JP2021111783A - チャネル付きリフトピン - Google Patents

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Abstract

【課題】本開示は、一般に、半導体処理システムまたは反応器システム、特に半導体反応器システム、およびその中に含まれる構成要素に関し、例えば、反応器システムおよび／または基材の望ましくない場所への材料堆積を防止する。【解決手段】反応器システムは、チャンバ側壁によって囲まれた反応チャンバと、反応空間と反応チャンバ内に含まれる下部チャンバ空間との間の反応チャンバ内に配置されるサセプタとを備えてもよい。サセプタは、ピン穴が反応空間および下部チャンバ空間と流体連通するように、また反応空間が下部チャンバ空間と流体連通するように、サセプタを通して配置されるピン穴を備えてもよい。リフトピンは、ピン穴内に配置され得る。リフトピンは、リフトピンがピン穴内に配置されるとき、反応空間が下部チャンバ空間と流体連通するように、ピン本体内に配置された、ピンチャネル表面によって画定される、ピンチャネルを備えるピン本体を備えてもよい。【選択図】図２Ａ

Description

本開示は、一般に、半導体処理システムまたは反応器システム、特に半導体反応器システム、およびその中に含まれる構成要素に関し、例えば、反応器システムおよび／または基材の望ましくない場所への材料堆積を防止する。
反応チャンバは、半導体基材上へ様々な物質層を堆積させるために使用されてもよい。半導体は、反応チャンバ内のサセプタ上に配置され得る。基材およびサセプタの両方を、所望の基材温度設定点にまで加熱してもよい。例示の基材処理プロセスでは、一つまたは複数の反応ガスが、加熱された基材の上を通り、基材表面上に物質の薄膜の堆積を引き起こしてもよい。それに続く堆積、ドーピング、リソグラフィ、エッチングおよび他のプロセスを通して、これらの層が集積回路になる。
反応チャンバは、通常、シングルチャンバまたはデュアルチャンバで製造される。デュアルチャンバ配置では、二つのチャンバは、一つのチャンバが第二のチャンバ上に垂直に配向されてもよく、第二のチャンバは、例えば、サセプタによって分離されてもよい。デュアルチャンバを備える反応器システムの作動中、望ましくない汚染物質が、基材の下側（すなわち、サセプタに近接する基材の表面）に蓄積および／またはコーティングする可能性があり、および／または堆積プロセス中に基材が曲がり得るため、材料が基材縁部に蓄積する可能性がある。したがって、装置および方法は、基材の下側への堆積、および基材縁部への望ましくない材料の蓄積を防止するために望ましい。
この発明の概要は、概念の選択を簡略化した形で紹介するように提供する。これらの概念について、以下の本開示の例示的な実施形態の「発明を実施するための形態」において、更に詳細に説明される。この発明の概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図していない、または特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることを意図していない。
いくつかの実施形態では、反応器システムが提供される。本明細書に開示される反応器システムは、サセプタ上の基材の着座および／または平坦化を可能にして、基材上の望ましくない材料堆積および／または堆積パターンを低減または防止し得る。
様々な実施形態では、反応器システムは、チャンバ側壁によって囲まれた反応チャンバと、反応空間と反応チャンバ内に含まれる下部チャンバ空間との間の反応チャンバ内に配置されるサセプタとを備えてもよい。サセプタは、ピン穴が反応空間および下部チャンバ空間と流体連通するように、また反応空間が下部チャンバ空間と流体連通するように、サセプタを通して配置されるピン穴を備えてもよい。リフトピンは、ピン穴内に配置され得る。リフトピンは、リフトピンがピン穴内に配置されるとき、反応空間が下部チャンバ空間と流体連通するように、ピン本体内に配置された、ピンチャネル表面によって画定される、ピンチャネルを備えるピン本体を備えてもよい。ピンチャネルは、ピン本体の長さに沿って配置されてもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体が延在する軸に直線的かつ平行に延在してもよい。
様々な実施形態では、リフトピンは、ピン本体のピン外面がピン穴を画定するピン穴面に隣接して配置されるように配置され得る。様々な実施形態では、ピン外面は、一部が欠落した幾何学的形状を含む断面形状を画定してもよく、ピンチャネルは欠落部分である。様々な実施形態では、ピン本体は、ピンチャネルを含む切欠部を有する円筒形状を備えてもよく、ピン本体は、ピンチャネルを含む切欠部を有する円形断面をさらに備え、ピンチャネルは、ピン本体の円形断面内に扇形チャネルを備える。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピンチャネル表面が囲まれた形状を形成するように、ピン本体内に配置され得る。様々な実施形態では、リフトピンは、ピン本体の上端部にピンヘッドを備えてもよく、ピンチャネルはピンヘッドを通って延在してもよい。ピンヘッドは、サセプタのピン穴に少なくとも部分的に配置されてもよい。ピンヘッドは、サセプタと少なくとも部分的シールを形成する場合がある。様々な実施形態では、リフトピンは、ピン本体の上端部を備えてもよく、リフトピンおよびサセプタは、リフトピン本体の上端部がサセプタの基材支持面から突出することができるように、互いに対して動くように構成されてもよい。
様々な実施形態では、反応器システムは、下部チャンバ空間と流体連通する真空源をさらに備えてもよく、真空源は、リフトピンのピンチャネルを通して反応チャンバの反応空間と流体連通し得る。様々な実施形態では、チャンバ側壁は、サセプタのサセプタ外側面に近接して配置されてもよい。様々な実施形態では、反応器システムは、反応空間および反応チャンバの下部チャンバ空間が、空間を介して流体連通し得るように、チャンバ側壁とサセプタ外側面との間に配置される空間をさらに備えてもよい。様々な実施形態では、流体の流れは、チャンバ側壁とサセプタの外側面との間で制限されてもよい。
様々な実施形態では、方法は、反応チャンバの反応空間と反応チャンバの下部チャンバ空間との間の反応器の反応チャンバ内に圧力差を生成することを含んでもよく、反応空間および下部チャンバ空間は、反応チャンバ内に配置されたサセプタによって分離され、圧力差を形成することにより、下部チャンバ空間圧力が反応空間圧力よりも低くなり、および／または圧力差の生成に応答して、サセプタ内に配置され、反応空間と下部チャンバ空間との間に延在するピン穴を通して、流体が下部チャンバ空間に流れる。リフトピンは、ピン穴内に配置され得る。リフトピンは、ピン本体を備えてもよく、ピン本体は、リフトピンがピン穴内に配置されるとき、ピンチャネルを介して、反応空間が下部チャンバ空間と流体連通するように、ピン本体内に配置された、ピンチャネルを備えてもよい。
様々な実施形態では、基材は、サセプタの基材支持面上に配置されてもよく、基材支持面は反応空間に面し、ピン穴は基材支持面を通して配置される。方法は、圧力差の生成に応答して基材支持面に向かって基材上に吸引力を生成することと、ピン穴を通して流体を下部チャンバ空間に流すことと、および／または基材上に吸引力を生成することに応答して、基材をサセプタ支持面上に平坦に載置することと、をさらに含んでもよい。様々な実施形態では、圧力差の生成は、下部チャンバ空間に流体連結される真空源によって達成され得る。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体内に配置され、ピン本体によって完全に囲まれ得る。様々な実施形態では、ピン本体は、一部が欠落した断面形状を備えてもよく、ピンチャネルは欠落部分であり得る。
先行技術を超えて達成される本開示および利点を要約する目的で、本開示のいくつかの特定の目的および利点が本明細書において上記に説明されている。当然のことながら、必ずしもこうした目的または利点のすべてが本開示の任意の特定の実施形態によって達成されなくてもよいことが理解されるべきである。それ故に、例えば、本明細書で教示または示唆され得る通りの他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本明細書に教示または示唆される通りの一つの利点または一群の利点を達成または最適化する様態で、本明細書に開示される実施形態が実行されてもよいことを当業者は認識するであろう。
これらの実施形態の全ては、本開示の範囲内であることが意図されている。当業者には、これらのおよび他の実施形態は、添付の図面を参照して、以下のある特定の実施形態の詳細な説明から容易に明らかとなり、本開示は、論じられるいかなる特定の実施形態にも限定されない。
本明細書は、本開示の実施形態と見なされるものを具体的に指摘し、明確に特許請求する特許請求の範囲で結論付ける一方で、本開示の実施形態の利点は、添付の図面と併せて読むと、本開示の実施形態のある特定の実施例の説明から、より容易に解明され得る。図面全体にわたって同様の要素番号が付けられている要素は、同じであることが意図されている。
図１は、様々な実施形態による、例示的な反応器システムの概略図である。 図２Ａは、様々な実施形態による、サセプタがより低い位置に配置された例示的な反応チャンバの概略図である。 図２Ｂは、様々な実施形態による、サセプタが上昇位置に配置された例示的な反応チャンバの概略図である。 図３は、様々な実施形態による、サセプタ内に配置されたチャネルを備えるリフトピンの斜視図を示す。 図４は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの上面斜視図を示す。 図５は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの底面斜視図を示す。 図６は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの正面図を示す。 図７は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの背面図を示す。 図８は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの右側面図を示す。 図９は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの左側面図を示す。 図１０は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの上面図を示す。 図１１は、様々な実施形態による、チャネルリフトピンの底面図を示す。 図１２は、様々な実施形態による、反応器システム内の基材を処理するための方法を示す。
ある特定の実施形態および実施例を以下に開示するが、それらは、本開示が具体的に開示する本開示の実施形態および／または用途、ならびにその明白な変更および均等物を超えて拡大することは、当業者により理解されるであろう。したがって、本開示の範囲は、本明細書に記載される具体的な実施形態によって限定されるべきではないことが意図される。
本明細書に示される図は、任意の特定の材料、装置、構造またはデバイスの実際の図であることを意味せず、本開示の実施形態について記載するために使用される、単なる表現にすぎない。
本明細書で使用する用語「基材」は、使用される場合がある、またはその上にデバイス、回路もしくはフィルムが形成される場合がある、あらゆる下層材料または複数の下層材料を指してもよい。
本明細書で使用する用語「原子層堆積」（ＡＬＤ）は、堆積サイクル、好ましくは複数の連続堆積サイクルがプロセスチャンバ内で行われる蒸着プロセスを指すことができる。典型的には、各サイクルの間、前駆体は、堆積表面（例えば、基材の表面または以前に堆積させた下地の表面、例えば、以前のＡＬＤサイクルを用いて堆積させた材料など）に化学吸着し、追加の前駆体と容易に反応しない単層またはサブ単層を形成する（すなわち、自己制御反応）。その後、必要に応じて、化学吸着した前駆体を堆積表面上で所望の材料に変換するのに使用するために、反応物質（例えば、別の前駆体または反応ガス）をその後プロセスチャンバ内に導入することができる。典型的には、この反応物質は前駆体と更に反応することができる。更に、各サイクル中にパージ工程を利用して、化学吸着された前駆体の変換後に、過剰な前駆体をプロセスチャンバから除去する、ならびに／または過剰の反応物質および／もしくは反応副生成物をプロセスチャンバから除去することができる。更に、本明細書で使用される「原子層堆積」という用語は、関連する用語、例えば、「化学蒸着原子層堆積」、「原子層エピタキシー」（ＡＬＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、ガス源ＭＢＥ、または有機金属ＭＢＥ、ならびに前駆体組成物、反応性ガス、およびパージ（例えば、不活性キャリア）ガスの交互パルスで実施される場合の化学ビームエピタキシー等、により示されるプロセスを含むことも意味する。
本明細書で使用する用語「化学蒸着」（ＣＶＤ）は、基材を一つまたは複数の揮発性前駆体に曝し、その前駆体が基材表面上で反応および／または分解して所望の堆積物を生成する、任意のプロセスを指すことができる。
本明細書で使用される用語「膜」および「薄膜」は、本明細書に開示される方法により堆積させた任意の連続的または非連続的な構造体および材料を指すことができる。「膜」および「薄膜」としては、例えば、２Ｄ材料、ナノロッド、ナノチューブ若しくはナノ粒子、または平坦な部分的な若しくは完全な分子層、または部分的な若しくは完全な原子層、または原子および／もしくは分子のクラスタ、を挙げることができる。「膜」および「薄膜」は、ピンホールを有する材料または層を含み得るが、それでも少なくとも部分的に連続している。
本明細書で使用される場合、「汚染物」という用語は、反応チャンバ内に配置された基材の純度に影響を与え得る、反応チャンバ内に配置された任意の望ましくない材料を指し得る。「汚染物」という用語は、反応チャンバ内に配置された、望ましくない堆積物、金属および非金属粒子、不純物、および廃棄物を指し得るが、これらに限定されない。
ＡＬＤ、ＣＶＤ、および／または同類のものに使用される反応器システムは、基材表面への材料の堆積およびエッチングを含む、様々な用途に使用され得る。様々な実施形態では、反応器システム５０は、反応チャンバ４、処理中に基材３０を保持するサセプタ６、一つまたは複数の反応物質を基材３０の表面に分配するための流体分配システム８（例えば、シャワーヘッド）、ライン１６〜２０およびバルブもしくはコントローラ２２〜２６を介して反応チャンバ４に流体連結される、一つまたは複数の反応物質源１０、１２、および／またはキャリアおよび／またはパージガス源１４を備え得る。システム５０はまた、反応チャンバ４に流体連結された真空源２８を備えてもよい。
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、本開示の実施形態は、反応器１００内の基材を処理するために利用され得る反応器システムおよび方法を含み得る。様々な実施形態では、反応器１００は、基材を処理するための反応チャンバ１１０を備えてもよい。様々な実施形態では、反応チャンバ１１０は、一つまたは複数の基材を処理するように構成され得る反応空間１１２（すなわち、上部チャンバ）、および／または下部チャンバ空間１１４（すなわち、下部チャンバ）を備えてもよい。下部チャンバ空間１１４は、反応チャンバからの基材の装填および取り出しのために、および／または下部チャンバ空間１１４と反応空間１１２との間に圧力差を提供するために構成され得る。
様々な実施形態では、反応空間１１２および下部チャンバ空間１１４は、反応チャンバ１１０内に配置されたサセプタ１３０によって分離され得る。様々な実施形態では、反応空間１１２および下部チャンバ空間１１４は、実質的に流体的に分離されてもよく、または互いに隔離されてもよい。例えば、サセプタ１３０は、サセプタ１３０と、サセプタ１３０のサセプタ外側面１３２に近接して配置される反応チャンバ１１０のチャンバ側壁１１１との間に、少なくとも部分的なシール（すなわち、少なくとも流体の流れを制限する）を形成することによって、反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４とを流体的に分離し得る。すなわち、サセプタ１３０とチャンバ側壁１１１との間の空間１０８は、サセプタ１３０とチャンバ側壁１１１との間の流体移動がほとんどまたは全くないように、最小化または排除され得る。
様々な実施形態では、サセプタ１３０とチャンバ側壁１１１との間の流体の流れを防止または低減するために、一つまたは複数のシール部材（例えば、シール部材１２９）は、サセプタ１３０から（例えば、サセプタ外側面１３２から）、および／または反応チャンバ１１０のチャンバ側壁１１１から他方へと延在してもよく、サセプタ１３０とチャンバ側壁１１１との間に少なくとも部分的なシール（すなわち、流体の流れを制限または防止する）を形成する。下部チャンバ空間１１４からの反応空間１１２の少なくとも部分的なシールは、基材１５０の処理において利用される前駆体ガスおよび／または他の流体が、反応チャンバ１１０の下部チャンバ空間１１４に入り込む、および／または接触するのを防止または低減するのが望ましい場合がある。例えば、反応空間内の基材を処理するために利用される前駆体ガスは、下部チャンバ空間１１４と接触して望ましくない堆積物／汚染物／粒子を生成し、これが次いで反応空間１１２に再導入され、それによって反応空間内に配置された基材に汚染源を提供し得る、腐食性堆積前駆体を含む可能性がある。
様々な実施形態では、サセプタ１３０と反応チャンバ１１０のチャンバ側壁１１１との間に延在するシール部材１２９、および／またはサセプタ１３０と反応チャンバ１１０のチャンバ側壁１１１との間の直接接触によって形成される少なくとも部分的なシールが、空間１０８を介して反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４との間の流体連通を制限するか、または実質的に阻止し得るものの、少量の前駆体ガスは、拡散によって下部チャンバ空間１１４に入ることが依然として可能であり、これが反応器システムの反応チャンバの下部チャンバ内に、腐食、望ましくない堆積、および汚染物質をもたらす可能性がある。
様々な実施形態では、サセプタ１３０は、一つまたは複数のピン穴１３７を備えてもよい。各ピン穴１３７は、サセプタ１３０の上面（例えば、基材１５０が処理のために配置され得る基材支持面１３５）からサセプタ１３０の底面１３６まで、サセプタ１３０を貫通し得る。サセプタ上面（例えば、基材支持面１３５）は、反応チャンバ１１０の反応空間１１２に近接するサセプタ１３０の表面であってもよい。サセプタ底面１３６は、反応チャンバ１１０の下部チャンバ空間１１４に近接するサセプタ１３０の表面であってもよい。ピン穴１３７に配置されたリフトピンがない場合、反応空間１１２および下部チャンバ空間１１４は、ピン穴１３７を介して互いに流体連通し得る。すなわち、ピン穴１３７は、反応空間１１２および下部チャンバ空間１１４と流体連通し得る。
リフトピン２００（または他の類似の物体）は、各ピン穴１３７内に配置され得る。図３〜図１１をさらに参照すると、リフトピン３００（図２Ａおよび図２Ｂに示したリフトピン２００の一例）は、リフトピン本体３５０を備えてもよく、これは、ピン穴３３７内に配置するとき、少なくともピン穴３３７の一部（図２Ａおよび図２Ｂのピン穴１３７の一例）に延在するように構成される。ピン本体３５０は、ピン穴３３７の断面形状に相補的な断面形状（ピン本体３５０の長さに対して垂直に取られた断面において）を備えてもよい。ピン本体３５０は、ピン外面３７０によって画定され得る。ピン外面３７０の少なくとも一部は、リフトピン３００がピン穴３３７内に配置されるときに、ピン穴３３７を画定するピン穴面３３９に隣接して配置される。様々な実施形態では、ピン外面３７０は、ピン外面３７０と接触するピン穴面３３９との間に、ほとんどまたは全く流体（例えば、液体または気体）が通過しないように、ピン穴面３３９と少なくとも部分的シールを形成し得る。
様々な実施形態では、リフトピン３００は、ピン底端部３９０に対向するピン上端部３１０を備えてもよく、ピン本体３５０（およびピン長さ）は、それらの間に延在する。リフトピン３００のピン上端部３１０は、ピンヘッド３２０を備えてもよい。ピンヘッド３２０は、ピン本体３５０と比較して任意の好適な形状であってもよい。様々な実施形態では、ピンヘッド３２０は、ピン本体３５０の断面形状と同じ断面形状（ピン本体３５０の長さに対して垂直に取られた断面において）を備えてもよい。様々な実施形態では、ピンヘッド３２０は、ピン本体３５０の断面形状よりも大きいまたは小さい表面積を含む断面形状（ピン本体３５０の長さに対して垂直に取られた断面において）を備えてもよい。
ピンヘッド３２０が、ピン本体３５０の断面形状よりも大きな表面積を含む実施形態では、リフトピン３００が配置されるピン穴３３７は、ピンヘッド３２０の断面形状を補完する断面形状を有するピンヘッド穴３３８を備えてもよい。ピンヘッド３２０は、ピンヘッド外面３２２によって画定され得る。ピンヘッド外面３２２は、リフトピン３００がピン穴３３７内に配置されるときに、ピンヘッド穴３３８を画定するピン穴面３３９に隣接して配置され得る。様々な実施形態では、ピンヘッド外面３２２は、ピンヘッド穴３３８のピン穴面３３９と少なくとも部分的シールを形成してもよく（すなわち、ピンヘッド３２０と、ピンヘッド穴３３８のピン穴面３３９との間の流体の流れを制限し）、および／またはピンヘッド３２０の張り出し部３２６は、ピン穴面３３９の相補的部分と少なくとも部分的シールを形成してもよく、これにより、流体（例えば、液体または気体）が、ピンヘッド３２０とピン穴３３７のピンヘッド穴３３８との間をほとんどまたは全く通過しないようにすることができる。
様々な実施形態では、リフトピン３００は、ピン上端部３１０のピン上面３１５を備えてもよい。ピン上面３１５は、ピンヘッド３２０の一部であってもよい。ピン上面３１５は、任意の好適な形状を備え得る。例えば、ピン上面３１５は、平坦、凹面、または凸面を備えてもよい。様々な実施形態では、ピン上面３１５は、基材１５０と接触して、サセプタ１３０に対して基材１５０を動かすように構成され得る。例えば、リフトピン３００は、サセプタ１３０に対して基材１５０を上下に移動させることができる（すなわち、基材１５０とサセプタ１３０との間の空間を増加または減少させる）。
様々な実施形態では、リフトピン３００は、ピンヘッド３２０とピン本体３５０の残りの部分との間の断面積変化差にピン凹部３３１を備え得る。様々な実施形態では、このような寸法の間に空間または凹部は存在しなくてもよい。
考察されるように、基材１５０およびサセプタ１３０は、互いに対して移動可能であってもよい。例えば、様々な実施形態では、一つまたは複数のリフトピン３００（または図２Ａおよび図２Ｂに示すリフトピン２００）は、基材１５０をサセプタ１３０から分離させ、基材１５０をサセプタ１３０と接触して配置させる（すなわち、サセプタ１３０によって支持される）ように構成され得る。様々な実施形態では、サセプタ１３０は、例えば、サセプタエレベーター１０４を介して、サセプタ１３０が基材１５０に対して動くように、上下に移動することができる。様々な実施形態では、リフトピン２００（または図３〜図１１の３００）は、例えば、基材１５０がサセプタ１３０に対して動くように、リフトピンエレベーター／プラットフォーム２０２を介して、上下に移動することができる。様々な実施形態では、サセプタ１３０および／またはリフトピン２００（または図３〜図１１の３００）は、他方が動いている間、静止していてもよい。様々な実施形態では、サセプタ１３０および／またはリフトピン２００は、他方に対して動くように構成され得る。
様々な実施形態では、反応器システムは、対応するリフトピン（例えば、リフトピン３００）がそれぞれのピン穴に配置された、三つのピン穴（例えば、ピン穴１３７）（または任意の好適な数のピン穴）を含むサセプタ（例えば、サセプタ１３０）を備え得る。ピン穴は、基材支持面１３５上または基材支持面１３５全体に任意の適切なパターンで離間してもよい（例えば、基材支持面１３５上の周囲に等距離で、基材支持面１３５を横切るパターンで、および／または同類のもので）。リフトピンは、サセプタに対して（例えば、基材支持面に対して）上下に一緒に移動して、基材（例えば、基材１５０）を上下させることができる。基材は、例えば、反応空間（例えば、反応空間１１２）内の処理位置（すなわち、上昇位置）（例えば、図２Ｂに示す処理位置１０６）に上げる、および／または装填位置（すなわち、低い位置）（例えば、図２Ａに示す装填位置１０３）に下げることができる。様々な実施形態では、リフトピンは、サセプタが静止している間に移動し、またはリフトピンは、サセプタが移動している間に静止して、サセプタに対して基材を上下させることができる。様々な実施形態では、リフトピンおよびサセプタは、サセプタに対して基材を上下させるために移動する場合がある。
様々な実施形態では、リフトピン２００（または図３〜図１１の３００）は、例えば、基材１５０とサセプタ１３０との間の静止摩擦のために、サセプタ１３０に付着し得る反応チャンバ１１０からの基材１５０の除去を容易にし得る。リフトピン２００（または図３〜図１１の３００）は、リフトピン２００および／またはサセプタ１３０が他方に対して移動することによって、サセプタ１３０から基材１５０を分離しやすくし得る。
様々な実施形態では、基材１５０は、処理のためにサセプタ１３０の上（例えば、サセプタ１３０の基材支持面１３５上）に直接配置されてもよい。様々な実施形態では、サセプタ１３０の上面は、基材支持面１３５と同じ平面上に配置されてもよい。様々な実施形態では、基材支持面１３５は、サセプタ１３０の上面に凹部が存在するように、サセプタ１３０内に凹んでもよい。基材支持面１３５を含む凹部は、基材１５０の高さの少なくとも一部が凹部内に配置されるような高さを備えてもよい。凹部は、基材１５０が基材支持面１３５上、および凹部内に配置されるとき、基材１５０の上面がサセプタ１３０の上面と同一平面になるような高さを備えてもよい。
様々な実施形態では、基材１５０を反応チャンバ１１０から装填および／または取り出すために、基材は、リフトピン２００（または図３〜図１１の３００）上に配置され得る（例えば、ピン上面３１５上）。リフトピン２００（または図３〜図１１の３００）上に基材１３０を配置することは、例えば、チャンバ側壁１１１の開口部９８を通して、反応チャンバ１１０からの基材１５０の装填または取り出しを容易にし得る。
様々な実施形態では、基材１５０がリフトピン２００上に配置されると、基材１３０は、装填位置１０３から処理位置１０６に移動し、このような移動中に基材１５０を受けることができる。こうした実施形態では、リフトピン２００のピン上端部および／またはピンヘッド（例えば、ピンヘッド３２０）は、ピン穴１３７（図３のピン穴３３７）によって受容されてもよく、したがって、基材１５０はサセプタ１３０に直接接触してもよい。様々な実施形態では、リフトピン２００のピンヘッドは、ピンヘッド３２０の張り出し部３２６に相補的なピン穴３３７および／またはピンヘッド穴３３８の一部によって支持され得る。したがって、リフトピン２００は、サセプタ１３０と共に処理位置１０６まで移動し得、リフトピン２００は、ピン上端部（例えば、リフトピン３００のピン上端部３１０）が、基材支持面１３５と同一平面および／または基材支持面１３５の下になるように、ピン穴１３７内に配置される。
様々な実施形態では、基材１５０がリフトピン２００上に配置されると、リフトピン２００は、サセプタ１３０内に下方に移動し得、その結果、基材１５０がサセプタ１３０によって受容される（すなわち、基材１５０が基材支持面１３５上に置かれる）。それに応じて、ピン上端部（例えば、リフトピン３００のピン上端部３１０）は、基材支持面１３５と同一平面および／または基材支持面１３５の下であってもよい。基材１５０は、その後、反応チャンバ内で処理され得る。
様々な実施形態では、一つまたは複数のリフトピンは、リフトピンの長さに沿ってピン本体に配置されたチャネル（すなわち、空隙部分）を備えてもよい。ピンチャネルは、リフトピンがサセプタのそれぞれのピン穴内に配置されるとき、反応空間および反応チャンバの下部チャンバ空間の両方が、ピンチャネルと流体連通し得るように、リフトピンの長さに延在してもよい。したがって、ピンチャネルは、リフトピンがそれぞれのピン穴内に配置されるとき、反応空間と下部チャンバ空間との間の流体連通を可能にし得る。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体が延在する軸に直線的かつ平行に延在してもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、任意の好適な構成（例えば、非線形、ピン本体のスパニングに対して非平行である経路、蛇行、らせん、または任意の他の所望の構成）で、ピン上端部とピン底端部との間に延在してもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、リフトピンがサセプタのそれぞれのピン穴に配置され、基材がサセプタ上に、サセプタと接触して配置されるとき、反応空間および下部チャンバ空間がピンチャネルを介して流体連通するように、ピン上端部からピン底端部に向かって十分に延在し得る。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン上端部（例えば、ピン上端部３１０）からピン底端部（例えば、ピン底端部３９０）まで、またはピン上端部とピン底端部との間のどこかにまで延在し得る。
リフトピンがピンヘッドを備える実施形態では、図３〜図１１に示すように、ピンチャネル３４０は、ピンヘッド３２０を通ってピン上端部３１０まで延在する。
ピンチャネルは、任意の適切な構成を備えてもよい。例えば、リフトピン３００は、ピンチャネル表面３４２によって画定されるピンチャネル３４０を備えてもよい。ピンチャネル３４０がピン本体３５０内に完全には囲まれていないなど、ピンチャネルがリフトピンのピン本体内に完全に囲まれていない実施形態では、ピンチャネル表面（例えば、ピンチャネル表面３４２）は、囲まれた形状を形成しない場合がある。
様々な実施形態では、ピン外面３５０は、ピン外面３７０が実際に囲まれた断面形状を形成するかどうかにかかわらず、ピン本体３５０の囲まれた断面形状を画定し得る。例えば、図３〜図１１に示すように、ピン本体３５０は、円形断面形状を画定するが、ピン外面３７０は、ピンチャネル３４０のために実際には囲まれた円形断面形状を形成しない。しかしながら、ピン外面３７０をピン本体３５０内の空隙（すなわち、ピンチャネル３４０）内に外挿することにより、ピン外面３７０によって画定されるピン本体３５０の断面形状が円形であると容易に判定することができる。したがって、ピンチャネル３４２がピン本体３５０内に完全に囲まれていないなど、ピンチャネルがリフトピンのピン本体内に囲まれていない実施形態では、ピン外面（ピン外面３７０）は、ピンチャネル（例えば、ピンチャネル３４２）が欠けている形状の一部であるように、ピン本体の断面形状（例えば、幾何学的形状）を画定することができる。図３〜図１１に示すように、ピン本体３５０は、切欠部（ピンチャネル３４０）を有する円筒状であってもよく、円形の断面形状（ピン外面３７０の経路から外挿される）と切欠部（ピンチャネル３４０）とを備えてもよく、ピンチャネル３４０は、扇形であってもよい。ピン本体は、任意の適切な断面形状を備えてもよく、ピンチャネルは、任意の適切な断面形状（例えば、長方形、正方形、三角形、円形、楕円形、および／または同類のもの）を備えてもよい。
様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体内に完全に囲まれ得る。こうした実施形態では、チャネル外面は、囲まれた形状を形成する。こうした実施形態では、ピンチャネルは、任意の好適な断面形状（例えば、長方形、正方形、三角形、円形、楕円形、および／または同類のもの）を備え得る。
様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体の任意の好適な部分を備えてもよい。例えば、図３〜図１１に示すように、ピンチャネル３４０は、ピン本体３５０の四分の一（またはピン本体３５０の断面形状の四分の一）を備えてもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体の三分の一、五分の一、六分の一、八分の一、十分の一、もしくは二分の一、または六分の一、もしくは八分の一、もしくは十分の一と二分の一との間で構成されてもよい。様々な実施形態では、ピン本体は、リフトピンがサセプタのそれぞれのピン穴に配置されるとき、反応空間および下部チャンバ空間が流体連通するように複数のピンチャネルを備えてもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体の断面形状と同心断面形状を備えるピン本体によって囲まれた形状を備えてもよい。様々な実施形態では、ピンチャネルは、ピン本体内の任意の適切な位置に配置されたピン本体によって囲まれた形状を備えてもよい。
リフトピン３００は、任意の好適な材料、例えば、鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、セラミック材料（例えば、炭化ケイ素）、および／または同類のものから構成され得る。
基材処理の間（例えば、原子層堆積、化学蒸着（ＣＶＤ）、および／または同類のものの間）、基材は上向きに湾曲する場合がある（すなわち、基材の外縁部は、基材の中央領域に対してサセプタの基材支持面から離れて移動してもよい）。これは、例えば、基材縁部が流体分配システム（例えば、シャワーヘッド）に近接し得るため、基材の中央に比べて基材縁部により多くの材料の堆積を引き起こす場合がある。しかしながら、基材表面にわたる均一な材料分布が所望され得る。また、基材の湾曲は、隆起した基材縁部の下の基材の下側に望ましくない材料堆積を引き起こす場合がある。
基材の湾曲によって生じる基材縁部および下側の堆積における望ましくないより多くの材料の蓄積を回避するために、本明細書で考察したシステムおよび方法は、基材の湾曲を相殺するような方法で、基材処理のためにサセプタの基材支持面上に基材を載置するために、望ましい場合がある。すなわち、本明細書のシステムおよび方法は、基材縁部が化学分配システムの近位で上方に湾曲しないように、また基材の下側が反応空間に露出しないように（すなわち、基材縁部を含む基材の下側が、サセプタの基材支持面に載っている）、基材をサセプタの基材支持面上に実質的に平坦に載置させ得る。
さらに図１２を参照すると、様々な実施形態による、反応チャンバ内の基材を処理するための方法１２００が示されている。また当然のことながら、本開示の実施形態は、ＡＬＤ、ＣＶＤ、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、および物理気相成長（ＰＶＤ）を含むがこれらに限定されない、多数の堆積プロセスのために構成された反応チャンバで利用され得る。本開示の実施形態はまた、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、誘導結合プラズマエッチング（ＩＣＰ）、および電子サイクロトロン共鳴エッチング（ＥＣＲ）などのエッチングプロセスも含み得る、反応性前駆体を有する基材を処理するために構成された反応チャンバで利用され得る。
様々な実施形態では、図２Ａ〜図１１を参照すると、基材１５０は、反応チャンバ１１０内に配置され得る（ステップ１２０２）。様々な実施形態では、基材１５０は、サセプタ１３０の基材支持面１３５上に直接配置されてもよい。様々な実施形態では、基材１５０は、サセプタ１３０の基材支持面１３５から突出するリフトピン２００（または図３〜図１１の３００）上に配置されてもよい。こうした実施形態では、リフトピン２００および／またはサセプタ１３０は、基材１５０が基材支持面１３５上に直接、かつ接触して配置されるように、ピン上端部３１０がサセプタ１３０の基材支持面１３５と同一平面上にあるか、または基材支持面１３５（すなわち、ピン上端部３１０がサセプタ１３０内に配置される）よりも低くなるように、他方に対して移動することができる。様々な実施形態では、リフトピン２００は基材１５０を受けてもよく、サセプタ１３０は、リフトピン２００がサセプタ１３０およびピン穴１３７内に陥入するように、リフトピン２００が静止したままで、上方に移動してもよく、サセプタ１３０は基材支持面１３５上で基材１５０を受け、サセプタ１３０を反応空間１１２内の処理位置１０６に配置する。
様々な実施形態では、基材１５０は、基材１５０の外縁部（すなわち、基材１５０がサセプタ１３０上に配置される際に、チャンバ側壁１１１により近接する基材１５０の部分）が、基材１５０に材料が適用され得る化学分配システム（例えば、シャワーヘッド１８０）により近接するように、処理中に湾曲する場合がある。理論に拘束されるものではないが、湾曲は、基材１５０上に堆積した層内の化合物が収縮し、それによって基材１５０の側面が上方に（シャワーヘッド１８０に向かって）引っ張られることよって引き起こされる可能性がある。したがって、その後の処理（例えば、追加の化学層の堆積）の前および／または間に基材１５０を平坦化するために、基材１５０をサセプタ１３０の基材支持面１３５上に載置する（例えば、平坦化する）ことが望ましい場合がある。
様々な実施形態では、圧力差は、反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４との間に生じ得る（ステップ１２０４）。真空源（例えば、図１の真空ポンプ２８の例であってもよい、真空源９２および／または補助ポンプ９４）は、下部チャンバ空間１１４と流体連通し得る。真空源は、下部チャンバ空間１１４および反応チャンバ１１０からの流体の流れを引き起こし、その中の圧力を低下させることができる。反応空間１１２内の圧力は、真空源が下部チャンバ空間１１４からの流体の流れを引き起こしている間、同じままであるか、または下部チャンバ空間１１４内の圧力よりも遅い速度で低下し得る。
サセプタ１３０は、基材支持面１３５からサセプタ底面１３６（またはその間の少なくとも一部分）まで、基材１３０を横断する少なくとも一つのピン穴１３７を備えてもよく、各穴はその中に配置されるリフトピン２００／３００を有する。リフトピンのうちの一つまたは複数は、ピン本体３５０の長さに延在する少なくとも一つのピンチャネル３４０を備えてもよい。本明細書で考察されるように、ピンチャネル３４０は、リフトピン３００がサセプタ１３０のピン穴１３７内に配置され、ピン上端部３１０が基材支持面１３５と同一平面またはそれより下にあるとき、反応空間１１２および下部チャンバ空間１１４が、ピン穴１３７およびピンチャネル３４０を通して流体連通し得るように、ピン本体３５０の任意の好適な長さに延在し得る。例えば、ピンチャネル３４０は、ピン上端部３１０からピン底端部３９０にまで延在することができる。別の例として、ピンチャネル３４０は、ピンチャネル３４０を含むピン本体３５０の長さが、反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４との間のサセプタ１３０（および反応器１００の任意の他の構成要素）の厚さよりも厚くなるように、ピン上端部３１０からピン本体３５０の長さにまで延在し得る。別の例として、ピンチャネル３４０は、ピンチャネル３４０を含むピン本体３５０の長さが、リフトピン３００がそれぞれのピン穴３３７に静止しているとき、反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４との間のサセプタ１３０（および反応器１００の任意の他の構成要素）に配置されたピン本体３５０の長さよりも長くなるように、ピン上端部３１０からピン本体３５０の長さにまで延在し得る。
反応空間１１２と下部チャンバ空間１１４（すなわち、下部チャンバ空間１１４よりも高い圧力を有する反応空間１１２）との間の圧力差を作り出すことに応答して、流体は、例えば、サセプタ１３０のピン穴を通って、およびピン穴に配置されたリフトピンのピンチャネルを通って、反応空間１１２から下部チャンバ空間１１４に流れ得る（ステップ１２０６）。例えば、流体は、ピン穴１３７およびピンチャネル３４０を通って、反応空間１１２から下部チャンバ空間１１４まで流れることができる。基材１５０は、基材支持面１３５上およびピン穴１３７上に配置され得るため、反応空間１１２からピン穴１３７およびピンチャネル３４０を通って下部チャンバ空間１１４に流れる流体は、ピン穴１３７の位置に近接する基材１５０に吸引力を加え得る。こうした吸引力は、基材支持面１３５および下部チャンバ空間１１４に向けられ得る。したがって、基材１５０に加えられる吸引力は、サセプタ１３０の基材支持面１３５上に基材１５０を平坦化または着座させ得る（ステップ１２０８）。様々な実施形態では、ピン穴１３７は、基材１５０の外縁部（湾曲しやすい可能性があるそれらの縁部）に近接して配置され、基材１５０の外縁部をサセプタ１３０の基材支持面１３５上に平坦に引き下げることができる。したがって、基材１５０の下側は、例えば、シャワーヘッド１８０を介して適用される材料の望ましくない堆積にさらされなくなり、基材１５０の外縁部は、基材１５０の中央部分に比べてシャワーヘッド１８０に近接しているため、より大きな材料堆積にさらされない場合がある。
様々な実施形態では、ピン穴１３７を通る吸引力は、その中（例えば、ピンがピン穴３３７内に静止しているときのピン上端部３１０より上のピン穴３３７の一部の中を含む）の圧力、および基材１５０下の圧力を、反応空間１１２の圧力よりも低くする。したがって、基材支持面１３５上に基材１５０を載置または平坦化することにより、ピン穴１３７上、および基材１５０と基材支持面１３５との間に、少なくとも部分的なシールを生成することができ、その結果、堆積サイクルの間に適用される材料は、基材１５０の下を容易に移動せず（すなわち、基材１５０と基材支持面１３５との間に）、基材１５０の下側および下部チャンバ空間１１４の望ましくない汚染を制限または防止することができる。こうした（部分的）シールはまた、基材支持面１３５上の基材１５０の移動を防止する。
様々な実施形態では、基材支持面１３５上に基材１５０を載置または平坦化するための方法１２００のステップは（例えば、ステップ１２０４〜１２０８）、基材処理全体を通して、および／または任意の好適な時間および任意の好適な方法で適用され得る。例えば、基材支持面１３５上に基材１５０を載置するためのステップは、堆積サイクルの前、最中、および／または間に連続的に実施されてもよい。別の例として、基材支持面１３５上に基材１５０を載置するステップは、各堆積サイクルの前および／または最中に実施されてもよい（すなわち、シャワーヘッド１８０による材料の各適用の前および／または全体を通して、乾燥／ベーキング中の堆積サイクル間に中断しながら、基材１５０上に結果として生じる層を形成する）。
様々な実施形態では、堆積サイクルは、所望の厚さの層の所望の化学系が基材１５０上に配置されるまで、基材１５０上で実施され得る。それに応じて、基材１５０は、反応チャンバ１１０から除去され得る。そのために、サセプタ１３０および／またはリフトピン２００は、互いに対して移動してもよい。例えば、サセプタ１３０は、リフトピン２００に対して反応チャンバ１１０内で下向きに移動してもよく、および／またはリフトピン２００は、反応チャンバ１１０内でサセプタ１３０に対して上向きに移動してもよい。したがって、基材１５０は、サセプタ１３０の基材支持面１３５から離れるリフトピン２００によって上昇してもよく、これは、反応チャンバ１１０から基材１５０を除去するのを容易にし得る。
本開示の例示的な実施形態が本明細書に記載されているが、本開示はそれに限定されないことを理解されたい。例えば、反応器システムは様々な特定の構成に関連して説明されているが、本開示は必ずしもこれらの例に限定されない。本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に記載のシステムおよび方法の様々な変更、変形、および改良を行うことができる。
本開示の主題は、本明細書に開示される様々なシステム、構成要素、および構成、ならびに他の特徴、機能、動作、および／または特性のすべての新規かつ非自明な組み合わせおよび部分的組み合わせ、ならびにその任意のおよびすべての均等物を含む。
４ 反応チャンバ
６ サセプタ
８ 流体分配システム
１０、１２ 反応物質源
１４ パージガス源
１６〜２０ ライン
２２〜２６ バルブまたはコントローラ
２８ 真空源
３０ 基材
５０ 反応器システム
１００ 反応器
１０４ サセプタエレベーター
１０８ 空間
１１０ 反応チャンバ
１１１ チャンバ側壁
１１２ 反応空間
１１４ 下部チャンバ空間
１２９ シール部材
１３０ サセプタ
１３２ サセプタ外側面
１３５ 基材支持面
１３６ サセプタ底面
１３７ ピン穴
１５０ 基材
１８０ シャワーヘッド
２００ リフトピン
２０２ リフトピンエレベーター／プラットフォーム
３００ リフトピン
３１０ ピン上端部
３１５ ピン上面
３２０ ピンヘッド
３２２ ピンヘッド外面
３２６ 張り出し部
３３７ ピン穴
３３８ ピンヘッド孔
３３９ ピン穴面
３４０ ピンチャネル
３４２ ピンチャネル表面
３５０ リフトピン本体
３７０ ピン外面
３９０ ピン底端部

Claims (20)

  1. 反応器システムであって、
    チャンバ側壁によって囲まれた反応チャンバと、
    前記反応チャンバ内に配置されたサセプタであって、前記反応チャンバ内に含まれる反応空間と下部チャンバ空間との間に配置され、
    前記サセプタを通して配置されるピン穴を備え、その結果、前記ピン穴が前記反応空間および前記下部チャンバ空間と流体連通し、また前記反応空間が前記下部チャンバ空間と流体連通する、サセプタと、
    前記ピン穴内に配置されたリフトピンであって、ピン本体を備え、前記ピン本体が、前記リフトピンが前記ピン穴内に配置されるときに、前記反応空間が前記下部チャンバ空間と流体連通するように、前記ピン本体に配置されるピンチャンネル表面によって画定される、ピンチャネルを備える、リフトピンと、を備える、反応器システム。
  2. 前記リフトピンが、前記ピン本体のピン外面が前記ピン穴を画定するピン穴面に隣接して配置されるように配置される、請求項１に記載の反応器システム。
  3. 前記ピン本体が、前記ピンチャネルを含む切欠部を有する円筒形状を備え、前記ピン本体が、前記ピンチャネルを含む前記切欠部を有する円形断面をさらに備え、前記ピンチャネルが、前記ピン本体の前記円形断面内に扇形チャネルを備える、請求項１に記載の反応器システム。
  4. 前記ピンチャネルが、前記ピンチャネル表面が囲まれた形状を形成するように、前記ピン本体内に配置される、請求項１に記載の反応器システム。
  5. 前記下部チャンバ空間と流体連通する真空源をさらに備え、前記真空源は、前記リフトピンの前記ピンチャネルを通して前記反応チャンバの前記反応空間と流体連通する、請求項１に記載の反応器システム。
  6. 前記リフトピンが、前記ピン本体の上端部にピンヘッドを備え、前記ピンチャネルが前記ピンヘッドを通って延在し、前記ピンヘッドが、前記サセプタの前記ピン穴に少なくとも部分的に配置され、前記ピンヘッドが、前記サセプタと少なくとも部分的にシールを形成する、請求項１に記載の反応器システム。
  7. 前記チャンバ側壁が、前記サセプタのサセプタ外側面に近接して配置される、請求項１に記載の反応器システム。
  8. 前記反応空間と前記反応チャンバの前記下部チャンバ空間とが空間を介して流体連通するように、前記チャンバ側壁と前記サセプタ外側面との間に配置される前記空間をさらに備える、請求項７に記載の反応器システム。
  9. 流体の流れが、前記チャンバ側壁と前記サセプタ外側面との間で制限される、請求項７に記載の反応器システム。
  10. 前記リフトピンが前記ピン本体の上端部を備え、前記リフトピンおよび前記サセプタが、前記リフトピン本体の前記上端部が前記サセプタの基材支持面から突出できるように、互いに対して動くように構成される、請求項１に記載の反応器システム。
  11. 反応器システム内に含まれるサセプタ内に配置されるよう構成されたリフトピンであって、
    ピン外面によって画定されるピン本体であって、ピンチャネル表面によって画定され、前記ピン本体の長さに延在するピンチャネルを備えるピン本体を備える、リフトピン。
  12. 前記ピンチャネルが、前記ピンチャネル表面が囲まれた形状を形成するように、前記ピン本体内に配置される、請求項１１に記載のリフトピン。
  13. 前記ピンチャネルが、前記ピン本体が延在する軸に対して直線的かつ平行に延在する、請求項１１に記載のリフトピン。
  14. 前記ピン外面が、一部が欠落した幾何学的形状を含む断面形状を画定し、前記ピンチャネルが前記欠落部分である、請求項１１に記載のリフトピン。
  15. 前記ピン本体の上端部にピンヘッドをさらに備え、前記ピンチャネルが前記ピンヘッドを通って延在する、請求項１１に記載のリフトピン。
  16. 反応チャンバの反応空間と前記反応チャンバの下部チャンバ空間との間の反応器の前記反応チャンバ内に圧力差を生成することであって、前記反応空間と前記下部チャンバ空間とが前記反応チャンバ内に配置されたサセプタによって分離され、
    前記圧力差を形成することにより、下部チャンバ空間圧力が反応空間圧力よりも低くなる、圧力差を生成することと、
    前記圧力差を生成することに応答して、前記サセプタ内に配置されたピン穴を通して流体を前記下部チャンバ空間に流して、前記反応空間と前記下部チャンバ空間との間に延在させることであって、
    リフトピンが前記ピン穴内に配置され、前記リフトピンがピン本体を備え、前記ピン本体が、前記リフトピンが前記ピン穴内に配置されるときに、前記反応空間がピンチャネルを介して前記下部チャンバ空間と流体連通するように、前記ピン本体に配置される前記ピンチャネルを備える、流体を流して延在させることと、を備える、方法。
  17. 基材が、前記サセプタの基材支持面上に配置され、前記基材支持面が前記反応空間に面し、前記ピン穴が前記基材支持面を通って配置され、
    前記圧力差を前記生成し、前記流体を前記反応空間から前記ピン穴を通して前記下部チャンバ空間に流すことに応答して、前記基材支持面に向かって前記基材上に吸引力を生成することと、
    前記基材上に前記吸引力を前記生成することに応答して、前記基材を前記サセプタ支持面上に平坦に載置することと、をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記圧力差を前記生成することは、前記下部チャンバ空間に流体連結される真空源によって達成される、請求項１６に記載の方法。
  19. 前記ピンチャネルが、前記ピン本体内に配置され、前記ピン本体によって完全に囲まれる、請求項１６に記載の方法。
  20. 前記ピン本体が、一部が欠落した断面形状を含み、前記ピンチャネルが前記欠落部分である、請求項１６に記載の方法。
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