TW202128273A - 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 - Google Patents

氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202128273A
TW202128273A TW109133616A TW109133616A TW202128273A TW 202128273 A TW202128273 A TW 202128273A TW 109133616 A TW109133616 A TW 109133616A TW 109133616 A TW109133616 A TW 109133616A TW 202128273 A TW202128273 A TW 202128273A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
injection system
precursor
per minute
gas injection
Prior art date
Application number
TW109133616A
Other languages
English (en)
Inventor
托瑪士 赫南迪斯 阿科斯達
亞歷山卓 迪摩斯
彼德 威斯壯
卡列布 密斯金
阿米爾 凱巴夫法拉
阿里 莫巴萊吉
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Publication of TW202128273A publication Critical patent/TW202128273A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008—Feed or outlet control devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

本發明揭示一種氣體注入系統，一種包括氣體注入系統之反應器系統，以及使用氣體注入系統及反應器系統之方法。氣體注入系統可用於氣相反應器系統中，以獨立地監測及控制耦接至反應室之氣體注入系統之複數個通道中的氣體流動速率。

Description

氣體注入系統及包含此系統的反應器系統
本揭示大致上係關於氣相反應器及系統。更特定而言，本揭示係關於用來將氣體引入至反應室的氣體注入系統，關於包括氣體注入系統之反應器及反應器系統，及關於其等之使用方法。
可將諸如化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）、電漿增強化學氣相沉積（plasma-enhanced CVD，PECVD）、及原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）反應器之氣相反應器用於各種應用，包括於基板表面上沉積及蝕刻材料及/或清潔基板表面。例如，氣相反應器可用以沉積及/或蝕刻基板上的層，以形成半導體裝置、平板顯示裝置、光伏打裝置（photovoltaic devices）、微機電系統（microelectromechanical systems，MEMS）、及類似者。
典型的氣相反應器系統包括一反應器，反應器包括一反應室、流體耦接至反應室之一或多個前驅物及/或反應物氣體源、流體耦接至反應室之一或多個載體及/或吹掃氣體源、將氣體（例如，前驅物/反應物氣體及/或載體/吹掃氣體）遞送至反應室之一氣體注入系統、及流體耦接至反應室之一排氣源。
一般而言，希望跨越基板之表面具有均勻膜性質（例如，膜厚度及膜組成）及/或對於膜性質的任何期望變化進行控制。隨著形成於基板表面上之特徵尺寸的減小，控制諸如膜厚度、組成、及電阻率之膜性質變得愈來愈重要。此外，可能希望獨立地調整膜性質；例如，獨立地調整使用氣相反應器沉積之層（諸如使用此等反應器生長之磊晶層）中之膜厚度均勻度及/或組成。因此，需要容許期望地控制及操控導致期望膜性質之參數之氣體注入系統、包括氣體注入系統之反應器系統、及使用氣體注入及反應器系統之方法。
本節提出之任何討論，包括問題及解決方案之討論，僅為了提供本揭示背景之目的而包括在本揭示中，且不應視為承認討論之任何或全部內容在完成本發明時已知或以其他方式構成先前技術。
提供本發明內容來以簡化形式介紹一系列概念。這些概念在下文之本揭示的實例實施例之實施方式中係進一步地詳述。本發明內容並非意欲必然地鑑別所主張標的之關鍵特徵或基本特徵，亦非意欲用以限制所主張標的的範疇。
本揭示內容之各種實施例係關於氣體注入系統，包括氣體注入系統之反應器系統，及使用氣體注入系統及反應器系統之方法。儘管本揭示之各種實施例解決先前氣體注入系統及反應器系統之缺點的方式更詳細地論述於下文，但一般而言，本揭示之各種實施例提供可提供跨越基板表面之膜厚度及/或膜組成之改良控制的氣體注入系統。如更詳細陳述於下文，本揭示之實例可尤其有用於在基板表面上形成摻雜的磊晶層。例示性的系統及方法可容許微調至反應室及/或基板表面之前驅物及摻雜劑流動速率，以容許形成具有期望厚度及/或組成均勻度及/或變化的膜。舉例來說，在一些情況中，可能希望形成具有期望組成變化的膜，而非形成具有跨越基板表面之均勻組成的膜。
根據揭示內容之例示性實施例，一種氣體注入系統包括第一氣體歧管，其包括第一氣體入口及複數個第一氣體出口；第二氣體歧管，其包括第二氣體入口及複數個第二氣體出口；複數個第一氣體閥，其中第一氣體出口中之各者耦接至第一氣體閥之至少一者；及複數個第二氣體閥，其中第二氣體出口中之各者耦接至第二氣體閥之至少一者。第一氣體人口可接收包含第一前驅物及摻雜劑之第一氣體。第二氣體入口可接收包含第一前驅物或第二前驅物及蝕刻劑之第二氣體。根據本揭示之一些實例，第二氣體包括第一前驅物。第一前驅物之化學式及第二前驅物之化學式可包含相同元素中的一或多者或全部。氣體注入系統可更包括耦接至第一前驅物源及第一氣體人口的第一流量控制器及耦接至第一前驅物源及第二氣體入口的第二流量控制器。
根據揭示內容之額外實施例，一種氣體注入系統包括第一氣體歧管，其包括第一氣體入口及複數個第一氣體出口；第二氣體歧管，其包括第二氣體入口及複數個第二氣體出口；複數個第一氣體閥，其中第一氣體出口中之各者耦接至第一氣體閥之至少一者；及複數個第二氣體閥，其中第二氣體出口中之各者耦接至第二氣體閥之至少一者，其中第一氣體入口接收包含蝕刻劑及摻雜劑的第一氣體。第二氣體入口可接收包含前驅物之第二氣體。第一及/或第二氣體可包括載體氣體。氣體注入系統可包括流量控制器以控制載體氣體至第一及/或第二氣體人口之流動速率。
根據揭示內容之額外例示性實施例，氣相反應器系統包括一或多個如本文中所描述之氣體注入系統。例示性的系統亦可包括耦接至反應室的排氣（例如，真空）源，流體耦接至一或多個第一氣體通道的第一氣體源，及流體耦接至一或多個第二氣體通道的第二氣體源。例示性的系統亦可包括額外的氣體及/或排氣源。
根據本揭示之又額外的例示性實施例，提供一種方法。例示性的方法包括使用如文中所述之氣體注入系統及/或反應器系統將材料沉積於基板表面上。例示性的方法可包括自動調整耦接至一或多個第一氣體出口之一或多個閥、及/或自動調整耦接至一或多個第二氣體出口之一或多個閥。例示性方法亦可包括以下步驟：提供來自第一氣體源之第一氣體、及來自第二氣體源之第二氣體中之一或多者的不對稱設置，以例如，調整（例如，獨立地）膜性質，諸如跨越基板表面（包括基板之邊緣區域）之膜厚度、膜厚度均勻度、及膜組成等等。根據一些實例，方法包括使基座在約每分鐘60轉（rotations per minute）至約每分鐘30轉、或約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的旋轉速度下旋轉的步驟。
熟悉此技術人士將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白這些及其他實施例；本發明並未受限於任何已揭示的特定實施例。
下文所提供之例示性實施例的描述僅係例示性且僅係意欲用於說明之目的；下列描述並非意欲限制本揭示或申請專利範圍之範疇。此外，詳述具有所述特徵之多個實施例不意欲排除具有額外特徵之其他實施例、或納入所述特徵之不同組合的其他實施例。
本揭示內容大致係關於氣體注入系統，包括氣體注入系統之反應器及反應器系統，以及使用氣體注入系統及反應器系統之方法。可使用如文中所述之氣體注入系統、反應器、及包括氣體注入系統之反應器系統來加工基板，諸如半導體晶圓。舉實例而言，本文所述之系統可用以在基板表面上形成或生長磊晶層（例如，雙成分（two-component）及/或摻雜半導體層）。可進一步使用例示性的系統來提供對基板表面的蝕刻化學。舉例來說，例示性的系統可於沉積（例如，生長）製程期間提供兩種或更多種氣體之混合物（例如，文中總稱為混合物或簡稱為氣體或第一氣體或第二氣體）。舉例來說，第一氣體可包括第一前驅物及/或摻雜劑、及第二氣體可包括第一前驅物及/或第二前驅物及/或蝕刻劑、或第一氣體可包括蝕刻劑及/或摻雜劑、及第二氣體可包括前驅物。蝕刻劑可用來促進期望的膜沉積、及/或相對於上覆（overlying）基板之第二材料/表面之膜沉積促進上覆基板表面上之第一材料/表面之膜的選擇性沉積。文中描述的例示性氣體注入系統、反應器系統、及方法，可尤其有用於形成具有相當高摻雜劑濃度（例如，大於約30%、約20%或約10%）的膜。
如更詳細說明於下文，使用如文中所述之例示性氣體注入系統係有利的，因其容許獨立計量及控制流動通過氣體注入系統之各種通道，及繼而至反應室之輸入位點（input sites）的氣體（例如，氣體混合物）。氣體流動之獨立控制可繼而容許獨立調整使用包括氣體注入系統之反應器系統所形成之膜的膜性質。舉例來說，可使用例示性氣體注入系統來獨立地調整，例如，基板上之磊晶形成層的摻雜劑濃度分佈及膜厚度（或厚度均勻度）。另外或替代地，可使用例示性氣體注入系統來補償原本可能由於原本可能在反應器系統之反應室內發生之基板表面上之特徵、或其組合而發生的氣體流量變化、耗損率變化（depletion rate variations）、自摻雜（auto doping,）、摻雜劑分佈變化（variations in dopant profiles）。例如，可使用在不同輸入位點的獨立氣體流量控制來補償、或減輕不期望的邊緣效應（例如，減輕邊緣垂捲（edge roll-down），即減小朝向基板邊緣的層厚度增加速率）、及/或旋轉基板的不期望效應，否則其可能會導致不期望的不均勻度、或一或多個膜性質的其他特性。例示性的氣體注入系統可放大至任何期望的通道數目，且可配合氣體混合物使用，同時維持流動速率的期望精確度及控制（例如，獨立於氣體混合物的組成）。另外，若需要，本揭示內容之例示性氣體注入系統可用於相當高的氣體流動速率（例如，通過各通道的大於每分鐘5標準公升的氮氣）及/或可於相當高（例如，接近大氣）壓力下操作。文中所述之系統及方法的此等及其他特徵可尤其有用於在基板上沉積高品質的磊晶層。
如本文所使用，術語前驅物及/或反應物可指一或多種氣體/蒸氣，其參與一化學反應或從其衍生出參與一反應之氣相物質。化學反應可在氣相中及/或氣相與基板表面及/或基板表面上的物種之間發生。
如本文所使用，基板可指具有材料可沉積於其上之表面的任何材料。基板可包括諸如矽（例如，單晶矽）的塊材（bulk material）或可包括上覆於塊材的一或多個層。進一步地，基板可包括各種形貌（topologies），諸如形成在基板之一層的至少一部分之內或之上的溝槽、通孔、線、及類似者。
如本文所使用，術語磊晶層（epitaxial layer）可指在下伏（underlying）實質單晶基板或層上之實質單晶層。
如本文中所使用，術語化學氣相沉積可指任何製程，其中基板係暴露至一或多個氣相前驅物，其等在基板表面上起反應及/或分解，以產生所欲沉積。
如本文所使用，術語膜及/或層可指任何連續或不連續的結構及材料，諸如藉由本文所揭示之方法沉積之材料。例如，膜及/或層可包括二維材料、三維材料、奈米粒子、或甚至部分或完整分子層、或部分或完整原子層、或原子及/或分子團簇（clusters）。膜或層可包含具有針孔（pinholes）的材料或層，其可係至少部分連續的。
如文中所使用，術語結構可指如文中所述之基板，及/或包括一或多個上覆基板之層，諸如一或多個根據如文中所述之方法形成之層的基板。
進一步地，在本揭示中，變數之任兩個數字可構成變數之可工作範圍，且所指示之任何範圍可包括或排除端點。此外，所指示的變數之任何數值（不管此數值是否以「約」來指示）可指精確值或近似值並包括等效值，且可指平均值、中間值、代表值、多數值、或類似者。進一步地，在本揭示中，於一些實施例中，用語「包括（including）」、「由…構成（constituted by）」、及「具有（having）」係獨立地指「一般或廣泛地包含（typically or broadly comprising）」、「包含（comprising）」、「基本上由…組成（consisting essentially of）」、或「由…組成（consisting of）」。在本發明中，於一些實施例中，任何已定義之意義未必排除尋常及慣例意義。
現在轉到圖式，第1圖繪示例示性反應器系統100。反應器系統100可用於各種應用，諸如，比方說，化學氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積、原子層沉積、清潔製程、蝕刻製程等等。雖然例示性實施例在下文係連同磊晶反應器系統描述，但除非另外陳述，否則實施例及本發明並未因此受限。
在所繪示之實例中，反應器系統100包括可選之基板處置系統102、反應室104、氣體注入系統106、及設置於反應室104與基板處置系統102之間之可選的壁108。系統100亦可包括第一氣體源112、第二氣體源114、排氣源110、及基座或基板支撐件116。雖然被繪示為具有兩個氣體源112、114，但反應器系統100可包括任何適宜數目的氣體源。此外，反應器系統100可包括任何適當數目的反應室104，其可各自耦接至氣體注入系統106。在反應器系統100包括多個反應室的情況中，各氣體注入系統可耦接至相同氣體源112、114或不同氣體源。
氣體源112、114可包括用來傳遞至反應室104之化合物或化合物之組合。舉例來說，氣體源112、114可包括一或多種前驅物、一或多種摻雜劑源、一或多種蝕刻劑之各種組合、及氣體混合物，包括一或多種前驅物、摻雜劑源、及/或蝕刻劑與一或多種載體氣體之混合物。
舉例來說，第一氣體源112可包括蝕刻劑及摻雜劑源。第二氣體源114可包括前驅物。或者，第一氣體源112可包括蝕刻劑及摻雜劑源；第二氣體源114可包括前驅物。作為另一實例，第一氣體源112可包括第一前驅物、第二前驅物、及/或蝕刻劑，及第二氣體源114可包括第一前驅物及/或蝕刻劑。包含於第一氣體源112及第二氣體源114中之蝕刻劑可係相同化合物。在各種實施例中，第一氣體源112及第二氣體源114可具有至少一種共同成分（例如，前驅物、蝕刻劑等）。
例示性的蝕刻劑可包括鹵化物，諸如含氯氣體。例示性的含氯氣體包括選自由氯化氫、氯氣、及其類似物組成之群的一或多種氣體。
例示性的前驅物包括含矽前驅物，諸如三氯矽烷（trichlorosilane）、二氯矽烷（dichlorosilane）、矽烷（silane）、二矽烷（disilane）、三矽烷（trisilane）、四氯化矽（silicon tetrachloride）、及其類似物，及/或含鍺前驅物，諸如鍺烷（GeH4 ）、二鍺烷（Ge2 H6 ）、三鍺烷（Ge3 H8 ）、及其類似物。
例示性的摻雜劑源包括包含砷（As）、磷（P）、碳（C）、鍺（Ge）、及硼（B）中之一或多者的氣體。舉例來說，摻雜劑源可包括鍺烷（germane）、二硼烷（diborane）、膦（phosphine）、胂（arsine）、三氯化磷（phosphorus trichloride）。文中描述之氣體注入系統、反應器系統、及方法可尤其有用於形成p型摻雜膜，諸如包含矽、矽鍺、或其類似物的p型摻雜膜。
載體氣體可係或包括一或多種惰性氣體及/或氫氣。例示性的載體氣體包括選自由氫氣、氮氣、氬氣、氦氣或其類似物組成之群的一或多種氣體。
當第一氣體包括第一前驅物及摻雜劑源時，第一氣體可包括體積百分比約30至約5或體積百分比約15至約5之第一前驅物及/或體積百分比約15至約5或體積百分比約10至約5之摻雜劑源。第一氣體源亦可包括體積百分比約75至約95或體積百分比約85至約90之載體氣體。
當第一氣體包括蝕刻劑及摻雜劑源時，第一氣體可包括體積百分比約25至約5、體積百分比約20至約5、或體積百分比約15至約5之蝕刻劑及/或體積百分比約25至約5、體積百分比約20至約5、或體積百分比約15至約5之摻雜劑源。第一氣體源亦可包括體積百分比約60至約95、體積百分比約70至約90、或體積百分比約75至約8之載體氣體。
當第二氣體包括第一前驅物及/或第二前驅物及蝕刻劑時，第一氣體可包括體積百分比約0至約20或體積百分比約5至約15之第一及/或第二前驅物及/或體積百分比約0至約7或體積百分比約2至約5之蝕刻劑。第二氣體源亦可包括體積百分比約75至約95或體積百分比約85至約95之載體氣體。
當第二氣體包括前驅物時，第一氣體可包括體積百分比約5至約20或體積百分比約5至約15之前驅物。第二氣體源亦可包括體積百分比約75至約95或體積百分比約85至約95之載體氣體。
反應器系統100可包括任何適宜數目的反應室104及基板處置系統102。反應器系統100之反應室104可係或包括，例如，交叉流（cross flow）、冷壁磊晶反應室（cold wall epitaxial reaction chamber）。
基座或基板支撐件116可包括一或多個加熱器118，以將基板120（例如）加熱至約500攝氏度至約600攝氏度、約600攝氏度至約700攝氏度、或約700攝氏度至約800攝氏度之溫度。基座或基板支撐件116亦可配置以於加工期間旋轉。根據本揭示之實例，基座或基板支撐件116於約每分鐘60轉至約每分鐘30轉、約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的速度下旋轉。
在反應器系統100之操作期間，基板120（諸如半導體晶圓）係從例如基板處置系統102轉移至反應室104。一旦基板120轉移至反應室104，來自第一及第二氣體源112、114之一或多個氣體（諸如前驅物、摻雜劑、載體氣體、蝕刻劑、及/或吹掃氣體）即經由氣體注入系統106引入反應室104中。如更詳細陳述於下文，氣體注入系統106可用以在基板處理期間計量及控制一或多個氣體自第一氣體源112及第二氣體源114的氣體流量，並提供此類氣體的所欲流至反應室104內的多個位點。
第2圖示意性地繪示根據揭示內容之例示性實施例適合使用作為氣體注入系統106之氣體注入系統200。氣體注入系統200包括耦接至第一氣體源203（其可與氣體源112相同或相似）之第一氣體供應管線202，及耦接至第二氣體源205（其可與氣體源114相同或相似）之第二氣體供應管線204。當提到氣體注入系統200之氣體管線及流體組件時，術語耦接係指流體耦接，且除非另外陳述，否則管線或組件無需直接地流體耦接，而是氣體注入系統200可包括其他介入元件（intervening element），諸如連接器、閥、錶（meters）等等。
氣體注入系統200包括：第一氣體歧管206，其經由第一氣體入口215耦接至第一氣體供應管線202；及第二氣體歧管208，其經由第二氣體入口217耦接至第二氣體供應管線204。第一氣體歧管206包括複數個第一氣體出口210-218。類似地，第二氣體歧管208包括複數個第二氣體出口220-228。第一氣體歧管206及第二氣體歧管208係配置以自一或多個氣體管線（例如，第一及第二氣體管線202、204）接收氣體、及將氣體分佈至一或多個通道（其分別部分地由第一氣體出口208-218及第二氣體出口220-228所界定）中。在所繪示之實例中，來自第一氣體源203及第二氣體源205之第一及第二氣流各被分至五個氣體通道中。雖然被繪示為各具有五個第一氣體出口208-218及第二氣體出口220-228，但根據本揭示內容之氣體注入系統可包括對應於各別氣體之通道數目之任何適宜數目的第一、第二、及/或其他氣體出口。舉例來說，例示性的系統可針對各氣體包括，例如，約1個-10個通道或包括5個、6個、7個、9個或更多個通道。如繪示，第一氣體歧管206及/或第二氣體歧管208可包括迴路配置，以利於均勻的流動分佈通過氣體通道。另外或替代地，第一氣體歧管206及/或第二氣體歧管208可相對於氣體管線202、204具有相當大的直徑，例如，第一氣體歧管206及/或第二氣體歧管208之直徑可較管線202及/或管線204之直徑大2倍、3倍、4倍、或5倍。在所繪示之實例中，第一氣體通道及第二氣體通道係彼此交替相鄰。然而，情況並非必須如此。
如前所指，第一氣體源203及/或第二氣體源205可係兩種或更多種氣體之混合物。在此情況中，一或多種氣體（其繼而可包括或不包括氣體混合物）可自其他源（未繪示）經由流量控制器207-213供應至第一氣體源203及/或第二氣體源205。當位於流量控制器207-213上游之源氣體並非氣體混合物時，流量控制器207-209可適當地為質量流量控制器。舉實例來說，流量控制器207-213中之一或多者可控制載體氣體至第一氣體源203及/或第二氣體源205之流動速率。流量控制器207-213可耦接至氣體源302-308，更詳細地描述於下文。
氣體注入系統200額外包括耦接至第一及第二氣體出口210-228之複數個流量感測器230-248。在所繪示之實例中，各第一及第二氣體出口210-228耦接至單個流量感測器230-248。然而，在某些情況下，可能想要具有某些未耦接到一流量感測器的氣體出口、及/或具有某些耦接到一個以上流量感測器的氣體出口。
可使用流量感測器230-248來監測氣體混合物之流動速率及向使用者提供各通道之即時及/或歷史流動速率資訊，例如，使用圖形使用者介面。另外或替代地，流量感測器230-248可耦接至控制器（例如，控制器294）及耦接至氣體閥250-268，以提供通過氣體閥250-268之受控的氣體流量比。藉由在每個氣體通道中安置至少一流量感測器230-248，可測量及控制氣體通過每個通道的流量比（例如，相對流動速率），而與氣體組成無關。例示性的流量感測器230-248可係或包括各種流量感測器，例如，熱質量流量感測器（thermal mass flow sensors）、基於壓降的流量感測器等等。
氣體閥250-268可容許控制通過一或多個氣體出口210-228之氣體流量（例如，可個別地控制通過氣體出口210-228之各流動速率，或可控制氣體出口群組，諸如耦接至第一氣體歧管206及第一氣體源203、或耦接至第二氣體歧管208及第二氣體源205的所有氣體出口）。氣體閥250-268可包括用來計量氣體流量的任何適宜裝置。根據本揭示之各種實施例，氣體閥250-268各包括比例閥，諸如電磁閥（solenoid valves）、氣動閥、或壓電閥。可選擇具有相當高（例如，0.021-0.14）流量係數（flow coefficient）（Cv）的閥來降低下游的阻流（chocking downstream）。氣體閥250-268可理想地在閉環控制（closed-loop control）下操作，但亦可係能夠（例如，額外地）在開環控制（open-loop control）下操作。
流量感測器230-248及氣體閥250-268起初可形成，例如，質量流量控制器（例如，現成的質量流量控制器）的部分，其中閥的控制功能經控制器294置換。舉例來說，流量計230及氣體閥250可形成設定來以開環模式操作的質量流量控制器270或係其之部分，且其中控制器294提供閥250-268的閉環控制。流量感測器232-248及氣體閥252-268可類似地形成質量流量控制器272-288或係其之部分。此配置容許以標準反應器配置實施及/或使用可容易取得的質量流量控制器及流量感測器及閥。
氣體閥250-268可經由凸緣292耦接至反應室290。可使用額外的管線（例如，管件）及適當的連接器來將氣體閥250-268耦接至凸緣292。例示性凸緣292包括凸緣氣體通道以維持通道直至各別氣體離開進入反應室290中為止；一例示性的凸緣氣體通道310繪示於第3圖。凸緣氣體通道可包括擴張區域312、314及終止於凸緣之相對側且彼此相鄰的各別出口316、318。舉例來說，對應於第一氣流的第一氣體通道可終止於凸緣293的第一側296及對應於第二氣流的第二氣體通道可終止於凸緣292的第二側298。
氣體注入系統200可視情況包括水分樣本面板（moisture sample panel）。水分樣本面板可包括，例如，一或多個壓力感應器、氣動閥、及/或限制器（restrictors）。一例示性的水分樣本面板揭示於2018年6月4日提出申請之美國申請案序號15/997,445，標題為「氣體分佈系統及包括該系統之反應器系統 （GAS DISTRIBUTION SYSTEM AND REACTOR SYSTEM INCLUDING SAME）」中，以其內容不與本揭示相衝突之程度，將其相關內容以引用的方式併入本文。
反應室290可由（例如）石英形成。於基板加工期間反應室290內之例示性操作壓力可在（例如）約0.5毫托（mTorr）至約780托（Torr）之範圍內。舉例來說，壓力可在約2毫托至約780托之範圍內。根據本揭示之例示性實施例，系統200可於各通道內於此壓力範圍內提供期望、穩定、獨立的流量控制。
控制器294可配置以執行如本文所述之各種功能及/或步驟。控制器294可包括一或多個微處理器、記憶體元件、及/或開關以執行各種功能。雖然繪示為單一單元，但控制器294可替代地包含多個裝置。舉實例來說，控制器294可用來控制氣體自第一氣體源203及/或第二氣體源205於複數個氣體通道中之流動，其可（例如）於各別的第一或第二氣體出口之間跨越，視情況通過凸緣292，及視情況至反應室290。控制器294可配置以使用，例如，相同的硬體提供開環及/或閉環流量控制。特定而言，控制器294可配置以於耦接至各別源的各通道中提供各別氣體（例如，來自第一氣體源203或第二氣體源205）之總流量的期望比率。根據揭示內容之各種實例，控制器294包括比例積分微分（proportional-integral-derivative，PID）控制器，其容許獨立、閉環控制文中描述之各種可控制閥，包括氣體閥250-268。利用比例積分微分閉環控制，系統200可將一或多個（例如，所有）氣體通道中之流量動態調整至設定點及/或當於氣體源之間切換及/或當操作壓力相當高（例如，接近大氣壓）時提供氣體至反應室290之穩定（尤其起始的）流動速率。閉環控制允許自動及穩定控制在諸如記述於文中之相當多樣的壓力範圍內通過各通道的流動速率。閉環控制進一步允許無工具匹配的控制，此通常係傳統系統所需。舉例來說，使用比例積分微分控制，可選擇各控制閥的起始設定點。然後可結合控制器294之比例積分微分控制器使用來自耦接至可控制閥之各流量感測器之輸出的流量比反饋，來控制各控制閥的期望設定點（即流量比）。
文中描述之系統及方法改良使用此系統及/或方法沉積之膜內之摻雜劑的濃度分佈。根據本揭示之實例，自基板中心至邊緣之摻雜劑的濃度不均勻度變化小於10%，小於7.5%，及小於6%，即使摻雜劑具有相當高濃度亦然。
如前所指，根據本揭示之至少一實施例，第一氣體入口202可接收包含第一前驅物及摻雜劑源的第一氣體，及第二氣體入口204可接收包含第一前驅物或第二前驅物及蝕刻劑之第二氣體。在此情況，氣體源302可包括如文中所述之前驅物，氣體源304可包括如文中所述之摻雜劑源，氣體源306可係或包括氣體源302或另一（例如，第二）前驅物氣體源，及氣體源308可包括蝕刻劑。第4圖繪示共用氣體源302之一實例。流量控制器207及211耦接至共用氣體源302。當氣體源302及306係相同/共用的源時，第一氣體源203與第二氣體源205之間的氣體比率可自，例如，約0.8至約0.9、約0.9至約1.0、或約1.0至約1.3變化。
根據本揭示之其他實例，第一氣體入口215可接收包含蝕刻劑及摻雜劑源之第一氣體，及第二氣體入口217可接收包含前驅物之第二氣體。在此情況，氣體源302可包括如文中所述之蝕刻劑，氣體源304可包括如文中所述之摻雜劑源，氣體源306可包括如文中所述之前驅物源，及氣體源308可包括載體氣體。在此情況，載體氣體及前驅物氣體之流動速率可各自獨立地控制，以對所沉積的膜組成提供額外的控制。
在各種實施例中，文中之系統及方法可對朝向基板邊緣之膜減輕不期望的效應（例如，邊緣垂捲），以及改良膜中的期望鍺濃度。舉例來說，在基板加工期間包括第一氣體及第二氣體兩者共同的化合物（例如，於來自第一氣體源203之第一氣體與來自第二氣體源205之第二氣體之間具有共同的前驅物及/或蝕刻劑）可達成有利的結果。作為再一實例，第一氣體源203及第二氣體源205皆可包含氯化氫及/或鍺烷及將其傳遞至反應室290。
參照表1及第5A圖到第5C圖，描述本揭示的四個實例，其中將包含各種成分之氣體輸送通過反應器系統的第一氣體源及第二氣體源（例如，第2圖中顯示的第一氣體源203及第二氣體源205），將其彼此相比。在數據組512、522所描述的實例中，第一氣體及第二氣體不具有共同成分，而在另三個實驗中，第一氣體包含與第二氣體共同的成分。數據組512及522顯示於所有三個圖表500、550、及600中。各圖表中之頂部圖（頂部圖510、560、及610）顯示沉積於基板上之矽鍺層中之鍺含量成基板上位置之函數（x軸上之「0」位置指示基板之中點，及沿x軸在任一方向中移動指示自基板中心朝向基板邊緣移動）。各圖表中之底部圖（底部圖520、570、及620）顯示沉積於基板上之矽鍺層的厚度成基板上位置之函數（與頂部圖相同的x軸單位）。表 1
數據組 氣體 氣體 流量 氣體源 通過氣體出口之流量比
512, 522 GeH4 , SiH4   第一 30 9 22 9 30
HCl   第二 15.5 23 23 23 15.5
514, 524 GeH4 , SiH4 , HCl 59% 第一 30 9 22 9 30
HCl 41% 第二 1 1 96 1 1
564, 574 GeH4 , SiH4 , HCl 59% 第一 30 9 22 9 30
HCl 41% 第二 1 1 96 1 1
614, 624 GeH4 , SiH4 , HCl 58.30% 第一 30 9 22 9 30
GeH4 41.70% 第二 48.5 1 1 1 48.5
如表1所示，數據組512及522顯示使包含鍺烷 （GeH4 ） 及矽烷（SiH4 ） 之第一氣體通過第一氣體源流動，及使包含氯化氫（HCl）之第二氣體通過第二氣體源流動至反應室的結果。表1之「氣體流量」欄指示由第一氣體及第二氣體之各者構成之總氣體流量（總氣體流量係第一氣體流量及第二氣體流量之總和）的百分比。舉例來說，就數據組514及524而言，第一氣體與第二氣體之間的總氣體流量包含59%第一氣體及41%第二氣體。此外，在此等實例中，第一及第二氣體源各具有五個氣體出口（例如，第2圖中顯示的氣體出口210-228）。因此，「通過氣體出口之流量比」欄及子欄指示流動通過各氣體出口之各氣體的百分比。例如，就數據組512、522之第一氣體而言，30%之第一氣體流動通過兩個最外部氣體出口（即最靠近基板邊緣之氣體出口）之各者，9%之第一氣體流動通過兩個內部氣體出口之各者，及22%之第一氣體流動通過中心氣體出口。類似地，就數據組512、522之第二氣體而言，15.5%之第二氣體流動通過兩個最外部氣體出口（即最靠近基板邊緣之氣體出口）之各者，23%之第二氣體流動通過兩個內部氣體出口之各者，及23%之第二氣體流動通過中心氣體出口。氣體通過如文中所論述之氣體源中之任何氣體出口之流動速率及/或流動量可獨立地或結合其他氣體出口（例如，經由各別氣體閥250-268，如第2圖所示）來調整。
如可由數據組512看出來，矽鍺層中之鍺含量自距基板中心約85毫米之相當恆定的鍺含量開始逐漸增加。矽鍺層中之更期望的鍺含量配置可係自基板中心跨出（spanning out）儘可能長地在基板上相當恆定，然後在接近基板邊緣處陡增（因此在接近基板邊緣陡增之前跨越基板之較大面積於矽鍺層中具有更一致的鍺含量）。如可由數據組522看出來（及由窗口528、578、及628所強調的），矽鍺層厚度朝基板之邊緣增加，然後當層厚度之增加速率減小時逐漸減小（即邊緣垂捲）。此矽鍺層之厚度型態可較朝基板邊緣持續增加且不減小的層厚度不理想。
分別於表1及第5A圖及第5B圖中顯示之圖表500及550、及數據組514、524及564、574描述使包含鍺烷、矽烷、及氯化氫之第一氣體通過第一氣體源流動，及使包含氯化氫之第二氣體通過第二氣體源流動至反應室的結果。因此，第一氣體及第二氣體皆包含氯化氫。通過各氣體出口之流量百分比及流量比示於表1之各別欄位中。產生數據組514、524之實例包含具有55%頂部/45%底部之頂部偏壓功率比的矽控整流器（silicon controlled rectifier，SCR），同時產生數據組564、574之實例包含具有42%頂部/58%底部之底部偏壓功率比的矽控整流器。如可通過數據組514及564看出來，所得矽鍺層中之鍺含量自距基板中心約110毫米之相當恆定的鍺含量開始逐漸增加。因此，於第一及第二氣體兩者中包括共同化合物（例如，蝕刻劑，諸如氯化氫）較數據組512所示者跨越基板之較大面積於矽鍺層中產生更一致的鍺含量。如可藉由數據組524及574看出來（及由窗口528及578強調），矽鍺層厚度朝基板之邊緣持續增加而不減小（即無邊緣垂捲）。因此，提供此等第一及第二氣體（兩者共用至少一種化合物（例如，氯化氫））較數據組522中所示者產生所得矽鍺層的更理想特性。
表1及第6圖中所示之圖表600及數據組614、624描述使包含鍺烷、矽烷、及氯化氫之第一氣體通過第一氣體源流動，及使包含鍺烷之第二氣體通過第二氣體源流動至反應室的結果。因此，第一氣體及第二氣體皆包含鍺烷。通過各氣體出口之流量百分比及流量比示於表1之各別欄位中。如可藉由數據組614看出來，所得矽鍺層中之鍺含量自距基板中心約120毫米之相當恆定的鍺含量開始逐漸增加。因此，於第一及第二氣體兩者中包括共同化合物（例如，前驅物，諸如鍺烷）較數據組512所示者跨越基板之較大面積於矽鍺層中產生更一致的鍺含量。如可藉由數據組624看出來（及由窗口628所強調的），矽鍺層厚度朝基板之邊緣持續增加而不減小（即無邊緣垂捲）。因此，提供此等第一及第二氣體（兩者共用至少一種化合物（例如，鍺烷））較數據組522中所示者產生所得矽鍺層的更理想特性。
雖然本文提出本揭示之例示性實施例，應理解本揭示並未因此受限。舉例而言，儘管結合各種特定配置來描述氣體注入及反應器系統，但揭示內容未必受限於此等實例。在不偏離本揭示之精神及範疇的情況下，可對本文提出的系統及方法作出各種修改、變化、及增強。
本揭示之主題包括本文中所揭示之各種系統、組件、及配置、以及其他特徵、功能、動作、及/或性質的所有新穎及非顯而易見的組合及子組合以及其等之任何及所有均等物。
100:反應器系統 102:基板處置系統 104:反應室 106:氣體注入系統 108:壁 110:排氣源 112:第一氣體源 114:第二氣體源 116:基座或基板支撐件 118:加熱器 120:基板 200:氣體注入系統 202:第一氣體供應管線 203:第一氣體源 204:第二氣體供應管線 205:第二氣體源 206:第一氣體歧管 207:流量控制器 208:第二氣體歧管 209:流量控制器 210:第一氣體出口 211:流量控制器 212:第一氣體出口 213:流量控制器 214:第一氣體出口 215:第一氣體入口 216:第一氣體出口 217:第二氣體入口 218:第一氣體出口 220:第二氣體出口 222:第二氣體出口 224:第二氣體出口 226:第二氣體出口 228:第二氣體出口 230:流量感測器,流量計 232:流量感測器 234:流量感測器 236:流量感測器 238:流量感測器 240:流量感測器 242:流量感測器 244:流量感測器 246:流量感測器 248:流量感測器 250:氣體閥 252:氣體閥 254:氣體閥 256:氣體閥 258:氣體閥 260:氣體閥 262:氣體閥 264:氣體閥 266:氣體閥 268:氣體閥 270:質量流量控制器 272:質量流量控制器 274:質量流量控制器 276:質量流量控制器 278:質量流量控制器 280:質量流量控制器 282:質量流量控制器 284:質量流量控制器 286:質量流量控制器 288:質量流量控制器 290:反應室 292:凸緣 294:控制器 296:第一側 298:第二側 302:氣體源 304:氣體源 306:氣體源 308:氣體源 310:凸緣氣體通道 312:擴張區域 314:擴張區域 316:出口 318:出口 500:圖表 510:頂部圖 512:數據組 514:數據組 520:底部圖 522:數據組 524:數據組 528:窗口 550:圖表 560:頂部圖 564:數據組 570:底部圖 574:數據組 578:窗口 600:圖表 610:頂部圖 614:數據組 620:底部圖 624:數據組 628:窗口
當結合下列說明圖式考慮時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍而得到對本揭示之例示性實施例的更完整了解。 第1圖繪示根據本揭示內容之至少一例示性實施例之反應器系統。 第2圖示意性地繪示根據揭示內容之至少一例示性實施例之氣體注入系統。 第3圖繪示根據本揭示內容之至少一例示性實施例之凸緣的橫剖面圖。 第4圖示意性地繪示根據本揭示之至少一例示性實施例的反應器系統之一部分。 第5A圖及第5B圖繪示描繪根據本揭示之至少一例示性實施例沉積於基板上之矽鍺層之特性的圖表。 第6圖繪示描繪根據本揭示之至少一例示性實施例沉積於基板上之另一矽鍺層之特性的圖表。
應理解，圖式中之元件係為了簡單及清楚起見而繪示，且未必按比例繪製。例如，可相對於其他元件誇大圖式中之一些元件的尺寸，以幫助提升對本揭示之已說明實施例的了解。
100:反應器系統
102:基板處置系統
104:反應室
106:氣體注入系統
108:壁
110:排氣源
112:第一氣體源
114:第二氣體源
116:基座或基板支撐件
118:加熱器
120:基板

Claims (21)

  1. 一種氣體注入系統，包括： 一第一氣體歧管，包括一第一氣體入口以及複數個第一氣體出口； 一第二氣體歧管，包括一第二氣體入口以及複數個第二氣體出口； 複數個第一氣體閥，其中該等第一氣體出口中之每一者耦接至該等第一氣體閥之至少一者；以及 複數個第二氣體閥，其中該等第二氣體出口中之每一者耦接至該等第二氣體閥之至少一者， 其中該第一氣體入口接收包括一第一前驅物及一摻雜劑源的一第一氣體，以及 其中該第二氣體入口接收包括該第一前驅物或一第二前驅物及一蝕刻劑之一第二氣體。
  2. 如請求項1之氣體注入系統，其中該第二氣體包括該第一前驅物。
  3. 如請求項2之氣體注入系統，更包括耦接至一第一前驅物源及該第一氣體人口的一第一流量控制器以及耦接至該第一前驅物源及該第二氣體入口的一第二流量控制器。
  4. 如請求項1之氣體注入系統，其中該第一前驅物之一化學式及該第二前驅物之一化學式包括一或多種相同元素。
  5. 如請求項1之氣體注入系統，其中該第一前驅物係選自由三氯矽烷、二氯矽烷、矽烷、二矽烷、三矽烷、及四氯化矽所組成之群。
  6. 如請求項1之氣體注入系統，其中該摻雜劑係選自由鍺烷、二硼烷、膦、胂、及三氯化磷所組成之群。
  7. 如請求項1之氣體注入系統，其中該蝕刻劑包括氯化氫。
  8. 一種氣體注入系統，包括： 一第一氣體歧管，包括一第一氣體入口以及複數個第一氣體出口； 一第二氣體歧管，包括一第二氣體入口以及複數個第二氣體出口； 複數個第一氣體閥，其中該等第一氣體出口中之每一者耦接至該等第一氣體閥之至少一者；以及 複數個第二氣體閥，其中該等第二氣體出口中之每一者耦接至該等第二氣體閥之至少一者， 其中該第一氣體入口接收包括一蝕刻劑及一摻雜劑源的一第一氣體，及 其中該第二氣體入口接收包括一前驅物之一第二氣體。
  9. 如請求項8之氣體注入系統，其中該第二氣體更包括一載體氣體。
  10. 如請求項8之氣體注入系統，其中該第一氣體更包括一載體氣體。
  11. 如請求項9之氣體注入系統，更包括用來控制該載體氣體之一流動速率的一流量控制器。
  12. 如請求項9之氣體注入系統，其中該載體氣體係選自由氮氣、氫氣、及氦氣所組成之群。
  13. 如請求項8之氣體注入系統，其中該前驅物係選自由三氯矽烷、二氯矽烷、矽烷、二矽烷、三矽烷、四氯化矽所組成之群。
  14. 如請求項8之氣體注入系統，其中該摻雜劑係選自由鍺烷、二硼烷、膦、胂、三氯化磷所組成之群。
  15. 一種反應器系統，包括如請求項1之氣體注入系統。
  16. 如請求項15之反應器系統，更包括一基座，其中該基座在約每分鐘60轉至約每分鐘30轉、約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的一旋轉速度下旋轉。
  17. 一種將材料沉積於一反應室內之一基板表面上的方法，其使用如請求項1之氣體注入系統。
  18. 如請求項17之方法，更包括使一基座在約每分鐘60轉至約每分鐘30轉、約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的一旋轉速度下旋轉的一步驟。
  19. 如請求項17之方法，其中一基座之一溫度係500攝氏度至約600攝氏度、約600攝氏度至約700攝氏度、或約700攝氏度至約800攝氏度。
  20. 如請求項17之方法，其中該反應室中之一壓力係介於約2毫托至約780托之間。
  21. 如請求項17之方法，其中該第一氣體及該第二氣體包括一共同成分。
TW109133616A 2019-10-08 2020-09-28 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 TW202128273A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962912521P 2019-10-08 2019-10-08
US62/912,521 2019-10-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202128273A true TW202128273A (zh) 2021-08-01

Family

ID=75273997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109133616A TW202128273A (zh) 2019-10-08 2020-09-28 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210102290A1 (zh)
KR (1) KR20210042247A (zh)
CN (1) CN112626494B (zh)
TW (1) TW202128273A (zh)

Families Citing this family (210)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100974848B1 (ko) * 2001-12-03 2010-08-11 가부시키가이샤 알박 혼합기, 박막 제조 장치 및 박막 제조 방법
JP2004342726A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 C Bui Res:Kk 成膜方法
US7157379B2 (en) * 2003-09-23 2007-01-02 Intel Corporation Strained semiconductor structures
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
CN2755462Y (zh) * 2004-11-05 2006-02-01 济南化肥厂有限责任公司 氨氧化炉快速点火装置
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
DE102007017226A1 (de) * 2007-03-22 2008-09-25 Pangas Verfahren zum Lichtbogenfügen mit Wechselstrom
RU2351715C1 (ru) * 2007-08-14 2009-04-10 Николай Андреевич Зеленский Система водоснабжения населенного пункта
US8486191B2 (en) * 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
WO2011114551A1 (ja) * 2010-03-18 2011-09-22 富士電機ホールディングス株式会社 太陽電池及びその製造方法
CN202379772U (zh) * 2011-12-13 2012-08-15 河南科技大学 流化床光催化反应器及其气体分布器
US20130295283A1 (en) * 2012-05-07 2013-11-07 Pinecone Material Inc. Chemical vapor deposition apparatus with multiple inlets for controlling film thickness and uniformity
US10167557B2 (en) * 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
CN105727688B (zh) * 2016-03-09 2018-03-13 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 一种变压吸附塔
CN109012763A (zh) * 2017-06-12 2018-12-18 湖北宏嘉化工股份有限公司 一种pp离子交换柱
US11053591B2 (en) * 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same

Also Published As

Publication number Publication date
US20210102290A1 (en) 2021-04-08
CN112626494B (zh) 2024-06-25
KR20210042247A (ko) 2021-04-19
CN112626494A (zh) 2021-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202128273A (zh) 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
US11053591B2 (en) Multi-port gas injection system and reactor system including same
TWI810259B (zh) 氣體分佈系統及包含該系統的反應器系統
US10604847B2 (en) Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US20210292902A1 (en) Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US7674337B2 (en) Gas manifolds for use during epitaxial film formation
US11814727B2 (en) Systems and methods for atomic layer deposition
US20130280891A1 (en) Method and apparatus for germanium tin alloy formation by thermal cvd
WO2012134512A1 (en) Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys
US20240332016A1 (en) Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
KR20090006144A (ko) 에피택셜막을 형성하는 동안 이용되는 가스 매니폴드들
KR102719148B1 (ko) 다중 포트 가스 주입 시스템 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR102718545B1 (ko) 가스 분배 시스템 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR20240151680A (ko) 다중 포트 가스 주입 시스템 및 이를 포함하는 반응기 시스템
TW202424254A (zh) 基座環總成、反應器系統、及用於氣體注入及控制之方法