JP5304061B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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この発明は、プラズマ処理装置に関するものであり、特に、マイクロ波をプラズマ源としてプラズマを発生させるプラズマ処理装置に関するものである。
LSI(Large Scale Integrated circuit)等の半導体装置は、被処理基板である半導体基板(ウェーハ)にエッチングやCVD(Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング等の複数の処理を施して製造される。エッチングやCVD、スパッタリング等の処理については、そのエネルギー供給源としてプラズマを用いた処理方法、すなわち、プラズマエッチングやプラズマCVD、プラズマスパッタリング等がある。
ここで、プラズマの発生源としてマイクロ波を用いたプラズマ処理装置が、特開2005−100931号公報(特許文献1)に開示されている。特許文献1によると、プラズマ処理装置に設けられた天板(誘電体板)の下面側には、テーパ状の凸部または凹部が設けられている。マイクロ波発生器により発生させたマイクロ波により、天板の下面側のテーパ状の凸部または凹部において、電界の最適な共振領域を形成して、チャンバー(処理容器)内に安定したプラズマを発生させ、上記したエッチング処理等を行うこととしている。
特開2005−100931号公報
被処理基板に対してプラズマ処理を行う際に、プラズマ処理の効率化等の観点から、被処理基板の中央領域に向かって反応ガスを供給するセンターガス導入方式を採用する場合がある。
図5は、センターガス導入方式のプラズマ処理装置101を示す概略断面図である。なお、以下に示す図面においては、紙面上を上方向とする。図5に示すように、プラズマ処理装置101は、円板状の誘電体板106と、誘電体板106の径方向の中央領域に設けられ、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器102内に供給する反応ガス供給部としてのインジェクター103と、誘電体板106と対向する位置に設けられ、被処理基板105を保持する保持台104とを含む。
インジェクター103は、保持台104側に延びる突出部107を備える。突出部107の先端部108には、反応ガスを処理容器102内に供給する供給孔109が設けられている。供給孔109が設けられた突出部107の先端部108は、保持台104と対向する対向面となる誘電体板106の下面110よりも、保持台104側に位置している。このような構成のインジェクター103により、反応ガスを処理容器102内に供給し、プラズマ処理を行う。
プラズマ処理時においては、保持台104と誘電体板106との間、すなわち、誘電体板106の下面110よりも下部側において、電界が発生する。ここで、供給孔109を設けた突出部107の先端部108が、誘電体板106の下面110よりも下部側に位置すると、電界が発生する領域に先端部108が曝され、先端部108に電界が集中してしまうおそれがある。そうすると、電界の集中により先端部108に過大な負荷がかかる。例えば、Arが混合された混合ガスを反応ガスとして使用した場合、先端部108の温度が200℃にまで達してしまう場合もある。そうすると、インジェクター103、引いては、プラズマ処理装置101の寿命が短くなってしまうおそれがある。
この発明の目的は、長寿命化を実現することができるプラズマ処理装置を提供することである。
この発明に係るプラズマ処理装置は、その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、処理容器内に配置され、その上に被処理基板を保持する保持台と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、保持台と対向する位置に設けられ、マイクロ波を処理容器内に導入する誘電体板と、保持台に保持された被処理基板の中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部とを備える。反応ガス供給部は、保持台と対向する誘電体板の壁面よりも誘電体板の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベースを含む。インジェクターベースには、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器内に供給する供給孔が設けられている。
プラズマ処理時において、保持台と誘電体板との間には、マイクロ波プラズマによる電界が形成される。このようなプラズマ処理装置によると、プラズマ処理時において、反応ガス供給部に含まれるインジェクターベースが、保持台と対向する誘電体板の壁面よりも誘電体板の内方側の後退した位置に配置されているため、電界が形成される領域にインジェクターベースが曝されることはなくなる。そうすると、反応ガスを処理容器内に供給する供給孔が設けられたインジェクターベースに電界が集中するおそれを低減することができ、インジェクターベースに対する電界による負荷を軽減することができる。したがって、このようなプラズマ処理装置は、長寿命化を実現することができる。
好ましくは、インジェクターベースのうち、供給孔は、保持台に対向する壁面に設けられている。
さらに好ましくは、保持台に対向する壁面は、平らである。
また、インジェクターベースは、保持台に対向する誘電体板の壁面に達しない範囲で、保持台に対向する壁面から保持台側に延びる突出部を含むよう構成してもよい。
好ましくは、突出部の先端部には、供給孔が設けられている。
さらに好ましい一実施形態として、誘電体板は、円板状であり、インジェクターベースには、供給孔が誘電体板の径方向中央に位置するように設けられている。
このようなプラズマ処理装置によると、プラズマ処理時において、反応ガス供給部に含まれるインジェクターベースが、保持台と対向する誘電体板の壁面よりも誘電体板の内方側の後退した位置に配置されているため、電界が形成される領域にインジェクターベースが曝されることはなくなる。そうすると、反応ガスを処理容器内に供給する供給孔が設けられたインジェクターベースに電界が集中することはなく、インジェクターベースに対する電界による負荷を軽減することができる。したがって、このようなプラズマ処理装置は、長寿命化を実現することができる。
以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図1は、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の要部を示す概略断面図である。図1に示すように、プラズマ処理装置11は、その内部で被処理基板Wにプラズマ処理を行う処理容器12と、処理容器12内にプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部13と、その上に被処理基板Wを保持する円板状の保持台14と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器15と、保持台14と対向する位置に配置され、マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波を処理容器12内に導入する誘電体板16と、プラズマ処理装置11全体を制御する制御部(図示せず)とを備える。制御部は、反応ガス供給部13におけるガス流量、処理容器12内の圧力等、被処理基板Wをプラズマ処理するためのプロセス条件を制御する。
処理容器12は、保持台14の下方側に位置する底部17と、底部17の外周から上方向に延びる側壁18とを含む。側壁18は、円筒状である。処理容器12の底部17には、排気用の排気孔19が設けられている。処理容器12の上部側は開口しており、処理容器12の上部側に配置される誘電体板16、および誘電体板16と処理容器12との間に介在するシール部材としてのOリング20によって、処理容器12は密封可能に構成されている。
マッチング21を有するマイクロ波発生器15は、モード変換器22および導波管23を介して、マイクロ波を導入する同軸導波管24の上部に接続されている。同軸導波管24は、径方向中央に設けられる中心導体25と、中心導体25の径方向外側に設けられる外周導体26とを含む。中心導体25の上端部は、モード変換器22の天井区画壁に接続されている。マイクロ波発生器15において発生させるマイクロ波の周波数としては、例えば、2.45GHzが選択される。なお、導波管23としては、断面が円形状のものや断面が矩形状のものが使用される。
誘電体板16は、円板状であって、誘電体で構成されている。誘電体板16の下部側には、導入されたマイクロ波による定在波の発生を容易にするためのテーパ状に凹んだ環状の凹部27が設けられている。この凹部27により、誘電体板16の下部側にマイクロ波によるプラズマを効率的に生成することができる。なお、誘電体板16の具体的な材質としては、石英やアルミナ等が挙げられる。
また、プラズマ処理装置11は、同軸導波管24によって導入されたマイクロ波を伝播する遅波板28と、複数設けられたスロット穴29からマイクロ波を誘電体板16に導入する薄板円板状のスロットアンテナ30とを備える。マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波は、同軸導波管24を通って、遅波板28に伝播され、スロットアンテナ30に設けられた複数のスロット穴29から誘電体板16に導入される。誘電体板16を透過したマイクロ波は、誘電体板16の直下に電界を生じさせ、処理容器12内にプラズマを生成させる。
保持台14は、高周波電極を兼ねており、底部17から垂直上方に延びる絶縁性の筒状支持部31に支持されている。筒状支持部31の外周に沿って処理容器12の底部17から垂直上方に延びる導電性の筒状支持部32と処理容器12の側壁18との間には、環状の排気路33が形成される。この排気路33の上部には、複数の貫通孔が設けられた環状のバッフル板34が取り付けられている。排気孔19の下部には排気管35を介して排気装置36が接続されている。排気装置36は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。排気装置36により、処理容器12内を所望の真空度まで減圧することができる。
保持台14には、RFバイアス用の高周波電源37がマッチングユニット38および給電棒39を介して電気的に接続されている。この高周波電源37は、被処理基板Wに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、13.65MHzの高周波を所定のパワーで出力する。マッチングユニット38は、高周波電源37側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器12といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容しており、この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
保持台14の上面には、被処理基板Wを静電吸着力で保持するための静電チャック41が設けられている。また、静電チャック41の径方向外側には、被処理基板Wの周囲を環状に囲むフォーカスリング42が設けられている。静電チャック41は、導電膜からなる電極43を一対の絶縁膜44、45の間に挟みこんだものである。電極43には高圧の直流電源46がスイッチ47および被覆線48を介して電気的に接続されている。直流電源46より印加される直流電圧により、クーロン力で被処理基板Wを静電チャック41上に吸着保持することができる。
保持台14の内部には、周方向に延びる環状の冷媒室51が設けられている。この冷媒室51には、チラーユニット(図示せず)より配管52、53を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給される。冷媒の温度によって静電チャック41上の被処理基板Wの処理温度を制御できる。さらに、伝熱ガス供給部(図示せず)からの伝熱ガス、例えば、Heガスがガス供給管54を介して静電チャック41の上面と被処理基板Wの裏面との間に供給される。
ここで、反応ガス供給部13の具体的な構成について説明する。図2は、図1に示すプラズマ処理装置11のうち、IIで示す部分の拡大図である。図1および図2に示すように、反応ガス供給部13は、保持台14と対向する壁面となる誘電体板16の下面63よりも誘電体板16の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベース61を含む。誘電体板16には、径方向の中央領域において板厚方向に貫通し、インジェクターベース61を収容するベース収容部64が設けられている。インジェクターベース61は、ベース収容部64に収容されるように設けられている。インジェクターベース61とベース収容部64との間には、Oリング65が介在しており、処理容器12内の密封性を確保することとしている。
なお、インジェクターベース61の材質としては、アルマイト処理を施したアルミニウムやY(イットリア)コートアルミニウム等が用いられる。ここで、インジェクターベース61において、Oリング65よりも内方側に配置される部分については、Y(イットリア)コートアルミニウムを用い、Oリング65よりも外方側に配置される部分については、アルマイト処理が施されたアルミニウムを用いることが好ましい。なお、インジェクターベース61単体を図1中の矢印IIIの方向から見た図を、図3に示す。また、図示はしないが、このような導電体から構成されるインジェクターベース61は、プラズマ処理装置11の外部において接地された構成となっている。
インジェクターベース61には、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器12内に供給する供給孔66が設けられている。インジェクターベース61のうち、供給孔66は、保持台14に対向する壁面67に設けられている。保持台14に対向する壁面67は、平らである。供給孔66は、複数設けられている。なお、インジェクターベース61には、供給孔66が誘電体板16の径方向中央に位置するように設けられており、供給孔66を含む壁面67の一部が、処理容器12内において露出するよう構成されている。
反応ガス供給部13には、同軸導波管24の中心導体25、スロットアンテナ30および誘電体板16をそれぞれ貫通し、供給孔66に至るようにして形成されたガス流路68が設けられている。中心導体25の上端部に形成されたガス入口69には、途中に開閉弁70やマスフローコントローラのような流量制御器71等が介設されたガス供給系72が接続されている。ガス供給系72により流量等を調整しながら反応ガスを供給する。
次に、この発明の一実施形態に係る上記したプラズマ処理装置11を用いて、被処理基板Wのプラズマ処理方法について説明する。
まず、保持台14上に被処理基板Wを保持させる。次に、処理容器12内を所定の圧力に減圧し、反応ガス供給部13により反応ガスを供給して所定の圧力に維持する。具体的には、ガス流路68から反応ガスを送り込み、供給孔66から被処理基板Wの中央領域に向かって処理容器12内に反応ガスを供給する。その後、プラズマ励起用のマイクロ波をマイクロ波発生器15により発生させ、誘電体板16を介して処理容器12内にマイクロ波を導入し、処理容器12内にプラズマを発生させる。なお、反応ガスは、酸素を混合した反応ガスを含む。このようにして、被処理基板Wにプラズマ処理を行う。
ここで、プラズマ発生時において、保持台14と誘電体板16との間には、上下方向にマイクロ波プラズマによる電界が形成される。このような領域において、導電体から構成される部材が配置され電界中に曝されると、電界が集中して電界による負荷がかかるおそれがある。
しかし、このようなプラズマ処理装置11によると、プラズマ処理時において、反応ガス供給部13に含まれるインジェクターベース61が、誘電体板16の下面63よりも誘電体板16の内方側の後退した位置に配置されているため、電界が形成される領域にインジェクターベース61が曝されることはなくなる。そうすると、反応ガスを処理容器12内に供給する供給孔66が設けられたインジェクターベース61に電界が集中するおそれを低減することができ、インジェクターベース61に対する電界による負荷を軽減することができる。したがって、このようなプラズマ処理装置11は、長寿命化を実現することができる。
なお、プラズマ処理装置11において上記したArが混合された混合ガスを反応ガスとして使用した実験を行なったが、インジェクターベース61が温度上昇を引き起こすことはなかった。
上記の実施の形態においては、インジェクターベース61のうち、保持台14に対向する壁面67を平らにすることとしたが、これに限らず、他の形状であってもよいし、凹凸が設けられていてもよい。
また、保持台14に対向する壁面67から保持台14側に延びるように、突出部を設け、その先端に供給孔を設けることにしてもよい。図4は、この場合におけるプラズマ処理装置の一部を示す拡大断面図であり、図2に示す部分に相当する。なお、図4は、図2に示すプラズマ処理装置とインジェクターベースを除いて同じ構成であり、図4中、図2と同一の部材については、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図4に示すように、インジェクターベース81は、誘電体板16の下面63に達しない範囲で、保持台14に対向する壁面82から保持台14側に延びる突出部83を含む。具体的には、図4中に示す保持台14の上面84から誘電体板16の下面63までの距離Lよりも、保持台14の上面84から突出部83の先端部85までの距離Lの方が長く構成されている。また、突出部83の先端部85には、供給孔86が設けられている。
このように構成することによっても、インジェクターベース81の突出部83の先端部85に電界が集中することはなく、インジェクターベース81に対する電界による負荷を軽減することができる。この場合、より被処理基板Wに近い位置で反応ガスを供給孔86から供給することができるため、プラズマ処理の効率化を図ることができる。
ここで、保持台14に対向する壁面82から先端部85に至るまでの突出部83の長さは、処理容器12内にマイクロ波を導入した際に保持台14と誘電体板16との間に形成される電界と共振する長さと異なるよう構成することが好ましい。こうすることにより、突出部83の電界の共振による影響を少なくして、負荷を軽減することができる。
なお、上記の実施の形態において、インジェクターベースは導電体から構成されることとしたが、これに限らず、石英等の絶縁体から構成されることとしてもよい。
以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。
この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の要部を示す概略断面図である。 図1に示すプラズマ処理装置のうち、IIで示す部分の拡大図である。 図1に示すプラズマ処理装置に含まれるインジェクターベースを図1中の矢印IIIの方向から見た図である。 この発明の他の実施形態に係るプラズマ処理装置の一部を示す拡大断面図であり、図2に示す部分に相当する。 インジェクターを含むセンターガス導入方式のプラズマ処理装置の要部を示す概略断面図である。
符号の説明
11 プラズマ処理装置、12 処理容器、13 反応ガス供給部、14 保持台、15 マイクロ波発生器、16 誘電体板、17 底部、18 側壁、19 排気孔、20,65 Oリング、21 マッチング、22 モード変換器、23 導波管、24 同軸導波管、25 中心導体、26 外周導体、27 凹部、28 遅波板、29 スロット穴、30 スロットアンテナ、31,32 筒状支持部、33 排気路、34 バッフル板、35 排気管、36 排気装置、37 高周波電源、38 マッチングユニット、39 給電棒、41 静電チャック、42 フォーカスリング、43 電極、44,45 絶縁膜、46 直流電源、47 スイッチ、48 被覆線、51 冷媒室、52,53 配管、54 ガス供給管、61,81 インジェクターベース、63 下面、64 ベース収容部、66,86 供給孔、67,82 壁面、68 ガス流路、69 ガス入口、70 開閉弁、71 流量制御器、72 ガス供給系、83 突出部、84 上面、85 先端部。

Claims (5)

  1. その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、その上に前記被処理基板を保持する保持台と、
    プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、
    前記保持台と対向する位置に設けられ、マイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電体板と、
    前記保持台に保持された前記被処理基板の中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部とを備えるプラズマ処理装置であって、
    前記反応ガス供給部は、前記保持台と対向する前記誘電体板の壁面よりも前記誘電体板の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベースを含み、
    前記インジェクターベースには、プラズマ処理用の反応ガスを前記処理容器内に供給する供給孔が設けられており、
    前記供給孔は、前記保持台と対向する前記誘電体板の壁面である前記誘電体板の下面よりも上方側に設けられていて、かつ前記処理容器内に露出している、プラズマ処理装置。
  2. 前記インジェクターベースのうち、前記供給孔は、前記保持台に対向する壁面に設けられている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記保持台に対向する壁面は、平らである、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記誘電体板は、円板状であり、
    前記インジェクターベースには、前記供給孔が前記誘電体板の径方向中央に位置するように設けられている、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  5. その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、その上に前記被処理基板を保持する保持台と、
    プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、
    前記保持台と対向する位置に設けられ、マイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電体板と、
    前記保持台に保持された前記被処理基板の中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部とを備えるプラズマ処理装置であって、
    前記反応ガス供給部は、前記保持台と対向する前記誘電体板の壁面よりも前記誘電体板の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベースを含み、
    前記インジェクターベースの材質は、アルマイト処理を施したアルミニウムまたはY(イットリア)コートアルミニウムであり、
    前記インジェクターベースは、前記誘電体板に設けられた前記インジェクターベースを収容するベース収容部に収容されており、
    前記インジェクターベースと前記ベース収容部との間には、Oリングが介在しており、
    前記インジェクターベースには、プラズマ処理用の反応ガスを前記処理容器内に供給する供給孔が設けられており、
    前記供給孔は、前記保持台と対向する前記誘電体板の壁面である前記誘電体板の下面よりも上方側に設けられていて、かつ前記処理容器内に露出している、プラズマ処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5955062B2 (ja) * 2011-04-25 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5525504B2 (ja) * 2011-11-08 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5082229B2 (ja) * 2005-11-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4833778B2 (ja) * 2006-02-13 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR101204614B1 (ko) * 2008-02-20 2012-11-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치, 성막 장치, 및 성막 방법

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