JP5006938B2 - 表面処理装置およびその基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、特開2001−102311号には、基板が配置される成膜室に対して導入孔を有するプレートで分離されたプラズマ生成室を有するプラズマ生成部にフッ素等洗浄ガスを供給し、このプラズマ生成部でプラズマを作ってラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルを前記導入孔を介して基板が配置された成膜空間に導入し、基板に照射させ、基板を洗浄することが記載されている。しかし、ラジカルの励起エネルギーを抑制した雰囲気に半導体基板表面を晒すことができないため、Siと高い選択性エッチングができず、そのため、表面粗さを損ねることなく自然酸化膜を除去できないという問題を生じる。
本発明者らの検討結果によれば、プラズマによって生成したラジカルを、プラズマ生成室と処理室を分離する隔壁板に設けられた複数の孔から処理室に導入し、別途処理室に導入した処理ガスとこのラジカルを混合することで、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制し、これによりSiと高い選択性を持った基板表面処理が可能となるため、基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となることが見出された。
基板を処理室内に設置し、
プラズマ生成ガスをプラズマ化し、
該プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板のラジカル通過孔を通して該処理室に導入し、
該処理室に処理ガスを導入して該処理室内でラジカルと混合し、そして
該ラジカルと該処理ガスとの混合雰囲気により該基板表面を洗浄することからなる基板洗浄方法である。
また、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはHFを含有するものである基板洗浄方法である。
また、該プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板は該プラズマ中のラジカルを該処理室に導入する複数のラジカル導入孔と該処理ガスを該処理室内に導入する複数の処理ガス導入孔とを有し、該ラジカルと該処理ガスをそれぞれの導入孔から該処理室内の基板表面に向かって排出している基板洗浄方法である。
また、前述の基板洗浄方法でIV族半導体基板表面を洗浄室にて洗浄し、洗浄された該基板を該洗浄室から大気に晒すことなくトランスファー室を介してエピタキシャル室へ移送し、該エピタキシャル室内で該基板表面上にエピタキシャル単結晶層をエピタキシャル成長させることからなる半導体素子製造方法である。
該スパッタ室にて該エピタキシャル層上に誘電体膜をスパッタし、
該誘電体膜を有する基板を該スパッタ室から大気に晒すことなくトランスファー室を介して酸化・窒化室へ移送し、
該酸化・窒化室にて該誘電体膜を酸化・窒化又は酸窒化することからなる半導体素子製造方法である。
また、前述の半導体製造方法で、前記誘電体膜は、Hf、La、Ta、Al、W、Ti、Si、Geのグループから選択されたもの又はそれらの合金である半導体素子製造方法。
また前述の基板洗浄方法において、該プラズマガスをプラズマ化する際、プラズマガスに高周波電力を印加してプラズマ化しており、該高周波電力密度は0.001〜0.25W/cm2、望ましくは0.001〜0.125W/cm2、更に望ましくは0.001〜0.025W/cm2であることを特徴とする基板洗浄方法である。
導入されたプラズマ生成ガスをプラズマ化させるプラズマ生成室、
被処理基板を設置する基板ホルダーを含む処理室、及び
該プラズマ生成室と該処理室との間に複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板とからなる基板処理装置であって、
該プラズマ閉じ込め電極板は中空構造であり、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔が設けられており、該プラズマ閉じ込め電極板には、処理ガスを供給するガス導入管が配置されている基板処理装置において、
該プラズマ生成室内部のプラズマ生成空間には高周波電源から供給される電力によりプラズマを発生させる高周波印加電極を備え、
該高周波印加電極は、該電極を貫く複数の貫通孔を有し、
該プラズマ生成室にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入シャワープレートを更に含み、
該プラズマ生成ガス導入シャワープレートは、該複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板に沿って延在する電極上にプラズマ生成ガスを導入する複数のガス排出口を含むものである基板処理装置である。
また、前述の基板処理室において、該電極の複数の貫通孔の全体積をV2、該貫通孔を含む電極の全体積をV1としたとき、堆積比率V2/V1が0.01〜0.8であることを特徴とする基板処理装置である。
前述の基板処理装置において、該プラズマ生成室に導入されるプラズマ生成ガスがHFを含むガスであり、かつ該処理室に導入されるガスがHFを含むガスであることを特徴とする基板処理装置である。
また、前述の基板処理装置からなる基板洗浄室、
基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長室、及び
該基板洗浄室からの基板を大気に晒すことなく該エピタキシャル成長室に移送するトランスファー室とからなる半導体素子製造装置である。
また、前述の装置において、誘電体膜を形成するスパッタ室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該スパッタ室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置である。
また、前述の装置において、誘電体膜を酸化もしくは窒化もしくは酸窒化する酸化・窒化室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室又は該スパッタ室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該酸化・窒化室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置である。
半導体基板表面の自然酸化膜や有機不純物汚染を除去するために、プラズマ生成ガスと処理ガスとしてのHFまたは少なくともHFガスを含む混合ガスを用い、プラズマ生成室からラジカルを処理室に導入し、同時に処理室にHFを構成元素とするガス分子を導入することにより、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制した雰囲気に半導体基板表面を晒して、基板表面の平坦性を損ねることなく自然酸化膜や有機物を除去できた。半導体基板の金属汚染やプラズマダメージを生じることも無い。また、従来のウェット洗浄では、アニール処理等の後処理を併用し、複数の工程を必要としていた基板処理が1つの工程で済むようになり効率よく所定の効果を得ることができるため、コストも低減でき、処理速度の大幅な向上が図れた。さらに、プラズマ生成ガスにシャワープレートを備えることにより均一に生成ガスを導入することができ、電極部に貫通する孔を備えることにより低電力でも放電でき、生成したプラズマ中のラジカルを複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板を備えることにより処理室に均一にラジカルが導入できた。原子層オーダーで表面荒さが少ない表面処理を実現することにより、その表面上に単結晶Si、SiGe膜を得ることが可能となった。
また、第1の工程により基板表面処理、第2の工程により単結晶成膜を大気に晒すことなく真空中を搬送することにより、界面の不純物が大気搬送の場合よりも少ないため、良好なデバイス特性を得ることができた。
また、第1の工程により基板表面処理、第2の工程により単結晶成膜、第3の工程により誘電体材料をスパッタ成膜、第4の工程により酸化、窒化、酸窒化し、更に第5の工程により金属材料をスパッタ成膜を、全て大気に晒すことなく真空中で搬送することで、半導体/絶縁膜接合の界面の不純物が大気搬送の場合よりも少ないため、従来の酸化膜同等の界面準位密度、膜中の固定電荷密度が得られ、ヒステリシスが小さいC−V曲線が得られ、リーク電流が小さくなり、良好なデバイス特性を得ることができた。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
本実施例では、図1に示した成膜装置1において、図3に示される表面処理装置100を用いた第1の工程を行いSi基板上に形成された自然酸化膜及び有機物を除去するプロセスに、本発明を適用した例について述べる。
サンプルとして用いた基板5は清浄空気中に放置して自然酸化膜が形成されている直径300mmのSi単結晶基板である。基板5は、図示しない基板搬送機構によりロードロック室50へ搬送され、載置される。次に、図示しない排気系によりロードロック室50は減圧される。所定の圧力、具体的には1Pa以下まで減圧後、ロードロック室と搬送室の間の図示しないゲートバルブが開かれ、トランスファー室の図示しない搬送機構によって、搬送室60を介して表面処理装置100のへ搬送し、基板ホルダー114上に載置する。
表面処理装置100は、基板5を載置することができる基板ホルダー114を備えた処理室113と、プラズマ生成室108から構成されている。処理室113とプラズマ生成室108は、複数のラジカル通過孔111を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板110で分離されている。
図20は、本実施例における、プラズマ生成ガス導入シャワープレート107の効果を説明する図である。プラズマ生成ガスとしてHFガス100sccmを使用し、高周波電力密度0.01W/cm2、処理室圧力50Paの条件において、処理室に置いた基板のシリコン酸化膜エッチング速度を測定した。図20において、横軸は基板面内の位置を示し、縦軸は中心のエッチング速度で規格化したシリコン酸化膜のエッチング速度を示す。図20に示すように、プラズマ生成ガス導入シャワープレートを使用した場合901と、従来の導入方法であるシャワープレートを使用しない横方向からの導入の場合902とを比較すると、シャワープレートによる導入の場合901の方が、エッチング速度面内均一性が良好であった。これは、プラズマ生成空間109への均一なガス導入により、プラズマ生成空間109で均一な活性種濃度分布が得られ、これが反映されたためと推察される。従って、後述の高周波印加電極104の貫通孔105による均一なプラズマ生成と相乗された効果により、処理室に導入されるラジカル供給がより均一となることが示された。
プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板110は、プラズマ生成室108と処理室113との間を区切るプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板の機能を有している。このプラズマ閉じ込め電極板110には、プラズマ室内のプラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを処理室113に通過させるラジカル導入孔111が設けられている。
プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板110は、中空構造となっており、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔が設けられている。この中空構造へ処理ガスを供給することによって、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔112から処理室へ処理ガスが均一供給できる構造となっている。処理ガス導入孔112は、ラジカル導入孔111付近に開口している。処理ガスは、処理ガス供給系116から処理ガス供給管115を通じて輸送され、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔112から処理室へ導入される。前述のラジカル導入孔111から導入されたプラズマ生成ガスに由来するラジカルと、処理ガス導入孔112から導入された処理ガスの分子は、処理室113内で初めて混合され、基板5の表面へ供給される構造となっている。
まず、第1の工程の基板処理工程とその条件について説明する。第1の工程で使用する装置は図3に示す基板処理装置100である。
図12に、本発明の第1の工程後の表面粗さを調べ、従来のドライ処理、およびウェット処理の結果と比較して示す。図12に示される通り、本発明の第1の工程を使用して得られた表面粗さRaは0.18nmと、希フッ酸溶液によるウェット処理(Wet洗浄)を行った場合の表面粗さRaの0.17nmとほぼ同等の良好な表面粗さが得られている。また、処理ガスにHFガスを供給しない場合、表面粗さRaは2.0nmと荒れている。さらに、処理時間を10minと延長した場合でも表面粗さRaは0.19nmと荒れていないことが確認された。表面平坦性が向上した理由については、Siに対し表面自然酸化膜や有機物が選択的に除去された為である。プラズマにより生成した励起エネルギーの高いHFと別途処理ガスとして導入した励起していないHFを衝突させることにより、励起エネルギーが抑制されたHFが生成され、これが表面のSi原子をエッチングすることなく、表面自然酸化膜を選択的に除去していると推察される。これらの結果から、本発明を使用することにより、高温の前処理を必要としないドライ洗浄において、ウェット洗浄と同等の表面平坦性を実現できることが確認された。
なお、本発明における表面平坦性は、プラズマにより生成した励起エネルギーの高いHFと別途処理ガスとして導入した励起していないHFを混合して衝突させることにより、励起エネルギーが抑制されたHFが生成されれば良い。従って、これが実現される状態であれば、本実施例の構成に限定されるものではない。
すなわち、本実施例ではプラズマにより生成したラジカルを、プラズマ閉じ込め電極板にある複数の貫通孔であるラジカル導入孔を通じて基板に向けて供給しながら、同時に電極板に設けた複数の処理ガス供給孔から処理ガスを供給したが、平坦性を得るためには必ずしもこの構造である必要はなく、HFガスが含まれたガスをプラズマ化し、イオンの大部分を遮蔽し中性活性種のみ輸送できるような装置で励起された活性種のみを処理室に導入し、さらに処理室のいずれかの場所から励起しないHFガスを導入することで、実現可能である。
しかし、均一性の観点からは、とりわけ大口径の基板に対して均一な処理をすることが必要である場合には、ラジカルと励起しない処理ガスの両方を均一に基板へ供給する必要がある。そのため、本実施例のように、基板に対向した位置にある電極板からラジカルをシャワー供給し、さらに同時に処理ガスをシャワー供給できるような構造が望ましい。
図13は、プラズマ生成ガスと処理ガスにHFとArの混合ガスを使用した場合の表面粗さのHF混合比率依存性を示す。図13に示すように、処理ガスのHFとArの混合比率を変えることにより、自然酸化膜除去後の表面粗さが変化した。HFガス流量を増やすことにより、表面粗さが減少できた。なお、プラズマ生成室108に供給するプラズマ生成ガスとしてHFガスを使用し、複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板110に形成されたラジカル導入孔111を介してラジカルを供給した場合でも、処理ガスがArのみの場合には、基板表面の自然酸化膜は除去できず、表面処理の目的を達することができなかった。また、プラズマ生成ガスとしてHFガスを使用し、処理ガスとして何も流さなかった場合について調べると、表面粗さのRaは2.5nmと、HFを流した場合と比べ悪化した。また、本実施例ではSi基板を用いたが、本発明の基板表面処理はSi基板の表面処理に限るものではない。具体的にはSi、SiGeなどのIV族半導体で基板の表面が構成されていれば良く、さらに具体的にはガラス基板上に貼り合わせられたり、又は堆積された薄いSi層などのIV族半導体の表面の自然酸化膜や有機物汚染除去などの基板表面処理に適用できるものである。
なお、高周波印加電極104に印加する高周波電力密度は、0.001〜0.25W/cm2であることが好ましい。
図6は、プラズマ生成ガスにHFガス、処理ガスにHFを用いた場合の、自然酸化膜とSiのエッチング速度比である自然酸化膜/Siの高周波電力密度依存性である。高周波電力密度を減少させることにより、Siのエッチングが抑制され、自然酸化膜のみ選択的にエッチングされる。ここで、自然酸化膜のエッチング量をSiのエッチング量で割った値を自然酸化膜/Siとする。高周波電力密度が小さくなるとSiのエッチング量が相対的に減少するため自然酸化膜/Siが増加する。一方、高周波電力密度が大きくなるとSiのエッチングが顕著に起こり、自然酸化膜/Siは減少する。ここで、高周波電力密度が大きくなるとSiのエッチングが起こるため、表面が荒れてしまう。表面の荒れを少なくするためには、自然酸化膜/Siを大きくし、高周波電力密度を少なくする必要がある。このため、高周波電力密度は上述の0.001〜0.25W/cm2の範囲内、望ましくは0.001〜0.125W/cm2、さらに望ましくは0.001〜0.025W/cm2が選ばれる。
図1に示した成膜装置1を用いて、図3に示される表面処理装置100を用いた第1の工程を行うことにより、Si基板上に形成された自然酸化膜を除去した後、真空トランスファーチャンバー60を通して第2の工程を行うCVD装置20に搬送し、表面処理処理後の表面にSi及びSiGeの単結晶膜を成長するプロセスについて述べる。
第2の工程後、基板をトランスファーチャンバー60を通してスパッタ装置40で誘電体材料をスパッタ成膜する第3の工程を行い、この基板をトランスファーチャンバー60を通して酸化・窒化装置30で誘電体材料を酸化する第4の工程を行い、その後、基板をトランスファーチャンバー60を通してスパッタ装置40で金属電極材料をスパッタする第5の工程を行うプロセスを行い、FETデバイスを製造する。なお、装置10〜50は、それぞれの搬送又はプロセスコントローラ70〜74により制御されている。
尚、第3の工程における誘電体材料成膜は、スパッタリングの他、CVDによるものであっても良い。同様に、第5の工程における金属電極材料成膜は、スパッタリングの他、CVDによるものであっても良い。
ただし本発明の平坦な表面を維持しながらドライ基板表面処理を行なうことが可能な基板処理方法を有効に使用するためには、表面処理ユニット100、CVD成膜ユニット20、ロードロック室50、搬送室60を少なくとも1つ以上備えていることが好ましい。この構成を持つことにより、ロードロックがあるため安定した雰囲気の減圧状態で高いスループットでドライ基板表面処理を行なうことが可能となり、大気中に基板を持ち出すことなく真空中を搬送室を通してCVD成膜ユニットへ搬送し、成膜を行なうことによって、Si基板表面とCVD成膜したSi/SiGe層との界面状態を良好に保つことが可能となるからである。
同様にスパッタユニット30の詳細は図示していないが、チャンバと、基板を保持するための基板ホルダーと、チャンバ内にガスを導入する機構と、チャンバ内を排気する排気手段、および誘電体又は導電性金属のターゲットを設置するためのスパッタリングカソード、そして高周波電力供給機構又は直流電力供給機構があれば良い。
なお、スパッタユニット30の図示しない誘電体又は導電性金属のターゲットを設置するためのスパッタリングカソードは、1つである必要はない。連続または連続しない複数の膜を成膜するため、複数のターゲットを設置するための複数のスパッタリングカソードを備えても良い。また、成膜分布の均一性の観点から、基板ホルダーは載置された基板を回転させるために回転する機構を備えることが好ましい。また、反応性スパッタによる成膜が行なえるように、スパッタユニット30のガス導入機構は、Arなどの不活性ガスのみならず、N2やO2などの反応性ガス、またはそれら反応性ガスとArガスとの混合ガスも導入できるようになっていることが好ましい。
Claims (11)
- 処理室内に配置された半導体基板の表面を処理する方法であって、
プラズマ生成室内においてフッ化水素を含有するプラズマ生成ガスを励起して、プラズマを生成し、
該プラズマ中のイオンを遮蔽し、かつ該プラズマ中のラジカルを該プラズマ生成室から該処理室へと選択的に通過させ、
該処理室内に、励起されていないフッ化水素を含有する処理ガスを導入し、
該処理室内に導入された該ラジカルと該処理ガスとの混合した雰囲気によって、該半導体基板の表面を処理している方法。 - 該処理ガスが、実質的にフッ化水素からなる請求項1の方法。
- 該プラズマ生成ガスが、実質的にフッ化水素からなる請求項1の方法。
- 該ラジカルを選択的に通過させることは、該プラズマ室と該処理室とを仕切るプラズマ閉じ込め電極板のラジカル通過孔を通して、該プラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを該プラズマ室から該処理室へ通過させることで、行なわれている請求項1の方法。
- 該半導体基板はSi基板であり、Si基板の自然酸化膜をエッチング除去して該Si基板を洗浄処理している請求項1の方法。
- MOS構造におけるゲート絶縁膜を形成する方法において、
請求項5の方法にてSi基板の表面洗浄をし、
該表面洗浄されたSi基板を大気に晒すことなくエピタキシャル室に移動させ、該エピタキシャル室で該表面洗浄されたSi基板上にエピタキシャル層を形成し、
該エピタキシャル層が形成されたSi基板を大気に晒すことなくスパッタ室に移動させ、該エピタキシャル層上に誘電体膜をスパッタリングで形成し、そして
該誘電体膜の形成されたSi基板を大気に晒すことなく酸化・窒化室に移動させ、該誘電体膜を酸化・窒化又は酸窒化して該ゲート絶縁膜を形成している方法。 - 該誘電体膜は、Hf、La、Ta、Al、W、Ti、Si、Geのグループから選択されたもの又はそれらの合金である請求項6の方法。
- 半導体基板の表面を処理する処理室を含む半導体基板処理装置であって、
フッ化水素を含有するプラズマ生成ガスを励起して、プラズマを生成するプラズマ生成室、
該プラズマ中のイオンを遮蔽し、かつ該プラズマ中のラジカルを該プラズマ生成室から該処理室へ選択的に通過させる手段、及び
該処理室内に、励起されていないフッ化水素を含有する処理ガスを導入する手段、を備え、
該処理室内に導入された該ラジカルと該処理ガスとの混合した雰囲気によって、該半導体基板の表面を処理することを特徴とする半導体基板処理装置。 - 該ラジカルを選択的に通過させる手段は、該プラズマ室と該処理室とを仕切るプラズマ閉じ込め電極板であって、該プラズマ閉じ込め電極板には該プラズマ室と該処理室とを連通するラジカル通過孔が設けられ、該ラジカル通過孔を通して該プラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを該プラズマ室から処理室へ通過させることを特徴とする請求項8の半導体基板処理装置。
- 該プラズマ生成ガスが、総プラズマ生成ガス量に対し0.2〜1.0の比率のフッ化水素を含み、
該処理ガスが、総処理ガス量に対し0.2〜1.0の比率の励起されていないフッ化水素を含む、
ことを特徴とする請求項1の方法。 - 該プラズマ生成ガスが、総プラズマ生成ガス量に対し0.2〜1.0の比率のフッ化水素を含み、
該処理ガスが、総処理ガス量に対し0.2〜1.0の比率の励起されていないフッ化水素を含む、
ことを特徴とする請求項8の半導体基板処理装置。
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