CN110656317A - 喷头组件、沉积设备及沉积方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种喷头组件、沉积装置及沉积方法，其中，所述喷头组件包括：第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的喷嘴端比所述第二喷头的喷嘴端近。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种喷头组件、沉积设备及沉积方法。
背景技术
在半导体制造工业中，晶圆的边缘经常和不同工艺设备的机械手接触，可能会产生损伤。另外，在采用刻蚀工艺时也可能对晶圆的边缘造成损伤。由于晶圆边缘的损伤，造成了大量的产品报废。
为了提高良品率，需要对晶圆的边缘进行处理。现有技术中，通常在晶圆的边缘形成氧化膜来保护晶圆的边缘。但在实际应用中，在晶圆的边缘形成氧化膜时，通常也会导致在晶圆的非边缘区域形成氧化膜，然而这会影响后续的工艺的制程。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供一种喷头组件、沉积设备及沉积方法，解决决了如何在晶圆边缘沉积氧化膜的问题，在实现在晶圆边缘沉积氧化膜同时，还能避免在非边缘区域沉积形成氧化膜。
本申请实施例的技术方案是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种喷头组件，包括：
第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；
第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；
其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
在一些实施例中，所述第一喷头与所述第二喷头相互独立；或者，
所述第二喷头，设置于所述第一喷头包围的内环空间中。
在一些实施例中，所述待处理对象包括晶圆。
在一些实施例中，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
在一些实施例中，所述环形的形状包括圆形、多边形、椭圆形；所述第二喷头的形状包括：圆形、喇叭形。
在一些实施例中，所述第一喷头包括：第一工艺气体输入端、第一工艺气体输出端和环形边缘，其中：
所述第一工艺气体输入端、所述环形边缘和所述第一工艺气体输出端形成第一缓冲空间，所述第一缓冲空间中设置有平行于所述第一工艺气体输出端所在平面的第一挡板，所述第一挡板上设有通孔；
所述第一工艺气体的供应系统的输出端与所述第一工艺气体输入端连接，所述第一缓冲空间连通所述第一工艺气体输入端和所述第一工艺气体输出端，使第一工艺气体输入端输入的所述第一工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第一工艺气体输出端；
所述第一工艺气体输出端用于输出所述第一工艺气体至所述待处理对象的第一区域。
在一些实施例中，所述第二喷头包括：第二工艺气体输入端、第二工艺气体输出端和侧壁，其中：
所述第一工艺气体输入端、所述侧壁和所述第二工艺气体输出端形成第二缓冲空间，所述第二缓冲空间中设置有平行于所述第二工艺气体输出端所在平面的第二挡板，所述第二挡板上设有通孔；
第二工艺气体的供应系统的输出端与所述第二工艺气体输入端连接，所述第二缓冲空间连通所述第二工艺气体输入端和所述第二工艺气体输出端，以使第二工艺气体输入端输入的所述第二工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第二工艺气体输出端，所述第二工艺气体输出端用于输出第二工艺气体至所述待处理对象的第二区域。
第二方面，本申请实施例还提供一种沉积装置，包括：
工艺室；
支撑装置，设置于所述工艺室中，用于放置待处理对象；
喷头组件，包括：第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；
第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；
其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
在一些实施例中，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
第三方面，本申请实施例提供一种沉积方法，包括：
将待处理对象放置在工艺室中的支持装置上；
通过喷头组件中呈环形的第一喷头，将第一工艺气体输出至所述待处理对象的第一区域；所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配；
通过喷头组件中第二喷头，将第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近；
在所述待处理对象的边缘沉积半导体材料。
本申请实施例提供的喷头组件、沉积装置及沉积方法，其中，在喷头组件中的环形的第一喷头中设置有第二喷头，并且从第一喷头和第二喷头能够分别通入不同的工艺气体，以使不同的工艺气体在第一区域混合，得到混合气体，进而当混合气体流经等离子设备作用区域时，能够在等离子设备作用区域沉积氧化膜，从而能够保护晶圆的边缘，进而提高良品率；另外，设置的第一喷头凸出于第二喷头，因此能够通过调节第一喷头的输出端和待处理对象之间的距离，来调节等离子设备作用区域，使得在非边缘区域不容易沉积氧化膜，从而能够避免因非边缘区域沉积的氧化膜对后续工艺的影响。
附图说明
在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
图1A为本申请实施例中相关技术中喷头的示意图；
图1B为本申请实施例提供的喷头组件示意图；
图2为本申请实施例提供的第一喷头的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的第二喷头的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的第一喷头的输出端与待处理对象为第一距离时的等离子设备电离作用区域的示意图；
图5为本申请实施例提供的第二距离时待处理对象边缘沉积的氧化膜的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的第一喷头的输出端与待处理对象为第二距离时的等离子设备电离作用区域的示意图；
图7为本申请实施例提供的第二距离时待处理对象边缘沉积的氧化膜的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的第一喷头与第二喷头相互独立示意图；
图9为本申请实施例提供的喷头组件的结构示意图；
图10为本身实施例提供的喷头组件示意图；
图11为本申请实施例提供的第一喷头的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的第二喷头的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的沉积装置的组成结构示意图；
图14为本申请实施例提供的沉积方法的实现流程示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般来说，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排他性的罗列，方法或者装置也可能包含其他的步骤或元素。
在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一特征和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一特征和第二特征之间的实施例，这样第一特征和第二特征可能不是直接接触。
为了更好地理解本申请实施例中提供的喷头组件、沉积设备和沉积方法，首先对相关技术中的喷头进行分析说明。
图1A为相关技术中喷头的结构示意图，如图1A所示，相关技术中的喷头10，所述喷头10包括：喷头本体11和设置在喷头本体11上的气体输出端12，所述喷头本体11的形状与晶圆20的形状相同，所述气体输出端12在同一平面上。在使用时，由于是只有一个气体输出端12，当需要在晶圆20上沉积氧化膜时，就必须通入混合的工艺气体(例如图1A中所示的SiH4气体和N2O气体)，该混合的工艺气体从所述气体输出端12输出后经过电离形成等离子体，其中，SiH4经过电离提供硅源，N2O经过电离提供氧源，硅源和氧源在晶圆上形成氧化硅薄膜。由于该等离子体作用于晶圆整个面上，因此会在整个晶圆表面沉积氧化膜，而不能仅在晶圆的边缘沉积氧化膜。在半导体制造工业中，相关技术中的喷头并不能实现当需要仅在晶圆的边缘沉积氧化膜。
基于相关技术所存在的问题，本申请实施例首先提供一种喷头组件，图1B为本申请实施例提供的喷头组件示意图，如图1B所示，该喷头组件包括：第一喷头100和第二喷头200，其中：
所述第一喷头100，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象300的第一区域。
其中，环形的形状可以为圆环形、多边形、椭圆形等。
一般来说，待处理对象300可以为晶圆。
一般来说，第一工艺气体与待处理对象300和对所述待处理对象300进行处理的工艺有关，例如当待处理对象300为晶圆时，在晶圆上沉积氧化硅的工艺时，第一工艺气体可以包括含硅气体或含氧气体。
一般来说，第一区域可以是待处理对象的边缘区域。
所述第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域。
其中，第二工艺气体与待处理对象300和对所述待处理对象300进行处理的工艺有关，例如当待处理对象300为晶圆时，对晶圆进行沉积氧化硅的氧化膜工艺时，第二工艺气体可以包括含硅气体或含氧气体。需要说明的是，第一工艺气体和第二工艺气体是不同的，且第一工艺气体和第二工艺气体可形成氧化膜。例如当第一工艺气体为含硅气体时，第二工艺气体为含氧气体，或者当第一工艺气体为含氧气体时，第二工艺气体为含硅气体。
一般来说，所述第二区域可以为待处理对象300的边缘区域所包围的区域。
所述第一喷头100的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象300距离所述第一喷头100的输出端110的第一距离比待处理对象300距离所述第二喷头200的输出端210的第二距离近。
其中，第一喷头100的形状与所述待处理对象300的形状相匹配，示例性的，待处理对象300为长方形，所述环形的形状是长方形；待处理对象300为正方形，所述环形的形状为正方形；待处理对象300为晶圆，所述环形的形状是圆形；待处理对象300的形状为椭圆形，所述环形的形状为椭圆形。
基于前述的实施例，本发明实施例再提供一种喷头组件，图2为本申请实施例提供的第一喷头100的结构示意图，如图2所示，第一喷头100包括：第一工艺气体输入端110和第一工艺气体输出端120，所述第一工艺气体输入端110和所述第一工艺气体输出端120连通。所述第一工艺气体输入端120与第一工艺系统的输出口连接通常使用管道进行连接。所述第一工艺气体输出端110用于将第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域。在一些实施例中，所述第一工艺气体输入端120可以包括环形的顶板122和顶板上设置的一个或多个进气口121。由于第一喷头100是环形的，为了使从所述第一工艺气体输出端120输出的第一工艺气体更均匀，多个进气口121可以均匀地设置在顶板122上。在一些实施例中，多个进气口121通过管路和第一工艺气体的供应系统的输出口连接。在具体的实施中，多个进气口121可以通过多个管路与分气阀连通，分气阀再通过管路与第一工艺气体的供应系统的输出口连接。以实现多个进气口121与第一工艺气体的供应系统连通。
本申请实施例中，所述第一工艺气体输出端110用于输出第一工艺气体至待处理对象300的第一区域。在一些实施例中，继续参照图2，所述第一工艺气体输出端110可以包括：底板112和底板上的多个喷嘴111，为了在待处理对象300的边缘形成均匀的氧化膜，所述多个喷嘴111可以均匀地设置在所述底板112上，以实现从喷嘴111输出的气体能够均匀地作用于待处理对象300的第一区域。
图3为本申请实施例提供的第二喷头200的结构示意图，如图3所示，本申请实施例中，所述第二喷头200包括：第二工艺气体输入端220和第二工艺气体输出端210，所述第二工艺气体输入端220和第二工艺气体输出端210连通，第二工艺气体输入端220与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，所述第二工艺气体输出端210用于将第二工艺气体输出至所述待处理对象300的第二区域。本申请实施例中，通常使用管路使输入端220与第二工艺气体的供应系统的输出口连接。
在一些实施例中，第二工艺气体输入端220可以包括顶板222和顶板222上设置的一个或多个进气口221，为了使从第二工艺气体输出端210输出的第二工艺体气体更均匀，多个进气口221可以均匀地设置在顶板222上。在一些实施例中，多个进气口221通过管路和第二工艺气体的供应系统的输出口连接。在具体的实施中，多个进气口221可以通过多个管路与分气阀连通，分气阀再通过管路与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，以实现多个进气口221与第二工艺气体的供应系统连通。
本申请实施例中，继续参照图3，所述输出端210用于输出第二工艺气体至所述待处理对象300的第二区域。示例性的，所述第二工艺气体输出端210可以包括底板212和设置在底板212上的一个或多个喷嘴211。本申请实施例中，为了使多个喷嘴211喷出的第二区域的气体流经第一区域的气体更均匀，多个喷嘴211均匀地设置在底板212上。本申请实施例中，所述待处理对象300的第二区域可以认为是待处理对象300的非边缘区域。本申请实施例中，第一区域包围所述第二区域。
本申请实施例中，所述第一工艺气体包括含硅气体，所述第二工艺气体包括含氧气体；或，所述第一工艺气体包括含氧气体，所述第二工艺气体包括含硅气体。对应的，本申请中第一工艺气体的供应系统和第二工艺气体的供应系统不同，而且，第一工艺气体的供应系统和第二工艺气体的供应系统分别独立的向喷头组件输出气体。本申请实施例中，通过所述含硅气体和所述含氧气体可沉积形成氧化膜。
本申请实施例中，由于第一喷头100输出的气体包围第二喷头200输出的气体，当有待处理对象放置于喷头下时，由于待处理对象的阻挡，而且通常在沉积设备中都设有泵，通过泵将多余的工艺气体抽出，使得第二工艺气体会流经第一工艺气体作用的第一区域，在等离子设备的作用下在第一区域中形成等离子体时，使第一工艺气体与第二工艺气体在第一区域内区域沉积氧化膜。本申请实施例中，由于第一工艺气体和第二工艺气体不会在第二区域混合，即不会在待处理对象的非边缘区域混合，使得在待处理对象的中间区域不会出现氧化膜，避免了对后续工艺的影响。
本申请实施例中，所述含硅气体为硅烷，所述含氧气体为一氧化二氮。在一些实施例中，为了稳定第二区域中的压力，可以在第二工艺气体中通入惰性气体，使第二工艺气体的压力大于第一工艺气体的压力，以使第二工艺气体向第一工艺气体作用的范围流动，避免了在待处理对象的中间区域出现混合气体。在一些实施例中，所述惰性气体可以是氮气。
本申请实施例中，所述待处理对象距离所述第一喷头100的输出端110的距离，比待处理对象距离所述第二喷头200的输出端210的距离近。在一些实施例中，可以认为第一喷头100凸出于第二喷头200的表面。通常在沉积设备中具有电源系统，通过电源系统放电来电离工艺气体，形成等离子体，并使得等离子体流向所述第一喷头。本申请实施例中，由于凸出的第一喷头的输出端距离所述晶圆的表面距离较近，因此，所述第一喷头可以起阻挡外部等离子体流入的作用，从而减小等离子体对晶圆的氧化作用范围，进而减小晶圆表面的氧化层的面积。本申请实施例中，通过调节第一喷头100的输出端110和待处理对象300之间的距离，可以调节等离子设备在待处理对象300的边缘的作用的区域，进而调节在待处理对象300边缘沉积氧化膜的区域。
示例性的，图4为本申请实施例提供的第一喷头100的输出端与待处理对象300为第一距离时的等离子设备电离作用区域的示意图，图6为本申请实施例中第一喷头100的输出端与待处理对象300为第二距离时的等离子设备电离作用区域的示意图，其中，第二距离大于第一距离。由于第一喷头100的输出端110离待处理对象300在第一距离时，第一喷头100的输出端110与待处理对象300之间的缝隙(如图4所示)，小于第一喷头100的输出端110离待处理对象300在第二距离时的第一喷头100的输出端110与待处理对象300之间的缝隙(如图6所示)，使得在第一距离时等离子设备电离作用于待处理对象300的边缘的区域的面积(如图4所示)，小于第二距离时等离子设备电离作用于待处理对象300的边缘的区域的面积(如图6所示)。图5为本申请实施例提供的第一喷头100的输出端与待处理对象300为第一距离时待处理对象边缘沉积的氧化膜的结构示意图，图7本申请实施例提供的第一喷头100的输出端与待处理对象300的距离为第二距离时在待处理对象边缘沉积的氧化膜结构示意图，显然，在第一距离时，在待处理对象边缘沉积的氧化膜的区域的面积(如图5所示)，小于在第二距离时在待处理对象边缘沉积的氧化膜区域的面积(如图7所示)。
在一些实施例中，图8为本申请实施例提供的第一喷头与第二喷头相互独立的示意图，如图8所示，在使用前，第一喷头100和第二喷头200相互独立，图9为本申请实施例提供的喷头组件的结构示意图，如图9所示，当要使用喷头组件时，可以通过固定件(图未示出)将第二喷头200固定在第一喷头200内，且第一喷头100的输出端凸出于第二喷头200的输出端。
在另一些实施例中，如图9所示，所述第一喷头100和第二喷头200是相关联的，第二喷头200设置于所述第一喷头100包围的内环空间中。本申请实施例中，以圆环的第一喷头100和圆形的第二喷头200为例，通常将第一喷头100、第二喷头200的同中心轴固定形成喷头组件，当将喷头组件固定在晶圆上时，所述喷头组件和待处理对象300也是同中心轴设置的。在一些实施例中，所述第二喷头200的形状与第一喷头100包围的内环的形状相同，示例性的，当第一喷头100为圆环形，第一喷头100包围的内环的形状为圆形，那么所述第二喷头200可以为圆形；当第一喷头为多边形，所示第一喷头100包围的内环的形状为多边形，所述第二喷头200也为多边形。
在一些实施例中，所述待处理对象是晶圆，所述第一区域指的是晶圆边缘，所述第一区域可以是晶圆上距离晶圆最外侧边缘0至30毫米(mm，millimeter)的晶圆区域，在一些实施例中，所述第一区域可以指晶圆上距离晶圆最外侧边缘0至6mm的晶圆区域。
在一些实施例中，所述第一喷头100的尺寸与所述待处理对象300的尺寸相匹配，示例性的，所述待处理对象300是晶圆，所述晶圆直径为200mm，当所述晶圆的第一区域是距离晶圆最外侧30mm的晶圆区域时；那么第一喷头100的环形外边缘的直径可以是对应的200mm，所述第一喷头100的环形内边缘的直径可以是170mm。在另一些实施例中，所述第一喷头100的尺寸可以稍大于待处理对象300的尺寸，示例性的，所述待处理对象300是晶圆，所述晶圆直径为200mm，当所述晶圆的第一区域是距离晶圆最外侧30mm的晶圆区域时，所述第一喷头的外边缘直径可以为205mm，所述第一喷头100的环形内边缘的可以为165mm。当然在一些实施例中，所述第一喷头100的尺寸还可以稍小于待处理对象的尺寸。
在一些实施例中，所述环形的形状包括：圆形、多边形、椭圆形；第二喷头的形状包括：圆形、喇叭形。
本申请实施例中，环形的形状可以根据待处理对象的形状进行设置，示例性的，图10为本申请实施例提供的喷头组件示意图，如图10所示，当待处理对象是长方形时，所示第一喷头100的环形的形状为长方形。本申请实施例中，将第二喷头设置成圆形或喇叭形，可以让输出的气体均匀地向所述第一区域分散。进而使在待处理对象边缘沉积的氧化膜更均匀。
在一些实施例中，为了使从第一喷头100的输出端输出的气体更均匀，图11为本申请实施例提供的第一喷头的结构示意图，如图11所示，第一工艺气体输入端120、第一工艺气体输出端110和环形边缘，其中：
所述第一工艺气体输入端120、所述环形边缘和所述第一工艺气体输出端110形成第一缓冲空间，所述第一缓冲空间中设置有平行于所述第一工艺气体输出端的第一挡板130，所述第一挡板130上设有通孔；第一工艺气体的供应系统的输出端与所述第一工艺气体输入端120连接，所述第一缓冲空间连通所述第一工艺气体输入端120和所述第一工艺气体输出端110，使第一工艺气体输入端120输入的所述第一工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第一工艺气体输出端；所述第一工艺气体输出端110用于输出所述第一工艺气体至所述待处理对象的第一区域。
图12为本申请实施例提供的第二喷头结构示意图，如图12所示，为了使从第二喷头200的输出端输出的气体更均匀，所述第二喷头200包括：第二工艺气体输入端220、第二工艺气体输出端210和侧壁230，其中：
所述第一工艺气体输入端220、所述侧壁230和所述第二工艺气体输出端210形成第二缓冲空间，所述第二缓冲空间中设置有平行于所述第二气体输出端的第二挡板240，所述第二挡板上设有通孔；
第二工艺气体的供应系统的输出端与所述第二工艺气体输入端220连接，所述第二缓冲空间连通所述第二工艺气体输入端220和所述第二工艺气体输出端210，以使第二工艺气体输入端220输入的所述第二工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第二工艺气体输出端210，所述第二工艺气体输出端210用于输出第二工艺气体至所述待处理对象300的第二区域。
本申请实施例提供的喷头组件，在喷头组件中的环形的第一喷头中设置有第二喷头，并且从第一喷头和第二喷头能够分别通入不同的工艺气体，以使不同的工艺气体在第一区域混合，得到混合气体，进而当混合气体流经等离子设备作用区域时，能够在等离子设备作用区域沉积氧化膜，从而能够保护晶圆的边缘，进而提高良品率；另外，设置的第一喷头凸出于第二喷头，因此能够通过调节第一喷头的输出端和待处理对象之间的距离，以调节等离子设备电离作用区域，使得在非边缘区域不容易沉积氧化膜，从而能够避免因非边缘区域沉积的氧化膜对后续工艺的影响。
图13为本申请实施例提供的沉积装置的组成结构示意图，如图13所示，所述装置1300包括工艺室1301、支撑装置1302和喷头组件。其中：
所述支撑装置1302设置于所述工艺室1301中，用于放置待处理对象300。
所述喷头组件包括：第一喷头1303，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象300的第一区域；第二喷头1304，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象300的第二区域；
其中，所述第一喷头1303的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象300距离所述第一喷头1303的输出端比所述第二喷头1304的输出端近。
在一些实施例中，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
以上装置1300实施例的描述，与上述喷头组件实施例的描述是类似的，具有喷头组件实施例相似的有益效果。对于本申请装置实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解。
图14为本申请实施例提供的一种沉积方法的实现流程示意图，如图9所示，所述沉积方法包括：
步骤S1401，将待处理对象放置在工艺室中的支持装置上。
步骤S1402，通过喷头组件中呈环形的第一喷头，将第一工艺气体输出至所述待处理对象的第一区域；所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配。
步骤S1403，通过喷头组件中第二喷头，将第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
步骤S1404，在所述待处理对象的边缘沉积半导体材料。
需要说明的是，在图14中，为了方便描述，在步骤S1402后执行步骤S1403。但是在实际应用中，步骤S1402和步骤S1403可以同时进行，也可以是先执行S1403，再执行步骤S1402。
以上沉积方法的实施例的描述，与上述喷头组件实施例的描述是类似的，具有喷头组件实施例相似的有益效果。对于本申请装置实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种喷头组件，其特征在于，包括：
第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；
第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；
其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
2.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述第一喷头与所述第二喷头相互独立；或者，
所述第二喷头，设置于所述第一喷头包围的内环空间中。
3.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述待处理对象包括晶圆。
4.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
5.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述环形的形状包括：圆形、多边形、椭圆形；
所述第二喷头的形状包括：圆形、喇叭形。
6.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述第一喷头包括：第一工艺气体输入端、第一工艺气体输出端和环形边缘，其中：
所述第一工艺气体输入端、所述环形边缘和所述第一工艺气体输出端形成第一缓冲空间，所述第一缓冲空间中设置有平行于所述第一工艺气体输出端所在平面的第一挡板，所述第一挡板上设有通孔；
第一工艺气体的供应系统的输出端与所述第一工艺气体输入端连接，所述第一缓冲空间连通所述第一工艺气体输入端和所述第一工艺气体输出端，使第一工艺气体输入端输入的所述第一工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第一工艺气体输出端；
所述第一工艺气体输出端用于输出所述第一工艺气体至所述待处理对象的第一区域。
7.根据权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，所述第二喷头包括：第二工艺气体输入端、第二工艺气体输出端和侧壁，其中：
所述第一工艺气体输入端、所述侧壁和所述第二工艺气体输出端形成第二缓冲空间，所述第二缓冲空间中设置有平行于所述第二气体输出端所在平面的第二挡板，所述第二挡板上设有通孔；
第二工艺气体的供应系统的输出端与所述第二工艺气体输入端连接，所述第二缓冲空间连通所述第二工艺气体输入端和所述第二工艺气体输出端，以使第二工艺气体输入端输入的所述第二工艺气体通过所述通孔分散输出至所述第二工艺气体输出端；
所述第二气体输出端用于输出第二工艺气体至所述待处理对象的第二区域。
8.一种沉积设备，其特征在于，包括：
工艺室；
支撑装置，设置于所述工艺室中，用于放置待处理对象；
喷头组件，包括：第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；
第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；
其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近。
9.根据权利要求8所述的沉积设备，其特征在于，所述第一喷头的尺寸与所述待处理对象的尺寸相匹配。
10.一种沉积方法，其特征在于，包括：
将待处理对象放置在工艺室中的支持装置上；
通过喷头组件中呈环形的第一喷头，将第一工艺气体输出至所述待处理对象的第一区域；所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配；
通过喷头组件中第二喷头，将第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的输出端比所述第二喷头的输出端近；
在所述待处理对象的边缘沉积半导体材料。
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