TWI463522B - An antenna, a dielectric window, a plasma processing device, and a plasma processing method - Google Patents

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TWI463522B TW101124150A TW101124150A TWI463522B TW I463522 B TWI463522 B TW I463522B TW 101124150 A TW101124150 A TW 101124150A TW 101124150 A TW101124150 A TW 101124150A TW I463522 B TWI463522 B TW I463522B
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Wataru Yoshikawa
Jun Yoshikawa
Kazuki Moyama
Kiyotaka Ishibashi
Osamu Morita
Takehiro Tanikawa
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Tokyo Electron Ltd
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Description

天線、介電體窗、電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明之樣態係關於一種當使得導入處理容器之處理氣體電漿化來對基板進行電漿處理之情況下所使用之天線、介電質窗、電漿處理裝置以及電漿處理方法。
以往，於各種領域使用電漿處理裝置。專利文獻1揭示了一種使用平行平板作為電漿源之電漿蝕刻裝置。
近年來，作為電漿源之一係開發了一種使用輻線狹縫天線(Radial Line Slot Antenna)之電漿蝕刻裝置(參見專利文獻2)。使用輻線狹縫天線之電漿蝕刻裝置，係於處理容器之介電質窗上設置具有多數狹縫之狹縫天線。從狹縫天線之多數狹縫所輻射之微波係經由介電質所構成之介電質窗而導入處理容器之處理空間。處理氣體可藉由微波能量而電漿化。
由輻線狹縫天線所生成之微波電漿之特徴在於：於介電質窗正下方(稱為電漿激發區域)所生成之電子溫度相對高之數eV的電漿會擴散，在相對於介電質窗距離100mm以上之下方的基板正上方(稱為擴散電漿區域)則成為約1~2eV程度之低電子溫度。亦即，具有電漿電子溫度分布以離開介電質窗之距離的函數形式產生之特徴。
於輻線狹縫天線型之電漿蝕刻裝置，由於對低電子溫度區域供給蝕刻氣體，進行蝕刻氣體之解離控制(電漿中之蝕刻源之生成量控制)，藉此來控制蝕刻反應(蝕刻源所致基板之表面化學反應)，而可謀求蝕刻之高精度化，並大幅降低對基板造成損傷。例如，於分隔件形成製程中之蝕刻等可按照設 計尺寸來製作元件，並可抑制凹處(recess)等損傷進入基板。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開2008-47687號公報
專利文獻2 日本特開2010-118549號公報
但是，伴隨所處理之基板的大型化，乃期待基板表面處理量之面內均勻性的更為改善。例如，於使用專利文獻2所載輻線狹縫天線之蝕刻裝置，要固定基板面內之蝕刻速率、蝕刻形狀等有困難，於基板面內均勻進行蝕刻處理成為課題。
本發明之目的在於提供一種可改善基板表面處理量之面內均勻性之天線、介電質窗、電漿處理裝置以及電漿處理方法。
為了解決上述課題，本發明一樣態之天線，係具備有：介電質窗、以及設置於該介電質窗之一面的狹縫板；該介電質窗之另一面係具有：平坦面，係被環狀第1凹部所包圍；以及複數第2凹部，係以包圍該平坦面之重心位置的方式形成於該平坦面內；從和該狹縫板之主表面相垂直之方向觀看之情況，個別該第2凹部之重心位置係重疊位於該狹縫板之個別狹縫內。
當使用此天線之情況，可產生面內均勻性高之電漿，從而，使用該天線之電漿處理裝置，可提高基板表面處理量之面內均勻性。
於本發明一樣態之天線，該狹縫板係具備有：第1狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第1距離；第2狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第2距離；第3狹縫群，相 對於該狹縫板之重心位置位於第3距離；以及，第4狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第4距離；滿足第1距離<第2距離<第3距離<第4距離之關係；該狹縫板之重心位置朝對象狹縫延伸之路徑與此狹縫之長邊方向所成角度在第1至第4狹縫群之個別狹縫群皆相同；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第1狹縫群之狹縫與第2狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第3狹縫群之狹縫與第4狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；第1狹縫群之狹縫數與第2狹縫群之狹縫數為相同數量N1；第3狹縫群之狹縫數與第4狹縫群之狹縫數為相同數量N2；且N2為N1之整數倍。
N2為N1之整數倍，可產生面內對稱性高之電漿。
本發明一樣態之天線中，該第2凹部之平面形狀為圓形。
當面形狀為圓形之情況，由於相對於中心之形狀的等價性高，而可產生穩定電漿。
本發明一樣態之電漿處理裝置，係具備有：上述天線；處理容器，其內部具有該天線；台，係設置於該處理容器之內部，對向於該介電質窗之另一面，載置受處理基板；以及微波導入路徑，係將微波產生器與該狹縫板加以連接。
使用上述天線之電漿處理裝置具有高電漿均勻性，並可提高基板表面處理量之面內均勻性。
本發明一樣態之電漿處理裝置，係具備有：共通氣體管線，係連接於共通氣體源；分流器，係設置於該共通氣體管線，將該共通氣體管線分歧為第1以及第2分歧共通氣體管線，可對流經該第1以及第2分歧共通氣體管線之氣體流量 的比率進行調節；中央導入部，係連接於該第1分歧共通氣體管線，具有位於載置在該台之基板之中央部上方的中央導入口；周邊導入部，係連接於該第2分歧共通氣體管線，沿著該基板上方空間之圓周方向上配置，具有相對於該介電質窗位於下方之複數周邊導入口；以及添加氣體管線，係將添加氣體源與該第1以及第2分歧共通氣體管線之至少一者加以連接。
藉由控制各氣體管線之流量，可提高基板表面處理量之面內均勻性。
本發明一樣態之電漿處理方法，係使用上述電漿處理裝置者；該共通氣體源具有稀有氣體；該添加氣體源具有C5 F8 ；從該微波產生器經由該微波導入路徑而對該狹縫板供給微波以於該介電質窗之另一面側產生電漿；從該共通氣體源經由該第1分歧共通氣體管線來對該中央導入部供給稀有氣體；進而，從該添加氣體源經由該第2分歧共通氣體管線來對該周邊導入部供給C5 F8 以處理該台上之基板。
此電漿處理方法可提高表面處理量之面內均勻性。
本發明一樣態之介電質窗，其一面上設有狹縫板；其特徵在於該介電質窗之另一面係具有：平坦面，係被環狀第1凹部所包圍；以及複數第2凹部，係以包圍該平坦面之重心位置的方式形成於該平坦面內；從和該狹縫板之主表面相垂直之方向觀看之情況，個別該第2凹部之重心位置係重疊位於該狹縫板之個別狹縫內；該狹縫板係具備有：第1狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第1距離；第2狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第2距離；第3狹縫群，相對 於該狹縫板之重心位置位於第3距離；以及，第4狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第4距離；滿足第1距離<第2距離<第3距離<第4距離之關係；該狹縫板之重心位置朝對象狹縫延伸之路徑與此狹縫之長邊方向所成角度在第1至第4狹縫群之個別狹縫群皆相同；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第1狹縫群之狹縫與第2狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第3狹縫群之狹縫與第4狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；第1狹縫群之狹縫數與第2狹縫群之狹縫數為相同數量；第3狹縫群之狹縫數與第4狹縫群之狹縫數為相同數量。
此介電質窗可和上述狹縫板來組合使用。
依據本發明，可改善基板表面處理量之面內均勻性。
以下基於所附圖式針對本發明之一實施形態參見圖式來說明。於本說明書以及圖式中針對實質相同構成要素係賦予相同符號。
圖1係本發明一實施形態之電漿處理裝置之縱截面圖。
電漿處理裝置1具備有圓筒形狀之處理容器2。處理容器2之天花板部係由介電質所構成之介電質窗(頂板)16所封閉。處理容器2係由例如鋁所構成而呈現電性接地。處理容器2之內壁面係以氧化鋁等絕緣性保護膜2f所被覆。
於處理容器2之底部中央設有用以載置作為基板之半導體晶圓(以下稱為晶圓)W之台3。於台3上面保持著晶圓W。台3係由例如氧化鋁、氮化鋁等陶瓷材所構成。台3之內部 埋有加熱器5，可將晶圓W加熱至既定溫度。加熱器5係經由配置於支柱內之配線而連接於加熱器電源4。
台3之上面設有可對載置在台3之晶圓W進行靜電吸附之靜電夾CK。靜電夾CK經由匹配器MG而連接著施加偏壓用直流或是高頻電力之偏壓用電源BV。
於處理容器2之底部設有從排氣口11a(相對於載置在台3之晶圓W的表面位於下方)進行處理氣體排氣之排氣管11。排氣管11經由壓力控制閥PCV而連接著真空泵等排氣裝置10。排氣裝置10係經由壓力控制閥PCV而連通於處理容器2之內部。藉由壓力控制閥PCV以及排氣裝置10來將處理容器2內之壓力調節為既定壓力。
於處理容器2之天花板部係經由用以確保氣密性之O型環等密封件15而設有介電質窗16。介電質窗16係由例如石英、氧化鋁(Al2 O3 )、或是氮化鋁(AlN)等介電質所構成，對微波具有穿透性。
於介電質窗16上面設有圓板形狀之狹縫板20。狹縫板20係由具有導電性之材質(例如由Ag、Au等所鍍敷或塗布過之銅)所構成。狹縫板20中，例如複數T字形狀或L字形狀之狹縫21係以同心圓狀來配置。
於狹縫板20上面配置有用以壓縮微波波長之介電質板25。介電質板25係由例如石英(SiO2 )、氧化鋁(Al2 O3 )、或是氮化鋁(AlN)等介電質所構成。介電質板25係以導電性之蓋體26所被覆。於蓋體26設有圓環狀熱媒流路27。藉由流經此熱媒流路27之熱媒來將蓋體26以及介電質板25調節為既定溫度。以2.45GHz波長之微波為例，真空中之波長為約 12cm，而在氧化鋁製介電質窗16中之波長成為約3~4cm。
於蓋體26中央連接著傳遞微波之同軸導波管30。同軸導波管30係由內側導體31與外側導體32所構成，內側導體31係貫通介電質板25之中央而連接於狹縫板20之中央。
同軸導波管30係經由模式變換器37以及矩形導波管36而連接微波產生器35。微波除了2.45GHz以外也可使用860MHz、915MHz、8.35GHz等微波。
微波產生器35所產生之微波沿作為微波導入路徑之矩形導波管36、模式變換器37、同軸導波管30、以及介電質板25而傳遞。沿介電質板25傳遞之微波係從狹縫板20之多數狹縫21經由介電質窗16而供給至處理容器2內。藉由微波於介電質窗16下方形成電場，使得處理容器2內之處理氣體電漿化。
連接於狹縫板20之內側導體31的下端係形成為圓錐台形狀。藉此，微波可高效率且無耗損地從同軸導波管30傳遞至介電質板25以及狹縫板20。
由輻線狹縫天線所生成之微波電漿之特徴在於：於介電質窗16正下方(稱為電漿激發區域)所生成之電子溫度相對高之能量的電漿會擴散，而於晶圓W正上方(擴散電漿區域)則成為約1~2eV程度之低電子溫度的電漿。亦即，有別於平行平板等電漿，特徵在於電漿電子溫度分布係以相對於介電質窗16之距離為函數的形式明確產生。更詳細而言，於介電質窗16正下方數eV~約10eV之電子溫度到了晶圓W上則衰減成為約1~2eV程度。由於晶圓W之處理在電漿電子溫度低的區域(擴散電漿區域)進行，所以不會對晶圓W造成凹處等 嚴重損傷。若朝電漿電子溫度高的區域(電漿激發區域)供給處理氣體，則處理氣體容易被激發而解離。另一方面，若對電漿電子溫度低的區域(電漿擴散區域)供給處理氣體，則相較於往電漿激發區域附近作供給之情況，解離程度受到抑制。
於處理容器2之天花板部的介電質窗16中央設有將處理氣體導入晶圓W中心部之中央導入部55。於同軸導波管30之內側導體31形成有處理氣體之供給流路52。中央導入部55係連接於供給流路52。
中央導入部55之構成包括：圓柱形狀之塊體57，係被嵌入到於介電質窗16中央所設之圓筒形狀之空間部43(參見圖8)；氣體儲留部60，係於同軸導波管30之內側導體31下面與塊體57上面之間保持適當間隔而空出形成者；以及錐面狀空間部143a，具有氣體噴出用開口59之圓柱狀空間係連續於其前端部(參見圖8)。塊體57係由例如鋁等導電性材料所構成，呈電性接地狀態。於塊體57形成有貫通於上下方向之複數中央導入口58(參見圖3)。
圖3係以可觀察中央導入口58的方式將氣體噴出用開口59顯示為較實際來得大。此外，空間部143a之形狀不限於錐面狀，也可單單為圓柱形狀，於此情況，氣體噴出用開口59之尺寸係如圖3般變大。中央導入口58之平面形狀可考慮必要的傳導等形成為正圓或是長孔。鋁製塊體57係以陽極氧化被膜氧化鋁(Al2 O3 )、氧化釔(Y2 O3 )等所塗布。
從貫通內側導體31之供給流路52對氣體儲留部60所供給之處理氣體往氣體儲留部60內擴散後，從塊體57之複數中央導入口58往下方且為晶圓W中心部進行噴射。
於處理容器2之內部係以圍繞晶圓W上方周邊的方式配置用以對晶圓W周邊部供給處理氣體之環形狀周邊導入部61。周邊導入部61配置位置相較於配置於天花板部之中央導入口58來得下方、且相較於載置於台3之晶圓W來得上方。周邊導入部61係將中空管做成環狀，其內周側沿著圓周方向隔著一定間隔而形成有複數周邊導入口62。周邊導入口62係朝向周邊導入部61中心噴射處理氣體。周邊導入部61係由例如石英所構成。於處理容器2之側面貫通了不鏽鋼製供給流路53。供給流路53係連接於周邊導入部61。從供給流路53往周邊導入部61內部所供給之處理氣體往周邊導入部61之內部空間擴散後，從複數周邊導入口62朝向周邊導入部61之內側進行噴射。從複數周邊導入口62所噴射之處理氣體係供給至晶圓W周邊上部。此外，也可取代設置環形狀之周邊導入部61改為於處理容器2之內側面形成複數周邊導入口62。
圖2係顯示氣體供給源之詳細構造之方塊圖。
對處理容器2內供給處理氣體之氣體供給源100係由共通氣體源41以及添加氣體源42所構成。共通氣體源41以及添加氣體源42係因應於電漿蝕刻處理、電漿CVD處理來供給處理氣體。
共通氣體源41係連接著共通氣體管線45，共通氣體管線45係連接於分流器44。分流器44係設置於共通氣體管線45，將共通氣體管線45分歧成為第1以及第2分歧共通氣體管線46、47。分流器44可調節流經第1以及第2分歧共通氣體管線46、47之氣體流量的比率。此處，第1分歧共通氣 體管線46係經由供給流路52而連接於中央導入部55(參見圖1)，對中央導入部55供給中央導入氣體Gc。此外，第2分歧共通氣體管線47係經由供給流路53而連接於周邊導入部61(參見圖1)，對周邊導入部61供給周邊導入氣體Gp。
添加氣體源42係經由添加氣體管線48而連接於第2分歧共通氣體管線47。此外，添加氣體源42也可經由添加氣體管線48’而連接於第1分歧共通氣體管線46。此外，添加氣體源42也可經由添加氣體管線48,48’而連接於雙方的分歧共通氣體管線46,47。
共通氣體源41具有複數氣體G11、G12、G13、G1x，並設有控制各氣體流量之流量控制閥41a、41b、41c、41x。連接於流量控制閥41a、41b、41c、41x之管線前後設有進行管線通路開閉之閥V。流量控制閥41a、41b、41c、41x分別經由閥V而連接於共通氣體管線45。
添加氣體源42具有複數添加氣體G21、G22、G23、G2x，並設有控制各氣體流量之流量控制閥42a、42b、42c、42x。連接於流量控制閥42a、42b、42c、42x之管線前後設有進行管線通路開閉之閥V。流量控制閥42a、42b、42c、42x分別經由閥V而連接於添加氣體管線48。
圖1所示控制器CONT係和氣體供給源之各種閥V來控制流量控制閥41a、41b、41c、41x、42a、42b、42c、42x，最終控制分別流經分歧共通氣體管線46、47之氣體Gc、Gp所含特定氣體之分壓比。控制器CONT係調節各氣體流量，決定供給於分流器44之共通氣體的各氣體之流量、分壓。此裝置由於可改變對晶圓W中心部分所供給之中央導入氣體 Gc以及對周邊部分所供給之周邊導入氣體Gp之各氣體之分壓、氣體種本身，而可使得電漿處理之特性產生多樣變化。
共通氣體源41所使用之氣體G1x可使用稀有氣體(Ar等)，也可使用其他添加氣體。
此外，當蝕刻多晶矽等矽系膜之時，添加氣體G21、G22、G23係供給Ar氣體、HBr氣體(或是Cl2 氣體)、O2 氣體，當蝕刻SiO2 等氧化膜之時，添加氣體G21、G22、G23、G2x係供給Ar氣體、CHF系氣體、CF系氣體、O2 氣體，當蝕刻SiN等氮化膜之時，添加氣體G21、G22、G23、G2x係供給Ar氣體、CF系氣體、CHF系氣體、O2 氣體。
此外，CHF系氣體可舉出CH3 (CH2 )3 CH2 F、CH3 (CH2 )4 CH2 F、CH3 (CH2 )7 CH2 F、CHCH3 F2 、CHF3 、CH3 F以及CH2 F2 等。
在CF系氣體方面可舉出C(CF3 )4 、C(C2 F5 )4 、C4 F8 、C2 F2 、以及C5 F8 等，而基於得到適合於蝕刻之解離源之觀點，以C5 F8 為佳。
此裝置中，能以共通氣體源41與添加氣體源42供給相同種類之氣體，也能以共通氣體源41與添加氣體源42供給不同種類的氣體。
為了抑制蝕刻氣體之解離，也可從共通氣體源41供給電漿激發用氣體，而從添加氣體源42供給蝕刻氣體。例如，當蝕刻矽系膜之時，從共通氣體源41僅供給Ar氣體作為電漿激發用氣體，而從添加氣體源42僅供給HBr氣體、O2 氣體作為蝕刻氣體。
共通氣體源41可進而供給O2 、SF6 等潔淨氣體之其他 共通氣體。
此處，將基於生成均勻電漿、進行面內均勻晶圓W處理之目的而利用分流器44來調節共通氣體之分歧比率，調節來自中央導入口58(參見圖3)以及周邊導入部61(參見圖1)之氣體導入量之技術稱為RDC(Radical Distribution Control)。RDC係以來自中央導入口58之氣體導入量與來自周邊導入部61之氣體導入量之比所表示。導入中央導入部55以及周邊導入部61之氣體種為共通之情況係一般的RDC。最適當之RDC值係依據蝕刻對象之膜種、各種條件以實驗決定。另一方面，將進一步將添加氣體供給於中央導入部55或是周邊導入部61者稱為ARDC(Advanced Radical Distribution Control)。
蝕刻處理會因蝕刻而生成副產物(蝕刻後之殘渣、沉積物)。是以，為了改善處理容器2內之氣流、促進副產物排出處理容器外，乃檢討使得來自中央導入部55之氣體導入與來自周邊導入部61之氣體導入能交互地進行。此可藉由時間性切換RDC值而實現。例如，使得對於晶圓W中心部分導入多量氣體之步驟與對於周邊部導入多量氣體之步驟以既定周期來反覆進行，而藉由調節氣流以從處理容器2清除副產物而達成均勻之蝕刻速率。
圖4係狹縫板附近構造之分解立體圖。
介電質窗16之下面(設有凹部之面)係以可載放於構成處理容器2側壁一部分之環狀構件19表面上的方式裝設於電漿處理裝置11。於介電質窗16之上側的面上設有狹縫板20，於狹縫板20上設有介電質板25。介電質窗16、狹縫板20、 以及介電質板25之平面形狀為圓形，此等中心位置係位於同軸(Z軸)上。
此外，狹縫板20具有狹縫(具各種圖案)，同圖中基於說明之明確化而於狹縫板20省略了狹縫之記載，取而代之記載於圖5。
圖5係狹縫板20之俯視圖。
狹縫板20為薄板狀且為圓板狀。狹縫板20在板厚方向之兩面分別平坦。於狹縫板20複數設置了貫通於板厚方向之複數狹縫132。狹縫132中，往某一方向伸長之第1狹縫133與在正交於第1狹縫133之方向上伸長之第2狹縫134係相鄰成對地形成。具體而言，係以成為相鄰之2個狹縫133、134成對、而中心部出現中斷之大致L字形的方式來配置。亦即，狹縫板20構成上具有狹縫對140，其由延伸於某一方向之第1狹縫133以及相對於某一方向延伸於垂直方向之第2狹縫134所構成。此外，關於狹縫對140之一例係以圖5中虛線所示區域來表示。
於此實施形態，第1狹縫133之開口寬度、亦即第1狹縫133當中延伸於長邊方向上之一側壁部130a與延伸於長邊方向之另一側壁部130b之間的長度W1係成為12mm。另一方面，圖5中之以長度W2表示之第1狹縫133在長邊方向之長度、亦即第1狹縫133在長邊方向之一側端部130c與第1狹縫133在長邊方向之另一側端部130d之間的長度W2係成為35mm。此等寬度W1、W2可容許±10%之變更，但即便在此以外之範圍，以裝置而言也可發揮功能。關於第1狹縫133，短邊方向之長度相對於長邊方向之長度之比W1/W2為 12/35=0.34，為約1/3。第1狹縫133之開口形狀與第2狹縫134之開口形狀相同。亦即，第2狹縫134係將第1狹縫133旋轉90度者。此外，在構成狹縫此一長孔之際，長度比W1/W2係成為未達1。
狹縫對140可大致區別為配置於內周側之內周側狹縫對群135、配置於外周側之外周側狹縫對群136。內周側狹縫對群135係設置於圖5中以一點鏈線表示之假想圓內側區域的7對狹縫對140。外周側狹縫對群136係設置於圖5中以一點鏈線表示之假想圓外側區域的28對狹縫對140。於內周側狹縫對群135，7對狹縫對140分別於圓周方向上以等間隔配置著。
藉由如此構成，配置內周側狹縫對群135之7對狹縫對140的一方之狹縫可分別配置對位於和設有圓形凹坑(dimple)所構成之第2凹部之位置相對應之位置。外周側狹縫對群136之28對的狹縫對140分別於圓周方向上等間隔配置著。於狹縫板20之徑向中央也設有貫通孔137。
此外，於外周側狹縫對群136之外徑側區域，為了容易進行狹縫板20之圓周方向的定位，係以貫通板厚方向的方式設有基準孔139。亦即，以此基準孔139之位置作為目標，來進行狹縫板20相對於處理容器2、介電質窗16之圓周方向的定位。狹縫板20除了基準孔139以外係以徑向中心138為中心而具有旋轉對稱性。
此外，構成外周側狹縫對群136之各狹縫對係由狹縫133’以及134’所構成，此等位置以及構造除了位於外周這點以外，係和狹縫133以及134之位置以及構造相同。
此外，若針對狹縫板20之構造詳細說明，則具備有：第1狹縫群133，相對於狹縫板20之重心位置138位於第1距離R1(以圓R1表示)；第2狹縫群134，相對於重心位置138位於第2距離R2(以圓R2表示)；第3狹縫群133’，相對於重心位置138位於第3距離R3(以圓R3表示)；第4狹縫群134’，相對於重心位置138位於第4距離R4(以圓R4表示)。
此處，滿足第1距離R1<第2距離R2<第3距離R3<第4距離R4之關係。從狹縫板之重心位置148朝向對象狹縫(133、134、133’、134’其中一者)延伸之路徑(線R)與此狹縫之長邊方向所成角度在第1至第4狹縫群133、134、133’、134’之個別狹縫群為相同。
位於和從狹縫板20之重心位置138延伸為相同路徑(線R)上之第1狹縫群的狹縫133與第2狹縫群之狹縫134係延伸於不同方向(於本例中為正交)，位於和從狹縫板20之重心位置138延伸為相同路徑(線R)上之第3狹縫群之狹縫133’與第4狹縫群之狹縫134’係延伸於不同方向(於本例中為正交)。第1狹縫群之狹縫133數量與第2狹縫群之狹縫134數量為相同數量N1，第3狹縫群之狹縫133’數量與第4狹縫群之狹縫134’數量為相同數量N2。
此處，N2為N1之整數倍，可產生面內對稱性高的電漿。
圖6係介電質窗之俯視圖，圖8係介電質窗之截面圖。
介電質窗16為大致圓板狀，具有既定板厚。介電質窗16係由介電質所構成，介電質窗16之具體材質可舉出石英、氧化鋁等。介電質窗16之上面159上設有狹縫板20。
於介電質窗16之徑向中央設有貫通板厚方向(亦即紙面 上下方向)之貫通孔142。貫通孔142當中之下側區域係成為中央導入部55之氣體供給口，上側區域係成為配置中央導入部55之塊體57的凹部143。此外，介電質窗16之徑向中心軸144a於圖8中係以一點鏈線表示。
介電質窗16當中當設置於電漿處理裝置之際會成為電漿生成側之下側平坦面146的徑向外側區域處係設有環狀相連、朝向介電質窗16之板厚方向內側凹陷為錐面狀之環狀第1凹部147。平坦面146係設置於介電質窗16之徑向中央區域。於此中央平坦面146，圓形第2凹部153a~153g係沿著圓周方向以等間隔形成。環狀第1凹部147之構成包括：內側錐面148，係從平坦面146之外徑區域朝外徑側成為錐面狀，具體而言相對於平坦面146呈傾斜；平坦底面149，係從內側錐面148往外徑側於徑向上筆直形成，亦即相對於平坦面146呈平行延伸；以及外側錐面150，係從底面149朝外徑側成為錐面狀，具體而言相對於底面149呈傾斜延伸。
關於錐面角度、亦即例如以內側錐面相對於底面149所延伸之方向所規定之角度、外側錐面50相對於底面149所延伸之方向所規定之角度係任意決定，於此實施形態，於圓周方向之任一位置係以相同方式構成。內側錐面148、底面149、外側錐面150分別係以平滑曲面相連形成。此外，於外側錐面150之外徑區域係朝向外徑側設有外周平面152，係於徑向上筆直形成、亦即和平坦面146平行延伸。此外周平面152係成為介電質窗16之支撐面。
亦即，介電質窗16係以將外周平面152載置於在環狀構件19(參見圖4)內徑側區域所設上部側端面的方式裝設於 處理容器2。
藉由環狀第1凹部147，可於介電質窗16之徑向外側區域形成使得介電質窗16之厚度做連續性變化之區域，而可形成具有適合於生成電漿之各種程序條件的介電質窗16厚度之共振區域。如此一來，可因應於各種程序條件而確保徑向外側區域之電漿高穩定性。
此處，於介電質窗16當中之環狀第1凹部147之徑向內側區域係設有從平坦面146朝板厚方向內側凹陷之第2凹部153(153a~153g)。第2凹部153之平面形狀為圓形，內側側面構成圓筒面，底面為平坦。由於圓形為具有無限邊角部之多角形，故第2凹部153之平面形狀可視為具有有限邊角部之多角形，一般認為於微波導入時會於凹部內產生電漿，而當平面形狀為圓形之情況，由於相對於中心之形狀等價性高，可產生穩定電漿。
第2凹部153於此實施形態設置合計7個，和內側之狹縫對數量相同。7個第2凹部153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g之形狀彼此相同。亦即，第2凹部153a~153g之凹陷方式與大小、孔徑等係同等地構成。7個第2凹部153a~153g係以介電質窗16之徑向重心156為中心，以具有旋轉對稱性的方式分別保持間隔配置著。圓孔狀之7個第2凹部153a~153f之中心157a、157b、157c、157d、157e、157f、157g分別從介電質窗16之板厚方向觀看之情況，係位於以介電質窗16之徑向中心156為中心之圓158上。亦即，當將介電質窗16以徑向中心156為中心而旋轉51.42度(=360度/7)之情況，會和旋轉前成為相同形狀。圓158於圖4中係以 一點鏈線表示，圓158之直徑為154mm，第2凹部153a~153g之直徑為30mm。
第2凹部153(153a~153g)之深度、亦即圖8中以長度L3所示平坦面146與底面155之間的距離係適當設定，於此實施形態為32mm。凹部153之直徑、以及從凹部153底面到介電質窗之上面之距離係設定為對其導入之微波波長λg的四分之一。此外，於此實施形態，介電質窗16之直徑為約460mm。此外，上述圓158之直徑、凹部153之直徑、介電質窗16之直徑、以及凹部153之深度可容許±10%之變更，本裝置動作之條件不限定於此，只要電漿可侷限在凹部內即可發揮裝置功能。若接近於中心部之凹部直徑、深度值變大，由於中心部側相較於周圍之電漿密度變大，而可調整此等平衡。
可藉由此第2凹部153a~153g來將微波電場集中於該凹部內，可於介電質窗16之徑向內側區域進行強固的模式固定。於此情況，即便程序條件出現各種變更，仍可確保徑向內側區域之強固的模式固定區域，可產生穩定均勻的電漿，可提高基板處理量之面內均勻性。尤其，由於第2凹部153a~153g具有旋轉對稱性，而可於介電質窗16之徑向內側區域確保強固的模式固定之高軸對稱性，於生成電漿也具有高軸對稱性。
以上可知，如此構成之介電質窗16具有廣範圍的程序彈性，且生成電漿具有高軸對稱性。
圖7係將狹縫板與介電質窗加以組合之天線俯視圖。同圖係沿著圖1之Z軸而從下側觀看輻線狹縫天線之圖。
俯視上，外側錐面150與屬於第4狹縫群(內側起算第4個狹縫群)之狹縫134’呈部分性重疊。此外，環狀平坦底面149與屬於第3狹縫群(內側起算第3個狹縫群)之狹縫133’相重疊著。
此外，俯視上，內側錐面與屬於第2狹縫群(內側起算第2個狹縫群)之狹縫134相重疊。此外，屬於最內側第1狹縫群之狹縫133全部位於平坦面146上。再者，第2凹部153之重心位置係和狹縫133重複著。
圖14係狹縫133以及凹部153附近之立體圖(a)以及截面圖(b)。如圖14(a)所示般，狹縫133位於凹部153正上方，於微波導入時，藉由於狹縫133寬度方向所產生之電場而於凹部153內產生電漿PS(圖14(b))。
圖15係顯示狹縫與第2凹部之位置關係圖。
圖15(a)中顯示將凹部153之重心G2之位置設定在從狹縫133選擇性導入電場E之位置的情況。藉由微波之導入，電場E會產生於狹縫133、134之寬度方向上。於本例，狹縫133之重心位置G1與第2凹部153之重心位置G2一致，第2凹部153之重心位置G2係重疊位於狹縫133內。於此情況，由於電漿確實固定於第2凹部153，故電漿之變動少，即便出現各種條件變化，電漿之面內變動會變少。尤其，由於形成有凹部153之位置位於中央平坦面146(參見圖7)上，故1個凹部153周圍之面的等價性高，電漿之固定程度變高。
另一方面，圖15(b)中顯示了將凹部153之重心位置G2之位置設定於從雙方狹縫133、134導入電場E之位置之情況。換言之，於圖15(b)中顯示了狹縫133之重心位置G1與 第2凹部153之重心G2相離間，而第2凹部153之重心位置G2在狹縫133內並未重疊之情況。於此情況，相較於圖15(a)之情況，微波較難進入凹部153內，從而會有電漿密度下降、或是電漿之產生上出現變動之情況。
其次，針對其他狹縫板說明。
圖9係其他狹縫板之俯視圖。
此狹縫板係針對相較於上述者減少了狹縫數量、狹縫167之開口寬度變窄之狹縫板20從板厚方向觀看之圖。狹縫167之開口寬度、亦即狹縫167當中在延伸於長邊方向之一側壁部168a與延伸於長邊方向之另一側壁部168b之間的長度W3為6mm。此長度W3為上述狹縫板之狹縫133情況的長度W1之約一半。
另一方面，以長度W4表示之狹縫167在長邊方向之長度、亦即狹縫167之長邊方向之一側端部168c與狹縫167之長邊方向之另一側端部168d之間的長度W4係50mm。此長度W4和於上述狹縫板所設狹縫133之情況的長度W2相同。關於狹縫167，短邊方向之長度相對於長邊方向之長度之比W3/W4為6/50(約1/8)。關於其他狹縫構成等，由於和圖5所示狹縫板20同樣，故省略其說明。
此處，關於狹縫開口形狀，雖寬度愈廣則導入之微波的電場會降低，但有助於圓周方向之偏移的改善。
狹縫之開口寬度若變窄，雖可增強微波輻射，但隨著狹縫板裝設上之狹縫位置在圓周方向上偏移、或是微波傳遞之紊亂，有時微波輻射會極端變弱。另一方面，若狹縫之開口寬度變寬，雖整體微波輻射變弱，但可對應於狹縫板裝設上 之圓周方向之狹縫位置的偏移、微波傳遞之紊亂，讓微波在避免極端變弱的前提下進行輻射。亦即，電漿之開口寬度愈寬，則電漿之穩定性會變高。
圖10係比較例之介電質窗之俯視圖。
比較例之介電質窗16並不存在形成於平坦面146上之第2凹部。
圖11係顯示位置X(mm)與電子濃度Ne(/cm3 )之關係圖。
圖內之實施例1顯示了於圖1所示裝置中使用圖7所示天線而對其導入微波(1000W)之情況下的數據，實施例2顯示了使用圖7所示天線而對其導入微波(2000W)之情況下的數據，比較例係顯示於圖10所示介電質窗16組合圖9之狹縫板20而對其導入微波(1500W)之情況下的數據。從中央導入部以Ar：O2 =1：1之比率導入，並將處理容器內壓力設定為10m(Torr)=1.3Pa。
在任何數據之情況下都出現若相對於天線中心之位置X變大則產生之電漿電子濃度Ne(/cm3 )下降之傾向，惟於實施例1、2之情況下，接近中央之區域的電子濃度平坦、且左右對稱性也比比較例來得高。此間接地表示出電漿良好地固定於不僅是環狀第1凹部甚至是第2凹部，確認了上述構造對於產生穩定、均勻的電漿是有效的。
圖12係顯示位置(mm)與蝕刻速率ER(nm/min)之關係圖。蝕刻對象物為SiO2 。此圖中，除了X軸、Y軸尚顯示於此等軸分別形成45度之V軸、W軸。
圖12(a)係顯示使用上述比較例天線之情況的數據。處理容器內壓力10m(Torr)=1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5 F8 之流量定為600/10(sccm)，Ar氣體從中央導入部導入20%，從周邊導入部導入80%，10sccm之C5 F8 係從周邊導入部導入到處理容器內。蝕刻速率ER之平均為71nm/min，標準偏差Σ為9.1%。
圖12(b)係顯示使用圖7天線之情況下的數據。處理容器內壓力1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5 F8 之全體流量定為600/10(sccm)，將此等混合氣體以20%：80%來分歧，分別從中央導入部與周邊導入部導入處理容器內。蝕刻速率ER之平均為70nm/min，標準偏差Σ為4.7%。
圖12(c)係顯示使用圖7之天線的情況下之數據。處理容器內壓力1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5F8之全體流量定為600/10(sccm)，從中心導入部供給Ar為122(sccm)，從周邊導入部供給Ar/C5 F8 為478/10(sccm)。蝕刻速率ER之平均為69nm/min，標準偏差Σ為3.1%。
圖13係顯示位置(mm)與蝕刻速率ER(nm/min)之關係圖。蝕刻對象物為SiN。此圖中除了顯示X軸、Y軸，尚顯示了與此等軸分別形成45度之V軸、W軸。
圖13(a)係顯示使用上述比較例之天線的情況下之數據。處理容器內壓力10m(Torr)=1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5 F8 之流量定為600/10(sccm)。Ar氣體係從中央導入部導入20%，從周邊導入部導入80%，10sccm之C5 F8 從周邊導入部導入處理容器內。蝕刻速率ER之平均為11nm/min，標準偏差Σ為29.1%。SiO2 對SiN之蝕刻選擇比為6.23。
圖13(b)係顯示使用圖7天線之情況下之數據。處理容器內壓力1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5 F8 之全體流量定 為600/10(sccm)，將此等混合氣體以20%：80%來分歧，分別從中央導入部與周邊導入部導入處理容器內。蝕刻速率ER之平均為13nm/min，標準偏差Σ為24.6%。SiO2 對SiN之蝕刻選擇比為5.28。
圖13(c)係顯示使用圖7天線之情況下之數據。處理容器內壓力1.3Pa、微波功率2000(W)、Ar/C5 F8 之全體流量定為600/10(sccm)，從中心導入部供給Ar為122(sccm)，從周邊導入部供給Ar/C5 F8 為478/10(sccm)。蝕刻速率ER之平均為11nm/min，標準偏差Σ為16.5%。SiO2 對SiN之蝕刻選擇比為6.28。
如以上所述，當使用圖7所示天線之情況，則不論是何種膜之蝕刻，皆可縮小標準偏差Σ，可進行選擇比高之蝕刻。此外，將蝕刻對象之物質變更為矽、有機材料之情況也可得到同樣的結果。尤其，在氣體種方面使用C5 F8 之情況，由於可控制其解離狀態，得到適合於蝕刻之成分，而可高精度地進行蝕刻。電漿處理裝置之解離係取決於τ×Ne×(σ×v)。τ為於電漿內之停滯時間(sec)，Ne為電漿之電子濃度(/cm3)，σ為解離截面積(cm2 )，v為電子速度(m/sec)。
此外，c-C4 F8 與L-C4 F8 之解離過程不同。c-C4 F8 容易分解而生成由許多自由基與高分子聚合物所構成之膜，L-C4 F8 則解離為兩個CF3 CF而形成緻密的膜。c表示環狀，L表示直鏈狀。
如以上所說明般，上述天線係具備有介電質窗16、以及設置於介電質窗16一面之狹縫板20，介電質窗16之另一面則具有：被環狀第1凹部所包圍之平坦面146、以及以包圍 平坦面146之重心位置的方式形成於平坦面146內之複數第2凹部153。此外，從相對於狹縫板20之主表面在垂直方向上觀看之情況，個別第2凹部153之重心位置係重疊位於狹縫板20之個別的狹縫133內。當使用此天線之情況，可產生均勻性高之電漿，從而，使用該電漿之電漿處理裝置可提高處理量之面內均勻性。如此之電漿處理裝置不僅可使用於蝕刻方面，也可使用於膜之沉積。
此外，上述電漿處理方法，共通氣體源具有稀有氣體(Ar)，添加氣體源具有C5 F8 ，從微波產生器經由微波導入路徑而對狹縫板供給微波以於介電質窗之另一面側產生電漿，並從共通氣體源經由第1分歧共通氣體管線來對中央導入部供給稀有氣體(Ar)，進而從添加氣體源經由第2分歧共通氣體管線來對周邊導入部供給C5 F8 ，以將台上之基板予以蝕刻。此電漿處理方法可提高表面處理量之面內均勻性。
此外，圖12(c)、圖13(c)所示方法係一邊以中心導入部與周邊導入部來變更流量比、一邊控制對於周邊導入部所供給之添加氣體量。亦即，用以實現此等電漿處理之電漿處理裝置如圖1以及圖2所示般，具備有：共通氣體管線45，係連接於共通氣體源41；分流器44，係設置於共通氣體管線45，將共通氣體管線45分歧為第1以及第2分歧共通氣體管線46、47，可對流經第1以及第2分歧共通氣體管線46、47之氣體流量的比率進行調節；中央導入部55，係連接於第1分歧共通氣體管線46、47，具有位於載置在台3之基板中央部上方的中央導入口；周邊導入部61，係連接於第2分歧共通氣體管線47，沿著基板上方空間之圓周方向來配置排列， 具有相對於介電質窗16位於下方之複數周邊導入口62；以及，添加氣體管線48(48’)，係將添加氣體源42與第1以及第2分歧共通氣體管線46、47之至少一者加以連接。可藉由控制各氣體管線之流量來提高基板表面處理量之面內均勻性。
圖16係顯示改良過之中央導入部之圖，同圖係顯示圖1中以虛線A圍起區域之改良部分。
如圖16所示般，於大致圓板狀之介電質窗16形成有沿著軸線X延伸之貫通孔16a。於介電質窗16形成有沿著軸線X方向具有大致一定直徑之貫通孔16a。此貫通孔16a可具有愈往下方則直徑愈小的錐面形狀。介電質窗16係於貫通孔16a上方形成有空間16s。空間16s係例如藉由延伸於軸線X中心之介電質窗16的內周面16b以及底面16c所區劃而成。此外，於介電質窗16形成有連續於空間16s之下側周緣的環狀溝槽16g。
氣體供給流路(配管構件)52為金屬製構件，由例如不鏽鋼所構成。供給流路52包含有第1部分52a、第2部分52b、以及第3部分52c。第1部分52a為沿著軸線X延伸之管，插入到內側導體31之內孔中。
第2部分52b係於第1部分52a下方連續於該第1部分52a。第2部分52b直徑大於第1部分52a之直徑。於第2部分52b設有連續於第1部分52a之內孔的孔。此第2部分52b係將狹縫板20夾持於內側導體31下端與該第2部分52b之間。
第3部分52c係連續於第2部分52b之下側周緣而往下方延伸，具有環形狀。第3部分52c之下端部分係收容於上述溝槽16g內。
注射器22A為介電質製，和介電質窗16一體成形或是以其他構件的形式接合於介電質窗16。注射器22A位於介電質窗16之中心部，實效區域具有大致圓板形狀。注射器22A於一體成形之情況係和介電質窗16以相同材料所構成，接合其他構件之情況也可採用相同材料。當介電質窗16與注射器22A為一體形成之情況，可更為確實防止於注射器22A與介電質窗16A之間發生間隙。注射器22A可由總體(bulk)介電質材料構成。上述接合可使用例如擴散接合。構成注射器22A之介電質材料可使用例如石英、Y2 O3 等材料。
注射器22A包括有在和軸線X交叉之方向上延伸之二個面22b以及22c。面22c係對向於面22b，面向於處理空間S(參見圖1)。於注射器22A形成有在面22c與面22b之間延伸之一個以上的貫通孔22a。具有如此形狀之注射器22A可例如對介電質窗16進行加工之際，在對構成介電質窗16之總體介電質材料進行機械加工後，將表面破碎層以濕式蝕刻等來去除而製造。破碎層之去除可使得注射器22A更為化學性穩定。
此注射器22A係位於介電質窗16之內部空間16s內。更具體而言，注射器22A係配置在由供給流路52之第2部分52b的下面以及供給流路52之第3部分52c所區劃之部分空間內。
來自供給流路52之處理氣體係通過此注射器22A之貫 通孔22a，其次通過介電質窗16之貫通孔16a而供給至處理空間S內。亦即，注射器22A係和介電質窗16之孔16a一同構成用以對處理空間S供給處理氣體之路徑。如此般，雖處理氣體通過注射器22A之內部，但由於注射器22A係由介電質材料所構成，是以對該處理氣體呈現化學穩定。從而，可降低來自注射器22A之粒子的產生。
電漿處理裝置中，上述供給流路52之第3部分52c係構成包覆注射器22周圍之電場遮蔽部。此電場遮蔽部使得注射器22A內部不易產生電漿。從而，可進一步抑制來自注射器22A之粒子的產生。
如上述般，由於注射器22A與介電質窗16成為一體化，而可抑制於注射器22A與介電質窗16之間產生間隙。藉此，可防止處理氣體從處理空間S等經過間隙而逆流至空間16s從而污染電漿處理裝置零件之事態。
此外，於一實施形態，作為對注射器22A之電場遮蔽部的第3部分52c可構成為供給流路52之一部分。亦即，電場遮蔽部可和對注射器22A之處理氣體的配管成為一體化。藉此，電場遮蔽部之組裝以及配置此等製程可簡易化。
此外，於一實施形態，第3部分52c(亦即電場遮蔽部)相對於注射器22A之面22c可於軸線X方向上延伸至接近處理空間S之位置。藉此，可進而降低配置有注射器22A之空間之電場強度。其結果，可進而抑制注射器22A內部之電漿產生，可進而抑制來自注射器22A之粒子產生。
此外，就電場遮蔽部之下端面(亦即第3部分52c之下端面52d)與注射器22A之面22c之間的軸線X方向之距離GAP 與配置有注射器22之空間之電場強度之關係的模擬結果，確認了藉由將電場遮蔽部之下端面(52d)設置於相較於注射器22A之面22c位於下方，可減少電場強度，有效地抑制注射器22A內部之電漿之發生。
此外，可於不鏽鋼等所構成之供給流路52之第2部分52b下面設置由氧化釔(Y2 O3 )所構成之保護層PL1。保護層PL1用以將第2部分52b阻絕於電漿、氣體之外，而從粒子產生抑制、強度增強之觀點來看，對保護層PL1施以特定處理為佳。亦即，由於對於藉由含氧環境氣氛中之金屬釔或是氧化釔之熔射、或是減壓環境下之氧化釔之熔射而於第2部分52b下面之上所沉積之氧化釔所構成之保護層PL1照射電子束等能量線，會使得保護層PL1受熱而熔融，故冷卻後可使其非晶質化。藉此，保護層PL1受到改質而增強。於此情況，由於保護層PL1之平坦性變高，表面粒子間之間隙受到填埋，故表面積變小，對氣體等之耐性進而變高。
1‧‧‧處理容器
3‧‧‧台
11a‧‧‧排氣口
16‧‧‧介電質窗
20‧‧‧狹縫板
21‧‧‧狹縫
35‧‧‧微波產生器
41‧‧‧共通氣體源
42‧‧‧添加氣體源
44‧‧‧分流器
45‧‧‧共通氣體管線
46,47‧‧‧分歧共通氣體管線
48‧‧‧添加氣體管線
55‧‧‧中央導入部
58‧‧‧中央導入口
61‧‧‧周邊導入部
62‧‧‧周邊導入口
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係本發明之一實施形態之電漿處理裝置之縱截面圖。
圖2係顯示氣體供給源之詳細構造之方塊圖。
圖3係圖1之III-III線截面圖。
圖4係狹縫板附近之構造分解立體圖。
圖5係狹縫板之俯視圖。
圖6係介電質窗之俯視圖。
圖7係狹縫板與介電質窗組合之天線俯視圖。
圖8係介電質窗之截面圖。
圖9係其他狹縫板之俯視圖。
圖10係其他介電質窗之俯視圖。
圖11係顯示位置X(mm)與電子濃度Ne(/cm3 )之關係之圖。
圖12係顯示位置(mm)與蝕刻速率ER(nm/min)之關係之圖。
圖13係顯示位置(mm)與蝕刻速率ER(nm/min)之關係之圖。
圖14係狹縫以及凹部附近之立體圖(a)以及截面圖(b)。
圖15係顯示狹縫與凹部之位置關係之圖。
圖16係顯示改良後之中央導入部之圖。
1‧‧‧電漿處理裝置
2‧‧‧處理容器
2f‧‧‧絕緣性保護膜
3‧‧‧台
4‧‧‧加熱器電源
5‧‧‧加熱器
10‧‧‧排氣裝置
11‧‧‧排氣管
11a‧‧‧排氣口
15‧‧‧密封件
16‧‧‧介電質窗(頂板)
20‧‧‧狹縫板
21‧‧‧狹縫
25‧‧‧介電質板
26‧‧‧蓋體
27‧‧‧熱媒流路
30‧‧‧同軸導波管
31‧‧‧內側導體
32‧‧‧外側導體
35‧‧‧微波產生器
36‧‧‧矩形導波管
37‧‧‧模式變換器
46‧‧‧第1分歧共通氣體管線
47‧‧‧第2分歧共通氣體管線
52‧‧‧供給流路 供給流路
55‧‧‧中央導入部
57‧‧‧塊體
59‧‧‧氣體噴出用開口
60‧‧‧氣體儲留部
61‧‧‧周邊導入部
62‧‧‧周邊導入口
100‧‧‧氣體供給源
149‧‧‧平坦底面
BV‧‧‧偏壓用電源
CK‧‧‧靜電夾
CONT‧‧‧控制器
Gc‧‧‧中央導入氣體
Gp‧‧‧周邊導入氣體
MG‧‧‧匹配器
PCV‧‧‧壓力控制閥
W‧‧‧晶圓

Claims (5)

  1. 一種天線，係具備有：介電質窗、以及設置於該介電質窗之一面的狹縫板；該介電質窗之另一面係具有：平坦面，係被環狀第1凹部所包圍；以及複數第2凹部，係以包圍該平坦面之重心位置的方式形成於該平坦面內；從和該狹縫板之主表面相垂直之方向觀看之情況，個別該第2凹部之重心位置係重疊位於該狹縫板之個別狹縫內；其中該狹縫板係具備有：第1狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第1距離；第2狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第2距離；第3狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第3距離；以及，第4狹縫群，相對於該狹縫板之重心位置位於第4距離；滿足第1距離<第2距離<第3距離<第4距離之關係；該狹縫板之重心位置朝對象狹縫延伸之路徑與此狹縫之長邊方向所成角度在第1至第4狹縫群之個別狹縫群皆相同；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第1狹縫群之狹縫與第2狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；位於從該狹縫板之重心位置延伸之相同路徑上之第3狹縫群之狹縫與第4狹縫群之狹縫係延伸於不同方向；第1狹縫群之狹縫數與第2狹縫群之狹縫數為相同數量N1；第3狹縫群之狹縫數與第4狹縫群之狹縫數為相同數量N2； 且N2為N1之整數倍。
  2. 如申請專利範圍第1項之天線，其中該第2凹部之平面形狀為圓形。
  3. 一種電漿處理裝置，係具備有：如申請專利範圍第1或2項之天線；處理容器，其內部具有該天線；台，係設置於該處理容器之內部，對向於該介電質窗之另一面，載置受處理基板；以及微波導入路徑，係將微波產生器與該狹縫板加以連接。
  4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，係具備有：共通氣體管線，係連接於共通氣體源；分流器，係設置於該共通氣體管線，將該共通氣體管線分歧為第1以及第2分歧共通氣體管線，可對流經該第1以及第2分歧共通氣體管線之氣體流量的比率進行調節；中央導入部，係連接於該第1分歧共通氣體管線，具有位於載置在該台之基板之中央部上方的中央導入口；周邊導入部，係連接於該第2分歧共通氣體管線，沿著該基板上方空間之圓周方向上配置，具有相對於該介電質窗位於下方之複數周邊導入口；以及添加氣體管線，係將添加氣體源與該第1以及第2分歧共通氣體管線之至少一者加以連接。
  5. 一種電漿處理方法，係使用如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置者；該共通氣體源具有稀有氣體；該添加氣體源具有C5 F8 ； 從該微波產生器經由該微波導入路徑而對該狹縫板供給微波以於該介電質窗之另一面側產生電漿；從該共通氣體源經由該第1分歧共通氣體管線來對該中央導入部供給稀有氣體；進而，從該添加氣體源經由該第2分歧共通氣體管線來對該周邊導入部供給C5 F8 以處理該台上之基板。
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Families Citing this family (295)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP2014160557A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP6336719B2 (ja) * 2013-07-16 2018-06-06 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
US10047457B2 (en) * 2013-09-16 2018-08-14 Applied Materials, Inc. EPI pre-heat ring
JP6124767B2 (ja) * 2013-10-28 2017-05-10 住友重機械工業株式会社 歯車装置のシリーズ
US20150118416A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP2015130325A (ja) * 2013-12-03 2015-07-16 東京エレクトロン株式会社 誘電体窓、アンテナ、及びプラズマ処理装置
JP6356415B2 (ja) * 2013-12-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN105088141A (zh) * 2014-05-23 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
JP6499835B2 (ja) * 2014-07-24 2019-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
KR102334378B1 (ko) 2015-09-23 2021-12-02 삼성전자 주식회사 유전체 윈도우, 그 윈도우를 포함한 플라즈마 공정 시스템, 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6883953B2 (ja) * 2016-06-10 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10923328B2 (en) * 2017-06-21 2021-02-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2019008945A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 アンテナ及びプラズマ処理装置
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
JP2019012656A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生ユニット及びプラズマ処理装置
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2019053924A (ja) 2017-09-15 2019-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN109524324B (zh) * 2017-09-19 2021-01-26 长鑫存储技术有限公司 半导体刻蚀设备
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11670490B2 (en) * 2017-09-29 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP2019192606A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 アンテナ装置、および、プラズマ処理装置
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
CN112514044A (zh) * 2018-07-31 2021-03-16 朗姆研究公司 用于衬底处理系统的具有介电窗的蜂窝式喷射器
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11515128B2 (en) * 2018-08-28 2022-11-29 Lam Research Corporation Confinement ring with extended life
US10896811B2 (en) 2018-08-30 2021-01-19 Tokyo Electron Limited Antenna device, radiation method of electromagnetic waves, plasma processing apparatus, and plasma processing method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
JP7103910B2 (ja) 2018-10-15 2022-07-20 東京エレクトロン株式会社 組付け状態提示装置および組付け状態提示方法
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
US20200234920A1 (en) * 2019-01-22 2020-07-23 Lam Research Corporation Coil and window for plasma processing system
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN110311223B (zh) * 2019-07-25 2021-09-24 哈尔滨工业大学 信号增强型等离子体隐身天线窗
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7233348B2 (ja) 2019-09-13 2023-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
USD967081S1 (en) 2020-10-30 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Microwave transmission window assembly
US11362404B2 (en) 2020-10-30 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Microwave window including first and second plates with vertical stepped areas configured for pressure sealing a dielectric plate between the first and second plates
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047687A (ja) * 2006-08-15 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、ガス供給装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2010118549A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
TW201029064A (en) * 2009-01-30 2010-08-01 Hitachi High Tech Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2011021539A1 (ja) * 2009-08-20 2011-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置とプラズマ処理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4563729B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20060042754A1 (en) * 2004-07-30 2006-03-02 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
JP4701691B2 (ja) * 2004-11-29 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2006244891A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP5082229B2 (ja) * 2005-11-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4895167B2 (ja) 2006-01-31 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法
JP4707588B2 (ja) 2006-03-16 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極
US20100101728A1 (en) * 2007-03-29 2010-04-29 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
JPWO2009063755A1 (ja) * 2007-11-14 2011-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および半導体基板のプラズマ処理方法
JP5369733B2 (ja) * 2008-02-27 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101157143B1 (ko) * 2008-02-13 2012-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 천판, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2010232493A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2011029416A (ja) 2009-07-27 2011-02-10 Tokyo Electron Ltd 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置
JP5410882B2 (ja) * 2009-08-20 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法
US8415884B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Stable surface wave plasma source
JP5403151B2 (ja) * 2010-03-31 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用誘電体窓、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法
JP5955062B2 (ja) * 2011-04-25 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047687A (ja) * 2006-08-15 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、ガス供給装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2010118549A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
TW201029064A (en) * 2009-01-30 2010-08-01 Hitachi High Tech Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2011021539A1 (ja) * 2009-08-20 2011-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置とプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102867725B (zh) 2015-08-05
CN102867725A (zh) 2013-01-09
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US20130008607A1 (en) 2013-01-10

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