TWI452597B - Plasma processing device - Google Patents

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TWI452597B
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Kazuki Moyama
Kiyotaka Ishibashi
Osamu Morita
Takehiro Tanikawa
Naoki Matsumoto
Naoki Mihara
Wataru Yoshikawa
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Tokyo Electron Ltd
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Description

電漿處理裝置
本發明之實施形態係關於一種電漿處理裝置。
下述專利文獻1係記載了一種電漿處理裝置。專利文獻1所記載之電漿處理裝置係具備有：處理容器、平台、微波產生器、天線、介電質窗、同軸導波管、以及注射器基座。
平台係收容於處理容器之內部。於平台上載置有被處理基體。天線係設置於平台上方。天線係經由同軸導波管連接於微波產生器。此天線係包含有形成了狹縫之狹縫板。介電質窗係設置於天線與平台上方之處理空間之間。
於介電質窗形成有用以收容注射器基座之空間，並形成有從該空間往處理空間延伸之貫通孔。注射器基座係於鋁製基材形成Y2 O3 膜而製作者。於此注射器基座形成有貫通孔。
此電漿處理裝置係經由同軸導波管之內側導體的內孔、注射器基座之貫通孔、以及介電質窗之貫通孔而將處理氣體供給於處理空間內。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開2010-21243號公報
本案發明人針對專利文獻1所記載之電漿處理裝置，為了進一步抑制粒子之產生而進行了研究。於該研究中，本案發明人發現：當使用氟系處理氣體之情況會產生直徑數10nm之少數粒子。
從而，於該技術領域，為了製造更高性能之半導體裝置，需要進一步降低粒子之產生。
本發明之一形態之電漿處理裝置，係具備有：處理容器、平台、介電質構件、微波導入機構、注射器、以及電場遮蔽部。處理容器係於其內部區劃出處理空間。平台係設置於處理容器內。介電質構件係以面對平台的方式來設置。微波導入機構係經由介電質構件而對處理空間內導入微波。注射器為介電質製，具有一個以上的貫通孔。注射器係由例如主體介電質材料所構成。此注射器係具有一個以上的貫通孔，而配置於介電質構件之內部。注射器係連同形成於介電質構件之貫通孔來區劃出用以對處理空間供給處理氣體之路徑。電場遮蔽部係包圍注射器之周圍。
如上述般，以往之注射器基座有時會因為於Y2 O3 等基材表面之膜所含材料的還原或是氟化此等化學反應而產生粒子。另一方面，本發明之一形態之電漿處理裝置之注射器由於為介電質製注射器(例如由主體石英材料所構成)，故化學性穩定。此外，此電漿處理裝置由於在介電質製注射器之周圍設有電場遮蔽部，而可抑制於注射器內部產生電漿。從而，依據此電漿處理裝置，可更為抑制粒子之產生。
於一實施形態，注射器可接合於介電質構件。於其他實施形態，注射器可和介電質構件一體化形成。若將注射器接合於介電質構件、或是使其和介電質構件來一體成形，則可防止於注射器與介電質構件之間產生間隙。藉此，可防止處理氣體從注射器與介電質構件之間的間隙漏洩，而防止電漿處理裝置內之構件受到污染。
於一實施形態，注射器係包含有第1面以及對向於該第1面而面對該處理空間之第2面；該注射器之一個以上的貫通孔係延伸於該第1面與該第2面之間；該電場遮蔽部係在從該第1面朝向該第2面之方向上，相對於該第2面延伸至更接近該處理空間之位置。依據此實施形態，可更為降低注射器內部之電場強度。其結果，可更為抑制注射器內部之電漿的產生。
於一實施形態，微波導入機構可包含同軸導波管、以及結合於同軸導波管之天線。天線可包含在徑向以及圓周方向行程有複數狹縫之金屬製狹縫板。處理氣體亦可從配置於同軸導波管之內側導體內孔當中的配管來供給。於此形態，電場遮蔽部亦可和該配管成為一體化。
於一實施形態，注射器之一個以上的貫通孔分別可為狹縫狀貫通孔。貫通孔藉由形成為狹縫狀，而成為寬度狹窄之貫通孔。從而，可更為抑制注射器之內部(亦即注射器之貫通孔)處產生電漿。此外，所說的狹縫狀貫通孔也包含沿著和該貫通孔之貫通方向成為平行之蛇行面所形成之貫通孔。
於一實施形態，注射器之一個以上的貫通孔亦可分 別以愈接近處理空間則寬度變得愈狹窄之方式來形成。於一實施形態，相關形狀之貫通孔可藉由雷射加工來形成。
於一實施形態，注射器之一個以上的貫通孔之最狹窄部的寬度可為0.2mm以下。此處，所說的最狹窄部係於貫通孔之貫通方向可提供最狹窄寬度之該貫通孔的部位。依據此實施形態，由於狹縫狀貫通孔之最狹窄部的寬度較德拜長度來得狹窄，而可更有效地抑制於注射器內部產生電漿。
如以上說明般，依據本發明之一形態，可提供一種可降低粒子產生之電漿處理裝置。
以下，參見圖式針對各種實施形態來詳細說明。此外，各圖式中針對同一或是對應部分係賦予同一符號。
圖1係示意顯示一實施形態之電漿處理裝置之截面圖。圖1所示之電漿處理裝置10係具備有：處理容器12、平台14、介電質構件16、天線18、同軸導波管20、注射器22、以及配管構件24。
處理容器12係區劃成為對被處理基體W進行電漿處理之處理空間S。處理容器12可包含側壁12a以及底部12b。側壁12a係具有往軸線X方向延伸之大致筒形狀。底部12b係設置於側壁12a之下端側。於底部12b設有排氣用之排氣孔12h。側壁12a之上端部呈現開口。
側壁12a之上端部開口係藉由被稱為介電質窗之介 電質構件16所封閉。於此介電質構件16與側壁12a上端部之間亦可介設O型環28。藉由此O型環28，處理容器12之密閉可成為更確實。
電漿處理裝置10可進一步具備微波產生器30。微波產生器30係產生例如2.45GHz頻率之微波。微波產生器30係具有調諧器30a。微波產生器30經由導波管32以及模式變換器34而連接於同軸導波管20之上部。
同軸導波管20係沿著軸線X來延伸。同軸導波管20包含有外側導體20a以及內側導體20b。外側導體20a係具有延伸於軸線X方向之筒形狀。外側導體20a之下端可電性連接於冷卻夾套36之上部。內側導體20b係設置於外側導體20a之內側。內側導體20b係沿著軸線X而延伸。內側導體20b之下端係連接於天線18之狹縫板18b。
天線18係包含有介電質板18a以及狹縫板18b。介電質板18a係具有大致圓板形狀。介電質板18a可由例如石英或是氧化鋁所構成。介電質板18a係夾持在狹縫板18b與冷卻夾套36之下面之間。天線18可進一步由介電質板18a、狹縫板18b、以及冷卻夾套36之下面來構成。
狹縫板18b係形成有複數狹縫之大致圓板狀金屬板。於一實施形態，天線18亦可為輻線狹縫天線。亦即，於一實施形態，狹縫板18b係形成有複數狹縫對。各狹縫對包含有在相互交叉或是正交方向上延伸之二個狹縫。複數狹縫對係以軸線X為中心以既定間隔配置於徑向上，此外，可於圓周方向上以既定間隔來配置。由微波產生器30所產生之微波係通過同軸導波管20而於介 電質板18a傳遞進而從狹縫板18b之狹縫導入介電質構件16。
介電質構件16係具有大致圓板形狀，例如由石英或是氧化鋁所構成。介電質構件16係和平台14在軸線X方向上以對面的方式來設置，此外，設置於狹縫板18b之正下方。介電質構件16係穿透從天線18所接收的微波而導入處理空間S內。藉此，於介電質構件16之正下方產生電場，於處理空間S內產生電漿。如此般，依據電漿處理裝置10，無須施加磁場即可使用微波產生電漿。
於一實施形態，介電質構件16之下面可區劃成凹部16d。凹部16d係繞軸線X以環狀設置，具有錐面形狀。此凹部16d係用以促進以導入之微波來產生駐波而設置，有助於高效生成微波電漿。
電漿處理裝置10之內側導體20b係具有沿著軸線X來延伸之筒形狀。此內側導體20b之內部可插入配管構件24。於配管構件24之一端係連接著氣體供給系統40。氣體供給系統40係由被稱為質流控制器之流量控制器40a以及開閉閥40b所構成。於一實施形態，來自氣體供給系統40之處理氣體係經由配管構件24而供給於注射器22。來自配管構件24之處理氣體係經由注射器22以及形成於介電質構件16之貫通孔16a來供給於處理空間S。
於一實施形態，電漿處理裝置10可進一步具備有其他氣體供給部42。氣體供給部42係包含氣體管42a。氣體管42a係於介電質構件16與平台14之間繞著軸線X以環狀延伸。於氣體管42a設有朝軸線X方向噴射氣體之複 數氣體噴射孔42b。此氣體供給部42係連接於氣體供給系統44。
氣體供給系統44係包含有氣體管44a、開閉閥44b、以及被稱為質流控制器之流量控制器44c。於氣體供給部42之氣體管42a係經由流量控制器44c、開閉閥44b、以及氣體管44a而被供給處理氣體。此外，氣體管44a係貫通處理容器12之側壁12a。氣體供給部42之氣體管42a可經由該氣體管44a而被側壁12a所支撐。
平台14係以將處理空間S夾持在天線18與該平台14之間的方式來設置。於此平台14上載置被處理基體W。於一實施形態，平台14可包含台14a、聚焦環14b、以及靜電夾14c。
台14a係被支撐於筒狀支撐部46。筒狀支撐部46係由絕緣性材料所構成，從底部12b往垂直上方延伸。此外，於筒狀支撐部46之外周設有導電性筒狀支撐部48。筒狀支撐部48係沿著筒狀支撐部46之外周從處理容器12之底部12b往垂直上方延伸。於此筒狀支撐部46與側壁12a之間形成有環狀排氣流路50。
於排氣流路50之上部裝設有環狀擋板52(設有複數貫通孔)。於排氣孔12h之下部經由排氣管54連接著排氣裝置56。排氣裝置56係具有渦輪分子泵等真空泵。藉由排氣裝置56可將處理容器12內之處理空間S減壓至所希望之真空度為止。
台14a係兼做為高頻電極。台14a經由匹配單元60以及供電棒62而電性連接著RF偏壓用高頻電源58。高頻 電源58係既定功率輸出適合於對被拉入被處理基體W之離子能量進行控制之一定頻率(例如13.65MHz之高頻電力)。匹配單元60係收容有用以在高頻電源58側之阻抗與主要為電極、電漿、處理容器12這些負荷側之阻抗之間取得匹配之匹配器。於此匹配器當中包含有自偏壓生成用之阻斷電容器。
於台14a之上面設有靜電夾14c。靜電夾14c係將被處理基體W以靜電吸附力來保持。於靜電夾14c之徑向外側設有將被處理基體W周圍以環狀包圍之聚焦環14b。靜電夾14c係包含有電極14d、絕緣膜14e、以及絕緣膜14f。電極14d係由導電膜所構成，而設置於絕緣膜14e與絕緣膜14f之間。高壓直流電源64係經由開關66以及被覆線68而電氣連接於電極14d。靜電夾14c係藉由從直流電源64所施加之直流電壓而產生之庫倫力來吸附保持被處理基體W。
於台14a之內部設有往圓周方向上延伸之環狀冷媒室14g。於此冷媒室14g係從冷凝器單元(未圖示)經由配管70,72而被循環供給既定溫度之冷媒(例如冷卻水)。依冷媒溫度，靜電夾14c之熱傳氣體例如He氣體會經由氣體供給管74而被供給於靜電夾14c上面與被處理基體W內面之間。
以下，參見圖2針對注射器22及其周圍部分做更詳細的說明。圖2係放大顯示圖1所示注射器及其周圍部分之截面圖。
如圖2所示般，於大致圓板狀介電質構件16係形成 有沿著軸線X而延伸之貫通孔16a。此貫通孔16a可具有直徑往下方愈來愈小之錐面形狀。於介電質構件16係於貫通孔16a上方形成有空間16s。空間16s係由例如延伸於軸線X中心之介電質構件16的內周面16b以及底面16c所區劃。此外，於介電質構件16係形成有在空間16s下側周緣連續之環狀溝槽16g。
配管構件24係金屬製構件，例如由不鏽鋼所構成。配管構件24係包含有第1部分24a、第2部分24b、以及第3部分24c。第1部分24a係沿著軸線X延伸之管，插入於內側導體20b之內孔中。
第2部分24b係於第1部分24a之下方連續於該第1部分24a。第2部分24b直徑大於第1部分24a之直徑。於第2部分24b設有連續於第1部分24a內孔之孔。此第2部分24b係將狹縫板18b夾持在內側導體20b下端與該第2部分24b之間。
第3部分24c係連續於第2部分24b下側周緣而往下方延伸，具有環形狀。第3部分24c之下端部分係收容於上述溝槽16g內。
如圖2所示般，注射器22係介電質製，具有大致圓板形狀。注射器22可由主體(bulk)介電質材料所構成。構成注射器22之介電質材料可使用例如石英、Y2 O3 此等材料。
注射器22係包含有在和軸線X交叉之方向上延伸之二個面22b以及22c。面22c係對向於面22b，面對於處理空間S。於注射器22形成有在面22c與面22b之間延伸 之一個以上的貫通孔22a。具有如此形狀之注射器22可例如對主體介電質材料進行機械加工之後，將表面破碎層以濕式蝕刻等來去除而製造。破碎層之去除可使得注射器22能更為化學上穩定。
此注射器22係配置於介電質構件16之內部空間16s內。更具體而言，注射器22係載置於區劃空間16s之底面16c上。藉此，注射器22係配置在由該底面16c、配管構件24之第2部分24b下面、以及配管構件24之第3部分24c所區劃之部分空間內。
來自配管構件24之處理氣體係通過此注射器22之貫通孔22a、其次通過介電質構件16之貫通孔16a而被供給於處理空間S內。亦即，注射器22係和介電質構件16之孔16a一同構成對處理空間S供給處理氣體之路徑。如此般，雖於注射器22內部通過處理氣體，但由於注射器22係由介電質材料所構成，故相對於該處理氣體呈化學穩定。從而，可降低來自注射器22之粒子的產生。
於電漿處理裝置10，上述配管構件24之第3部分24c係構成包覆注射器22周圍的電場遮蔽部。藉由此電場遮蔽部，於注射器22內部變得難以產生電漿。從而，可進一步抑制來自注射器22之粒子的產生。
此外，於一實施形態，注射器22亦可接合於介電質構件16之底面16c。此接合可使用例如擴散接合。此構成可抑制於注射器22與介電質構件16之間產生間隙。藉此，可防止處理氣體從處理空間S等經由間隙而逆流至空間16s造成污染電漿處理裝置10之零件的事態。
此外，於一實施形態，相對於注射器22屬於電場遮蔽部之第3部分24c可構成配管構件24之一部分。亦即，電場遮蔽部可和對注射器22之處理氣體的配管來一體化。藉此，電場遮蔽部之組裝以及配置此等製程可簡易化。
此外，於一實施形態，第3部分24c、亦即電場遮蔽部可相較於注射器22之面22c在軸線X方向延伸至接近處理空間S之位置。藉此，可更為降低配置注射器22之空間中的電場強度。其結果，可更為抑制注射器22內部之電漿產生，可更為抑制從注射器22產生粒子。
此處，針對電場遮蔽部之下端面(亦即第3部分24c之下端面24d)與注射器22之面22c之間在軸線X方向的距離G和配置注射器22之空間中的電場強度之關係之模擬結果來說明。
於此模擬，距離G係設定為3.0mm、2.2mm、-2.8mm、-7.3mm。此外，負的距離G表示電場遮蔽部之下端面(24d)相對於注射器22之面22c位於上方。依據此模擬，距離G=3mm時，電場強度為3600〔V/m〕，距離G=2.2mm時，電場強度為5397〔V/m〕，距離G=-2.8mm時，電場強度為9010〔V/m〕，距離G=-7.3mm時，電場強度為11422〔V/m〕。由此結果可確認，藉由將電場遮蔽部之下端面(24d)設置在相對於注射器22之面22c為下方處，可減低電場強度，有效抑制注射器22內部之電漿的產生。
以下，針對注射器之各種其他實施形態來說明。圖 3係放大顯示其他實施形態之注射器及其周圍部分之截面圖。於圖3所示構成，係取代介電質構件16改用介電質構件16A。此外，取代注射器22改用注射器22A。以下，關於和圖2所示構成不同之處係說明圖3所示之構成。
於介電質構件16A，有別於貫通孔16a，係沿著軸線X方向形成具有大致一定直徑之貫通孔16Aa。此外，介電質構件16A與注射器22A係一體化形成。依據此構成，可更確實地防止於注射器22A與介電質構件16A之間發生間隙。
其次參見圖4~圖5。圖4係顯示其他實施形態之注射器的俯視圖。圖4中係顯示了從上方觀看注射器之俯視圖。圖5係沿著圖4之V-V線之截面圖。於圖1~圖3所示電漿處理裝置之注射器的貫通孔，和貫通孔之貫通方向呈正交之平面上的形狀例如可為圓形形狀。但注射器之貫通孔形狀不限定於該形狀，於注射器亦可如圖4以及圖5所示般形成狹縫狀之貫通孔22a。具體而言，狹縫狀之貫通孔22a可具有大致長方形或是長圓形之平面形狀。如此般，若貫通孔22a形成為狹縫狀之貫通孔，則貫通孔22a成為寬度狹窄之孔。藉由該狹縫狀貫通孔22a可進而抑制貫通孔22a之電漿的產生。藉由抑制電漿的產生，可抑制於注射器表面產生沉積物，此外，可抑制區劃貫通孔22a之注射器壁面的消耗。
如圖5所示般，於一實施形態，狹縫狀貫通孔22a亦可愈接近處理空間S時寬度形成為愈窄。亦即，貫通 孔22a亦可具有從面22b逐漸接近面22c而寬度變窄之錐面形狀。如此之錐面形狀之貫通孔可藉由例如雷射加工來形成。
於一實施形態，狹縫狀貫通孔22a之最狹窄部之寬度可為0.2mm以下。此處，所謂的最狹窄部係於貫通孔22a之貫通方向(亦即軸線X方向)可提供最狹窄寬度的貫通孔22a之部位。依據此實施形態，狹縫狀貫通孔22a之最狹窄部的寬度成為較德拜長度λD 來得窄。此德拜長度λD 係以下述式(1)所定義。
於式(1)中，Te 為電子溫度，n0 為電子密度。較以此方式所定義之德拜長度來得狹窄寬度之空間不會產生電漿。此處，使用電漿處理裝置10時所預想之電子溫度為至少4eV，電子密度最高為5×1010 cm-3 。從而，於電漿處理裝置10所預想之德拜長度成為至少0.2mm以上。從而，藉由使得狹縫狀貫通孔22a之最狹窄部的寬度成為0.2mm以下，可更有效地抑制貫通孔22a之電漿的產生。
以下，針對具有圖4以及圖5所示注射器之電漿處理裝置10所進行之實驗結果來說明。於此實驗，注射器之厚度(亦即面22b與面22c之間的距離)定為4mm，狹縫狀貫通孔22a之面22b側的寬度W1定為0.25mm，狹縫狀貫通孔22a之面22c側的寬度W2定為0.1mm。其他條件如以 下所示。
處理氣體 包含1000sccm之Ar氣體、5sccm之CH2 F2 氣體、以及2sccm之O2 氣體的處理氣體之混合氣體流量比(來自注射器之流量：來自氣體供給部42之流量)30：70
處理容器內之壓力：20mTorr(2.666Pa)
此實驗之結果，貫通孔22a中基於電漿之發光為無法觀察到之等級，於面22b並未觀察到含碳之沉積物。從而，確認了可抑制注射器內部之電漿的產生，此外，可抑制注射器表面之沉積物的產生。從而，確認了可抑制區劃貫通孔22a之注射器內壁的消耗，此外，可抑制粒子的產生。
其次參見圖6。圖6係顯示其他實施形態之注射器之俯視圖。圖4所示貫通孔22a為分別往某一方向延伸之狹縫狀貫通孔。於其他實施形態，狹縫狀貫通孔22a亦可如圖6所示般為沿著與貫通方向(亦即軸線X)平行之蛇行面所形成之貫通孔。圖6所示實施形態也可提供寬度狹窄之貫通孔，可抑制於貫通孔22a內產生電漿。
以上，已針對各種實施形態做了說明，但本發明之構思可構成各種變形樣態。例如，上述電漿處理裝置10雖為在電漿源方面使用自輻線狹縫天線所供給 之微波的電漿處理裝置，但本發明之構思也可適用於其它類型的電漿處理裝置。例如，亦可於SWP(Surface Wave Plasma，表面波電漿)型電漿處理裝置之介電質窗內使用上述注射器以及電場遮蔽部。此外，亦可於ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子迴旋共振)型電漿處理裝置之介電質窗內使用上述注射器以及電場遮蔽部。相關ECR型電漿處理裝置可採用例如國際公開第99/49705號所記載之ECR型電漿處理裝置做為基本構成。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
14‧‧‧平台
16‧‧‧介電質構件
18‧‧‧天線
20‧‧‧同軸導波管
22‧‧‧注射器
22b‧‧‧注射器之孔
22b‧‧‧注射器之第1面
22c‧‧‧注射器之第2面
24‧‧‧配管構件
24c‧‧‧第3部分(電場遮蔽部)
24d‧‧‧下端面
30‧‧‧微波產生器
32‧‧‧導波管
34‧‧‧模式變換器
36‧‧‧冷卻夾套
40‧‧‧氣體供給系統
42‧‧‧氣體供給部
44‧‧‧氣體供給系統
S‧‧‧處理空間
W‧‧‧被處理基體
圖1係示意顯示一實施形態之電漿處理裝置之截面圖。
圖2係將圖1所示注射器以及其周圍部分加以放大顯示之截面圖。
圖3係將其他實施形態之注射器以及其周圍部分加以放大顯示之截面圖。
圖4係顯示其他實施形態之注射器之俯視圖。
圖5係沿著圖4之V-V線之截面圖。
圖6係顯示其他實施形態之注射器之俯視圖。
16‧‧‧介電質構件
16a‧‧‧貫通孔
16b‧‧‧內周面
16c‧‧‧底面
16g‧‧‧環狀溝槽
16s‧‧‧內部空間
18a‧‧‧介電質板
18b‧‧‧狹縫板
20b‧‧‧內側導體
22‧‧‧注射器
22a‧‧‧貫通孔
22b‧‧‧面
22c‧‧‧面
24‧‧‧配管構件
24a‧‧‧第1部分
24b‧‧‧第2部分
24c‧‧‧第3部分
34‧‧‧模式變換器

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，係具備有：處理容器，係區劃出處理空間；平台，係設置於該處理容器內；介電質構件，係面對該平台而設置；微波導入機構，係經由該介電質構件將微波導入該處理空間內；注射器，係具有一個以上貫通孔之介電質製注射器，其配置於該介電質構件之內部，連同形成於該介電質構件之貫通孔來區劃出對該處理空間供給處理氣體之路徑；以及電場遮蔽部，係用以抑制於注射器內部產生電漿而包圍於該注射器之周圍。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該注射器係由主體介電質材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該注射器係結合於該介電質構件。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該注射器係和該介電質構件一體化形成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該注射器係包含有第1面以及對向於該第1面而面對該處理空間之第2面；該注射器之一個以上的貫通孔係延伸於該第1面與該第2面之間；該電場遮蔽部係在從該第1面朝向該第2面之方向 上，相對於該第2面延伸至更接近該處理空間之位置。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該微波導入機構係包含有：同軸導波管；以及金屬製狹縫板，係結合於該同軸導波管之天線，於徑向以及圓周方向上形成有複數狹縫；從配置於該同軸導波管之內側導體內孔當中的配管來對該注射器供給該處理氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中該電場遮蔽部係和該配管一體化。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該注射器為石英製。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中該注射器之該一個以上的貫通孔分別為狹縫狀貫通孔。
  10. 如申請專利範圍第9項之電漿處理裝置，其中該注射器之該一個以上的貫通孔分別以愈接近該處理空間則寬度變得愈窄之方式來形成。
  11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中該注射器之該一個以上的貫通孔係藉由雷射加工所形成。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之電漿處理裝置，其中該注射器之該一個以上的貫通孔之最狹窄部的寬度為0.2mm以下。
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