TWI681073B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

在具有對處理容器內導入氣體之噴淋板，藉 由微波產生表面波電漿之電漿處理裝置中，可以抑制在噴淋板之氣體孔成膜，並且有效率地產生電漿。

具備進行電漿處理之處理容器(10)，和 朝處理容器(10)內供給氣體之噴淋板(100)的電漿處理裝置具有從噴淋板(100)之下端面突出至下方的垂下構件(101)。垂下構件(101)之外側面係從上端部朝向下端部擴展至外側，噴淋板(100)具備對處理容器(10)內供給第1氣體之複數第1供給口(133)，和供給第2氣體之複數第2供給口(151)，第1氣體供給口(133)係被配置在較垂下構件(101)之外側面更內側，第2氣體供給口(151)係被配置在垂下構件之外側面更外側。

Description

電漿處理裝置
本發明係關於具備對處理容器內供給特定氣體之噴淋板的電漿處理裝置。
電漿處理係半導體裝置之製造不可欠缺之技術。近年來，由於LSI之高積體化及高速化的需求，構成LSI之半導體元件被要求更微細加工。
因此，近年來，提案有較以往電漿處理中所使用之電容耦合型電漿處理裝置或感應耦合型電漿處理裝置，可以生成更低電子溫度且高電漿密度之電漿的藉由微波進行電漿處理的裝置(例如，專利文獻1)。
在專利文獻1中，揭示有使微波傳送至同軸管而放射至處理容器內，藉由持有微波之表面波之電場能激勵電漿產生用之氣體，在處理容器內生成低電子溫度且高電漿密度之表面波電漿的電漿處理裝置。
但是，在專利文獻1之電漿處理裝置中，為了將微波從同軸管放射至處理容器內，其頂棚部成為以石英等之介電質板夾持表面波電漿和天線之間的構造，成為 處理氣體從處理容器之側壁被供給至處理容器內之構造。如此一來，因從頂棚部以外供給氣體，故無法控制氣體之流動，難以進行良好的電漿控制。
於是，在引用文獻2中，提案有在天線之下面設置噴淋板，將處理氣體從該噴淋板朝垂直下方導入至處理容器內之技術。噴淋板藉由介電質所形成，從在厚度方向貫通之多數氣體供給口供給處理氣體。氣體供給口之前端部具有為了防止氣體從處理容器內朝氣體供給口逆擴散而縮徑的限流孔形狀。依此，在處理容器內形成垂直方向之氣流而均勻地供給處理氣體，形成均勻之電漿。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2003-188103號公報
[專利文獻2]日本特開2005-196994號公報
但是，例如在具有引用文獻2般之天線及噴淋板之電漿理裝置中，藉由表面波電漿，噴淋板附近之區域中之電漿之電子溫度變得高於離開噴淋板表面之位置的電子溫度。因此，在成膜處理中，例如單矽烷(SiH4)等之原料氣體在噴淋板附近過量分解，而成膜堆積在噴淋板上。如此一來，在具有限流孔形狀之氣體供給口之前端部 有產生堵塞之情形。而且，當產生堵塞時，在處理容器內之處理氣體之流動產生偏向。
為了防止原料氣體之過量分解，若使朝天線供給之微波之輸出下降即可。但是，當使微波之輸出下降時，電漿產生用之氣體之激勵不充分，有無法形成安定之電漿的問題，再者，從生產性之觀點來看，期待有效率地激勵電漿產生用之氣體，以例如提升成膜處理中之成膜率。
於是，本發明者為了抑制原料氣體之過量分解，想到例如在噴淋板之下面，設置從上端部朝向下端部一面擴展至外側一面突出至下方的垂下部，經由被形成在垂直下部之內部的氣體供給口而對處理容器內供給單矽烷氣體等之原料氣體，並且對較垂下部之外側面更外側供給電漿生成用之氣體。如此一來，原料氣體不會通過噴淋板表面之電子溫度高的區域，原料氣體之過量分解被抑制。再者，因垂下部之外側面從上端部朝向下端部擴展至外側，故在該垂下部之外側面，微波朝橫向或斜上方被反射。其結果，認為垂下部之外側面附近之電場強度變高，可以有效率地激勵電漿生成用之氣體而產生電漿。而且，實際上使用具有垂下部之噴淋板進行確認試驗時，確認出可以抑制原料氣體之過量分解，並且可以適當地激勵電漿生成用之氣體。
但是，確認出即使在使用具有垂下部之噴淋板之時，依然在氣體供給口之限流孔部產生堵塞。而且， 在針對成為該堵塞之原因的物質進行調查時，確認出如SiHx或SixNy之來自原料氣體或電漿生成氣體的生成物。因此，該些生成物之產生原因應係藉由噴淋板表面之微波(表面波)電子溫度在氣體供給口之限流孔部附近上升，在限流孔部附近，電子衝突至單矽烷而生成SiH2或Si，例如藉由氮氣等之電漿生成用氣體之自由基衝突而生成SiN。因此，需要抑制氣體供給口之限流孔部附近之電子溫度，或抑制生成物之產生。
本發明者係鑒於如此之點而創作出，其目的係在具有對處理容器內導入氣體之噴淋板，藉由微波產生表面波電漿之電漿處理裝置中，抑制堆積物朝向噴淋板之氣體供給口，並且有效率地產生電漿。
為了達成上述目的，本發明屬於具有電漿產生用天線，且該電漿產生用天線具備對處理容器內供給第1氣體和第2氣體的噴淋板，藉由因微波之供給被形成在上述噴淋板表面之表面波形成電漿而對基板進行處理的電漿處理裝置，其特徵在於：具有從上述噴淋板之下端面突出至下方的藉由導電體所構成之垂下構件，上述垂下構件之外側面從上端部朝向下端部擴展至外側，上述噴淋板具備對上述處理容器內供給第1氣體之複數的第1氣體供給口和供給第2氣體之複數的第2氣體供給口，在上述垂下構件之下端面形成上方凹陷的凹陷部，在上述垂下構件之 內部形成從該垂下構件之上端面連通至上述凹陷部之貫通孔，上述第1氣體供給口被配置在較上述垂下構件之外側面更內側且被連接於上述貫通孔，上述第2氣體供給口被配置在較上述垂下構件之外側面更外側，在上述貫通孔形成有剖面積較該貫通孔小的內縮部。
若藉由本發明時，因在較垂下構件之外側面更內側設置第1氣體供給口，第1氣體供給口被連接於被形成在垂下構件之貫通孔，故不會通過電子溫度高之區域而可以將第1氣體導入至處理容器內。因此，例如即使使用原料氣體當作第1氣體，亦可以迴避該原料氣體由於表面波電漿而被過量分解之情形。再者，因垂下部之外側面從上端部朝向下端部擴展至外側，故在該垂下部之外側面，微波朝橫向或斜上方被反射。其結果，垂下構件之外側面附近的電場強度變高，例如當從第2氣體供給口供給電漿生成用之氣體時，可以有效率地激勵該氣體而產生電漿。除此之外，因在垂下構件之下端面形成上方凹陷之凹陷部，具有限流孔部之貫通孔被設置在凹陷部之上方，故可以在限流孔部和垂下構件之下端面之間確保特定距離。而且，因垂下構件成為接地電位，故藉由抑制表面波進入凹陷部，可以抑制在限流孔部附近之電子溫度，或者電子或自由基等到達至限流孔部附近。其結果，可以抑制生成物堆積至限流孔部，防止限流孔部即是氣體供給口之堵塞。
若藉由本發明時，在具有對處理容器內導入氣體之噴淋板，藉由微波產生表面波電漿之電漿處理裝置中，可以抑制由於反應生成和氣相反應所致之堆積物朝向噴淋板之氣體孔，且有效率地產生電漿。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧處理容器
11‧‧‧承載器
12‧‧‧支撐構件
13‧‧‧匹配器
14‧‧‧高頻電源
30‧‧‧微波傳輸機構
40‧‧‧微波輸出部
50‧‧‧天線模組
100‧‧‧噴淋板
101‧‧‧垂下構件
110‧‧‧上部平板
120‧‧‧下部平板
130‧‧‧氣體流路
133‧‧‧第1氣體供給口
140‧‧‧氣體流路
151‧‧‧第2氣體供給口
160‧‧‧凹陷部
161‧‧‧貫通孔
220‧‧‧溝槽
500‧‧‧控制裝置
U‧‧‧電漿空間
W‧‧‧晶圓
X‧‧‧區域
圖1為表示與本實施型態有關之電漿處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。
圖2為表示表示微波之輸出側之機構的圖示。
圖3為示意性地表示微波傳送機構之構成的俯視圖。
圖4為表示微波導入機構附近之構成之概略的放大縱剖面圖。
圖5為表示垂下構件之限流孔部附近之構成之概略的放大縱剖面圖。
圖6為表示附近垂下構件附近之剖面形狀的斜視圖。
圖7為表示以往之噴淋板附近之電子溫度之分布的說明圖。
圖8為表示以往之噴淋板附近之電場強度之分布的說明圖。
圖9為表示具備垂下構件之噴淋板附近之電場強度之分布的說明圖。
圖10為表示具備垂下構件之噴淋板附近之電場強度 之分布的說明圖。
圖11為表示具備垂下構件之噴淋板附近之電子密度之分布的說明圖。
圖12為表示與其他本實施型態有關之電漿處理裝置之構成之概略的縱剖面圖。
圖13為表示與其他本實施型態有關之垂下構件之構成之概略的側面圖。
圖14為表示與其他本實施型態有關之垂下構件之構成之概略的側面圖。
圖15為表示與其他本實施型態有關之垂下構件之構成之概略的縱剖面圖。
圖16為表示與其他本實施型態有關之垂下構件附近之剖面形狀的斜視圖。
圖17為表示與其他本實施型態有關之垂下構件附近之剖面形狀的斜視圖。
以下一面參照附件圖面一面針對本發明之實施型態予以詳細說明。並且，在本說明書及圖面中，針對實質上具有相同功能構成之構成要素，藉由賦予相同符號，省略重複說明。
首先，針對與本實施型態有關之電漿處理裝置之全體構成，一面參照圖1一面進行說明。圖1為概略性表示電漿處理裝置1之縱剖面圖。
在本實施型態中，舉出對半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W)施予當作電漿處理之成膜處理的CVD裝置為例而說明電漿處理裝置1。電漿處理裝置1具有在被保持氣密之內部對晶圓W進行電漿處理之處理容器10。處理容器10係上面開口之略圓筒狀，且由例如鋁等之金屬形成。該處理容器10被接地。
在該處理容器10之底部，設置有載置晶圓W之承載器11。承載器11經由絕緣體12a藉由支撐構件12被支撐，被設置在處理容器10之底部。依此，承載器11成為與處理容器10電性絕緣之狀態。作為承載器11及支撐構件12之材料，可舉出表面被施予氧皮鋁處理(陽極氧化處理)之鋁等。
在承載器11，經由匹配器13連接有偏壓用之高頻電源14。高頻電源14係藉由對承載器11施加偏壓用之高頻電力，依此電漿中之離子被拉進晶圓W側。並且，雖無圖示，但是即使在承載器11設置有用以靜電吸附晶圓W之靜電吸盤、溫度控制機構、對晶圓W之背面供給熱傳達用之氣體的氣體流路及搬運晶圓W時進行升降的升降銷等亦可。
在處理容器10之底部連接有排氣口15，在該排氣口15連接有包含真空泵之排氣裝置16。當使排氣裝置16動作時，處理容器10之內部被排氣，處理容器10內被減壓至期待之真空度。再者，在處理容器10之側壁形成搬入搬出口17，藉由能開關搬入搬出口17之閘閥18 之開關，晶圓W被搬入搬出。
在承載器11之上方，邊對處理容器10內供給氣體，邊安裝能供給微波之電漿產生用天線20(以下，單稱為「天線20」)。天線20係被設置成封閉處理容器10之上部之開口。依此，在承載器11和天線20之間形成電漿空間U。在天線20之上部連接傳輸微波之微波傳輸機構30，成為將從微波輸出部40被輸出之微波傳輸至天線20。
微波輸出部40係例如圖2所示般，具有將微波用電源41、微波振盪器42、放大器43及將被放大之微波分配成複數之分配器44。微波用電源41係對微波振盪器42供給電力。微波振盪器42係使例如860MHz之特定頻率之微波予以PLL振盪。放大器43放大振盪之微波。分配器44係以盡量不引起微波損失之方式，一面取得輸入側和輸出側之阻抗匹配，一面分配以放大器43被放大之微波。
微波傳輸機構30具有將利用分配器44被分配之微波引導至處理容器內之複數天線模組50和微波導入機構51。並且，在圖2中，示意性地描繪微波傳輸機構30具備兩個天線模組50和兩個微波導入機構51之狀態，但是在本實施型態中，例如圖3所示般，微波傳輸機構30具有例如7個天線模組50，以6個天線模組50呈同一圓周狀且1個天線模組50位於其中心之方式配置在天線20之上部。
天線模組50具有相位器52、可變增益放大器53、主放大器54及隔離器55，將從微波輸出部40被輸出之微波傳輸至微波導入機構51。
相位器52被構成可以使微波之相位變化，藉由調整此可以使微波之放射特性調製。若藉由此，可以控制指向性而使電漿分布變化。並且，於不需要如此之放射特性之調製之時，無須設置相位器52。
可變增益放大器53為用以調整朝主放大器54輸入之微波之電力位準，且進行電漿強度之調整。主放大器54構成固態放大器。固態放大器可以設成無圖示之輸入匹配電路、半導體放大元件、輸出匹配電路及高Q共振電路之構成。
隔離器55係對在天線20反射而返回至主放大器54之微波之反射波進行分離，具有循環器和虛擬負載(同軸終端器)。循環器係將在天線20反射後之微波引導至虛擬負載，虛擬負載係將藉由循環器被引導之反射微波轉換成熱。
接著，針對微波導入機構51及電漿產生用天線20之構成一面參照圖4一面進行說明。圖4為放大表示與本實施型態有關之微波導入機構51及天線20之例如左半邊之構成概略之縱剖面圖。
微波導入機構51具有同軸管60及慢波板70。同軸管60具有由筒狀之外部導體60a及被設置在其中心之棒狀之內部導體60b所構成之同軸狀之導波管。在 同軸管60之下端隔著慢波板70設置有天線20。同軸管60係內部導體60b成為供電側外部導體60a成為接地側。在同軸管60設置有調諧器80。調諧器80具有例如兩個鐵心80a，構成鐵心調諧器。鐵心80a係以介電質構件之板狀體而構成，在同軸管60之內部導體60b和外部導體60a之間被設置成圓環狀。調諧器80係根據來自後述之控制部500之指令，藉由無圖示之驅動機構，使鐵心80a上下移動，依此調整同軸管60之阻抗。
慢波板70被設置成與同軸管60之下面鄰接。慢波板70由圓板狀之介電質構件所形成。慢波板70係透過在同軸管60傳輸之微波，引導至天線20。
天線20具有噴淋板100。噴淋板100被設置成與慢波板70之下面鄰接。噴淋板100係直徑大於慢波板70之略圓盤形狀，藉由鋁或銅等之電傳導率高之導電體而形成。噴淋板100露出至處理容器10之電漿空間U側，使表面波傳播至露出的下面。在此，噴淋板100之金屬面露出至電漿空間U側。如此一來，以下，將傳播至露出的下面之表面波稱為金屬表面波。
在噴淋板100之下面，與同軸管60之下方對應之位置，設置有突出至下方即是電漿空間U側之垂下構件101。垂下構件101具有圓形之底面形狀的略圓錐台形狀，與噴淋板100相同，藉由鋁或銅等之電傳導率高之導電體所形成。因此，垂下構件101之電位也與處理容器10同樣成為接地電位。垂下構件101之外側面具有例如 從其上端面朝向下端面逐漸向外側擴展，例如以噴淋頭100和垂下構件101之外側面之接點為原點之拋物線形狀。
噴淋板100係成為上下重疊略圓盤形狀之上部平板110，和相同略圓盤形狀之下部平板120之構成。在上部平板110形成貫通其上面，使氣體流通於該上部平板110之徑向的氣體流路130。在氣體流路130經供給管132連接有供給第1氣體之第1氣體供給源131。並且，第1氣體即使為複數之種類之氣體亦可，再者，即使為該些之混合氣體亦可。作為第1氣體使用當作原料氣體之例如單矽烷(SiH4)等。
在上部平板110之下面，且較垂下構件101之外側面內側之位置，與氣體流路130連通之複數之第1氣體供給口133在垂直上方延伸而被設置。再者，在與上述平板110之第1氣體供給口133不同之位置，形成複數通過微波之微波放射孔的溝槽220。並且，與從該溝槽220之中心朝向垂直下方拉的假想線與垂下構件101之外側面相交之方式，設置垂下構件101之形狀和溝槽220之配置為佳。換言之，在俯視觀看下，以溝槽220之中心位於較垂下構件101下面之外周端部更內側之方式，配置有溝槽220為佳。
在下部平板120中之與上部平板110之各第1氣體供給口133對應之位置，分別形成在上下方向貫通該下部平板120之貫通孔150。依此，從第1氣體供給口 133被供給之第1氣體可以通過貫通孔150而到達至下部平板120之下端面。再者，在下部平板120中之與上部平板110之溝槽220對應之位置與上部平板110相同形成有溝槽220。
在垂下構件101之下端面，與各貫通孔150之下端對應之位置，如圖5所示般，分別形成有上方凹陷之凹陷部160。凹陷部160為略圓柱形狀，例如半徑大略為1~2mm，高度大概為7~10mm。針對凹陷部之形狀之設定方法後述。在垂下構件101之內部，且與各貫通孔150之下端對應之位置，分別形成與從該垂下構件101之上端面與凹陷部160連通之貫通孔161。在貫通孔161和凹陷部160之間形成有直徑較貫通孔161或凹陷部160小之開口的限流孔部162。換言之，限流孔部162之剖面積被設定成較貫通孔161或凹陷部160小。並且，在本實施型態中，限流孔部162之開口之直徑被設定成大概0.3mm左右，限流孔部162之開口之直徑之值並不限定於本實施型態之內容，若為可以確保氣體不會從處理容器10內之電漿空間U朝向貫通孔161逆擴散之程度的差壓時，可以任意設定。
再者，垂下構件101如圖4所示般，被設置成從下部平板120之下端朝垂直下方僅突出特定長度L。因此，從第1氣體供給源131被供給至氣體流路130之第1氣體，通過該複數貫通孔161，而從較下部平板120僅低特定長度L之位置，被導入至處理容器10之電漿空間 U。
在下部平板120形成貫通其側面，使氣體流通於該下部平板120之徑向的氣體流路140。在氣體流路140經供給管142連接有供給第2氣體之第2氣體供給源141。作為第2氣體，可使用電漿產生用之例如氮氣、氬氣、氫氣或混合該些氣體之氣體等。並且，以在氣體流路140流通之氣體和在氣體流路130流通之氣體不會在噴淋板100內混合之方式，氣體流路140與氣體流路130完全獨立設置。
在上部平板120之下面，較垂下構件101之外側面外側之位置，並且與溝槽220不同之位置，與氣體流路140連通之複數之第2氣體供給口151在垂直上方延伸而被設置。從第2氣體供給源141被供給至氣體流路140之第2氣體通過各第2氣體供給口151，而從下部平板120之下面被導入至處理容器10之電漿空間U。並且，在圖4中，噴淋板100係藉由上部平板110和下部平板120所構成，第1氣體之氣體流路130及第2氣體之氣體流路140獨立被形成，若成為氣體在噴淋板100之內部不混合之構成時，針對要將噴淋板100構成如何，並不限定於本實施型態，可任意設定。
上述複數之溝槽220被設置在與屬於氣體之供給路徑的氣體流路130、140、複數第1氣體供給口133、第2氣體供給口151及貫通孔150、161不同之位置，在厚度方向貫通噴淋板100。溝槽220之一端與慢波 板70鄰接，另一端在處理容器10之電漿空間U側開口。微波係在同軸管60傳播，透過慢波板70之後，通過複數之溝槽220而被放射至處理容器10內。並且，即使設為以石英等之介電質填滿溝槽220之內部的構造亦可。
第2氣體供給口151之直徑係成為被放射至處理容器10內之微波不進入第2氣體供給口151之內部的大小。在本實施型態中，例如0.6mm。再者，溝槽220和第1氣體供給口133、第2氣體供給口151及貫通孔150、161係在噴淋板100內完全分離。依此，可以防止在第1氣體供給口133、第2氣體供給口151或貫通孔150、161之異常放電。
並且，慢波板70、上部平板110及下部平板120之接觸面分別藉由無圖示之O型環被密封。依此，使處理容器10或溝槽220之內部成為真空狀態，並且可以避免第1氣體和第2氣體和在噴淋板100內混合。
並且，露出於噴淋板100之電漿側之面，即是下部平板120之下面及垂下構件101之表面，即使藉由熔射被例如氧化鋁(Al2O3)或氧化釔(Y2O3)之覆膜(無圖示)覆蓋亦可。依此，即使導體面不露出至電漿空間側亦可。
圖6係表示噴淋板100、垂下構件101、下部平板120、第1氣體供給口133及被形成在垂下構件101之貫通孔161以及凹陷部160之概略位置關係之一例，從斜下方觀看垂下構件101之附近的剖面之狀態的斜視圖。 例如，如圖6所示般，被設置在垂下構件101之凹陷部160及貫通孔161在該垂下構件101之中央部附近呈同心圓狀被配置複數。並且，在圖6中，僅在一個同心圓上形成凹陷部160、貫通孔161及第1氣體供給口133，並且針對貫通孔150、溝槽220，描繪省略其記載之狀態。再者，如上述般，第1氣體供給口133被設置在與貫通孔161對應之位置。因此，在本實施型態中，第1氣體供給口133也例如圖6所示般，成為與垂下構件101同心圓狀之配置。
接著，針對噴淋板100及垂下構件101附近之構成，與本發明之原理一起說明。在使用微波之電漿處理中，於在晶圓W成膜之時，當作原料氣體使用，為了將例如單矽烷(SiH4)分解成SiH3，需要大約8.75eV以上之能量。另一方面，當作電漿產生用之氣體使用的例如氮氣其結合能量大約9.91eV。即是，為了激勵氮氣而生成氮電漿或氮自由基，需要大約9.91eV以上之能量。因此，在如此之情況下的微波電漿處理中，供給至天線20之微波之輸出，係以更高之能量，即是用以激勵電漿產生用氣體之能量為基準而決定。在此，在使用金屬表面波之微波電漿處理(尤其藉由應用漸逝波之表面波所進行的電漿處理)中，通常天線20之下端附近，例如從天線下面大概5mm以內之區域比起從天線下面大概分離5mm以上之區域，電子溫度變高。
再者，本發明者們調查之結果，確認出電子 溫度在被形成於噴淋板100之溝槽220之附近特別高。圖7表示在溝槽220被形成於外周部之噴淋板100附近的電子溫度之分布。圖7之縱軸為處理容器10內中之高度，橫軸為從同軸管60之中心軸之水平方向之距離。並且，在圖7中，針對溝槽220之中心從同軸管60之中心軸大概35mm之時的電子溫度分布而繪圖。再者，圖7所示之虛線為電子溫度成為1eV交界線。在圖7中，在較該虛線靠溝槽220之區域X(以溝槽220為中心，大概半徑35mm左右之區域)，電子溫度較1eV高，表示溝槽220之附近成為高電子溫度之區域。即是，在該區域X中，電漿產生用氣體及原料氣體活潑電離。因此，如以往般，當從噴淋板供給當作電漿產生用之氣體的氮氣和當作原料氣體之單矽烷之雙方時，氮氣在電子溫度高之區域X被分解而成為氮離子、氮原子自由基、氮原子，但是因在電子溫度低之區域，能量不充分，故幾乎不會生成反應性高之原子狀氮。另外，單矽烷氣體即使在區域X之外側也被分解成SiH3，但是在電子溫度變高之區域X，因生成較多SiH2、SiH，故在該區域X中過量生成SiH2、SiH而形成矽膜，堆積於噴淋板之氣體供給口。
為了抑制因反應生成和氣相反應所致之堆積物，降低供給至天線20之微波之輸出，依此若降低區域X中之電子區域即可。但是，當以防止SiH2、SiH之過量生成為目的而降低微波之輸出時，無法取得用以分解電漿產生用氣體之特定電子溫度。因此，降低微波之輸出也有 極限。
於是，本發明者為了抑制堆積於氣體供給口之不需要的反應生成和氣相反應所致之堆積物，針對不使從噴淋板100被供給之原料氣體通過電子溫度高之區域X而導入至處理容器10內之方法進行精心研究。但是，當如以往般從處理容器10之側壁供給原料至處理容器10內時，難以控制處理容器10內之氣流，無法取得均勻之電漿。
於是，本發明者們構思以電漿產生用之氣體和原料氣體在噴淋板100之內部不會混合之方式分別個別設置氣體流路130、140，並且將電漿產生用之氣體供給至區域X或區域X之附近，另外，若將原料氣體供給至從區域X離開之處時可避免原料氣體之過量分解，並且可以有效地激勵電漿產生用之氣體之點。而且，根據該構思，例如將圖4所示般之垂下構件101設置在噴淋板100之下端。
將垂下構件101設置在噴淋板100之下端，本發明者們首先針對噴淋板100附近之電場強度進行調查。圖8及圖9針對在外周部形成溝槽220之噴淋板100附近之電場強度之分布及其方向予以表示。圖8表示僅在噴淋板100之時，圖9表示在噴淋板100之下端設置垂下構件101之時的電場強度分布。圖8、圖9之三角形之大小分別表示電場強度之強弱，三角形之方向表示電場之方向。如圖8所示般，確認出在不設置有垂下構件101之噴 淋板100中，電場主要朝向下方，但是藉由設置垂下構件101，如圖9所示般，在垂下構件101之外側面附近橫向之電場強變高。因此，推測在垂下構件101之外側面附近取得高電子溫度。此原因被認為係因垂下構件101之外側面從上端部朝向下端部擴展至外側，故在該垂下構件101之外側面微波反射至橫向或斜上方，在垂下構件101之外側面附近形成高能量之狀態。
接著，圖10表示在噴淋板100設置垂下構件101之時的噴淋板100附近之電子溫度之的分布。並且，即使在圖10中，至同軸管60之中心軸和溝槽220之中心為止之距離，與圖7之情形相同大概為35mm，垂下構件101之下面之半徑大概為45mm。從圖10可以確認出藉由設置垂下構件101，電子溫度成為1eV以上之區域X分布在溝槽220之附近並且在垂下構件101之外側面，在垂下構件101之下面，電子溫度成為1eV以下。此原因如上述般被推測係因垂下構件101之外側面從上端部朝向下端部擴展至外側，故在該垂下構件101之外側面微波反射至橫向或斜上方，依此在垂下構件101之外側面附近的電場強度變高。
因此，如圖4所示般，將第2氣體供給口151配置在垂下構件101之外側面之外側，將第1氣體供給口133及貫通孔150、161配置在較垂下構件101之外側面更內側，另外，將電漿產生用氣體集中性地供給至區域X，另一方面，可以使容易分解之原料氣體不通過區域X 而導入至處理容器10內。如此一來，因可以抑制原料氣體在區域X過量分解，故可以抑制因原料氣體所產生之前軀物之生成，防止貫通孔161或第2氣體供給口151封閉。
並且，即使針對設置有垂下構件101之時的噴淋板100之附近的電子密度進行確認時，如圖11所示般，確認出在溝槽220之附近並且垂下構件101之外側面附近形成有高密度之區域。由此可以確認出區域X成為高能量之狀態，可以確認出在該區域X中，電漿產生用之氣體有效率地被激勵。
在此，例如從圖10可以確認出，電子溫度高之區域X從垂下構件101之外側面分布至外側方向，例如從下方觀看垂下構件之時，即使在垂下構件101底面之外側之位置分布區域X。因此，第2氣體供給口151不一定需要設置在垂下構件101之外側面之附近，若設置在面對區域X之位置即可。並且，若根據本發明者們，例如本實施型態般，確認出垂下構件101之外側面具有以噴淋板100之下部平板120和垂下構件101之接點為原點之拋物線形狀之時，在該拋物線之焦點附近，成為高能量狀態。此時，以第2氣體供給口151設置在面對焦點附近之位置為佳。
並且，藉由在下部平板120設置屬於突起物之垂下構件101，表面波也傳播至該垂下構件101，有可能阻礙在電漿空間U中生成均勻之電漿。因此，垂下構件 101之長度L即使最大也以導入至處理容器10內之電漿波之波長以下為佳，以設為波長之1/2以下更佳。若根據本發明者們確認出藉由如此地設定垂下構件101之長度L，抑制表面波在垂下構件101傳播，可以在處理容器10內安定地生成電漿。在本實施型態中，因使用屬於波長348.6mm之860MHz的微波，故垂下構件101之長度L以在大概10mm~60mm之範圍下設定為佳，在20mm~40mm之範圍設定為更佳。
再者，若根據本發明者們確認出藉由垂下構件101之下面之表面波電漿，在垂下構件101之下面附近的電子溫度較1eV高。此時，當在垂下構件101之下端面形成限流孔部162時，在該限流孔部162之附近電子衝突至單矽烷而生成SiH2或Si，或藉由例如氮氣等之電漿生成用氣體之自由基衝突，生成SiN，而產生了反應生成物。如此一來，在限流孔部162成膜、堆積反應生成物，而封閉限流孔部162。
在此，本發明者們例如圖6所示般，設成在垂下構件101之下端面形成上方凹陷之凹陷部160，在其上方設置限流孔部162。換言之，設成在限流孔部162和垂下構件101之下端面之間確保特定之距離。而且，因垂下構件101成為接地電位，故藉由抑制表面波進入凹陷部160，可以抑制在限流孔部162附近之電子溫度，或者電子或自由基等到達至限流孔部162附近。其結果，可以抑制反應生成物堆積至限流孔部162，防止限流孔部162即 是第1氣體供給口133之堵塞。
並且，針對決定凹陷部160之大小，本發明者們使凹陷部160之高度在3~10mm之範圍變化，使半徑在1~3mm之範圍變化，藉由試驗確認出凹陷部160之上端部附近(限流孔部162之下端部附近)中之電子溫度變化成如何。此時，垂下構件101之長度L設為大概16mm。其結果，將半徑設為大概1mm之時，將凹陷部160之高度設為大概3~7mm之時，在上端部之電子溫度大概為0.9eV~0.95eV。再者，將半徑設為2mm之時，將凹陷部160之高度設為大概5~10mm之時，在凹陷部160之上端部之電子溫度大概為0.71~0.81eV。再者，將半徑設為3mm之時，將凹陷部160之高度設為大概5mm之時，在凹陷部160之上端部之電子溫度大概為1.0eV。因此，從該試驗之結果，以凹陷部160之半徑設為1~3mm之範圍為佳，以設為2mm左右為更佳。再者，以凹陷部160之高度設為3~10mm左右為佳，以設為5mm~7mm左右為更佳。與本實施型態有關之電漿處理裝置1係根據上述之見解。
再者，電漿處理裝置1，如圖1所示般設置有控制部500。控制部500係例如電腦，具有程式儲存部(無圖示)。在程式儲存部儲存有控制電漿處理裝置1中處理晶圓W之程式。並且，上述程式即使為被記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶 媒體者，即使為自其記憶媒體被存取於控制部500者亦可。
與本實施型態有關之電漿處理裝置1被構成上述般，接著，針對使用電漿處理裝置1進行的處理，以在晶圓W形成氮化矽膜之情形進行說明。
首先，將晶圓W搬入至腔室10內，並載置在承載器11上。而且，從第2氣體供給源141將當作電漿產生用之氣體的混合氮氣、氬氣及氫氣的氣體經噴淋板100之下部平板120導入至處理容器10內。接著，微波從微波輸出部40被輸出，微波通過微波傳輸機構30及慢波板70、溝槽220而被導入至處理容器10內。依此，藉由被形成在天線20及垂下構件101之表面的金屬表面波，生成表面波電漿。此時，設置溝槽220之垂下構件101之外側面附近之區域X因成為高能量之狀態，故從被設置在該區域X之第2氣體供給口151被供給之電漿產生用之氣體，在該區域X藉由高能量被激勵，有效地生成氮自由基。同時當作原料氣體之單矽烷氣體從第1氣體供給源131經第1氣體供給口133、貫通孔150、161被導入至處理容器10內。
被導入至處理容器10內之單矽烷藉由電漿被激勵而被分解成SiH3。此時，單矽烷氣體因從垂下構件101之底面被導入至處理容器10之電漿空間U，故單矽烷氣體不會通過電子溫度高之區域X。其結果，抑制由於過量之SiH3所致之反應生成和氣相反應。再者，因藉由凹 陷部160抑制限流孔部162附近之電子溫度，故抑制在限流孔部162附近產生反應生成物。
而且，氮自由基及SiH3隨著從噴淋板100朝向晶圓W的垂直下方之氣流而到達至晶圓W之表面，作為氮化矽堆積在晶圓W上面。依此，在晶圓W之上面形成氮化矽膜。
若藉由上述實施型態時，因在較垂下構件101之外側面更內側設置第1氣體供給口133，故第1氣體不會通過被形成在噴淋板100之溝槽220附近之電子溫度高的區域X。因此，可以避免單矽烷氣體藉由表面波電漿過量被分解。其結果，針對使用噴淋板100而對晶圓W施予電漿處理，可以抑制在如噴淋板100之貫通孔161或第2氣體供給口151之氣體孔由於反應生成和氣相反應所致之堆積物，在本實施型態中係形成矽膜。
除此之外，因在垂下構件101之下端面形成上方凹陷之凹陷部160，具有限流孔部162之貫通孔161被設置在凹陷部160之上方，故可以在限流孔部162和垂下構件101之下端面之間確保特定距離。而且，因垂下構件101成為接地電位，故藉由抑制表面波進入凹陷部160，可以抑制在限流孔部162附近之電子溫度，或者電子或自由基等到達至限流孔部162附近。其結果，可以抑制反應生成物成膜、堆積至限流孔部162，防止限流孔部162即是第1氣體供給口133之堵塞。
再者，因垂下構件101之外側面具有拋物線 形狀，並且以從溝槽220之中心朝向垂直下方拉的假想線和該拋物線相交之方式設定成垂下構件101之形狀和溝槽220之配置，故在該垂下構件101之外側面，微波朝橫向或斜上方反射。因此，垂下構件101之外側面附近之電場強度變高，在垂下構件101之外側面形成高能量狀態之區域X。其結果，從第2氣體供給口被供給之第2氣體因在區域X有效率地被激勵，故可以有效率地產生電漿。並且，溝槽220和垂下構件101之位置關係不一定要限定於本實施型態之內容，即使溝槽220位於垂下構件101外側面之拋物線形狀之外側，從溝槽220被導入至微波亦藉由垂下構件101之外側面被反射，故可以在垂下構件101之外側面附近形成電場強度高的區域。
再者，若藉由本實施型態時，藉由在噴淋板100之下面設置垂下構件101，例如圖9所示般，在垂下構件101之外側面附近，橫向之電場強度變高。在此，在不設置垂下構件101之以往的噴淋板中，例如圖8所示般，電場從該噴淋板朝橫向之擴展變大，與同軸管60之下方對應之區域的電場強度，有相對性較此外的區域之電場強度高之傾向。其結果，處理容器內之電場強度成為不均勻，電漿處理之均勻性有極限。此點，如本實施型態般，藉由設置垂下構件101，提高橫向之電場強度，較以往可以使電場強度分佈均勻化。因此，若藉由與本實施型態有關之電漿處理裝置1時，可以進行較以往高均勻性之電漿處理。
並且，因下部平板120之下面附近藉由表面波電漿成為高溫，故在氣體流路140內流通之氣體也藉由該電漿之熱而溫度上升。其結果，氣體流路140內之氣體之內部能量增加，藉由表面波電漿成為容易分解之狀態。因此，若使容易分解之氣體，即是在此時使電漿產生用之氣體流通於氣體流路140內時，則可以促進因表面波電漿所致之分解。因此，供給電漿產生用之氣體之第2氣體供給源141以連接於下部平板120之氣體流路140為佳。
並且，在以上之實施型態中，雖然第1氣體供給口133僅設置在與垂下構件101對應之位置，但是第1氣體供給口133即使設置在與垂下構件101對應之位置以外亦可，例如圖12所示般，即使在噴淋板100之下面以大概等間隔之方式配置第2氣體供給口151和第1氣體供給口133亦可。並且，在與下部平板120之第1氣體供給口133對應之位置形成貫通孔150。此時，因藉由下部平板120之下面之電子溫度高之區域通過屬於原料氣體之第1氣體，防止反應生成和氣相反應所致之堆積物堵塞如第2氣體供給口151或貫通孔150之氣體孔，故即使在貫通孔150之下端設置特定長度之供給噴嘴200亦可。並且，在圖12中，供給噴嘴200之長度描繪出與垂下構件101之長度L相等之狀態，但是供給噴嘴200之長度並不限定於本實施型態之內容，例如上述般，從噴淋板100之下面大概5mm以內之通過電子溫度比較高之區域的長度時則可以任意設定。再者，藉由設置屬於突起物之供給噴 嘴200，在該供給噴嘴200也傳播表面波而引起共振，有可能阻礙在電漿空間U生成均勻之電漿。因此，供給噴嘴200之長度係以導入至處理容器10內之微波之波長之1/16~3/16左右，更佳為1/8左右為佳。
再者，在以上之實施型態中，雖然垂下構件101之外側面具有拋物線形狀，但是垂下構件101之形狀並不限定於本實施型態之內容，若為外側面從上端部朝向下端部擴展至外側之形狀時，則可任意設定。例如，如圖13所示般，即使使用外側面被形成直線狀之略圓錐台形狀之垂下構件300亦可，例如圖14所示般，即使使用外側面之接線方向逐漸從傾斜方向變化成垂直方向之屬於略二次曲線形狀的垂下構件310亦可。若藉由本發明者們，若垂下構件101之外側面具有從上端部朝向下端部擴展至外側的形狀時，因在垂下構件101之外側面，微波朝橫向或斜上方反射，故可以在垂下構件101之外側面附近形成高能量之狀態。
在以上之實施型態中，雖然在垂下構件101之內部形成在上下方向貫通之貫通孔161，但是即使貫通孔161在例如傾斜方向延伸亦可，例如若以如單矽烷氣體之原料氣體不會過量分解之方式，形成在不面對區域X之位置時，其形狀可以任意設定。再者，例如圖15所示般，即使在垂下構件101之內部，形成與下部平板120之貫通孔150連通之氣體室101a，在該氣體室101a之下方形成貫通孔161亦可。並且，在圖15中，針對限流孔部 162省略其記載。
在以上之實施型態中，雖然在上部平板110之氣體流路130及下部平板120之氣體流路140分別經由一個供給管132、142連接第1氣體供給源131、第2氣體供給源141，但是即使例如以氣體流路130、氣體流路140分別獨立之環狀設成同心圓狀之流路，在各個氣體流路設置複數的供給管132及複數的供給管142，以使控制供給至各流路之氣體之流量亦可。如此一來，能對下部平板120之每個區域控制氣體之供給量，例如對應於電場強度分布而控制原料氣體或電漿產生用氣體之供給量，而可以對晶圓W進行更均勻之電漿處理。
尤其，如以往般，使用不具有垂下構件101之噴淋板100，對處理容器10內供給當作原料氣體之單矽烷氣體之時，因在噴淋板100下面過量分解原料氣體，故難以控制SiH3之生成量，但是在本發明中，藉由經垂下構件101供給單矽烷氣體，可以抑制過量之SiH3之生成。因此，藉由控制單矽烷氣體之供給量，可以容易調整SiH3之生成量，依此，能控制晶圓W上之成膜量。此時，進一步設置複數供給管132及供給管142而在每個下部平板120之特定區域控制氣體之供給量，依此因可以在每個區域更嚴密地調整氮自由基和SiH3之生成量，故可以對晶圓W施予更均勻之電漿處理。
在上述實施型態中，雖然凹陷部160具有圓柱形狀，但是凹陷部160之形狀若為朝垂下構件101之上 方凹陷之形狀時，則可任意設定，例如圖16所示般，即使為具有環狀之縫隙形狀之凹陷部250亦可。此時，也確認出藉由適當設定凹陷部250之寬度及高度，可以抑制反應生成物朝限流孔部162成膜、堆積。
再者，即使在垂下構件101之下端面，例如圖17所示般，進一步設置延伸至下方之第2垂下構件260，在該第2垂下構件260之下端面形成朝上方凹陷之凹陷部261亦可。
以上，雖然一面參照附件圖面一面針對本發明之最佳實施型態予以說明，但是本發明並不限並於如此之例。顯然若為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者時，能夠在申請專利範圍所記載之技術思想之範疇中，思及各種變更例或修正例，針對該些，也當然理解成屬於本發明之技術範圍。
10‧‧‧處理容器
100‧‧‧噴淋板
101‧‧‧垂下構件
133‧‧‧第1氣體供給口
160‧‧‧凹陷部
161‧‧‧貫通孔
162‧‧‧限流孔部

Claims (4)

  1. 一種電漿處理裝置，屬於具備對處理容器內供給第1氣體和第2氣體之噴淋板的電漿產生用天線，利用藉由供給微波而被形成在上述噴淋板表面之表面波而形成電漿對基板進行處理的電漿處理裝置，其特徵在於：具有從上述噴淋板之下端面突出至下方的藉由導電體所構成之垂下構件，上述垂下構件之外側面係從上端部朝向下端部而擴展至外側，上述噴淋板具備對上述處理容器內供給第1氣體之複數第1氣體供給口，和供給第2氣體之複數第2氣體供給口，在上述垂下構件之下端面形成向上方凹陷之凹陷部，在上述垂下構件之內部形成從該垂下構件之上端面與上述凹陷部連通之貫通孔，上述第1氣體供給口係被配置在較上述垂下構件之外側面更內側，並且被連接於上述貫通孔，上述第2氣體供給口係被配置在較上述垂下構件之外側面更外側，在上述貫通孔形成剖面積較該貫通孔小的限流孔部，上述垂下構件之電位為接地電位，在上述噴淋板設置有對上述處理容器內放射微波之微波放射孔，微波放射孔在俯視觀看下被配置成位於較上述垂下構 件之外周端部更內側。
  2. 如請求項1所記載之電漿處理裝置，其中上述垂下構件之外側面係朝向下方逐漸擴展至外側的拋物線形狀。
  3. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述第1氣體係較上述第2氣體容易藉由電漿被分解的氣體。
  4. 如請求項3所記載之電漿處理裝置，其中上述第1氣體為原料氣體，上述第2氣體係電漿生成用之氣體。
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Families Citing this family (267)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10607817B2 (en) * 2016-11-18 2020-03-31 Applied Materials, Inc. Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7058485B2 (ja) 2017-05-16 2022-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11508556B2 (en) 2017-05-16 2022-11-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
KR20200131432A (ko) 2019-05-14 2020-11-24 삼성전자주식회사 샤워 헤드 어셈블리 및 이를 갖는 플라즈마 처리 장치
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN114717627B (zh) * 2021-01-04 2024-04-19 善统工业股份有限公司 用于金属物件阳极处理的治具
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115305458B (zh) * 2022-10-10 2023-02-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体分配件、气体输送装置及其薄膜处理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200537561A (en) * 2004-05-12 2005-11-16 Applied Materials Inc Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US20070068625A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
TW201126604A (en) * 2009-06-19 2011-08-01 Semiconductor Energy Lab Plasma treatment apparatus, method for forming film, and method for manufacturing thin film transistor
KR20130081369A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치, 플라즈마 발생 장치, 및 박막 증착 방법
TW201415540A (zh) * 2012-06-27 2014-04-16 Tokyo Electron Ltd 電漿處理方法及電漿處理裝置
KR20140115978A (ko) * 2013-03-21 2014-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 샤워 플레이트

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0622981Y2 (ja) * 1985-06-19 1994-06-15 株式会社芝浦製作所 プラズマ発生装置
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US5996528A (en) * 1996-07-02 1999-12-07 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for flowing gases into a manifold at high potential
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
US7220937B2 (en) 2000-03-17 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination
JP3650025B2 (ja) * 2000-12-04 2005-05-18 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2002299240A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
JP4025030B2 (ja) * 2001-04-17 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置及び搬送アーム
JP3969081B2 (ja) 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3914071B2 (ja) * 2002-03-12 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20030178143A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with plural independently driven concentric coaxial waveguides
US20060137613A1 (en) * 2004-01-27 2006-06-29 Shigeru Kasai Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus
JP4532897B2 (ja) 2003-12-26 2010-08-25 財団法人国際科学振興財団 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
JP4503356B2 (ja) * 2004-06-02 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および半導体装置の製造方法
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
JP5082229B2 (ja) * 2005-11-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5068458B2 (ja) * 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
US8715455B2 (en) * 2007-02-06 2014-05-06 Tokyo Electron Limited Multi-zone gas distribution system for a treatment system
US20080303744A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
DE102008010041A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Schichtabscheidevorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
JP5202050B2 (ja) * 2008-03-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5253932B2 (ja) 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
KR101639230B1 (ko) * 2008-12-04 2016-07-13 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학 기상 증착 유동물 유입구 부재 및 방법
KR101092122B1 (ko) * 2010-02-23 2011-12-12 주식회사 디엠에스 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템
US20130137273A1 (en) * 2011-11-28 2013-05-30 Infineon Technologies Ag Semiconductor Processing System
JP6046052B2 (ja) * 2011-12-12 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生用アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8747610B2 (en) * 2012-03-30 2014-06-10 Tokyo Electron Limited Plasma source pumping and gas injection baffle
US9589770B2 (en) * 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) * 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP6338462B2 (ja) * 2013-09-11 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9275840B2 (en) 2014-01-25 2016-03-01 Yuri Glukhoy Method for providing uniform distribution of plasma density in a plasma treatment apparatus
US9657845B2 (en) * 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200537561A (en) * 2004-05-12 2005-11-16 Applied Materials Inc Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US20070068625A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
TW201126604A (en) * 2009-06-19 2011-08-01 Semiconductor Energy Lab Plasma treatment apparatus, method for forming film, and method for manufacturing thin film transistor
KR20130081369A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치, 플라즈마 발생 장치, 및 박막 증착 방법
TW201415540A (zh) * 2012-06-27 2014-04-16 Tokyo Electron Ltd 電漿處理方法及電漿處理裝置
KR20140115978A (ko) * 2013-03-21 2014-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 샤워 플레이트

Also Published As

Publication number Publication date
US10443130B2 (en) 2019-10-15
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