成では、前記溝１５ｇの排気お
よび溝１５ｇへの不活性気体の充填のため、前記排気ポ
ート１１Ｇにバルブ１１Ｖが接続されている。
【００３０】前記同軸導波管２１Ａのうち、外側の導波
管２１Ａは前記ディスク状のアンテナ本体１７に接続さ
れ、中心導体２１Ｂは、前記遅波板１８に形成された開
口部を介して前記スロット板１６に接続されている。そ
こで前記同軸導波管２１Ａに供給されたマイクロ波は、
前記アンテナ本体１７とスロット板１６との間を径方向
に進行しながら、前記スロット１６ａ，１６ｂより放射
される。
【００３１】図２（Ｂ）は前記スロット板１６上に形成
されたスロット１６ａ，１６ｂを示す。
【００３２】図２（Ｂ）を参照するに、前記スロット１
６ａは同心円状に配列されており、各々のスロット１６
ａに対応して、これに直行するスロット１６ｂが同じく
同心円状に形成されている。前記スロット１６ａ，１６
ｂは、前記スロット板１６の半径方向に、前記遅相板１
８により圧縮されたマイクロ波の波長に対応した間隔で
形成されており、その結果マイクロ波は前記スロット板
１６から略平面波となって放射される。その際、前記ス
ロット１６ａおよび１６ｂを相互の直交する関係で形成
しているため、このようにして放射されたマイクロ波
は、二つの直交する偏波成分を含む円偏波を形成する。
【００３３】本実施例のプラズマ処理装置１０では、前
記シャワープレート１４の前記被処理基板１２に対面す
る側の表面が凹面形状の湾曲面を形成しており、その結
果前記シャワープレート１４と被処理基板１２の表面に
一致する平面との間の間隔Ｄが、前記シャワープレート
１４の半径方向上外方に向って滑らかに減少する。すな
わち前記凹面形状は軸対称な曲面により画成されてお
り、前記間隔Ｄが前記被処理基板１２の周辺部において
減少するため、かかる被処理基板周辺部におけるプラズ
マ密度の低下の問題が解消される。
【００３４】これにより、前記プラズマ処理装置１０で
はドライエッチングなど、低圧環境化で行う必要のある
プラズマ処理を行ってもプラズマ密度がカットオフ密度
以下に低下することがなく、プラズマが安定に維持さ
れ、被処理基板１２周辺部におけるプラズマの消滅やマ
イクロ波による基板の損傷、あるいは処理速度の低下な
どの問題を回避することができる。
【００３５】さらに図２（Ａ）のプラズマ処理装置１０
では、前記アンテナ本体１７上に、冷却水通路１９Ａを
形成された冷却ブロック１９が形成されており、前記冷
却ブロック１９を前記冷却水通路１９Ａ中の冷却水によ
り冷却することにより、前記シャワープレート１４に蓄
積された熱を、前記ラジアルラインスロットアンテナ２
０を介して吸収する。前記冷却水通路１９Ａは前記冷却
ブロック１９上においてスパイラル状に形成されてお
り、好ましくはＨ2ガスをバブリングすることで溶存酸
素を排除して且つ酸化還元電位を制御した冷却水が通さ
れる。
【００３６】また、図２（Ａ）のマイクロ波プラズマ処
理装置１０では、前記処理容器１１中、前記シャワープ
レート１４と前記保持台１３上の被処理基板１２との間
に、前記処理容器１１の外壁に設けられた処理ガス注入
口１１ｒから処理ガスを供給されこれを多数の処理ガス
ノズル開口部３１Ｂ（図３参照）から放出する格子状の
処理ガス通路３１Ａを有する処理ガス供給構造３１が設
けられ、前記処理ガス供給構造３１と前記被処理基板１
２との間の空間１１Ｃにおいて、所望の均一な基板処理
がなされる。かかる基板処理には、プラズマ酸化処理、
プラズマ窒化処理、プラズマ酸窒化処理、プラズマＣＶ
Ｄ処理等が含まれる。また、前記処理ガス供給構造３１
から前記空間１１ＣにＣ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８またはＣ４Ｆ
６などの解離しやすいフルオロカーボンガスや、Ｆ系あ
るいはＣｌ系等のエッチングガスを供給し、前記保持台
１３に高周波電源１３Ａから高周波電圧を印加すること
により、前記被処理基板１２に対して反応性イオンエッ
チングを行うことが可能である。
【００３７】本実施例によるマイクロ波プラズマ処理装
置１０では、前記処理容器１１の外壁は１５０°Ｃ程度
の温度に加熱しておくことにより、処理容器内壁への反
応副生成物等の付着が回避され、一日に一回程度のドラ
イクリーニング行うことで、定常的に、安定して運転す
ることが可能である。
【００３８】図４は、図２（Ａ）の構成における処理ガ
ス供給構造３１の構成を示す底面図である。
【００３９】図４を参照するに、前記処理ガス供給構造
３１は例えばＭｇを含んだＡｌ合金やＡｌ添加ステンレ
ススチール等の導電体より構成されており、前記格子状
処理ガス通路３１Ａは前記処理ガス注入口１１ｒに処理
ガス供給ポート３１Ｒにおいて接続され、下面形成され
た多数の処理ガスノズル開口部３１Ｂから処理ガスを前
記空間１１Ｃに均一に放出する。また、前記処理ガス供
給構造３１には、隣接する処理ガス通路３１Ａの間にプ
ラズマやプラズマ中に含まれる処理ガスを通過させる開
口部３１Ｃを形成されている。前記処理ガス供給構造３
１をＭｇ含有Ａｌ合金により形成する場合には、表面に
弗化物膜を形成しておくのが好ましい。また前記処理ガ
ス供給構造３１をＡｌ添加ステンレススチールにより形
成する場合には、表面に酸化アルミニウムの不動態膜を
形成しておくのが望ましい。本発明によるプラズマ処理
装置１０では、励起される励起されるプラズマ中の電子
温度が低いためプラズマの入射エネルギが小さく、かか
る処理ガス供給構造３１がスパッタリングされて被処理
基板１２に金属汚染が生じる問題が回避される。前記処
理ガス供給構造３１は、アルミナ等のセラミックスによ
り形成することも可能である。
【００４０】前記格子状処理ガス通路３１Ａおよび処理
ガスノズル開口部３１Ｂは図４に破線で示した被処理基
板１２よりもやや大きい領域をカバーするように設けら
れている。かかる処理ガス供給構造３１を前記シャワー
プレート１４と被処理基板１２との間に設けることによ
り、原料ガスやエッチングガスなどの処理ガスをプラズ
マ励起し、かかるプラズマ励起された処理ガスにより、
均一に処理することが可能になる。
【００４１】前記処理ガス供給構造３１を金属等の導体
により形成する場合には、前記格子状処理ガス通路３１
Ａ相互の間隔を前記マイクロ波の波長よりも短く設定す
ることにより、前記処理ガス供給構造３１はマイクロ波
の短絡面を形成する。この場合にはプラズマのマイクロ
波励起は前記空間１１Ｂ中においてのみ生じ、前記被処
理基板１２の表面を含む空間１１Ｃにおいては前記励起
空間１１Ｂから拡散してきたプラズマにより、処理ガス
が活性化される。
【００４２】本実施例によるマイクロ波プラズマ処理装
置１０では、処理ガス供給構造３１を使うことにより処
理ガスの供給が一様に制御されるため、処理ガスの被処
理基板１２表面における過剰解離の問題を解消すること
ができ、被処理基板１２の表面にアスペクト比の大きい
構造が形成されている場合でも、所望の基板処理を、か
かる高アスペクト構造の奥にまで実施することが可能で
ある。すなわち、マイクロ波プラズマ処理装置１０は、
設計ルールの異なる多数の世代の半導体装置の製造に有
効である。
【００４３】図５のプラズマ処理装置１０Ｂでは、前記
処理ガス供給構造１３から様々な酸化ガスや窒化ガス、
原料ガスやエッチングガスを導入することにより、前記
被処理基板１２の表面の全面に、前記被処理基板１２が
大口径基板であっても様々な高品質膜を低温で、均一に
堆積し、あるいは前記表面を均一にエッチングすること
が可能である。
【００４４】図４は、前記シャワープレート１４の様々
な変形例によるシャワープレート１４1〜１４4の構成を
示す。
【００４５】図４を参照するに、前記シャワープレート
１４1は前記被処理基板１２に対面する側に円錐形状の
凹面を有するのに対し、前記シャワープレート１４2は
円錐台形状の凹面を有するのがわかる。さらに前記シャ
ワープレート１４3では円形の凹部が段差形状を形成し
ており、前記シャワープレート１４4では複数の段差形
状凹部が形成されている。これらの凹部はいずれも前記
シャワープレートの中心軸に対して軸対称に形成されて
おり、前記中心軸の回りで均一な処理が保証される。 ［第２実施例］図５は、本発明の第２実施例によるプラ
ズマ処理装置１０Ａの構成を示す。ただし図５中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。
【００４６】図５を参照するに、プラズマ処理装置１０
Ａは前記プラズマ処理装置１０と類似した構成を有し、
前記被処理基板１２とシャワープレート１４との間隔Ｄ
が、前記シャワープレート１４の半径方向上外方に向っ
て減少するが、前記プラズマ処理装置１０Ａでは前記処
理ガス供給部１３が撤去されている。
【００４７】かかる構成のプラズマ処理装置１０Ｂで
は、前記下段シャワープレート３１が省略されているた
めプラズマガスとは別に処理ガスを供給して成膜やエッ
チングを行うことはできないが、前記シャワープレート
１４からプラズマガスとともに酸化ガスあるいは窒化ガ
スを供給することにより、被処理基板表面に酸化膜や窒
化膜、あるいは酸窒化膜を形成することが可能である。
本実施例のプラズマ処理装置１０Ａでは、構成が簡素化
され、製造費用を大きく低減することが可能である。
【００４８】本実施例においても、前記間隔Ｄが被処理
基板１２の周辺部において減少するため、被処理基板１
２周辺部におけるプラズマ密度の低下が補償され、プラ
ズマが安定に維持され、被処理基板１２周辺部における
プラズマの消滅やマイクロ波による基板の損傷、あるい
は処理速度の低下などの問題を回避することができる。
【００４９】図５のプラズマ処理装置１０Ａでは、特に
被処理基板１２の酸化処理や窒化処理、酸窒化処理など
を、前記被処理基板が大口径基板であっても、低温で、
効率的に、しかも均一に、安い費用で行うことが可能で
ある。
【００５０】本実施例においても、前記シャワープレー
ト１４の代わりに図４で説明したシャワープレート１４
1〜１４3を使うことが可能である。 ［第３実施例］図６は本発明の第３実施例によるプラズ
マ処理装置１０Ｂの構成を示す。ただし図６中、先に説
明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、
説明を省略する。
【００５１】図６を参照するに、本実施例においては前
記シャワープレート１４の代わりに焼結アルミナなど、
多孔質セラミックよりなるシャワープレート１４Ｐを使
う。
【００５２】前記シャワープレート１４Ｐ中にはシャワ
ープレート１４中におけるようなシャワー開口部１４Ａ
は形成されていないが、プラズマガス供給ポート１１Ｐ
に接続されたプラズマガス供給路１４Ｃおよび１４Ｂが
形成されており、供給されたプラズマガスは、前記プラ
ズマガス供給路１４Ｂから前記多孔質シャワープレート
１４Ｐ中の気孔を通って、前記空間１１Ｂへと、一様に
放出される。
【００５３】本実施例においても、前記シャワープレー
ト１４Ｐの下面は軸対称な凹面を形成し、前記下面と被
処理基板１２の表面との間の間隔Ｄは、被処理基板１２
の周辺部に向って減少する。このため、図６の構成にお
いては前記被処理基板１２の周辺部におけるプラズマ密
度の低下が補償され、プラズマが安定に維持され、被処
理基板１２周辺部におけるプラズマの消滅やマイクロ波
による基板の損傷、あるいは処理速度の低下などの問題
を回避することができる。
【００５４】図６のプラズマ処理装置１０Ｂでは、前記
処理ガス供給構造１３から様々な酸化ガスや窒化ガス、
原料ガスやエッチングガスを導入することにより、前記
被処理基板１２の表面の全面に様々な高品質膜を低温
で、均一に堆積し、あるいは前記表面を均一にエッチン
グすることが可能である。
【００５５】本実施例においても、前記多孔質シャワー
プレート１４Ｐの凹面として、図４に示した様々な凹面
を形成することができる。 ［第４実施例］図７は、本発明の第４実施例によるプラ
ズマ処理装置１０Ｃの構成を示す。ただし図７中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。
【００５６】図７を参照するに、本実施例のプラズマ処
理装置１０Ｃは、先のプラズマ処理装置１０Ｂと同様な
構成を有するが、前記下段シャワープレート３１が撤去
されている。また、前記シャワープレート１４を保持す
る前記張り出し部１１ｂの全面に丸みが形成されてい
る。
【００５７】かかる構成のプラズマ処理装置１０Ｃで
は、前記下段シャワープレート３１が省略されているた
めプラズマガスとは別に処理ガスを供給して成膜やエッ
チングを行うことはできないが、前記シャワープレート
１４からプラズマガスとともに酸化ガスあるいは窒化ガ
スを供給することにより、被処理基板表面に酸化膜や窒
化膜、あるいは酸窒化膜を形成することが可能である。
【００５８】本実施例においても、前記シャワープレー
ト１４Ｐの下面は軸対称な凹面を形成し、前記下面と被
処理基板１２の表面との間の間隔Ｄは、被処理基板１２
の周辺部に向って減少する。このため、図７の構成にお
いては前記被処理基板１２の周辺部におけるプラズマ密
度の低下が補償され、プラズマが安定に維持され、被処
理基板１２周辺部におけるプラズマの消滅やマイクロ波
による基板の損傷、あるいは処理速度の低下などの問題
を回避することができる。
【００５９】図７のプラズマ処理装置１０Ｃでは、特に
被処理基板１２の酸化処理や窒化処理、酸窒化処理など
を、前記被処理基板が大口径基板であっても、低温で、
効率的に、しかも均一に、安い費用で行うことが可能で
ある。
【００６０】本実施例のシャワープレート１４Ｐにおい
ても、図４に示した様々な凹面を使うことができる。 ［第５実施例］図８は、本発明の第５実施例によるプラ
ズマ処理装置１０Ｄの構成を示す。ただし図８中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。
【００６１】図８を参照するに、実施例においては図６
の実施例における多孔質シャワープレート１４Ｐおよび
カバープレート１５が撤去され、かわりに前記被処理基
板１２に対面する側に凹面を有する緻密なセラミックよ
りなるマイクロ波透過窓１４Ｑが設けられる。前記マイ
クロ波透過窓１４は、誘電損失の少ない材料、例えばＨ
ＩＰ処理したアルミナなどにより形成することができ
る。
【００６２】図８の構成では、前記マイクロ波透過窓１
４Ｑは前記カバープレート１５の機能を果たすが、図６
の実施例におけるプラズマガス通路１４Ｃやこれに連通
する開口部１４Ａは形成されておらず、別に処理容器１
１の外壁に、管１１Ｐよりなるプラズマガス導入部が形
成されている。また前記マイクロ波透過窓１４Ｑ上には
ラジアルラインスロットアンテナ２０が密接して設けら
れている。前記プラズマガス導入管１１Ｐは、前記被処
理基板１２の周囲に対称的に配設されるのが好ましい。
【００６３】かかる構成では、前記マイクロ波透過窓１
４Ｑの下面は軸対称な凹面を形成し、前記下面と被処理
基板１２の表面との間の間隔Ｄは、被処理基板１２の周
辺部に向って減少する。このため、図８の構成において
は前記被処理基板１２の周辺部におけるプラズマ密度の
低下が補償され、プラズマが安定に維持され、被処理基
板１２周辺部におけるプラズマの消滅やマイクロ波によ
る基板の損傷、あるいは処理速度の低下などの問題を回
避することができる。
【００６４】図８のプラズマ処理装置１０Ｄでは、特に
被処理基板１２の酸化処理や窒化処理、酸窒化処理など
を、前記被処理基板が大口径基板であっても、低温で、
効率的に、しかも均一に、安い費用で行うことが可能で
ある。特にプラズマガスを導入するための構成が簡素化
され、費用の低減に寄与する。
【００６５】本実施例のプラズマ透過窓においても、図
４に示した様々な凹面を使うことができる。 ［第６実施例］図９は、本発明の第６実施例によるプラ
ズマ処理装置１０Ｅの構成を示す。ただし図９中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。
【００６６】図９を参照するに、本実施例のプラズマ処
理装置１０Ｅは先のプラズマ処理装置１０Ｄと類似した
構成を有するが、前記処理ガス供給構造３１が撤去され
ている。
【００６７】かかる構成によれば、前記プラズマガス導
入管１１ＰよりＫｒやＡｒなどの不活性ガスとＯ2ガス
などの酸化性ガスあるいはＮＨ3ガスあるいはＮ2とＨ2
の混合ガスなど窒化性ガスを供給することにより、前記
被処理基板１２の表面に高品質の酸化膜や窒化膜、ある
いは酸窒化膜を、低温で効率よく形成することが可能に
なる。
【００６８】その際、本実施例では前記マイクロ波透過
窓１４Ｑの下面と被処理基板１２との間の間隔Ｄが前記
被処理基板１２の周辺部において減少しているため、前
記被処理基板１２周辺部において十分なプラズマ密度が
確保され、前記被処理基板１２の処理が、均一に行われ
る。
【００６９】本実施例のマイクロ波窓１４Ｑにおいて
も、図４に示した様々な凹面を使うことができる。 ［第７実施例］図１０は、本発明の第７実施例によるプ
ラズマ処理装置１０Ｆの構成を示す。ただし図１０中、
先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省
略する。
【００７０】図１０を参照するに、本実施例では前記誘
電体窓１４Ｑの代わりに一様な厚さの誘電体窓１４Ｑ’
により構成されている。
【００７１】かかる誘電体窓１４Ｑ’では、凹面を形成
する下面に対応して、上面が凸面を形成する。そこで図
１０のプラズマ処理装置１０では、平坦な前記ラジアル
ラインスロットアンテナ２０の代わりに前記凸面に対応
した凹面を有するラジアルラインスロットアンテナ２
０’を使う。すなわち、前記ラジアルラインスロットア
ンテナ２０’は凹面を形成するスロット板１６’を有
し、前記スロット板１６’上には凹面を形成するアンテ
ナ本体１７’が、間に湾曲した遅相板１８’を介して装
着されている。
【００７２】かかる構成のプラズマ処理装置１０Ｆにお
いても、前記被処理基板１２の周辺部におけるプラズマ
密度の低下を補償でき、前記処理ガス供給部３１より様
々な処理ガスを供給することにより、被処理基板１２の
全面にわたり、酸化や窒化、酸窒化、さらに様々な層の
堆積およびエッチングなど、様々なプラズマ処理を、均
一に、かつ安定に行うことが可能になる。 ［第８実施例］図１１は、本発明の第８実施例によるプ
ラズマ処理装置１０Ｇの構成を示す。ただし図１１中、
先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省
略する。
【００７３】図１１を参照するに、本実施例のプラズマ
処理装置１０Ｇは先の実施例のプラズマ処理装置１０Ｆ
と同様な構成を有するが、本実施例では前記処理ガス供
給部３１が撤去されている。
【００７４】かかる構成のプラズマ処理装置１０Ｇにお
いても、前記被処理基板１２の周辺部におけるプラズマ
密度の低下を補償でき、被処理基板１２の全面にわた
り、酸化や窒化、酸窒化などの均一なプラズマ処理を安
定に行うことが可能になる。
【００７５】本発明は上記特定の実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の要旨内
において様々な変形・変更が可能である。
【００７６】
【発明の効果】本発明によれば、被処理基板の周辺部に
おけるプラズマ密度の低下を補償でき、低圧処理におい
てもプラズマが維持され、安定なプラズマ処理が可能に
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は、従来のラジアルラインスロ
ットアンテナを使ったマイクロ波プラズマ処理装置の構
成を示す図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施例による
プラズマ処理装置の構成を示す図である。
【図３】図２（Ａ），（Ｂ）のプラズマ処理装置で使わ
れる処理ガス供給構造の構成を示す底面図である。
【図４】図２（Ａ），（Ｂ）のプラズマ処理装置の様々
な変形例を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例によるプラズマ処理装置の
構成を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例によるプラズマ処理装置の
構成を示す図である。
【図７】本発明の第４実施例によるプラズマ処理装置の
構成を示す図である。
【図８】本発明の第５実施例によるプラズマ処理装置の
構成を示す図である。
【図９】本発明の第６実施例によるプラズマ処理装置の
構成を示す図である。
【図１０】本発明の第７実施例によるプラズマ処理装置
の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第８実施例によるプラズマ処理装置
の構成を示す図である。
【符号の説明】
１０，１０Ａ〜１０Ｇ，１００ プラズマ処理装置 １１ 処理容器 １１ａ 排気ポート １１ｂ 張り出し部 １１ｐ プラズマガス供給ポート １１ｒ 処理ガス供給ポート １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ 空間 １１Ｇ 減圧およびＨｅ供給ポート １１Ｐ プラズマガス導入口 １２ 被処理基板 １３ 保持台 １３Ａ 高周波電源 １４ シャワープレート １４Ｐ 多孔質シャワープレート １４Ａ プラズマガスノズル開口部 １４Ｂ，１４Ｃ プラズマガス通路 １４Ｑ、１４Ｑ’ マイクロ波透過窓 １５ カバープレート １６，１６’ スロット板 １６ａ，１６ｂ スロット開口部 １７，１７’ アンテナ本体 １８，１８’ 遅波板 １８Ａ，１８Ｂ リング状部材 １９ 冷却ブロック １９Ａ 冷却水通路 ２０，２０’ ラジアルラインアンテナ ２１ 同軸導波管 ２１Ａ 外側導波管 ２１Ｂ 内側給電線 ３１ 処理ガス供給構造 ３１Ａ 処理ガス通路 ３１Ｂ 処理ガスノズル ３１Ｃ プラズマ拡散通路 ３１Ｒ 処理ガス供給ポート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉 東北大学 内 (72)発明者 須川 成利 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉 東北大学 内 (72)発明者 後藤 哲也 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉 東北大学 内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA42 BC04 BC06 BD14 CA26 CA47 CA63 CA65 DA02 EA06 EB01 EC01 EC13 EC30 EE01 FB02 FB04 FC01 4K030 BA38 BA42 EA05 FA01 JA03 KA30 KA46 LA18 5F004 AA01 BA20 BB11 BB14 BB18 BB28 BC08 BD04 DA00 DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA11 DA12 DA13 DA14 DA15 DA16 DA17 DA18 DA19 DA20 DA29 5F045 AA09 AB32 AB33 AB34 AE23 AE25 BB02 DP03 DQ10 EF04 EF05 EH02 EH03

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外壁により画成され、被処理基板を保持
    する保持台を備えた処理容器と、 前記処理容器に結合された排気系と、 前記処理容器上に、前記保持台上の被処理基板に対面す
    るように、前記外壁の一部として設けられたマイクロ波
    透過窓と、 前記処理容器中にプラズマガスを供給するプラズマガス
    供給部と、 前記処理容器上に、前記マイクロ波に対応して設けられ
    たマイクロ波アンテナとよりなり、 前記マイクロ波透過窓は、前記被処理基板と対面する側
    の内面が、前記被処理基板表面に一致する平面との間の
    間隔が、前記マイクロ波透過窓の径方向外側に向って減
    少する凹面形状を有することを特徴とするプラズマ処理
    装置。
  2. 【請求項２】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径
    方向外側に向って連続的に減少することを特徴とする請
    求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径
    方向外側に向って滑らかに減少することを特徴とする請
    求項２記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径
    方向外側に向って直線的に減少することを特徴とする請
    求項２または３記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径
    方向外側に向って非直線的に減少することを特徴とする
    請求項２または３記載のプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の径
    方向外側に向って階段状に減少することを特徴とする請
    求項１記載のプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 前記間隔は、前記マイクロ波透過窓の周
    辺部においてのみ、前記マイクロ波透過窓の径方向外側
    に向って減少することを特徴とする請求項１記載のプラ
    ズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 前記マイクロ波透過窓は、前記内面に対
    向する外面が、平坦面よりなることを特徴とする請求項
    １〜７のうち、いずれか一項記載のプラズマ処理装置。
  9. 【請求項９】 前記マイクロ波透過窓は、内部にプラズ
    マガス通路を有し、前記処理容器中にプラズマガスを放
    出する前記プラズマガス供給部を構成することを特徴と
    する請求項１〜８のうち、いずれか一項記載のプラズマ
    処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記マイクロ波透過窓は、前記プラズ
    マガス通路に連通する複数の開口部を有することを特徴
    とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
  11. 【請求項１１】 マイクロ波透過窓は、前記処理容器の
    外壁の一部を構成するカバープレートと、前記カバープ
    レートに密接して設けられ、前記プラズマガス通路とこ
    れに連通する複数の開口部とを有するシャワープレート
    よりなることを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処
    理装置。
  12. 【請求項１２】 前記マイクロ波透過窓は緻密なセラミ
    ックよりなることを特徴とする請求項１０または１１記
    載のプラズマ処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記マイクロ波透過窓は、多孔質媒体
    より構成されることを特徴とする請求項９記載のプラズ
    マ処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記マイクロ波透過窓は、前記処理容
    器の一部を構成するカバープレートと、前記カバープレ
    ートに密接して設けられた多孔質媒体よりなるシャワー
    プレートとよりなることを特徴とする請求項９記載のプ
    ラズマ処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記多孔質媒体は、焼結セラミックよ
    りなることを特徴とする請求項１３または１４記載のプ
    ラズマ処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記プラズマガス供給部は、前記処理
    容器外壁に形成された、プラズマガス源に接続可能な管
    よりなることを特徴とする請求項１〜８のうち、いずれ
    か一項記載のプラズマ処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記マイクロ波透過窓は、緻密なセラ
    ミックよりなることを特徴とする請求項１６記載のプラ
    ズマ処理装置。
  18. 【請求項１８】 さらに、前記被処理基板と前記プラズ
    マガス源との間に、処理ガス供給部を設けたことを特徴
    とする請求項１〜１７のうち、いずれか一項記載のプラ
    ズマ処理装置。
  19. 【請求項１９】 前記処理ガス供給部は、プラズマを通
    過させるプラズマ通路と、処理ガス源に接続可能な処理
    ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した多数のノズル
    開口部とを有することを特徴とする請求項１８記載のプ
    ラズマ処理装置。
  20. 【請求項２０】 さらに前記保持台に接続された高周波
    電源を含むことを特徴とする請求項１〜１９のうち、い
    ずれか一項記載のプラズマ処理装置。
  21. 【請求項２１】 前記マイクロ波アンテナはラジアルラ
    インスロットアンテナよりなることを特徴とする請求項
    １〜２０のうち、いずれか一項記載のプラズマ処理装
    置。
JP2001094275A 2001-03-28 2001-03-28 プラズマ処理装置 Pending JP2002299240A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001094275A JP2002299240A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 プラズマ処理装置
KR1020037012541A KR100685248B1 (ko) 2001-03-28 2002-03-28 플라즈마 처리 장치
EP02708713A EP1376670A4 (en) 2001-03-28 2002-03-28 PLASMA PROCESSING DEVICE
CNB028074904A CN1306566C (zh) 2001-03-28 2002-03-28 等离子体处理装置
PCT/JP2002/003111 WO2002080252A1 (fr) 2001-03-28 2002-03-28 Dispositif de traitement au plasma
US10/473,302 US20040094094A1 (en) 2001-03-28 2002-03-28 Plasma processing device
CNB2007100032657A CN100483620C (zh) 2001-03-28 2002-03-28 等离子体处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001094275A JP2002299240A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002299240A true JP2002299240A (ja) 2002-10-11

Family

ID=18948500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001094275A Pending JP2002299240A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 プラズマ処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040094094A1 (ja)
EP (1) EP1376670A4 (ja)
JP (1) JP2002299240A (ja)
KR (1) KR100685248B1 (ja)
CN (2) CN1306566C (ja)
WO (1) WO2002080252A1 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017684A1 (ja) * 2002-08-14 2004-02-26 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
JP2005033167A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Tadahiro Omi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
WO2005031830A1 (ja) * 2003-09-04 2005-04-07 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
JP2005328021A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Applied Materials Inc ガスディフューザのホールデザインによるプラズマ均一性制御
JP2005353364A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2007208208A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007326013A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Shikoku Instrumentation Co Ltd マイクロ波化学反応容器および装置
WO2007145229A1 (ja) * 2006-06-13 2007-12-21 Tokyo Electron Limited シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
WO2008093389A1 (ja) * 2007-01-29 2008-08-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JP2009231271A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2010529682A (ja) * 2007-06-07 2010-08-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 均一なシリコン膜を堆積させる装置及びそれを製造する方法
KR100980529B1 (ko) * 2006-03-27 2010-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US7879182B2 (en) 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
US8267040B2 (en) 2004-02-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
WO2013047464A1 (ja) * 2011-09-28 2013-04-04 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び装置
WO2013115471A1 (ko) * 2012-02-03 2013-08-08 주식회사 유진테크 측방배기 방식 기판처리장치
KR20160002535A (ko) * 2014-06-30 2016-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20170047155A (ko) * 2015-10-22 2017-05-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치를 포함하는 반도체 제조 장치
JP2017527116A (ja) * 2014-08-15 2017-09-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 均一なプラズマ処理のためのノズル
US10074524B2 (en) * 2012-03-26 2018-09-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and high frequency generator
JP2020530527A (ja) * 2017-08-11 2020-10-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 熱化学気相堆積（ｃｖｄ）における均一性を改善するための装置及び方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4147017B2 (ja) * 2001-10-19 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ基板処理装置
JP4540926B2 (ja) * 2002-07-05 2010-09-08 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP2004200307A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4593477B2 (ja) * 2003-11-14 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US6869892B1 (en) * 2004-01-30 2005-03-22 Tokyo Electron Limited Method of oxidizing work pieces and oxidation system
JP5069427B2 (ja) * 2006-06-13 2012-11-07 北陸成型工業株式会社 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
US20080303744A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
JP5407388B2 (ja) * 2008-02-08 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20090102955A (ko) * 2008-03-27 2009-10-01 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
CN102084469B (zh) * 2008-07-09 2013-05-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US8236706B2 (en) * 2008-12-12 2012-08-07 Mattson Technology, Inc. Method and apparatus for growing thin oxide films on silicon while minimizing impact on existing structures
JP5821039B2 (ja) * 2011-11-07 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置
JP5527490B2 (ja) * 2011-11-11 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用誘電体窓、およびプラズマ処理装置
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20180358204A1 (en) * 2017-06-09 2018-12-13 Mattson Technology, Inc. Plasma Strip Tool With Multiple Gas Injection Zones
CN109475037B (zh) * 2018-12-14 2021-07-23 华中科技大学 一种等离子体活性增强法及发生装置
CN110656317A (zh) * 2019-09-19 2020-01-07 长江存储科技有限责任公司 喷头组件、沉积设备及沉积方法
US11898248B2 (en) * 2019-12-18 2024-02-13 Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. Coating apparatus and coating method
KR102275757B1 (ko) * 2020-08-24 2021-07-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111708A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜処理方法
JP2000058294A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Furontekku:Kk プラズマ処理装置
JP2000073175A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Anelva Corp 表面処理装置
JP2000294548A (ja) * 1999-04-02 2000-10-20 Canon Inc 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0763035B2 (ja) * 1986-11-17 1995-07-05 日本電信電話株式会社 マイクロ波励起によるプラズマ生成源
US5234526A (en) * 1991-05-24 1993-08-10 Lam Research Corporation Window for microwave plasma processing device
US5439524A (en) * 1993-04-05 1995-08-08 Vlsi Technology, Inc. Plasma processing apparatus
US5556475A (en) * 1993-06-04 1996-09-17 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
JPH09232099A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
EP0831680A4 (en) * 1996-03-28 2000-02-02 Sumitomo Metal Ind DEVICE AND METHOD FOR TREATING PLASMA
JP3161394B2 (ja) * 1997-12-03 2001-04-25 日本電気株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US20020011215A1 (en) * 1997-12-12 2002-01-31 Goushu Tei Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same
JP4268231B2 (ja) * 1997-12-12 2009-05-27 忠弘 大見 プラズマ処理装置、表面処理方法および光学部品の製造法
JP2000331998A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
TW477009B (en) * 1999-05-26 2002-02-21 Tadahiro Ohmi Plasma process device
US6367412B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Porous ceramic liner for a plasma source

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111708A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜処理方法
JP2000058294A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Furontekku:Kk プラズマ処理装置
JP2000073175A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Anelva Corp 表面処理装置
JP2000294548A (ja) * 1999-04-02 2000-10-20 Canon Inc 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017684A1 (ja) * 2002-08-14 2004-02-26 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
US7779783B2 (en) 2002-08-14 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
JP4502639B2 (ja) * 2003-06-19 2010-07-14 財団法人国際科学振興財団 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
JP2005033167A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Tadahiro Omi シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法
WO2005031830A1 (ja) * 2003-09-04 2005-04-07 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
JP2005100931A (ja) * 2003-09-04 2005-04-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
TWI454186B (zh) * 2003-09-04 2014-09-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device
US7930992B2 (en) 2003-09-04 2011-04-26 Tokyo Electron Limited Plasma processing equipment
JP4563729B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101172334B1 (ko) * 2003-12-26 2012-08-14 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 샤워 플레이트, 플라즈마 처리 장치, 및 제품의 제조방법
US7879182B2 (en) 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
US8267040B2 (en) 2004-02-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US9200368B2 (en) 2004-05-12 2015-12-01 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
JP2005328021A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Applied Materials Inc ガスディフューザのホールデザインによるプラズマ均一性制御
US10312058B2 (en) 2004-05-12 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
JP2010050466A (ja) * 2004-05-12 2010-03-04 Applied Materials Inc ガスディフューザのホールデザインによるプラズマ均一性制御
JP4541117B2 (ja) * 2004-05-12 2010-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガス分散プレートアセンブリ、プラズマ処理チャンバ及びディフューザプレート
US10262837B2 (en) 2004-05-12 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
JP2005353364A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2007208208A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8006640B2 (en) 2006-03-27 2011-08-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100980529B1 (ko) * 2006-03-27 2010-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2007326013A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Shikoku Instrumentation Co Ltd マイクロ波化学反応容器および装置
WO2007145229A1 (ja) * 2006-06-13 2007-12-21 Tokyo Electron Limited シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP2008047869A (ja) * 2006-06-13 2008-02-28 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
US8372200B2 (en) 2006-06-13 2013-02-12 Tokyo Electron Ltd. Shower plate, method for manufacturing the shower plate, plasma processing apparatus using the shower plate, plasma processing method and electronic device manufacturing method
WO2008093389A1 (ja) * 2007-01-29 2008-08-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JP2010529682A (ja) * 2007-06-07 2010-08-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 均一なシリコン膜を堆積させる装置及びそれを製造する方法
JP2009231271A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2013047464A1 (ja) * 2011-09-28 2013-04-04 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び装置
US9263283B2 (en) 2011-09-28 2016-02-16 Tokyo Electron Limited Etching method and apparatus
WO2013115471A1 (ko) * 2012-02-03 2013-08-08 주식회사 유진테크 측방배기 방식 기판처리장치
US10074524B2 (en) * 2012-03-26 2018-09-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and high frequency generator
KR101681182B1 (ko) * 2014-06-30 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20160002535A (ko) * 2014-06-30 2016-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2017527116A (ja) * 2014-08-15 2017-09-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 均一なプラズマ処理のためのノズル
KR20170047155A (ko) * 2015-10-22 2017-05-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치를 포함하는 반도체 제조 장치
KR102610458B1 (ko) * 2015-10-22 2023-12-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치를 포함하는 반도체 제조 장치
JP2020530527A (ja) * 2017-08-11 2020-10-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 熱化学気相堆積（ｃｖｄ）における均一性を改善するための装置及び方法
JP7384784B2 (ja) 2017-08-11 2023-11-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 熱化学気相堆積（ｃｖｄ）における均一性を改善するための装置及び方法
US11939675B2 (en) 2017-08-11 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for improving thermal chemical vapor deposition (CVD) uniformity

Also Published As

Publication number Publication date
EP1376670A1 (en) 2004-01-02
CN100483620C (zh) 2009-04-29
WO2002080252A1 (fr) 2002-10-10
CN1509496A (zh) 2004-06-30
CN101005011A (zh) 2007-07-25
EP1376670A4 (en) 2005-04-06
US20040094094A1 (en) 2004-05-20
CN1306566C (zh) 2007-03-21
KR100685248B1 (ko) 2007-02-22
KR20030093283A (ko) 2003-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002299240A (ja) プラズマ処理装置
JP4012466B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4727057B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4540926B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100493748B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 반도체 제조 장치
KR100501777B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2002355550A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び遅波板
US20090218044A1 (en) Microwave plasma processing apparatus, dielectric window for use in the microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing the dielectric window
JP4113896B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4113895B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008270839A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111011