CN102867725A - 天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法 - Google Patents

天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。

Description

天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及在使导入处理容器的处理气体等离子体化并对基板进行等离子体处理的情况下所使用的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术
目前，在各种领域中使用等离子体处理装置。专利文献1公开有使用平行平板作为等离子体源的等离子体蚀刻装置。
近年来，作为等离子体源之一，开发有使用径向线缝隙天线（RadialLine Slot Antenna）的等离子体蚀刻装置（参照专利文献2）。在使用径向线缝隙天线的等离子体蚀刻装置中，在处理容器的电介质窗上设置具有多个槽的缝隙天线。从缝隙天线的多个槽放射的微波经由由电介质构成的电介质窗被导入处理容器的处理空间。处理气体利用微波的能量进行等离子体化。
由径向线缝隙天线生成的微波等离子体的特征在于，在电介质窗正下方（称为等离子体激发区域）生成的电子温度比较高的数eV的等离子体扩散，在比电介质窗低100mm以上的基板正上方（称为扩散等离子体区域）成为约1～2eV程度的低电子温度。即，具有等离子体的电子温度的分布作为距离电介质窗的函数生成的特征。
在径向线缝隙天线型等离子体蚀刻装置中，向低电子温度区域供给蚀刻气体进行蚀刻气体的离解控制（等离子体中的蚀刻种类的生成量的控制），由此，控制蚀刻反应（蚀刻种类引起的基板的表面化学反应），因此，实现蚀刻的高精度化，并且大幅度降低对基板造成损伤的问题。例如，衬垫形成工序中的蚀刻等，能够按照设计尺寸制作器件，并且能够抑制在基板形成凹槽等的损伤。
专利文献1：日本特开2008－47687号公报
专利文献2：日本特开2010-118549号公报
发明内容
但是，随着被处理的基板的大型化，期待进一步改善基板表面处理量的面内均匀性。例如，在专利文献2记载的使用径向线缝隙天线的蚀刻装置中，难以使基板面内的蚀刻速率和蚀刻形状等固定，在基板面内均匀地进行蚀刻处理成为问题。
本发明的目的在于提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。
为了解决上述课题，本发明的一个方面提供一种天线，其特征在于，具备：电介质窗、和上述电介质窗一个表面上的槽板，上述电介质窗的另一个表面具有：平坦面，其被环状的第一凹部包围；和第二凹部，其以包围上述平坦面的重心位置的方式在上述平坦面内形成多个，当从与上述槽板的主表面垂直的方向观看时，各个上述第二凹部的重心位置重叠位于上述槽板中的各个槽内。
在使用该天线的情况下，能够产生面内均匀性高的等离子体，因此，在使用该天线的等离子体处理装置中，能够提高基板表面处理量的面内均匀性。
本发明的一个方面的天线的特征在于，上述槽板具备：第一槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第一距离的位置；第二槽组，其位于与距上述槽板的重心位置相距第二距离的位置；第三槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第三距离的位置；和第四槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第四距离的位置，且满足第一距离＜第二距离＜第三距离＜第四距离的关系，从上述槽板的重心位置朝向成为对象的槽延伸的直径与该槽的长边方向所成的角度在第一至第四槽组的各个槽组中均相同，位于从上述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第一槽组的槽和第二槽组的槽在不同方向上延伸，位于从上述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第三槽组的槽和第四槽组的槽在不同方向上延伸，第一槽组的槽数和第二槽组的槽数为相同的数目，设为N1，第三槽组的槽数和第四槽组的槽数为相同的数目，设为N2，N2是N1的整倍数。
N2是N1的整倍数，能够产生面内对称性高的等离子体。
本发明的一个方面的天线的特征在于，上述第二凹部的平面形状为圆形。
在面形状为圆形的情况下，距中心的形状的等效性高，因此，产生稳定的等离子体。
本发明的一个方面提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：上述天线；处理容器，其内部具有上述天线；基座，其设置于上述处理容器的内部，与上述电介质窗的另一个表面相对并载置被处理的基板；和微波导入通路，其连接微波发生器和上述槽板。
使用上述天线的等离子体处理装置的等离子体的均匀性高，能够提高基板表面处理量的面内均匀性。
本发明的一个方面的等离子体处理装置的特征在于，具备：共用气体管路，其与共用气体源连接；分流器，其设置于上述共用气体管路，将上述共用气体管路分支为第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路，能够调节流过上述第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路的气体流量的比率；中央导入部，其与上述第一分支共用气体管路连接，具有位于载置在基座上的基板的中央部上方的中央导入口；周边导入部，其与上述第二分支共用气体管路连接，沿着上述基板上方的空间的周向排列，具有与上述电介质窗相比位于下方的多个周边导入口；添加气体管路，其连接添加气体源与上述第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路的至少一方。
通过控制各气体管路的流量，能够提高基板表面处理量的面内均匀性。
本发明的一个方面提供一种等离子体处理方法，其使用上述的等离子体处理装置，其特征在于：上述共用气体源具有稀有气体，上述添加气体源具有C5F8，从上述微波发生器经由上述微波导入通路对上述槽板供给微波，使上述电介质窗的另一个表面侧产生等离子体，从上述共用气体源经由上述第一分支共用气体管路对上述中央导入部供给稀有气体，进而，从上述添加气体源经由上述第二分支共用气体管路，对上述周边导入部供给C5F8，由此，对上述基座上的基板进行处理。
该等离子体处理方法能够提高基板表面处理量的面内均匀性。
本发明的一个方面提供一种电介质窗，在一个表面上设置有槽板，其特征在于：上述电介质窗的另一个表面具有：平坦面，其被环状的第一凹部包围；和第二凹部，其以包围上述平坦面的重心位置的方式在上述平坦面内形成多个，当从与上述槽板的主表面垂直的方向观看时，各个上述第二凹部的重心位置重叠位于上述槽板中的各个槽内，上述槽板具备：第一槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第一距离的位置；第二槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第二距离的位置；第三槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第三距离的位置；和第四槽组，其位于与上述槽板的重心位置相距第四距离的位置，且满足第一距离＜第二距离＜第三距离＜第四距离的关系，从上述槽板的重心位置朝向成为对象的槽延伸的直径与该槽的长边方向所成的角度在第一至第四槽组的各个槽组中均相同，位于从上述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第一槽组的槽和第二槽组的槽在不同方向上延伸，位于从上述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第三槽组的槽和第四槽组的槽在不同方向上延伸，第一槽组的槽数和第二槽组的槽数为相同的数目，第三槽组的槽数和第四槽组的槽数为相同的数目。
该电介质窗能够与上述槽板组合使用。
根据本发明，能够改善基板表面处理量的面内均匀性。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的纵截面图。
图2是表示气体供给源的详细构造的方框图。
图3是图1的III－III线截面图。
图4是槽板附近的构造的分解立体图。
图5是槽板的平面图。
图6是电介质窗的平面图。
图7是组合槽板和电介质窗的天线的平面图。
图8是电介质窗的截面图。
图9是另外的槽板的平面图。
图10是另外的电介质窗的平面图。
图11是表示位置X（mm）和电子浓度Ne（/cm3）的关系的图表。
图12是表示位置（mm）和蚀刻速率ER（nm/min）的关系的图表。
图13是表示位置（mm）和蚀刻速率ER（nm/min）的关系的图表。
图14是槽和凹部附近的立体图（a）和截面图（b）。
图15是表示槽和凹部的位置关系的图。
图16是表示改良的中央导入部的图。
符号说明
W…晶片（基板）
1…处理容器
3…基座
11a…排气口
16…电介质窗
20…槽板
21…槽
35…微波发生器
41…共用气体源
42…添加气体源
44…分流器
45…共用气体管路
46、47…分支共用气体管路
48…添加气体管路
55…中央导入部
58…中央导入口
61…周边导入部
62…周边导入口。
具体实施方式
以下，基于附图并参照图对本发明的一个实施方式进行说明。在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素标注相同的符号。
图1是本发明一个实施方式的等离子体处理装置的纵截面图。
等离子体处理装置1具备圆筒形状的处理容器2。处理容器2的顶部被由电介质构成的电介质窗（顶板）16堵塞。处理容器2例如由铝构成，并电接地。处理容器2的内壁面被氧化铝等绝缘性的保护膜2f覆盖。
在处理容器2的底部中央设置有用于载置作为基板的半导体晶片（以下称为晶片）W的基座3。晶片W保持于基座3的上表面。基座3例如由氧化铝或氮化铝等陶瓷材料构成。在基座3的内部埋入加热器5，能够将晶片W加热至规定温度。加热器5经由配设于支柱内的配线与加热器电源4连接。
在基座3的上表面设置有对载置于基座3上的晶片W进行静电吸附的静电卡盘CK。静电卡盘CK经由匹配器MG与施加偏压用的直流或高频电力的偏压用电源BV连接。
在处理容器2的底部设置有从与载置于基座3的晶片W的表面相比靠下方的排气口11a排出处理气体的排气管11。排气管11经由压力控制阀PCV与真空泵等排气装置10连接。排气装置10经由压力控制阀PCV与处理容器2的内部连通。通过压力控制阀PCV和排气装置10将处理容器2内的压力调节为规定的压力。
在处理容器2的顶部隔着用于确保气密性的O型环等密封件15设置有电介质窗16。电介质窗16例如由石英、氧化铝（Al2O3）或氮化铝（AlN）等电介质构成，对微波具有透过性。
在电介质窗16的上表面设置有圆板形状的槽板20。槽板20由具有导电性的材质、例如用Ag、Au等电镀或涂层的铜构成。在槽板20上同心圆状地排列有例如多个T字形状或L字形状的槽21。
在槽板20的上表面配置用于压缩微波的波长的电介质板25。电介质板25例如由石英（SiO2）、氧化铝（Al2O3）或氮化铝（AlN）等电介质构成。电介质板25被导电性的覆盖件26覆盖。在覆盖件26上设置有圆环状的载热体流路27。通过在该载热体流路27流动的载热体将覆盖件26和电介质板25调节成规定的温度。当以2.45GHz的波长的微波为例时，真空中的波长约为12cm，氧化铝制的电介质窗16中的波长约为3～4cm。
覆盖件26的中央与传播微波的同轴导波管30连接。同轴导波管30由内侧导体31和外侧导体32构成，内侧导体31贯通电介质板25的中央并与槽板20的中央连接。
同轴导波管30经由模式转换器37和矩形导波管36与微波发生器35连接。微波除了使用2.45GHz的微波外，还能够使用860MHz、915MHz和8.35GHz等微波。
微波发生器35产生的微波向作为微波导入通路的矩形导波管36、模式转换器37、同轴导波管30和电介质板25传播。传播到电介质板25的微波从槽板20的多个槽21经由电介质窗16被供给到处理容器2内。通过微波在电介质窗16的下方形成有电场，从而处理容器2内的处理气体进行等离子体化。
与槽板20连接的内侧导体31的下端形成圆锥台形状。由此，微波从同轴导波管30向电介质板25和槽板20高效率、无损失地传播。
由径向线缝隙天线生成的微波等离子体的特征在于，在电介质窗16正下方（称为等离子体激发区域）生成的电子温度比较高的高能量等离子体扩散，在晶片W正上方（扩散等离子体区域）成为约1～2eV左右的低电子温度的等离子体。即，与平行平板等的等离子体不同，具有等离子体的电子温度的分布作为距电介质窗16的距离的函数明確生成的特征。更详细而言，在电介质窗16正下方的数eV～约10eV的电子温度在晶片W上衰减为约1～2eV左右。由于晶片W的处理能够在等离子体的电子温度低的区域（扩散等离子体区域）进行，因此，不会对晶片W造成凹槽等大的损伤。当向等离子体的电子温度高的区域（等离子体激发区域）供给处理气体时，处理空气容易被激发、离解。另一方面，当向等离子体的电子温度低的区域（等离子体扩散区域）供给处理气体时，与向等离子体激发区域附近供给的情况相比，离解的程度被抑制。
在处理容器2的顶部的电介质窗16中央设置有向晶片W的中心部导入处理气体的中央导入部55。在同轴导波管30的内侧导体31上形成有处理气体的供给通路52。中央导入部55与供给通路52连接。
中央导入部55包括：圆柱形状的块57，其嵌入在电介质窗16的中央设置的圆筒形状的空间部43（参照图8）；气体积存部60，其在同轴导波管30的内侧导体31的下表面和块57的上表面之间保持适当间隔地隔开；锥形状的空间部143a，其前端部与具有气体喷出用的开口59的圆柱状空间连接（参照图8）。块57例如由铝等的导电性材料构成，并电接地。在块57上形成有贯通上下方向的多个中央导入口58（参照图3）。
在图3中，为了能够观察中央导入口58，将气体喷出用开口59表示为比实际大。另外，空间部143a的形状不限于锥形状，也可以只是圆柱形状，在该情况下，如图3所示，气体喷出用的开口59的尺寸较大。考虑到需要的传导性等，中央导入口58的平面形状形成圆形或长孔。铝制的块57由阳极氧化覆膜氧化铝（A12O3）、氧化钇（Y2O3）等涂覆。
从贯通内侧导体31的供给通路52供给到气体积存部60的处理气体在气体积存部60内扩散后，从块57的多个中央导入口58向下方且向晶片W的中心部喷射。
在处理容器2的内部，以包围晶片W的上方的周边的方式配置有向晶片W的周边部供给处理气体的环形形状的周边导入部61。周边导入部61配置在与配置于顶部的中央导入口58相比更靠下方、且与载置于基座3的晶片W相比靠上方的位置。周边导入部61是使中空的管形成环状的管，在其内周侧沿周向隔开固定的间隔隔开多个周边导入口62。周边导入口62向周边导入部61的中心喷射处理气体。周边导入部61例如由石英构成。不锈钢制的供给通路53贯通处理容器2的侧面。供给通路53与周边导入部61连接。从供给通路53供给到周边导入部61内部的处理气体在周边导入部61的内部空间扩散后，从多个周边导入口62向周边导入部61的内侧喷射。从多个周边导入口62喷射的处理气体供给到晶片W的周边上部。此外，也可以在处理容器2的内侧面形成多个周边导入口62代替设置环形形状的周边导入部61。
图2是表示气体供给源的详细构造的方框图。
向处理容器2内供给处理气体的气体供给源100由共用气体源41和添加气体源42构成。共用气体源41和添加气体源42供给与等离子体蚀刻处理、等离子体CVD处理相应的处理气体。
在共用气体源41与共用气体管路45连接，共用气体管路45与分流器44连接。分流器44设置于共用气体管路45，将共用气体管路45分支为第一和第二分支共用气体管路46、47。分流器44能够调节在第一和第二分支共用气体管路46、47流过的气体的流量的比率。在此，第一分支共用气体管路46经由供给通路52与中央导入部55（参照图1）连接，向中央导入部55供给中央导入气体Gc。另外，第二分支共用气体管路47经由供给通路53与周边导入部61（参照图1）连接，向周边导入部61供给周边导入气体Gp。
添加气体源42经由添加气体管路48与第二分支共用气体管路47连接。此外，添加气体源42也可以经由添加气体管路48′与第一分支共用气体管路46连接。另外，添加气体源42也可以经由添加气体管路48、48′与双方的分支共用气体管路46、47连接。
共用气体源41具有多种气体G11、G12、G13、G1x，并设置有控制各气体的流量的流量控制阀41a、41b、41c、41x。在与流量控制阀41a、41b、41c、41x连接的管路的前后设置有开闭管路通路的阀V。流量控制阀41a、41b、41c、41x经由各个阀V与共用气体管路45连接。
添加气体源42具有多种添加气体G21、G22、G23、G2x，并设置有控制各气体流量的流量控制阀42a、42b、42c、42x。在与流量控制阀42a、42b、42c、42x连接的管路的前后设置有开闭管路通路的阀V。流量控制阀42a、42b、42c、42x经由各个阀V与添加气体管路48连接。
图1所示的控制器CONT控制气体供给源的各种阀V和流量控制阀41a、41b、41c、41x、42a、42b、42c、42x，最终控制分别流过分支共用气体管路46、47的气体Gc、Gp的特定气体所包含的分压比。控制器CONT调节各气体的流量，决定供给到分流器44的共用气体的每种气体的流量·分压。在该装置中，能够使供给到晶片W的中心部分的中央导入气体Gc和供给到周边部分的周边导入气体Gp的每种气体的分压和气体种本身变化，因此，能够使等离子体处理的特性多样性地变化。
作为共用气体源41中所使用的气体G1x，能够使用稀有气体（Ar等），但也能够使用其它的添加气体。
另外，当蚀刻多晶硅等的硅类系的膜时，作为添加气体G21、G22、G23，供给Ar气体、HBr气体（或Cl2气体）、O2气体，当蚀刻SiO2等氧化膜时，作为添加气体G21、G22、G23、G2x，供给Ar气体、CHF类气体、CF系气体、O2气体，当蚀刻SiN等氮化膜时，作为添加气体G21、G22、G23、G2x，供给Ar气体、CF类气体、CHF类气体、O2气体。
另外，作为CHF类气体，能够列举CH3（CH2）3CH2F、CH3（CH2）4CH2F、CH3（CH2）7CH2F、CHCH3F2、CHF3、CH3F和CH2F2等。
作为CF类气体，能够列举C（CF3）4、C（C2F5）4、C4F8、C2F2和C5F8等，但从能够获得适合蚀刻的离解种的观点出发，优选C5F8。
在该装置中，共用气体源41和添加气体源42也能够供给相同种类的气体，共用气体源41和添加气体源42也能够供给不同种类的气体。
为了抑制蚀刻气体的离解，也可以从共用气体源41供给等离子体激发用气体，也可以从添加气体源42供给蚀刻气体。例如，当蚀刻硅类的膜时，从共用气体源41仅供给Ar气体作为等离子体激发用气体，从添加气体源42仅供给HBr气体、O2气体作为蚀刻气体等。
共用气体源41还供给O2、SF6等清洗气体以外的共用气体。
在此，以均匀的等离子体的生成、面内均匀的晶片W的处理为目的，将利用分流器44调节共用气体的分支比率，且调节来自中央导入口58（参照图3）和周边导入部61（参照图1）的气体导入量的技术称为RDC（Radical Distribution Control：自由基分布控制）。RDC由来自中央导入口58的气体导入量和来自周边导入部61的气体导入量的比表示。向中央导入部55和周边导入部61导入的气体种是共用时为一般的RDC。最佳的RDC值由蚀刻对象的膜种类和各种条件实验性地决定。另一方面，还将向中央导入部55或周边导入部61供给添加气体的技术称为ARDC（Advanced Radical Distribution Control：先进的自由基分布控制）。
在蚀刻处理中，随着蚀刻而生成副生成物（蚀刻的残渣或堆积物）。因此，为了改善处理容器2内的气体流动，促进副生成物排出到处理容器外，研究交替进行来自中央导入部55的气体导入和来自周边导入部61的气体导入。这能够利用时间性地切换RDC值来实现。例如，通过在规定周期内反复进行向晶片W的中心部分导入大量气体的步骤和向周边部导入大量气体的步骤，并调节气流，通过从处理容器2扫出副生成物而实现均匀的蚀刻速率。
图4是槽板附近的构造的分解立体图。
电介质窗16的下表面（设置有凹部的表面）安装于等离子体处理装置11上，以载置于构成处理容器2的侧壁的一部分的环状部件19的表面上。在电介质窗16上侧的表面上设置有槽板20，在槽板20上设置有电介质板25。电介质窗16、槽板20和电介质板25的平面形状为圆形，它们的中心位置位于同轴（Z轴）上。
另外，槽板20具有槽，该槽具有各种各样图案，在同图中，为了说明的明确，在槽板20中省略槽的记载，反而在图5中有记载。
图5是槽板20的平面图。
槽板20为薄板状，即圆板状。槽板20的板厚方向的两个表面分别是平坦的。在槽板20上设置有多个贯通板厚方向的多个槽132。槽132形成在一个方向上长的第一槽133和在与第一槽133正交的方向上长的第二槽134相邻而成为一对。具体而言，以相邻的两个槽133、134成为一对并且以中心部形成中断的大致L字状的方式配置构成。即，槽板20是具有由在一个方向上延伸的第一槽133和在与一个方向垂直的方向上延伸的第二槽134构成的槽对140的构成。另外，用由图5中虚线表示的区域槽对140的一个例子进行图示。
在该实施方式中，第一槽133的开口宽度、即第一槽133中的在长边方向上延伸的一侧的壁部130a和在长边方向上延伸的另一侧的壁部130b之间的长度W1构成为12mm。另一方面，图5中的长度W2表示的第一槽133的长边方向上的长度、即第一槽133的长边方向上的一侧的端部130c和第一槽133的长边方向上的另一侧的端部130d之间的长度W2构成为35mm。这些宽度W1、W2能够允许±10%的变更，即使是除此以外的范围，也作为装置发挥作用。第一槽133的短边方向上的长度与长边方向上的长度的比W1/W2为12/35＝0.34，约为1/3。第一槽133的开口形状与第二槽134的开口形状相同。即，第二槽134是使第一槽133旋转90度的槽。另外，在构成槽的长孔时，长度的比W1/W2不足1。
槽对140大致分为：配置于内周侧的内周侧槽对组135；和配置于外周侧的外周侧槽对组136。内周侧槽对组135是设置于图5中的点划线表示的假想圆的内侧区域的7对槽对140。外周侧槽对组136是设置于图5中的点划线表示的假想圆的外侧区域的28对槽对140。内周侧槽对组135中，7对槽对140分别等间隔地在周向上配置。
通过如此构成，能够将配置于内周侧槽对组135的7对槽对140的一个槽分别配置在与设置有由圆形凹痕构成的第二凹部的位置对应的位置，并使其位置一致。外周侧槽对组136中，28对槽对140各自等间隔地在周向上配置。在槽板20的径向上的中央也设置有贯通孔137。
此外，为了容易进行槽板20的周向上的定位，在外周侧槽对组136的外径侧的区域以贯通板厚方向的方式设置有基准孔139。即，标记该基准孔139的位置，进行对处理容器2和电介质窗16的槽板20的周向上的定位。除了基准孔139，槽板20具有以径向上的中心138为中心的旋转对称性。
另外，构成外周侧槽对组136的各个槽对由槽133′和134′构成，除了它们位于外周这一点外，它们的位置和构造与槽133和134的位置和构造相同。
另外，如果槽对板20的构造进行详细叙述，则其具备：第一槽组133，其位于与槽板20的重心位置138相距第一距离R1的位置（用圆R1表示）；第二槽组134，其位于与重心位置138相距第二距离R2的位置（（用圆R2表示）；第三槽组133′，其位于与重心位置138相距第三距离R3的位置（用圆R3表示）；和第四槽组134′，其位于与重心位置138相距第四距离R4的位置（用圆R4表示）。
在此，满足第一距离R1＜第二距离R2＜第三距离R3＜第四距离R4的关系。从槽板的重心位置148向成为对象的槽（133、134、133′、134′的任一项）延伸的直径（线段R）和该槽的长边方向所形成的角度在第一至第四槽组133、134、133′、134′的各自的每个槽组中是相同的。
位于从槽板20的重心位置138延伸的相同直径（线段R）上的位置的第一槽组的槽133和第二槽组的槽134在不同的方向上延伸（在本例中，正交），位于从槽板20的重心位置138延伸的同一直径（线段R）上的位置的第三槽组的槽133′和第四槽组的槽134′在不同的方向上延伸（在本例中，正交）。第一槽组的槽133的数目和第二槽组的槽134的数目为相同的数目N1，第三槽组的槽133′的数目和第四槽组的槽134′的数目是相同的数目N2。
在此，N2是N1的整数倍，能够产生面内对称性高的等离子体。
图6是电介质窗的平面图，图8是电介质窗的截面图。
电介质窗16为大致圆盘状，具有规定的板厚。电介质窗16由电介质构成，作为电介质窗16的具体性的材质，能够列举石英和氧化铝等。在电介质窗16的上表面159上设置有槽板20。
在电介质窗16的径向上的中央设置有贯通板厚方向即纸面上下方向的贯通孔142。贯通孔142中，下侧区域为中央导入部55的气体供给口，上侧区域成为中央导入部55的配置有块57的凹部143。其中，图8中的点划线表示电介质窗16的径向上的中心轴144a。
电介质窗16中，在装备于等离子体处理装置时成为生成等离子体的一侧的下侧的平坦面146的径向外侧区域设置有连结成环状、向电介质窗16的板厚方向内方侧凹下为锥形状的环状的第一凹部147。平坦面146设置于电介质窗16的径向上的中央区域。在该中央的平坦面146上沿周向等间隔地形成有圆形的第二凹部153a～153g。环状的第一凹部147包括：内侧锥形面148，其从平坦面146的外径区域朝向外径侧成锥形状，具体而言相对于平坦面146倾斜；平坦的底面149，其从内侧锥形面148朝向外径侧沿径向笔直延伸即与平坦面146平行延伸；和外侧锥形面150，其从底面149朝向外径侧成锥形状，具体而言相对于底面149倾斜地延伸。
对于锥形的角度，即例如以内侧锥形面相对于底面149延伸的方向规定的角度或以外侧锥形面50相对于底面149延伸的方向规定的角度，可任意制定，在该实施方式中，以在周向上的任意位置都相同的方式构成。内侧锥形面148、底面149、外侧锥形面150分别以光滑的曲面连结的方式形成。此外，在外侧锥形面150的外径区域设置有朝向外径侧并沿径向笔直延伸即与平坦面146平行延伸的外周平面152。该外周平面152为电介质窗16的支承面。
即，电介质窗16以在设置于环状部件19（参照图4）的内径侧区域的上部侧端面载置外周平面152的方式安装于处理容器2。
通过环状的第一凹部147，能够在电介质窗16的径向外侧区域形成使电介质窗16的厚度连续变化的区域，并形成具有适于生成等离子体的各种工艺条件的电介质窗16的厚度的共振区域。于是，能够根据各种工艺条件，确保径向外侧区域的等离子体高的稳定性。
在此，电介质窗16中，在环状的第一凹部147的径向内侧区域设置有从平坦面146朝向板厚方向内方侧凹下的第二凹部153（153a～153g）。第二凹部153的平面形状为圆形，内侧的侧面构成圆筒面，底面是平坦的。由于圆形是具有无限的角部的多边形，因此，认为第二凹部153的平面形状也可以为具有有限的角部的多边形，当微波导入时，认为凹部内产生等离子体，但即使在平面形状为圆形的情况下，由于来自中心的形状的等效性高，因此，产生稳定的等离子体。
在该实施方式中，共计设置有7个第二凹部153，与内侧的槽对数相同。7个第二凹部153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g的形状分别相同。即，第二凹部153a～153g的凹下方和其大小、孔的直径等分别相同地构成。7个第二凹部153a～153g以将电介质窗16的径向上的重心156为中心具有旋转对称性的方式分别隔开间隔地配置。从电介质窗16的板厚方向分别观察圆孔状的7个第二凹部153a～153g（原文是153f）的中心157a、157b、157c、157d、157e、157f、157g的情况下，其位于以电介质窗16的径向的中心156为中心的圆158上。即，以径向的中心156为中心，使电介质窗16旋转51.42度（=360度/7）的情况下，以与旋转前相同形状的方式构成。在图4中，用点划线表示圆158，圆158的直径为154mm，第二凹部153a～153g的直径为30mm。
适当设定第二凹部153（153a～153g）的深度、即图8中长度L3所示的平坦面146和底面155之间的距离，在该实施方式中，设为32mm。凹部153的直径和从凹部153底面到电介质窗的上面的距离设定为导入其中的微波的波长λg的四分之一。此外，在该实施方式中，电介质窗16的直径约为460mm。此外，上述圆158的直径、凹部153的直径、电介质窗16的直径和凹部153的深度也可以允许±10%的变更，但本装置进行动作的条件不限定于此，只要该条件可将等离子体封入凹部内，就可作为装置发挥作用。当距中心近的凹部的直径和深度的值变大时，中心侧的一方与周围相比，等离子体密度变大，因此，也能够调整它们的平衡。
通过第二凹部153a～153g，能够使微波的电场集中在该凹部内，能够在电介质窗16的径向内侧区域进行牢固的模式固定。该情况下，工艺条件也可进行各种变更，能够确保径向内侧区域的牢固的模式固定的区域，能够产生稳定、均匀的等离子体，能够提高基板处理量的面内均匀性。特别是第二凹部153a～153g具有旋转对称性，因此，在电介质窗16的径向内侧区域能够确保牢固的模式固定高的轴对称性，生成的等离子体也具有较高的轴对称性。
如上，这种结构的电介质窗16具有广阔的工艺极限，并且生成的等离子体具有较高的轴对称性。
图7是组合槽板和电介质窗的天线的平面图。同图是沿着图1的Z轴从下侧观看径向线缝隙天线的图。
当俯视观看时，外侧的锥形面150与属于第四槽组（从内侧第四个槽组）的槽134′一部分重叠。另外，环状的平坦的底面149与属于第三槽组（从内侧第三个槽组）的槽133′一部分重叠。
另外，当俯视观看时，内侧的锥形面与属于第二槽组（从内侧第二个槽组）的槽134重叠。另外，属于最内侧的第一槽组的槽133位于整个平坦面146上。另外，第二凹部153的重心位置与槽133重叠。
图14是槽133和凹部153附近的立体图（a）和截面图（b）。
如图14（a）所示，槽133位于凹部153的正上方，当导入微波时，利用在槽133的宽度方向产生的电场，在凹部153内产生等离子体PS（图14（b））。
图15是表示槽和第二凹部的位置关系的图。
图15（a）表示在选择性地导入来自槽133的电场E的位置设定凹部153的重心G2的位置的情况。由于微波的导入，在槽133、134的宽度方向上产生电场E。在本例中，槽133的重心位置G1和第二凹部153的重心位置G2一致，第二凹部153的重心位置G2重合位于槽133内。在该情况下，由于将等离子体可靠地固定于第二凹部153上，因此，等离子体的摇动少，等离子体的面内变动对于各种条件变化也少。特别是，由于形成凹部153的位置在中央的平坦面146（参照图7）上，因此，一个凹部153周围的表面的等效性高，等离子体的固定程度高。
另一方面，图15（b）表示在导入来自双方槽133、134的电场E的位置设定凹部153的重心位置G2的位置的情况。换言之，在图15（b）中，表示槽133的重心位置G1和第二凹部153的重心G2分开，且第二凹部153的重心位置G2未重合位于槽133内的情况。该情况下，与图15（a）的情况相比，微波难以进入凹部153内，因此，等离子体密度降低，在产生等离子体的情况下，有时产生摇动。
接着，对另外的槽板进行说明。
图9是另外的槽板的平面图。
该槽板是从板厚方向观看到与上述槽板相比减少槽的数目、缩小槽167的开口宽度的槽板20的图。槽167的开口宽度即槽167中在长边方向上延伸的一侧的壁部168a和在长边方向上延伸的另一侧的壁部168b之间的长度W3构成为6mm。该长度W3是上述的槽板的槽133时的长度W1的大约一半。
另一方面，长度W4表示的槽167的纵向长度即槽167的纵向的一方侧的端部168c和槽167的纵向的另一方侧的端部168d之间的长度W4构成为50mm。该长度W4与设置于上述槽板的槽133时的长度W2相同。第一槽167的短边方向上的长度与长边方向上的长度的比W3/W4为6/50，约为1/8。另外的槽的结构与图5表示的槽板20相同，因此，省略其的说明。
在此，槽的开口形状越宽广，导入的微波的电场越低，但周向上的偏差也越大。
如果槽的开口宽度缩小，则就能够较强地放射微波，但由于安装槽板的槽的位置在周向上的偏差和微波的传播混乱，有时微波的放射极端地变弱。另一方面，如果槽的开口宽度变大，则微波的放射整体变的极弱，但与安装槽板的周向上的槽的位置的偏差和微波传播混乱对应，能够以不会变得极弱的方式放射微波。即，等离子体的开口宽度越大，等离子体稳定性越高。
图10是比较例的电介质窗的平面图。
比较例的电介质窗16不存在形成于平坦面146上的第二凹部。
图11是表示位置X（mm）和电子浓度Ne（/cm3）的关系的图表。
图表内的实施例1表示在图1装置中使用图7所示的天线并对其导入微波（1000W）时的数据，实施例2表示使用图7表示的天线并对其导入微波（2000W）时的数据，比较例表示使图9的槽板20与图10表示的电介质窗16组合并对其导入微波（1500W）时的数据。以1:1的比率从中央导入部导入Ar和O2，将处理容器内压力设定为10m（Torr）＝1.3Pa。
在任一数据的情况下，当距离天线的中心位置变大时，存在产生的等离子体的电子浓度Ne（/cm3）降低的倾向，但在实施例1、2的情况中，在距中央近的区域，电子浓度均匀，且左右的对称性也高于比较例。这些间接地表示不仅在环状的第一凹部而且在第二凹部中良好地固定有等离子体，确认了上述的构造对产生稳定、均匀的等离子体是有效的。
图12是表示位置（mm）和蚀刻速率ER（nm/min）的关系的图表。蚀刻对象物为SiO2。在该图表中，除了X轴、Y轴之外，还表示与它们分别形成45度的轴V轴、W轴。
图12（a）表示使用上述比较例的天线时的数据。将处理容器内压力设为10m（Torr）＝1.3Pa，将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的流量设为600/10（sccm），从中央导入部导入20%的Ar气体，从周边导入部导入80%的Ar气体，从周边导入部向处理容器内导入10sccm的C5F8。平均的蚀刻速率ER为71nm/min，标准偏差Σ为9.1%。
图12（b）表示使用图7的天线时的数据。将处理容器内压力设为1.3Pa、将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的整体流量设为600/10（sccm），以20%：80%分支这些混合气体，并将其从中央导入部和周边导入部分别导入处理容器内。平均的蚀刻速率ER为70nm/min，标准偏差Σ为4.7%。
图12（c）表示使用图7的天线时的数据。将处理容器内压力设为1.3Pa、将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的整体流量设为600/10（sccm），从中心导入部供给122（sccm）的Ar，从周边导入部供给478/10（sccm）的Ar/C5F8。平均的蚀刻速率ER为69nm/min，标准偏差Σ为3.1%。
图13是表示位置（mm）和蚀刻速率ER（nm/min）的关系的图表。蚀刻对象物为SiN。在该图表中，除了X轴、Y轴之外，还表示与它们分别形成45度的轴V轴、W轴。
图13（a）表示使用上述比较例的天线时的数据。将处理容器内压力设为10m （Torr）＝1.3Pa，将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的流量设为600/10（sccm）。从中央导入部导入20%的Ar气体，从周边导入部导入80%的Ar气体，从周边导入部向处理容器内导入10sccm的C5F8。平均的蚀刻速率ER为11nm/min，标准偏差Σ为29.1%。SiO2对SiN的蚀刻的选择比为6.23。
图13（b）表示使用图7的天线时的数据。将处理容器内压力设为1.3Pa，将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的整体的流量设为600/10（sccm），以20%：80%分支它们的混合气体，并将其从中央导入部和周边导入部分别导入处理容器内。平均的蚀刻速率ER为13nm/min，标准偏差Σ为24.6%。SiO2对SiN的蚀刻的选择比为5.28。
图13（c）表示使用图7的天线时的数据。将处理容器内压力设为1.3Pa，将微波功率设为2000（W），将Ar/C5F8的整体流量设为600/10（sccm），从中心导入部供给122（sccm）的Ar，从周边导入部供给478/10（sccm）的Ar/C5F8。平均的蚀刻速率ER为11nm/min，标准偏差Σ为16.5%。SiO2对SiN的蚀刻的选择比为6.28。
如上述方式，在使用图7表示的天线的情况下，任一膜的蚀刻中均能够缩小标准偏差Σ，也可以进行选择比高的蚀刻。另外，在将蚀刻对象的物质变更为硅或有机材料的情况下也可得到相同的结果。特别是，作为气体种，在使用C5F8的情况下，能够控制其的离解状态，获得适于蚀刻的种类，因此，能够以高精度进行蚀刻。等离子体处理装置中的离解依存于τ×Ne ×（σ×v）。τ为停留在等离子体内的时间（sec），Ne为等离子体的电子浓度（/cm3），σ为离解截面面积（cm2），v为电子速度（m/sec）。
此外，c－C4F8和L－C4F8的离解过程也不同。c－C4F8容易分解，生成大量的由自由基和高分子聚合物构成的膜，但L-C4F8离解为两个CF3CF，形成精密的膜。c表示环状，L表示直链状。
如以上说明的方式，上述的天线具备：电介质窗16和设置于电介质窗16的一个表面上的槽板20，电介质窗16的另一个表面具有：平坦面146，其被环状的第一凹部包围；和第二凹部153，其以包围平坦面146的重心位置的方式在平坦面146内形成多个。另外，当从与槽板20的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部153的重心位置重合位于槽板20的各个槽133内。在使用该天线的情况下，能够产生均匀性高的等离子体，因此，在使用该天线的等离子体处理装置中，能够提高处理量的面内均匀性。这种等离子体处理装置不仅能够用于蚀刻，还能够用于膜的堆积中。
另外，就上述的等离子体处理方法而言，共用气体源具有稀有气体（Ar），添加气体源具有C5F8，从微波发生器经由微波导入路向槽板供给微波，在电介质窗的另一个表面侧产生等离子体，从共用气体源经由第一分支共用气体管路向中央导入部供给稀有气体（Ar），还有，从添加气体源经由第二分支共用气体管路向周边导入部供给C5F8，由此，对基座上的基板进行蚀刻等的处理。该等离子体处理方法能够提高表面处理量的面内均匀性。
此外，图12（c）、图13（c）所示的方法在中心导入部和周边导入部变更流量比并誊清供给到周边导入部的添加气体量。即，如图1和图2所示，实现这些等离子体处理的等离子体处理装置具备：共用气体管路45，其与共用气体源41连接；分流器44，其设置于共用气体管路45，将共用气体管路45分支为第一和第二分支共用气体管路46、47，能够调节流过第一和第二分支共用气体管路46、47的气体流量的比率；中央导入部55，其与第一分支共用气体管路46连接，并具有位于载置在基座3上的基板中央部的上方的中央导入口；周边导入部61，其与第二分支共用气体管路47连接，沿着基板上方的空间的周方向排列，具有与电介质窗16相比位于下方的多个周边导入口62；和添加气体管路48（48′），其连接添加气体源42和第一和第二分支共用气体管路46、47的至少一方，通过控制各气体管路的流量，能够提高基板表面处理量的面内均匀性。
图16是表示改良的中央导入部的图，同图表示图1中被虚线A包围的区域的改良部分。
如图16所示，在大致圆板状的电介质窗16上形成有沿轴线X延伸的贯通孔16a。在电介质窗16上形成有沿着轴线X方向具有大致固定直径的贯通孔16a。该贯通孔16a能够具有朝向下方且其的直径变小的锥形形状。在电介质窗16中，在贯通孔16a的上方形成有空间16s。空间16s通过例如沿轴线X中心延伸的电介质窗16的内周面16b和底面16c划分。另外，在电介质窗16上形成有与空间16s的下侧周缘连续的环状的槽16g。
气体的供给通路（配管部件）52为金属制的部件，例如由不锈钢构成。供给通路52包含：第一部分52a；第二部分52b；和第三部分52c。第一部分52a为沿着轴线X延伸的管，其插入于内侧导体31的内孔中。
第二部分52b在第一部分52a的下方与该第一部分52a连接。第二部分52b具有比第一部分52a的直径大的直径。在第二部分52b上设置有与第一部分52a的内孔连接的孔。该第二部分52b将槽板20夹持在内侧导体31的下端和该第二部分52b之间。
第三部分52c与第二部分52b的下侧周缘连接并向下方延伸，且具有环形状。第三部分52c的下端部分收纳于上述槽16g内。
喷嘴22A为电介质制，与电介质窗16一体成形，或作为其它部件与电介质窗16接合。喷嘴22A位于电介质窗16的中心部，有效的区域具有大致圆板形状。在一体成形的情况下，喷嘴22A由与电介质窗16相同材料构成，在接合其它部件的情况下，也能够为相同材料。在一体形成电介质窗16和喷嘴22A的情况下，更可靠地防止在喷嘴22A和电介质窗16A之间产生间隙。喷嘴22A能够由散装电介质材料构成。在上述接合中能够使用例如扩散接合。构成喷嘴22A的电介质材料能够使用例如石英、Y2O3的材料。
喷嘴22A包含沿与轴线X交叉的方向延伸的两个表面22b和22c。表面22c与表面22b相对，面向处理空间S（参照图1）。在喷嘴22A上形成有在表面22c和表面22b之间延伸的一个以上的贯通孔22a。具有这种形状的喷嘴22A能够如下制造获得，例如，当加工电介质窗16时，在进行对构成其的散装电介质材料的机械加工后，通过湿式蚀刻等消除表面的破碎层。破碎层的消除，能够将喷嘴22A形成化学性更稳定的喷嘴。
该喷嘴22A位于电介质窗16的内部的空间16s内。更具体而言，喷嘴22A配置于由供给通路52的第二部分52b的下表面和供给通路52的第三部分52c划分的部分空间内。
来自供给通路52的处理气体通过该喷嘴22A的贯通孔22a，然后，通过电介质窗16的贯通孔16a供给到处理空间S内。即，喷嘴22A和电介质窗16的孔16a共同构成用于向处理空间S供给处理气体的路径。这样，在喷嘴22A的内部通过处理气体，但由于喷嘴22A由电介质材料构成，因此，相对于该处理气体，化学性稳定。因此，能够降低来自喷嘴22A的微粒的产生。
在等离子体处理装置中，上述的供给通路52的第三部分52c构成覆盖喷嘴22周围的电场屏蔽部。由于该电场屏蔽部，在喷嘴22A的内部难以产生等离子体。因此，能够进一步抑制来自喷嘴22A微粒的产生。
如上所述，由于喷嘴22A和电介质窗16一体化，因此，能够抑制在喷嘴22A和电介质窗16之间产生间隙。由此，能够防止处理气体经由间隙从处理空间S等回流到空间16s，而污染等离子体处理装置的部件的问题。
另外，在一个实施方式中，喷嘴22A的作为电场屏蔽部的第三部分52c能够作为供给通路52的一部分而构成。即，电场屏蔽部能够与到喷嘴22A的处理气体的配管一体化。由此，电场屏蔽部的组装和配置之类的制造工序被简单化。
另外，在一个实施方式中，第三部分52c即电场屏蔽部在轴线X方向能够延伸至与喷嘴22A的表面22c相比接近处理空间S的位置。由此，配置有喷嘴22A的空间中的电场强度进一步降低。其结果是，喷嘴22A的内部的等离子体的产生被进一步抑制，来自喷嘴22A的微粒的产生被进一步抑制。
此外，电场屏蔽部的下端面即第三部分52c的下端面52d和喷嘴22A的表面22c之间的轴线X方向上的距离GAP与配置喷嘴22的空间的电场强度的关系的模拟结果被确认为，通过将电场屏蔽部的下端面（52d）设置于低于喷嘴22A的表面22c的下方，能够缩小电场强度，有效地抑制喷嘴22A内部中的等离子体的产生。
另外，能够在由不锈钢等构成的供给通路52的第二部分52b的下表面设置有由氧化钇（氧化钇（Y2O3））构成的保护层PL1。保护层PL1利用等离子体和气体保护第二部分52b，但从抑制微粒产生和增强强度的观点来看，优选对保护层PL1实施特定的处理。即，利用含有氧气气氛中的金属钇或氧化钇的喷镀或减压环境下的氧化钇的喷镀，对由在第二部分52b的下表面上堆积的氧化钇构成的保护层PL1，照射电子束等能量线，由此，加热并熔化保护层PL1，因此，在冷却后，能够对其进行非结晶化。由此，保护层PL1被改性并被增强。在该情况下，保护层PL1的平坦性也变高，且表面粒子间的间隙被弥补，因此，表面面积变小，对气体等的耐性进一步提高。

Claims (7)

1.一种天线，其特征在于，具备：
电介质窗；和
设置于所述电介质窗一个表面上的槽板，
所述电介质窗的另一个表面具有：
平坦面，其被环状的第一凹部包围；和
第二凹部，其以包围所述平坦面的重心位置的方式在所述平坦面内形成多个，
当从与所述槽板的主表面垂直的方向观看时，各个所述第二凹部的重心位置重叠位于所述槽板中的各个槽内。
2.如权利要求1所述的天线，其特征在于：
所述槽板具备：
第一槽组，其位于与所述槽板的重心位置相距第一距离的位置；
第二槽组，其位于与所述槽板的重心位置相距第二距离的位置；
第三槽组，其位于与所述槽板的重心位置相距第三距离的位置；和
第四槽组，其位于与所述槽板的重心位置相距第四距离的位置，
且满足第一距离＜第二距离＜第三距离＜第四距离的关系，
从所述槽板的重心位置朝向成为对象的槽延伸的直径与该槽的长边方向所成的角度在第一至第四槽组的各个槽组中均相同，
位于从所述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第一槽组的槽和第二槽组的槽在不同方向上延伸，
位于从所述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第三槽组的槽和第四槽组的槽在不同方向上延伸，
第一槽组的槽数和第二槽组的槽数为相同的数目，设为N1，
第三槽组的槽数和第四槽组的槽数为相同的数目，设为N2，
N2是N1的整倍数。
3.如权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
所述第二凹部的平面形状为圆形。
4.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
权利要求1～3中任一项所述的天线；
处理容器，其内部具有所述天线；
基座，其设置于所述处理容器的内部，与所述电介质窗的另一个表面相对并载置被处理的基板；和
微波导入通路，其连接微波发生器和所述槽板。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，具备：
共用气体管路，其与共用气体源连接；
分流器，其设置于所述共用气体管路，将所述共用气体管路分支为第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路，能够调节流过所述第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路的气体流量的比率；
中央导入部，其与所述第一分支共用气体管路连接，具有位于载置在所述基座上的基板的中央部上方的中央导入口；
周边导入部，其与所述第二分支共用气体管路连接，沿着所述基板上方的空间的周向排列，具有与所述电介质窗相比位于下方的多个周边导入口；和
添加气体管路，其连接添加气体源与所述第一分支共用气体管路和第二分支共用气体管路的至少一方。
6.一种等离子体处理方法，其使用权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述共用气体源具有稀有气体，
所述添加气体源具有C5F8，
从所述微波发生器经由所述微波导入通路对所述槽板供给微波，在所述电介质窗的另一个表面侧产生等离子体，
从所述共用气体源经由所述第一分支共用气体管路，对所述中央导入部供给稀有气体，
进而，从所述添加气体源经由所述第二分支共用气体管路对所述周边导入部供给C5F8，
由此，对所述基座上的基板进行处理。
7.一种电介质窗，在一个表面上设置有槽板，其特征在于：
所述电介质窗的另一个表面具有：
平坦面，其被环状的第一凹部包围；和
第二凹部，其以包围所述平坦面的重心位置的方式在所述平坦面内形成多个，
当从与所述槽板的主表面垂直的方向观看时，各个所述第二凹部的重心位置重叠位于所述槽板中的各个槽内，
所述槽板具备：
第一槽组，其位于距所述槽板的重心位置的第一距离的位置；
第二槽组，其位于距所述槽板的重心位置的第二距离的位置；
第三槽组，其位于距所述槽板的重心位置的第三距离的位置；和
第四槽组，其位于距所述槽板的重心位置的第四距离的位置，
且满足第一距离＜第二距离＜第三距离＜第四距离的关系，
从所述槽板的重心位置朝向成为对象的槽延伸的直径与该槽的长边方向所成的角度在第一至第四槽组的各个槽组中均相同，
位于从所述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第一槽组的槽和第二槽组的槽在不同方向上延伸，
位于从所述槽板的重心位置延伸的相同直径上的第三槽组的槽和第四槽组的槽在不同方向上延伸，
第一槽组的槽数和第二槽组的槽数为相同的数目，
第三槽组的槽数和第四槽组的槽数为相同的数目。
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