JPS6066823A - 半導体エッチング方法 - Google Patents
半導体エッチング方法Info
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、珪素または炭化珪素を主成分とする 。
半導体のプラズマ・エンチングを行う方法において、特
に弗化水素（以下肝という）気体を用いることにより、
エツチング後に良質な残存物のない表面を得る方法に関
する。
に弗化水素（以下肝という）気体を用いることにより、
エツチング後に良質な残存物のない表面を得る方法に関
する。
半導体ディバイス作製プロセスにおい゛Ｃ２小型化、高
集積化が進み、プラズマ・エンチングを含むドライ・エ
ツチングが重要になってきている。
集積化が進み、プラズマ・エンチングを含むドライ・エ
ツチングが重要になってきている。
従来、珪素または珪素化合物のプラズマ・エツチングに
は反応性ガスとしてＣＩ”＞、、ＣＩ馬、ＣＦ３Ｂｒ等
のようなハロゲン化炭化水素を用い、それらに必要に応
して水素、窒素、酸素等の補助ガスを添加してプラズマ
・エツチング・プロセスを行ってい／り・しかしエツチ
ングされる半導体が珪素または炭化珪素のごとき珪素を
主成分とする非単結晶半導体にあっては、この中にプラ
ズマ・エッチの際同時にラジカルの一部がスパンタされ
て混入する。
は反応性ガスとしてＣＩ”＞、、ＣＩ馬、ＣＦ３Ｂｒ等
のようなハロゲン化炭化水素を用い、それらに必要に応
して水素、窒素、酸素等の補助ガスを添加してプラズマ
・エツチング・プロセスを行ってい／り・しかしエツチ
ングされる半導体が珪素または炭化珪素のごとき珪素を
主成分とする非単結晶半導体にあっては、この中にプラ
ズマ・エッチの際同時にラジカルの一部がスパンタされ
て混入する。
しかしＢ ｒ ＋ ＣＩ は再結合中心を発生し、Ｃ１
０は絶カ、す化をさせてしまう。このため、これら卵重
゛」結晶半導体のプラズマ・エッチとしては、これらで
はフ１１＜ＩＩ、Ｆののによるプラズマ・エッチ・プロ
セスの開発がめられていた。本発明はかかる目的を初め
て満たしたものである。
０は絶カ、す化をさせてしまう。このため、これら卵重
゛」結晶半導体のプラズマ・エッチとしては、これらで
はフ１１＜ＩＩ、Ｆののによるプラズマ・エッチ・プロ
セスの開発がめられていた。本発明はかかる目的を初め
て満たしたものである。
一般にエツチング反応に直接関係していると考えられて
いるのは、プラズマのエネルギによす活性化された弗素
ラジカル（Ｆ ）であり、残りの炭素（Ｃ）や塩素（Ｃ
Ｉ）、臭素（Ｂｒ）等は反応に関与−ロす、排気されて
いくとされている。しかし、これらのうち炭素は不揮発
性物質であり、反応管壁、電イ広、試Ｉ′−１台および
８１℃料表面に堆積してしまう。
いるのは、プラズマのエネルギによす活性化された弗素
ラジカル（Ｆ ）であり、残りの炭素（Ｃ）や塩素（Ｃ
Ｉ）、臭素（Ｂｒ）等は反応に関与−ロす、排気されて
いくとされている。しかし、これらのうち炭素は不揮発
性物質であり、反応管壁、電イ広、試Ｉ′−１台および
８１℃料表面に堆積してしまう。
ｉ１Ｌ積する炭素の多くは化学的に活性であり、Ｃ＋
４１＋″ → ＣＦ４ または、 ＣＩＯ→ ＣＯ（酸素がある場合） などの反応式で示されるように、即座に取り除かれると
考えるが、それにもかかわらず炭素は堆積し、エツチン
グ後の珪素または炭化珪素化合物を主成分とする半導体
の物性に悪影響を与えることが知られている。
４１＋″ → ＣＦ４ または、 ＣＩＯ→ ＣＯ（酸素がある場合） などの反応式で示されるように、即座に取り除かれると
考えるが、それにもかかわらず炭素は堆積し、エツチン
グ後の珪素または炭化珪素化合物を主成分とする半導体
の物性に悪影響を与えることが知られている。
そごで本発明はエツチング後に良質な残存物のない表面
を（８るために、プラズマ・エツチングの反応性ガスに
肝（弗化水素気体を以下肝またはＩＩＦガスという）を
用いた。肝ガスは構造式からも明らかなように、水素と
弗素とよりなり、エツチング反応に直接関係のない水素
は試料表面に残存し７ていたとしても、珪素または炭化
珪素化合物を主成分とする半導体の物性には何等悪影響
を与えない。
を（８るために、プラズマ・エツチングの反応性ガスに
肝（弗化水素気体を以下肝またはＩＩＦガスという）を
用いた。肝ガスは構造式からも明らかなように、水素と
弗素とよりなり、エツチング反応に直接関係のない水素
は試料表面に残存し７ていたとしても、珪素または炭化
珪素化合物を主成分とする半導体の物性には何等悪影響
を与えない。
また試料表面に残存する水素を除去する速度と同様に残
存する炭素を除去する速度を比軸すると、明らかに水素
の除去速度の方が速い。
存する炭素を除去する速度を比軸すると、明らかに水素
の除去速度の方が速い。
また、肝ガスを用いることにより、窒化珪素、酸化珪素
（Ｓｉｎ２）、 Ｍｅｔａｌ等の被膜に幻する珪素また
は炭化珪素化合物半導体の選択比が太きく１４られる。
（Ｓｉｎ２）、 Ｍｅｔａｌ等の被膜に幻する珪素また
は炭化珪素化合物半導体の選択比が太きく１４られる。
このため、これらの辛皮股は選択コニソチのマスクとし
て用い得ることが判明した。
て用い得ることが判明した。
さらに肝ガスは酸素または酸化物気体をＪ％ｋｌ下とし
て純度９９％以上（好ましくは９９．９％以上）を有せ
しめた。なぜなら、不純物である酸化物が活性化してエ
ツチングされた材＊１例えば珪素と反応し、酸化珪素を
局部的に作り、マスク被膜を形成してしまうことを防く
ためである。かくのごとき高純度とすることにより、エ
ッチ後の半導体表面は平坦な光沢のある表面とすること
が可能となった。
て純度９９％以上（好ましくは９９．９％以上）を有せ
しめた。なぜなら、不純物である酸化物が活性化してエ
ツチングされた材＊１例えば珪素と反応し、酸化珪素を
局部的に作り、マスク被膜を形成してしまうことを防く
ためである。かくのごとき高純度とすることにより、エ
ッチ後の半導体表面は平坦な光沢のある表面とすること
が可能となった。
本発明において、珪素とはプラズマによりＳｉ ＋ ４
１１Ｆ −＋ ＳｉＦ、 →−２１１７の反応をしてい
るものと推察される。しかし一般にＦのラジカルでエツ
チングされると考えられているＳｉＯかエツチングされ
ない。理由は十分解明できず、ＳｉＯの表面に弗素の鎮
状結合ができて、酸化珪素表面が不動体化しているもの
と推定される。これらの反応は従来公知のＣＦ、＋０□
でのＳｉ 十〇、→ ５ｉＯｚ Ｓ夏０． ＋ ４Ｆ −ＳｉＦ４ ＋ ２０ □と反応
機構はまったく異なるものであるが、実験的に見いださ
れノこ正確な事実である。
１１Ｆ −＋ ＳｉＦ、 →−２１１７の反応をしてい
るものと推察される。しかし一般にＦのラジカルでエツ
チングされると考えられているＳｉＯかエツチングされ
ない。理由は十分解明できず、ＳｉＯの表面に弗素の鎮
状結合ができて、酸化珪素表面が不動体化しているもの
と推定される。これらの反応は従来公知のＣＦ、＋０□
でのＳｉ 十〇、→ ５ｉＯｚ Ｓ夏０． ＋ ４Ｆ −ＳｉＦ４ ＋ ２０ □と反応
機構はまったく異なるものであるが、実験的に見いださ
れノこ正確な事実である。
以下にその実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明に用いたｐｃｖｎ装置の概要を示す。
図面において、エツチングされる基板（１）はホルダー
にに配設され石英製の反応炉（２）内に挿入した。基板
は外側より室６１に〜３００℃例えばＩ ００゛Ｃにヒ
ータによりノＪＩ珪（シした。プラズマはｉｔ”１１周
波電源（１３）により１３．５６ＭＩＩｚの電気エネル
ギを−・幻のｔ閉状電極（３）、（３’）に加えて供給
した。反）応１ｇｉ ［；１真空引きを真空ポンプ（１
１）によりバルブ（！］ ）。
にに配設され石英製の反応炉（２）内に挿入した。基板
は外側より室６１に〜３００℃例えばＩ ００゛Ｃにヒ
ータによりノＪＩ珪（シした。プラズマはｉｔ”１１周
波電源（１３）により１３．５６ＭＩＩｚの電気エネル
ギを−・幻のｔ閉状電極（３）、（３’）に加えて供給
した。反）応１ｇｉ ［；１真空引きを真空ポンプ（１
１）によりバルブ（！］ ）。
（１０）を開として行い、１０’ｔ、ｏｒｒ以下にして
１１ｉｕ、 ；（’ｙ酸成分除去した。
１１ｉｕ、 ；（’ｙ酸成分除去した。
この後、（６）よりＩＩＰを１００ｃｃ ７分供給し１
．：１−７千用反応炉内を０．０５〜３Ｌｏｒｒここで
は０．２１．ｏｒｒとした。基板としてアモルファス珪
素、ア°（ルソアス炭化珪素、単結晶珪素（１００）
または（ＩＩ＋ ）面方位を用いた。するとアモルファ
ス珪素゛１′者体は５０Ｖｔ’のプラズマ出力にて９０
０人／分のＪ−フチ３士度を１！７た。単結晶珪素にお
いては、７５０人／分のエッチ速度を１ηた。さらに非
晶質炭化珪素においては、４００人／分のエッチ速度を
得た。
．：１−７千用反応炉内を０．０５〜３Ｌｏｒｒここで
は０．２１．ｏｒｒとした。基板としてアモルファス珪
素、ア°（ルソアス炭化珪素、単結晶珪素（１００）
または（ＩＩ＋ ）面方位を用いた。するとアモルファ
ス珪素゛１′者体は５０Ｖｔ’のプラズマ出力にて９０
０人／分のＪ−フチ３士度を１！７た。単結晶珪素にお
いては、７５０人／分のエッチ速度を１ηた。さらに非
晶質炭化珪素においては、４００人／分のエッチ速度を
得た。
他方、金属例えばアルミニｊ、−ム、酸化珪素、窒化珪
素は１時間行っても２００人／分ツ士であっ゛ た。即
ち３人／分以下であった。エツチングのＪｊｆＪｊ、！
比として１００ （ｉ）近くを得ることができた。
素は１時間行っても２００人／分ツ士であっ゛ た。即
ち３人／分以下であった。エツチングのＪｊｆＪｊ、！
比として１００ （ｉ）近くを得ることができた。
フζ施例２
り１結晶珪素基板上に熱酸化膜を１０００人の厚さに形
成し、選択的に酸化珪素を残存せしめ、珪素を一部にお
いて露呈させた。
成し、選択的に酸化珪素を残存せしめ、珪素を一部にお
いて露呈させた。
かかる基板を実施例１に示した反応炉内に導入し、プラ
ズマ・エッチを施した。
ズマ・エッチを施した。
するとｉｌｉ結晶珪素を３μの深さに約６０分で得るこ
とができた。この時酸化珪素はマスクであり、３００人
のエツチングしかされず、十分マスク材料とし゛ζ有９
）ノであることが判明した。
とができた。この時酸化珪素はマスクであり、３００人
のエツチングしかされず、十分マスク材料とし゛ζ有９
）ノであることが判明した。
さらに珪素表面をｔｄｌ察した結−果、その表面ば鏡面
を有し、炭素等の残存物が全く見られなかった。
を有し、炭素等の残存物が全く見られなかった。
以上の説明のごとく、本発明方法は純度９９％以」二の
ＩＩＦを１月いているため、プラズマ・エッチをした後
、炭素、塩素、臭素が残存物としてエッチされた表面に
残ることはない。
ＩＩＦを１月いているため、プラズマ・エッチをした後
、炭素、塩素、臭素が残存物としてエッチされた表面に
残ることはない。
このため、ＶＬＳＩ （超集積化回路）工程においても
、またアモルファス半導体を用いた半導体装置の作興に
おいても、晶信頼性を有せしめることがＨ，Ｊ能となっ
た。
、またアモルファス半導体を用いた半導体装置の作興に
おいても、晶信頼性を有せしめることがＨ，Ｊ能となっ
た。
さらにＣＦ３ Ｂｒ等の炭化弗化物はその弗素ラジカル
（ＣＦ、ラジカルともいわれている）の寿命がきわめて
長い。このため排気ポンプ（第１図（ＩＩ） ）のオイ
ルを劣化させて精度が低下し、貫空引きを不可能にし一
部しまうという欠点を有する。他方、本発明方法の肝を
用いた場合はオイルの精度低下が１００時間使用しても
まったく見られないという他の特長を有する。
（ＣＦ、ラジカルともいわれている）の寿命がきわめて
長い。このため排気ポンプ（第１図（ＩＩ） ）のオイ
ルを劣化させて精度が低下し、貫空引きを不可能にし一
部しまうという欠点を有する。他方、本発明方法の肝を
用いた場合はオイルの精度低下が１００時間使用しても
まったく見られないという他の特長を有する。
また本発明方法は酸化珪素がプラズマ化されて１１Ｆま
たはそのラジカルで１ノチングされず、前記１１ｉがエ
ツチングされるという面で従来のＣＦ、 ＋ ０．。
たはそのラジカルで１ノチングされず、前記１１ｉがエ
ツチングされるという面で従来のＣＦ、 ＋ ０．。
ＣＦＬＣｌ、等のプラズマ・エッチ・プロセスとは異ゾ
、ｙつたまったく逆の反応機構によるものと１１Ｆ、定
される。
、ｙつたまったく逆の反応機構によるものと１１Ｆ、定
される。
このことにより、本発明は従来より公知の０１：４１０
□等のプラズマ・エッチ方法では予想することのできな
いもので、残存成分のない／ｉ′＃値な処理表面を得、
さらに不要ラジカルによるオイルの劣化がきわめて少な
いものである。さらにアモルファス珪素等の非単結晶半
導体中にスパッタでラジカルの１１，１・が混入されて
も、この１１．Ｆが再結合中心中和剤としても作用し得
るという多くの特長を有Ａるもので、その工業上のｔ＋
ｌｌｉ値は大なるものと信する。
□等のプラズマ・エッチ方法では予想することのできな
いもので、残存成分のない／ｉ′＃値な処理表面を得、
さらに不要ラジカルによるオイルの劣化がきわめて少な
いものである。さらにアモルファス珪素等の非単結晶半
導体中にスパッタでラジカルの１１，１・が混入されて
も、この１１．Ｆが再結合中心中和剤としても作用し得
るという多くの特長を有Ａるもので、その工業上のｔ＋
ｌｌｉ値は大なるものと信する。
なお本発明において、エッチされる半導体の副成分とし
ては再結合中心中和用の水素、弗素またはＰまたはＮ型
の導電型を決める不純物が主たるものであることをイ１
８己する。もちろん１圭素または炭化珪素が全成分の５
０％を越える場合の材料を；ｔ、発明のエッチを行う対
象材料としているこ、とはいうまでもない。
ては再結合中心中和用の水素、弗素またはＰまたはＮ型
の導電型を決める不純物が主たるものであることをイ１
８己する。もちろん１圭素または炭化珪素が全成分の５
０％を越える場合の材料を；ｔ、発明のエッチを行う対
象材料としているこ、とはいうまでもない。
第１図は本発明に用いられたプラズマ・エツチング装置
の概要を示す。 特許出願人 株式会社半導体エネルギー研究所 手 続 袖 止 可（自発） 昭和５９年孔力１５日 特許庁長官 殿 パ゛ ｊ、事件の表示 昭和５８年特許ｊ卯第１７５６８６号 ２、発明の名称 半導体エツチング方法 ３、？ｉｌ白にをする一Ｕ 事イシ１との関係 特許出願人 明イＩＩＩ ’Ｈ：仝文および図面 ５袖止の内存 （１）明ｇｕｔ ；＋４仝文を別紙の通り抽圧する。 （２）第２図、第３図、第４図、第５図を追加する。 明 ／１１１１ Ｐ＋ １、発明の名称 半導体エツチング方法 ２、特許請求の範囲 ■、珪素または炭化珪素を主成分とするＨ１４ ；、２
体を弗化水素気体を用いてプラズマ・エノーｙ−ンクを
行うことを特徴とする半勇体コーソチンクカ法。 ２、酸化珪素、窒化珪素、金属被膜、ｌ／ジスＩ・をマ
スクとして珪素または炭化珪素−にに選択的に設り、前
記マスクのない他部の前記珪＝Ｇ ７１、たは炭化珪素
を主成分とする半２１９体を弗化ノ１１素気体によりプ
ラズマ・エツチングを１Ｊう、ことを特徴とする半導体
エツチング方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項に、１−９いて
、弗化水素気体は９９％以」−の純度を白するご５・−
をｌｉｔ徴とする半導体エツチングｈ法。 ３、発明の詳細な説明 本発明は、珪素または炭化珪素を主成分とず５半導体の
プラズマ・エツチングを１１う力ｌ去において、特に弗
化水素（以下肝という）気体を用いるごとにより、エツ
チング後に良質な残存物のない表面をｉ：ｌる方法に関
する。 半導体ディバイス作製プロセスにおいて、小型化、１ｌ
ｌＩ集積化か進め、プラズマ・エツチングを含むトシイ
・」エツチングが重要になってきている。 従木、珪素または珪素化合物のプラズマ・エツチングに
は反応性ガスとしてＣＦ４ 、ＣＩＩＦａ ＋ ＣＦ３
Ｂｒ、 ｃｃ、。 等のようなハロゲン化物気体を用い、それらに必要に応
して水素、窒素、酸素等の補助ガスを添加してプラズマ
・エツチング・プロセスを行っている。 しかしエツチングされる半導体が珪素または炭化珪素の
ごとき珪素を主成分とする非単結晶半導体にあゲＣは、
この中にプラズマ・エツチングの隙間１１．５にラジカ
ルの一部がスパックされて混入する。Ｂｒ、ＣＩ は非
ｆ１１結晶半専体中において再結合中心を発生し、Ｃ，
Ｏは非単結晶半導体を絶縁化をさせ°Ｃしまう。このた
め、これら非単結晶半導体のプラズマ・エツチングとし
ては、これらを含まないプラズマ・エツチング・プロセ
スの開発がめられていた。本発明はかかる目的を初めて
晶だしたものである。 一般にエツチング反応に直接関係していると′？二えら
れているのは、プラズマのエネルギによりｌ＋’ｉ性化
された弗素ラジカル（Ｆ季入または塩素ラジカル（Ｃ１
）であり、残りの炭素（Ｃ）や臭素（Ｉｆ ｒ ）等は
エツチング反応に直接には関与・Ｕず、１ノ１気されて
いくとされている。しかし、これらのうら炭素は不揮発
性物質であり、反応竹壁、電極、試イ′１台および試ネ
ー１表面に堆積してしまう。堆積する炭素の多くは化学
的に活性であり、 Ｃ＋４Ｆ−ンｃ１？。 まノこは、 ＣＩＯ→ Ｃｏ（酸素がある場合） などの反応式で示されるように、即１＃１ｉ、に取り餘
がれると考えるが、それにもががわらず炭素は１１１４
ｊ’１し、エツチング後の珪素または炭化珪素化合ｑシ
Ｊを主成分とする半導体の物性にｍ）影響を１５えるこ
とが知られている。 そこで本発明はエツチング後に良質な残存物のない表面
をＩＩるために、プラズマ・エツチングの反ＬＬ、＋
１．１：カスに１１トカスを用いた。肝ガスは構造式か
ら４＞ ’ＪＪらかなように、水素と弗素とよりなり、
エツチング後ＬＩＳに直接関係のない水素は試料表面に
残存していたとしても、珪素または炭化珪素化合物を主
成分とする半導体の物性には何等悪影響を与えない。 また試Ｍａ１表面に残存する水素を除去する速度と同様
に残存する炭素を除去する速度を比較すると、明らかに
水素の除去速度の方が速い。 ７１ミだ、肛ガスを用いることにより、窒化珪素、酸化
月素ＳｉＯ、Ｍｅｔ、ｌｌ等の被ｊＩ史に対する珪素ま
たは炭化珪、く″・化合物半一、す体の選択比が大きく
得られる。 ごのノこめ、これらの被膜は選択エツチングのマスクと
して用い（４ｐることが判明した。 さらに肝ガスは１１１２素または酸化物気体を１％以−
１−として純瓜９１ｊン６以」二（好ましくは９９．９
％以上）をイ１−ｌシめた。な−ＩＪなら、不純物であ
る酸化物が粘性化してコーノチングされた材料例えば珪
素と反応し、酸化珪素を局部的に作り、マスク被膜をＪ
［２成してしまうことを防くためである。かり０）ごと
き高純度とすることにより、エツチングｉ多Ｏ）半導体
表面は平坦な光沢のある表面とすることがｉｊＪ能とな
った。 以下にその実施例を示す。 実施例１ 第１図は本発明に用いたプラズマ・エツチング装置の概
要を示す。 図面において、エツチングされるＬ％）ｊ９− （１）
Ｌｌホルダ上に配設され石英製の反ＪＩＬ幻１（２）
内に挿入した。基板は外側より室温〜３００ ’Ｃ例え
ば２５’Ｃに調整した。プラズマは１ｒＩＪ周波電源（
１３）により１３．５６ＭＩＩｚの電気エネルギを一列
の細状電極（３）。 （３′）に加えて供給した。反応炉は真空引きを、１．
“１空ポンプ（１１）によりバルブ（９）、（］ （１
）を開山して行い、１Ｏ−４ｔｏｒｒ以−Ｉ・にして酸
素成分を除去した。 この後、（６）より肝を１ｏＯｃｃ ／分イＪ（給１７
、−１−ノチ用反応炉内を０．０５−３Ｌｏｒｒここで
は（］、５Ｌｏｒｒとした。２Ｌ’ ４Ｆｉとしてアモ
ルファス珪素、アモルフ７ ス炭化ｌ−１−素、ｆＪ’
＞結晶珪素（１００）または（１１１）面方位を用いた
。 この時のエッチツク速度と高周波出力との関係を第２図
にン１りず。このように肛ガスを用いてプラス−フェノ
チンクを行った場合、従来考えられていたように１！：
１１出カはどエツチング速度が増大するのではなく、低
出力例（この実験ではＩＯＷ付近）にエツチング速度の
極大値が見られた。ここでこの場合とまったく同し装置
、同じ条件でガスを従来のブラズーンエノチングで用い
られるＣＦ まノこはＣＦＩＯにした場合のｆｉｌ結晶
、非単結晶珪素のエッチツク速度と１：Ｉノ周波川用の
関係を第３図に丞ず。ＣＦ。 （２０）、Ｃ１・４１Ｏえ（２Ｊ）ともは眉−１」カは
どエツチング速ｊ−リか増大しζいっている。 これらのことより、１１トガスを用いた場合の反応種は
肝うノカルであることが１１１定でき、従来考えられて
いたＩＳラジカル、ＣＦ、ラジカルとは反応機、Ｂｙが
異なると予想できる。 また第２図、第３図において、高周波出刃が７゜Ｗの時
の非単結晶珪素、または単結晶珪素のエフ・チング速度
を比軟すると、次の表１のようになり、肝ガスを用いた
場合はＣＦ、ガスの約２０イ１．１ ％ ＣＩ’６ ＋
（ｌｚガスの約２倍のエツチング速度がで！Ｉられ、
より少ないエネルギーで効率のよいエツチングを行・う
、ユとができる。 表 １ 非単結晶珪素 単結晶珪素 肝ガス １２５０人／分 １３５０人／分ＣＩ鴨 ６０
人／分 ５０人／うｊ ＣＦ ＋０ ７００人／分 ５００人／分７ 次に第４図に肝ガスを用いた時のコー・ｙ ”ｆ−ツク
速度と裁板温度の関係を示す。 この場合も従来考えられている場合とは逆で、低い／＋
！！ｒ度はどエツチング速度は増大していっている。 第５図にＣＦ、ガスを用いた時のエツチング速度と、！
＋！； 、１及６１１ｊ度との関係をη（ず。こちらは
従来考えられ−（いるとＪ、ンリ、温度が高くなるにつ
れてエッチツク速度が］曽大していってし）る。 第１ａ、第５図からも肝ガスを用いたエプラズマユ・ノ
ナングｃ、二おりる反応機構は従来考えちれていノこも
のと番、Ｊ異なると考えられる。旧？ガスを用いた場合
、低出刃、低温度はど、エツチング速度は高い、Ｉ！Ｉ
Ｊらエバ１−ング反応の中心的役割を果たしているのは
旧・ランカルであるといえる。ＩＩＦラジカルか反応４
１１見すると、珪素のエツチング反応は次の式のように
１１ノる。 ２１１Ｆ ＋−Ｓｉ −５ｉｌ１７． ＋ ３６８．２
ｋＪ／ｎ。し−・力Ｃ１？９ の場合は、 ４ＣＦ ｌ５ｉ−３ｉｒ、２＋４ＣＦ３−３６．６ＸＪ
／ｍｏ＋己なり、ＩＩ Ｆラジカルの方は低６１．ｘ度
はどエツチングは辻くなり、逆にｃａｒ、の方は１１ｈ
いほどエツチングは速くなることが上の２式よりわかる
。 このように肝ガスを用いてプラスマエノ千：／グを行う
ことにより、１７Ｃ来とは異なった反Ｌｌ＞機４１Ｘ冒
こて珪素および炭化珪素を主成分とすら非小ｊ、１冒ｎ
’＋ ＪＩ−素をエツチングすることができ、さらにｔ
ｉｆｌ木より低いエネルギーで従来と同しかそれＪ４十
のｉ、ｌ １店を得ることができ、更に半導体層に：Ｒ
）影チ：Ｉをりえ心元素をまったく含まないため、エノ
ナンク後に理想的な半導体を１得ることができた。 他方、金属例えばアルミニ、ニーム、酸化珪素、窒化珪
素はエツチングを１時間行って６２０＋＋に以下であっ
た。即ぢ３人／分以下であった。エツチングの選択比と
して１００倍近くを青るごとができた。 酸化珪素および窒化珪素はＳ １−ＯｌＳ ｉ−Ｉ’Ｊ
の結合において、電気陰性度の差によって珪素元−（−
ε、１δ）に正電荷を帯びている。１ｉｉｆ ｊΔＮの
ように肝ガスを用いた場合、Ｃ１・３ ・ラジカルのよ
うに１゛１１気的に偏った物を含まない為、酸化珪素及
Ｏ−窒化珪素とは反応しがたい。また肝ガスは金属表面
にイ１、ｉ′ｒ′４る２Ｔｈ、高周波出力を加えても金
属表面と活性種とか１月会わない、−５、エツチングさ
れない。このように非？・１シに高い彦沢比が（Ｕられ
るので、プラズマエツチング時のマスクとして酸化珪素
、窒化珪素お、Ｊ、ひ金）ｒバ扱ｊ税を用いるこ点がで
きる。 実施例２ 里れ冒１．′＋珪素！、−（反−１−にｆ′ハ酸化膜を
１０００人の厚さに形成し、選択的に酸化珪素を残存・
ヒしめ、珪素を一部において、；）ｌ呈さ一口ｋ。 かかる基板を実施例１に示した反応炉内に導入し、フ゛
ラスマ・二Ｊニノチンクヲｈ’ｔしノこ。 すると１１ｉ結晶珪素を３μの深さに約６０分で得るこ
とができノこ。この時酸化珪素はマスクであり、３００
人のエツチングしかされず、十分マスク材料として有〃
ＪでＣちることが判明した。 さらに珪素表面を観察した結果、炭素等の残存物が全く
見られなかった。 ＪＥＩ Ｌの説明のごとく、本発明方法は純度９９％以
上のＩｌ＋・を用い−（いるため、プラズマ・工、チン
グをＵ７に後、炭素、塩素、奨素等、半導体に悪影響を
与える物が残存物としてエツチングされ）こ表面または
半導体層中に残ることはない。 このため、νＬＳＩ （超集積化回路）」二稈において
も、またアモルファス半導体を用いた半導体装置の作製
においても、ｉｌ’Ｊ！信頼性を右−〇しめることか可
能となった。 さらにＣＦ、−３１１ｒ、ＣＣＩ□等のハロゲン化物は
そのラジカルの寿命がきわめて長い。このためＩノ＋気
ポンプ（第」図（１１））のオイルを劣化さ−けて性能
が低下し、真空引きを不可能にしてしまうという欠点を
自する。他力、本発明方法の１１トガスを用いた場合は
オイルの性能低−トが１００時間使用してもまったく見
られないという他の特長を有する。 このことにより、本発明は従来より公知の（：１・６］
０４等のプラズマ・エツチング方法では予想ずろごとの
できないもので、残存成分のない清ｉ７＋な処ｆｌｌｊ
表面を冴、少ないエネルギーでｌ１ＩＪいエツチング１
１１度を青、さらに不要ラジカルによるオイルの劣化が
きわめて少ないものである。さらにアモルファス珪素等
の非単結晶半導体中にスバ、夕でラジカルのＨと１？元
素が混入されても、この■−ＩとＦ元素か４１Ｊ結合中
心中和剤としても作用し得るという多くの６長を自する
もので、その工業上の価値は大なるものと信する。 なお本発明において、エツチングされる半導体の副成分
としては４＋ｉ結合中心中和用の水素、弗素またはＹ）
またはＮ型の４電型を決める不純物が主たるものである
ことをイにＪ記する。もちろん珪素または炭化珪素が全
成分の５０％を越える場合の材料を本発明の工、チを行
う対象材料としていること番、１いうまでもない。 ４、図１１１’Ｉ Ｏ） ｆｉ？＋ ’ｌ”＝’ｈ 説
明第１図ばオー発明に用いられたプラズマ・エソチンク
装置の概要を示す。 第２図は温度と圧力一定条件での肝ガスによるエツチン
グ速度と、＋１１周波出力の関係を示す。 第３図は温度と圧力一定条件でのＣＩ＋、およびＣＦ。 ＩＯおガスによるエツチング速度と高周波出力の関係を
示す。 第４図は面周波出力と圧力一定条件でのＩＩＦガスによ
るエツチング速度と基板温度の関係を／Ｉ＜ ’４−
。 第５図は１μノ周波出力と圧力一定条イ１１でのＣ１ｉ
、、カスによるエツチング速度と基４ｔｉ ／１１．Ａ
度の閏（Ｋ、を小・１゛。 ２０．２１．２２．２３ ・・・・非単結晶珪素２０’
、 ２１′、 ２２′、 ２３’ ・・・・単結晶珪素
特許出願人 ′″ｉ１２ 図 ＲＦ ＰＯＷＥＲ（Ｗ） 第３図 蔦４ 図 ＴＥＭＰヒＨＩＵＲＥ（’Ｃ） 第 ５１図 ＴＥＭＰＥＲＴＵＲＥ （℃）
の概要を示す。 特許出願人 株式会社半導体エネルギー研究所 手 続 袖 止 可（自発） 昭和５９年孔力１５日 特許庁長官 殿 パ゛ ｊ、事件の表示 昭和５８年特許ｊ卯第１７５６８６号 ２、発明の名称 半導体エツチング方法 ３、？ｉｌ白にをする一Ｕ 事イシ１との関係 特許出願人 明イＩＩＩ ’Ｈ：仝文および図面 ５袖止の内存 （１）明ｇｕｔ ；＋４仝文を別紙の通り抽圧する。 （２）第２図、第３図、第４図、第５図を追加する。 明 ／１１１１ Ｐ＋ １、発明の名称 半導体エツチング方法 ２、特許請求の範囲 ■、珪素または炭化珪素を主成分とするＨ１４ ；、２
体を弗化水素気体を用いてプラズマ・エノーｙ−ンクを
行うことを特徴とする半勇体コーソチンクカ法。 ２、酸化珪素、窒化珪素、金属被膜、ｌ／ジスＩ・をマ
スクとして珪素または炭化珪素−にに選択的に設り、前
記マスクのない他部の前記珪＝Ｇ ７１、たは炭化珪素
を主成分とする半２１９体を弗化ノ１１素気体によりプ
ラズマ・エツチングを１Ｊう、ことを特徴とする半導体
エツチング方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項に、１−９いて
、弗化水素気体は９９％以」−の純度を白するご５・−
をｌｉｔ徴とする半導体エツチングｈ法。 ３、発明の詳細な説明 本発明は、珪素または炭化珪素を主成分とず５半導体の
プラズマ・エツチングを１１う力ｌ去において、特に弗
化水素（以下肝という）気体を用いるごとにより、エツ
チング後に良質な残存物のない表面をｉ：ｌる方法に関
する。 半導体ディバイス作製プロセスにおいて、小型化、１ｌ
ｌＩ集積化か進め、プラズマ・エツチングを含むトシイ
・」エツチングが重要になってきている。 従木、珪素または珪素化合物のプラズマ・エツチングに
は反応性ガスとしてＣＦ４ 、ＣＩＩＦａ ＋ ＣＦ３
Ｂｒ、 ｃｃ、。 等のようなハロゲン化物気体を用い、それらに必要に応
して水素、窒素、酸素等の補助ガスを添加してプラズマ
・エツチング・プロセスを行っている。 しかしエツチングされる半導体が珪素または炭化珪素の
ごとき珪素を主成分とする非単結晶半導体にあゲＣは、
この中にプラズマ・エツチングの隙間１１．５にラジカ
ルの一部がスパックされて混入する。Ｂｒ、ＣＩ は非
ｆ１１結晶半専体中において再結合中心を発生し、Ｃ，
Ｏは非単結晶半導体を絶縁化をさせ°Ｃしまう。このた
め、これら非単結晶半導体のプラズマ・エツチングとし
ては、これらを含まないプラズマ・エツチング・プロセ
スの開発がめられていた。本発明はかかる目的を初めて
晶だしたものである。 一般にエツチング反応に直接関係していると′？二えら
れているのは、プラズマのエネルギによりｌ＋’ｉ性化
された弗素ラジカル（Ｆ季入または塩素ラジカル（Ｃ１
）であり、残りの炭素（Ｃ）や臭素（Ｉｆ ｒ ）等は
エツチング反応に直接には関与・Ｕず、１ノ１気されて
いくとされている。しかし、これらのうら炭素は不揮発
性物質であり、反応竹壁、電極、試イ′１台および試ネ
ー１表面に堆積してしまう。堆積する炭素の多くは化学
的に活性であり、 Ｃ＋４Ｆ−ンｃ１？。 まノこは、 ＣＩＯ→ Ｃｏ（酸素がある場合） などの反応式で示されるように、即１＃１ｉ、に取り餘
がれると考えるが、それにもががわらず炭素は１１１４
ｊ’１し、エツチング後の珪素または炭化珪素化合ｑシ
Ｊを主成分とする半導体の物性にｍ）影響を１５えるこ
とが知られている。 そこで本発明はエツチング後に良質な残存物のない表面
をＩＩるために、プラズマ・エツチングの反ＬＬ、＋
１．１：カスに１１トカスを用いた。肝ガスは構造式か
ら４＞ ’ＪＪらかなように、水素と弗素とよりなり、
エツチング後ＬＩＳに直接関係のない水素は試料表面に
残存していたとしても、珪素または炭化珪素化合物を主
成分とする半導体の物性には何等悪影響を与えない。 また試Ｍａ１表面に残存する水素を除去する速度と同様
に残存する炭素を除去する速度を比較すると、明らかに
水素の除去速度の方が速い。 ７１ミだ、肛ガスを用いることにより、窒化珪素、酸化
月素ＳｉＯ、Ｍｅｔ、ｌｌ等の被ｊＩ史に対する珪素ま
たは炭化珪、く″・化合物半一、す体の選択比が大きく
得られる。 ごのノこめ、これらの被膜は選択エツチングのマスクと
して用い（４ｐることが判明した。 さらに肝ガスは１１１２素または酸化物気体を１％以−
１−として純瓜９１ｊン６以」二（好ましくは９９．９
％以上）をイ１−ｌシめた。な−ＩＪなら、不純物であ
る酸化物が粘性化してコーノチングされた材料例えば珪
素と反応し、酸化珪素を局部的に作り、マスク被膜をＪ
［２成してしまうことを防くためである。かり０）ごと
き高純度とすることにより、エツチングｉ多Ｏ）半導体
表面は平坦な光沢のある表面とすることがｉｊＪ能とな
った。 以下にその実施例を示す。 実施例１ 第１図は本発明に用いたプラズマ・エツチング装置の概
要を示す。 図面において、エツチングされるＬ％）ｊ９− （１）
Ｌｌホルダ上に配設され石英製の反ＪＩＬ幻１（２）
内に挿入した。基板は外側より室温〜３００ ’Ｃ例え
ば２５’Ｃに調整した。プラズマは１ｒＩＪ周波電源（
１３）により１３．５６ＭＩＩｚの電気エネルギを一列
の細状電極（３）。 （３′）に加えて供給した。反応炉は真空引きを、１．
“１空ポンプ（１１）によりバルブ（９）、（］ （１
）を開山して行い、１Ｏ−４ｔｏｒｒ以−Ｉ・にして酸
素成分を除去した。 この後、（６）より肝を１ｏＯｃｃ ／分イＪ（給１７
、−１−ノチ用反応炉内を０．０５−３Ｌｏｒｒここで
は（］、５Ｌｏｒｒとした。２Ｌ’ ４Ｆｉとしてアモ
ルファス珪素、アモルフ７ ス炭化ｌ−１−素、ｆＪ’
＞結晶珪素（１００）または（１１１）面方位を用いた
。 この時のエッチツク速度と高周波出力との関係を第２図
にン１りず。このように肛ガスを用いてプラス−フェノ
チンクを行った場合、従来考えられていたように１！：
１１出カはどエツチング速度が増大するのではなく、低
出力例（この実験ではＩＯＷ付近）にエツチング速度の
極大値が見られた。ここでこの場合とまったく同し装置
、同じ条件でガスを従来のブラズーンエノチングで用い
られるＣＦ まノこはＣＦＩＯにした場合のｆｉｌ結晶
、非単結晶珪素のエッチツク速度と１：Ｉノ周波川用の
関係を第３図に丞ず。ＣＦ。 （２０）、Ｃ１・４１Ｏえ（２Ｊ）ともは眉−１」カは
どエツチング速ｊ−リか増大しζいっている。 これらのことより、１１トガスを用いた場合の反応種は
肝うノカルであることが１１１定でき、従来考えられて
いたＩＳラジカル、ＣＦ、ラジカルとは反応機、Ｂｙが
異なると予想できる。 また第２図、第３図において、高周波出刃が７゜Ｗの時
の非単結晶珪素、または単結晶珪素のエフ・チング速度
を比軟すると、次の表１のようになり、肝ガスを用いた
場合はＣＦ、ガスの約２０イ１．１ ％ ＣＩ’６ ＋
（ｌｚガスの約２倍のエツチング速度がで！Ｉられ、
より少ないエネルギーで効率のよいエツチングを行・う
、ユとができる。 表 １ 非単結晶珪素 単結晶珪素 肝ガス １２５０人／分 １３５０人／分ＣＩ鴨 ６０
人／分 ５０人／うｊ ＣＦ ＋０ ７００人／分 ５００人／分７ 次に第４図に肝ガスを用いた時のコー・ｙ ”ｆ−ツク
速度と裁板温度の関係を示す。 この場合も従来考えられている場合とは逆で、低い／＋
！！ｒ度はどエツチング速度は増大していっている。 第５図にＣＦ、ガスを用いた時のエツチング速度と、！
＋！； 、１及６１１ｊ度との関係をη（ず。こちらは
従来考えられ−（いるとＪ、ンリ、温度が高くなるにつ
れてエッチツク速度が］曽大していってし）る。 第１ａ、第５図からも肝ガスを用いたエプラズマユ・ノ
ナングｃ、二おりる反応機構は従来考えちれていノこも
のと番、Ｊ異なると考えられる。旧？ガスを用いた場合
、低出刃、低温度はど、エツチング速度は高い、Ｉ！Ｉ
Ｊらエバ１−ング反応の中心的役割を果たしているのは
旧・ランカルであるといえる。ＩＩＦラジカルか反応４
１１見すると、珪素のエツチング反応は次の式のように
１１ノる。 ２１１Ｆ ＋−Ｓｉ −５ｉｌ１７． ＋ ３６８．２
ｋＪ／ｎ。し−・力Ｃ１？９ の場合は、 ４ＣＦ ｌ５ｉ−３ｉｒ、２＋４ＣＦ３−３６．６ＸＪ
／ｍｏ＋己なり、ＩＩ Ｆラジカルの方は低６１．ｘ度
はどエツチングは辻くなり、逆にｃａｒ、の方は１１ｈ
いほどエツチングは速くなることが上の２式よりわかる
。 このように肝ガスを用いてプラスマエノ千：／グを行う
ことにより、１７Ｃ来とは異なった反Ｌｌ＞機４１Ｘ冒
こて珪素および炭化珪素を主成分とすら非小ｊ、１冒ｎ
’＋ ＪＩ−素をエツチングすることができ、さらにｔ
ｉｆｌ木より低いエネルギーで従来と同しかそれＪ４十
のｉ、ｌ １店を得ることができ、更に半導体層に：Ｒ
）影チ：Ｉをりえ心元素をまったく含まないため、エノ
ナンク後に理想的な半導体を１得ることができた。 他方、金属例えばアルミニ、ニーム、酸化珪素、窒化珪
素はエツチングを１時間行って６２０＋＋に以下であっ
た。即ぢ３人／分以下であった。エツチングの選択比と
して１００倍近くを青るごとができた。 酸化珪素および窒化珪素はＳ １−ＯｌＳ ｉ−Ｉ’Ｊ
の結合において、電気陰性度の差によって珪素元−（−
ε、１δ）に正電荷を帯びている。１ｉｉｆ ｊΔＮの
ように肝ガスを用いた場合、Ｃ１・３ ・ラジカルのよ
うに１゛１１気的に偏った物を含まない為、酸化珪素及
Ｏ−窒化珪素とは反応しがたい。また肝ガスは金属表面
にイ１、ｉ′ｒ′４る２Ｔｈ、高周波出力を加えても金
属表面と活性種とか１月会わない、−５、エツチングさ
れない。このように非？・１シに高い彦沢比が（Ｕられ
るので、プラズマエツチング時のマスクとして酸化珪素
、窒化珪素お、Ｊ、ひ金）ｒバ扱ｊ税を用いるこ点がで
きる。 実施例２ 里れ冒１．′＋珪素！、−（反−１−にｆ′ハ酸化膜を
１０００人の厚さに形成し、選択的に酸化珪素を残存・
ヒしめ、珪素を一部において、；）ｌ呈さ一口ｋ。 かかる基板を実施例１に示した反応炉内に導入し、フ゛
ラスマ・二Ｊニノチンクヲｈ’ｔしノこ。 すると１１ｉ結晶珪素を３μの深さに約６０分で得るこ
とができノこ。この時酸化珪素はマスクであり、３００
人のエツチングしかされず、十分マスク材料として有〃
ＪでＣちることが判明した。 さらに珪素表面を観察した結果、炭素等の残存物が全く
見られなかった。 ＪＥＩ Ｌの説明のごとく、本発明方法は純度９９％以
上のＩｌ＋・を用い−（いるため、プラズマ・工、チン
グをＵ７に後、炭素、塩素、奨素等、半導体に悪影響を
与える物が残存物としてエツチングされ）こ表面または
半導体層中に残ることはない。 このため、νＬＳＩ （超集積化回路）」二稈において
も、またアモルファス半導体を用いた半導体装置の作製
においても、ｉｌ’Ｊ！信頼性を右−〇しめることか可
能となった。 さらにＣＦ、−３１１ｒ、ＣＣＩ□等のハロゲン化物は
そのラジカルの寿命がきわめて長い。このためＩノ＋気
ポンプ（第」図（１１））のオイルを劣化さ−けて性能
が低下し、真空引きを不可能にしてしまうという欠点を
自する。他力、本発明方法の１１トガスを用いた場合は
オイルの性能低−トが１００時間使用してもまったく見
られないという他の特長を有する。 このことにより、本発明は従来より公知の（：１・６］
０４等のプラズマ・エツチング方法では予想ずろごとの
できないもので、残存成分のない清ｉ７＋な処ｆｌｌｊ
表面を冴、少ないエネルギーでｌ１ＩＪいエツチング１
１１度を青、さらに不要ラジカルによるオイルの劣化が
きわめて少ないものである。さらにアモルファス珪素等
の非単結晶半導体中にスバ、夕でラジカルのＨと１？元
素が混入されても、この■−ＩとＦ元素か４１Ｊ結合中
心中和剤としても作用し得るという多くの６長を自する
もので、その工業上の価値は大なるものと信する。 なお本発明において、エツチングされる半導体の副成分
としては４＋ｉ結合中心中和用の水素、弗素またはＹ）
またはＮ型の４電型を決める不純物が主たるものである
ことをイにＪ記する。もちろん珪素または炭化珪素が全
成分の５０％を越える場合の材料を本発明の工、チを行
う対象材料としていること番、１いうまでもない。 ４、図１１１’Ｉ Ｏ） ｆｉ？＋ ’ｌ”＝’ｈ 説
明第１図ばオー発明に用いられたプラズマ・エソチンク
装置の概要を示す。 第２図は温度と圧力一定条件での肝ガスによるエツチン
グ速度と、＋１１周波出力の関係を示す。 第３図は温度と圧力一定条件でのＣＩ＋、およびＣＦ。 ＩＯおガスによるエツチング速度と高周波出力の関係を
示す。 第４図は面周波出力と圧力一定条件でのＩＩＦガスによ
るエツチング速度と基板温度の関係を／Ｉ＜ ’４−
。 第５図は１μノ周波出力と圧力一定条イ１１でのＣ１ｉ
、、カスによるエツチング速度と基４ｔｉ ／１１．Ａ
度の閏（Ｋ、を小・１゛。 ２０．２１．２２．２３ ・・・・非単結晶珪素２０’
、 ２１′、 ２２′、 ２３’ ・・・・単結晶珪素
特許出願人 ′″ｉ１２ 図 ＲＦ ＰＯＷＥＲ（Ｗ） 第３図 蔦４ 図 ＴＥＭＰヒＨＩＵＲＥ（’Ｃ） 第 ５１図 ＴＥＭＰＥＲＴＵＲＥ （℃）
Claims (1)
- １．１１素または炭化珪素を主成分とする半導体を弗化
水素気体を用いてプラズマ・エツチングを行うことを特
徴とする半導体エンヂング方法。 ２、ｆ′疫化珪素、窒化珪素、全屈被膜、レジストをマ
スクとして珪素または炭化珪素上、に選択的に設け、前
記マスクのない他部の前記珪素または炭化珪素を主成分
とする半導体を弗化水素気体によりプラズマ・エツチン
グを行うことを特徴とする半導体エンチング方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、弗化
水素気体は９９％以上の純度を有することを特徴とする
半導体エンチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175686A JPS6066823A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体エッチング方法 |
| US06/653,859 US4595453A (en) | 1983-09-22 | 1984-09-24 | Method for etching a semiconductor substrate or layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175686A JPS6066823A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066823A true JPS6066823A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0464177B2 JPH0464177B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=16000462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175686A Granted JPS6066823A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体エッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595453A (ja) |
| JP (1) | JPS6066823A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415930A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Plasma processing device |
| US5431778A (en) * | 1994-02-03 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | Dry etch method using non-halocarbon source gases |
| KR100327950B1 (ko) * | 1998-03-27 | 2002-03-16 | 가네꼬 히사시 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
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|---|---|---|---|---|
| DE3603725C2 (de) * | 1986-02-06 | 1994-08-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung von Siliciumcarbid |
| DE3615519A1 (de) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten |
| JPS6432633A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Taper etching method |
| US4865685A (en) * | 1987-11-03 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
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