JP4511171B2 - 順次堆積法を用いて複合積層膜を形成するシステムと方法 - Google Patents
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Description
発明の概要
本発明の一実施の形態は、処理チャンバ内に配置される基板上に積層バリア層を形成する方法に関し、先ず、基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して付着層を形成する。次に、付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露して、付着層に隣接するバリア層を形成する。銅層はバリア層に隣接するように配置される。そのため、本発明の別の実施の形態は、この方法を実施するシステムに関する。
発明の詳細な説明
図1を参照すると、例示のウェーハ処理システムは、壁18で囲まれた共通作業領域16に配置される1つ以上の処理チャンバ12、13、14を含んでいる。処理チャンバ12、14は、24、26として示す1つ以上のモニタに接続されているコントローラ22とデータ通信する。モニタ24、26は一般に、処理チャンバ12、14と関連付けられた処理に関する共通情報を表示する。モニタ26は壁18に取り付けられ、モニタ24は作業領域16に配置されている。処理チャンバ12、14は、モニタ24、26の1つに関連付けられ、かつ、コントローラ22と通信するライトペンを用いて動作制御できる。例えば、ライトペン28aはモニタ24に関連付けられていて、モニタ24を介してコントローラ22との通信を容易にする。ライトペン28bは、モニタ26を介してコントローラ22との通信を容易にする。
Claims (18)
- 処理チャンバ内に配置される基板上に積層バリア層を形成する方法であって、
前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して付着層を形成するステップであって、前記第1の反応ガスがTDMAT、TDEATおよびTiCl4から成る群より選択され、前記第2の反応ガスがH2、B2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択されるステップと、
前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露して、前記付着層に隣接するバリア層を形成するステップであって、前記第3の反応ガスがWF6であり、前記第4の反応ガスがB2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択されるステップとを含む、方法。 - 前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して前記付着層を形成するステップを、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露する前に、所望厚が得られるまで繰り返すステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を第3および第4の反応ガスに順次曝露して前記バリア層を形成するステップを、前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露した後に、所望厚が得られるまで繰り返すステップを更に含む、請求項3に記載の方法。
- 第1および第2の処理チャンバを備えるステップを更に含み、前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第1の処理チャンバ内に配置した状態で前記第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップを更に含み、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第2の処理チャンバ内に位置決めした状態で前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 第1および第2の処理チャンバを備えるステップを更に含み、前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第1の処理チャンバ内に配置した状態で前記第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップを更に含み、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第1の処理チャンバ内に位置決めした状態で前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップを更に含み、前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップは、前記基板を前記第2の処理チャンバ内に位置決めした状態で前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップを更に含む、請求項3に記載の方法。
- 第1、第2および第3の処理チャンバを備えるステップを更に含み、前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第1の処理チャンバ内に配置した状態で前記第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップを更に含み、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップは、前記基板を前記第2の処理チャンバ内に位置決めした状態で前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップを更に含み、前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップは、前記基板を前記第3の処理チャンバ内に位置決めした状態で前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップを更に含む、請求項3に記載の方法。
- 前記基板を順次曝露するステップは、前記第2の反応ガスを前記処理チャンバへ導入するステップと、前記付着層を前記第3の反応ガスに曝露する前に、前記処理チャンバから前記第2の反応ガスをパージするステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を順次曝露するステップは、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスを前記処理チャンバへ順次導入するステップと、前記基板を前記第1の反応ガスに曝露した後であって前記基板を前記第2の反応ガスに曝露する前に、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスをパージするステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を順次曝露するステップは、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスを前記処理チャンバへ順次導入するステップと、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第1の反応ガスを除去することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスをパージするステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記付着層を順次曝露するステップは、前記第3および第4の反応ガスを前記処理チャンバへ順次導入するステップと、前記基板を前記第3の反応ガスに曝露した後であって前記基板を前記第4の反応ガスに曝露する前に、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスをパージするステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記付着層を順次曝露するステップは、前記第3および第4の反応ガスを前記処理チャンバへ順次導入するステップと、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第3の反応ガスを除去することにより、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスをパージするステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 処理チャンバ内に配置される基板上に積層バリア層を形成する方法であって、
第1の反応ガスを前記処理チャンバへ導入し、第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスを除去することにより、前記基板を前記第1および第2の反応ガスに順次曝露して付着層を形成するステップであって、前記第1の反応ガスがTDMAT、TDEATおよびTiCl4から成る群より選択され、前記第2の反応ガスがH2、B2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択されるステップと、
前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して前記付着層を形成するステップを、所望厚が得られるまで繰り返すステップと、
第3の反応ガスを前記処理チャンバへ導入し、第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスを除去することにより、前記付着層を前記第3および第4の反応ガスに順次曝露して、前記付着層に隣接するバリア層を形成するステップであって、前記第3の反応ガスがWF6であり、前記第4の反応ガスがB2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択されるステップと、
前記基板を第3および第4の反応ガスに順次曝露して前記バリア層を形成するステップを、許容厚が得られるまで繰り返すステップと、
前記第3または第4の反応ガスの何れか一方の導入前に、前記処理チャンバから前記第1および第2の反応ガスをパージするステップと、
前記バリア層に隣接する銅の層を堆積するステップとを含む、方法。 - 前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップは、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスを除去するステップを更に含み、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップは、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスを除去するステップを更に含み、前記処理チャンバから前記第1および第2の反応ガスをパージするステップは、前記処理チャンバへ前記パージガスを導入することにより、前記処理チャンバをパージするステップを更に含む、請求項13に記載の方法。
- 前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露するステップは、前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第1の反応ガスを除去することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスを除去するステップを更に含み、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露するステップは、前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第3の反応ガスを除去することにより、前記処理チャンバから前記第3の反応ガスを除去するステップを更に含み、前記処理チャンバから前記第1および第2の反応ガスをパージするステップは、前記処理チャンバ内をポンプ吸引してその内部に存在するガスをすべて除去するステップを更に含む、請求項13に記載の方法。
- 基板上に積層バリア層を形成する処理システムであって、
処理チャンバを画成するボディと、
前記処理チャンバ内に配置されて前記基板を支持するホルダと、
前記処理チャンバと流体連通するガス配送システムと、
前記処理チャンバに熱伝達する温度制御システムと、
前記処理チャンバと流体連通する圧力制御システムと、
前記ガス配送システム、前記温度制御システムおよび前記圧力制御システムと電気通信するコントローラと、
前記コントローラとデータ通信するメモリとを備え、前記メモリは、コンピュータ可読プログラムが内部に組み込まれたコンピュータ可読媒体を備え、前記コンピュータ可読プログラムは、前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して前記基板上に付着層を形成するため、前記ガス配送システムを制御する第1セットの命令と、前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露して、前記付着層に隣接するバリア層を形成するため、前記ガス配送システムを制御する第2セットの命令とを含み、
前記第1の反応ガスがTDMAT、TDEATおよびTiCl4から成る群より選択され、前記第2の反応ガスがH2、B2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択され、前記第3の反応ガスがWF6であり、前記第4の反応ガスがB2H6、SiH4およびNH3から成る群より選択される、システム。 - 前記コンピュータ可読プログラムは、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスを除去するため、前記ガス配送システムを制御する第3セットの命令と、前記処理チャンバへパージガスを導入することにより、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスを除去するため、前記ガス配送システムを制御する第4セットの命令と、
前記処理チャンバへ前記パージガスを導入することにより、前記第3および第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1および第2の反応ガスをパージするため、前記ガス配送システムを制御する第5セットの命令とを含む、請求項16に記載のシステム。 - 前記コンピュータ可読プログラムは、前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第1の反応ガスを除去することにより、前記第2の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1の反応ガスを除去するため、前記圧力制御システムを制御する第3セットの命令と、前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第3の反応ガスを除去することにより、前記第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第3の反応ガスを除去するため、前記圧力制御システムを制御する第4セットの命令と、前記処理チャンバ内をポンプ吸引して前記第1および第2の反応ガスを除去することにより、前記第3および第4の反応ガスの導入前に前記処理チャンバから前記第1および第2の反応ガスをパージするため、前記圧力制御システムを制御する第5セットの命令とを含む、請求項16に記載のシステム。
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