FI104383B - Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi - Google Patents
Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI104383B FI104383B FI974472A FI974472A FI104383B FI 104383 B FI104383 B FI 104383B FI 974472 A FI974472 A FI 974472A FI 974472 A FI974472 A FI 974472A FI 104383 B FI104383 B FI 104383B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- coating
- coated
- reagent
- gas
- volume
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 34
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- -1 ketonates Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 241001299678 Cecropia Species 0.000 description 1
- 235000010884 Cecropia peltata Nutrition 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003558 thiocarbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005200 wet scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
, 104383
Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi s-
Esillä oleva keksintö liittyy pintojen päällystämiseen. Etenkin keksinnön kohteena on 5 patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystä miseksi materiaalikerroksella.
Pinnoituksen eli pintojen päällystyksen tarkoituksena on parantaa tai muuttaa materiaalin ominaisuuksia, kuten korroosio-ja rasituksenkestokykyä, optisia tai sähköisiä ominaisuuk-10 siä tai vähentää kitkaa. Pinnoitemateriaali valikoituu käyttösovelluksen ja pinnoitettavan materiaalin mukaan. Pinnoitteet voivat olla metalleja tai keraameja halutun ominaisuuden sekä käyttöolosuhteiden mukaan. Putkien ja säiliöiden sisäpintojen päällystämisen motiivina on useimmin korroosio-ominaisuuksien (sekä kemiallinen että abrasiivinen korroosio) parantaminen ja joskus kitkan vähentäminen.
15
Viime aikoina on kehitty uusia menetelmiä putkien sisäpintojen päällystämiseksi. Fysikaalisista menetelmistä (PVD) mainittakoon ionisuihkusputterointi, jossa kartiomaista koh-•.' ·. tiomateriaalia liikutetaan putken sisällä ja sputteroiva ionisuihku ohjataan toisesta päästä : '' putken sisään (W. Ensinger: Surface and Coatings Technology, 86/87 (1996) 438; A.
• · · · 20 Schumacher, G. Frech, G.K. Wolf: Surface and Coatings Technology, 89 (1997) 258).
;; · · Menetelmää on sovellettu vain muutamien metalli- ja metallinitridikalvojen kasvatukseen ’. . ja päällystettävän putken mitat mukaan lukien sen pituus ja halkaisija ovat olleet vain • · · senttimetrien luokkaa.
25 Toinen PVD-menetelmä perustuu plasman käyttöön pinnoitteen teossa (Surfcoat). Tällä „ ;**·.. hetkellä kyseisellä menetelmällä on mahdollista pinnoittaa 30 mm halkaisijaltaan ja 1000 :':" mm pitkiä putkia. Pinnoitteen laatu on normaalin plasmapinnoitteen luokkaa. Höyrystämi- . . * nen on eräs tavallisimpia PVD-tekniikoita.
. - j · ’ 30 Kaikkien PVD-menetelmien heikkoutena on rajallinen putken koko, joka voidaan pinnoit- . · · ·. taa. Mutkakohdat ovat edelleen selvä ongelma ja kalvon laatu on parhaimmillaankin vain se, mitä tasomaiselle substraatille saadaan.
104383 2
Myös sähkökemiallisesti voidaan putkien sisäpintoja pinnoittaa erityisesti electroless plating (autokatalyytti) -tekniikalla. Menetelmässä metalli pelkistetään liuoksesta kemiallisesti. Tekniikkaa voidaan soveltaa vain määrätyntyyppisiin materiaaleihin (metallit ja eräät yhdisteet). Etuna on se, että konformaalisuus voi olla hyvä, kuten esimerkki Cu-pinnoit-5 teestä ULSI-teknologiasta osoittaa (V.M. Dubin et ai. Journal of the Electrochemical So ciety 144 (1997) 898).
Kemiallinen kaasufaasikasvatus (CVD) on tunnettu konformaalisten ohutkalvojen kasvatustapa. Sillä saadaan tyydyttäviä tuloksia, kun kemiallinen reaktio toimii halutusti. Tunne-10 tussa tekniikassa on myös ehdotettu CVD-menetelmän käyttöä putkien sisäpintojen pääl lystämisessä (L. Poirtier et ai., Electrochemical Society Proceedings 97-25 (1997) 425).
Yleensä tutkitut ratkaisut ovat käsittäneet metalliputkien päällystämisen keraamipinnoit-teella ja putkien pituudet ovat olleet muutaman cm:n luokkaa. Tunnettu esimerkki CVD-menetelmän käytöstä putkien sisäpinnan päällystämisessä on optisten kuitujen val-15 mistuksessa tapahtuva kuidun sisimmän kerroksen valmistaminen, joka tapahtuu aihioput- ken sisään tehtävällä kerroksella. CVD-menetelmässä putken läpi virtaava reagenssi kiinnitetään putken pintaan lämmittämällä kerrallaan vain kapeaa vyöhykkeettä. Kuumaa vyöhykettä siirretään tällöin eteenpäin putkea pitkin samalla kun putkea pyöritetään. Kerroksen kasvatuksen jälkeen putki kollapsoidaan, minkä jälkeen varsinainen kuidun veto voi tapah-' I < 20 tua (T. Li: Optical Fiber Communications, osa 1, Fiber fabrication, Academic Press, Orlan- i:!’ do 1985, s. 363).
• « : · * « »
Edellä mainittujen menetelmien puutteena on mahdollisuus pinnoittaa atomaarisen tarkasti monimutkaisia (taivutettuja), suuria putkistoja ja säiliöitä. Samoin kukin menetelmä on 25 sopiva vain tietyn koostumuksen omaavan kalvon tekemiseen.
« · i · « »
* -III
Atomaarisesti kontrolloitu materiaalin valmistus on tunnettu Atomic Layer Epitaxy (ALE) :/ menetelmänä, US-patenttijulkaisu 4.085.430. Menetelmän mukainen materiaalin valmistus ‘: * ’ suoritetaan sijoittamalla pinnoitettava kappale reaktoriin, jossa luodaan edellytykset vuo- : ’ i ’ 30 rottaisten pintareaktioiden toteuttamiselle pinnoitettavan kappaleen ja kunkin tarvittavan : ": kaasumaisen reagenssin välillä [T. Suntola: Thin Solid Films 216 (1992) 84]. Tyypillisiä 1 pinnoitettavia kappaleita ovat puolijohdekiekot sekä lasisubstraatit mm. liitteiden näyttöjen valmistamiseksi.
3 104383 ALE-reaktorin muotoja koko määrittävät tyypillisesti kysymykseen tulevien pinnoitettavien kappaleiden koon ja muodon. Koska useimmissa reaktoriratkaisuissa käytetään suoja-kaasua reagenssien kuljettamiseen ja yksittäisten reaktiovaiheiden erottamiseen, edellytetään pinnoitettavalta kappaleelta muotoa, joka mahdollistaa riittävän homogeenisen kaasu-5 virtauksen aikaansaamisen reaktorissa.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnettuun tekniikkaan liittyvät epäkohdat ja saada aikaan aivan uudenlainen ratkaisu käyttämällä hyväksi vuorottaisia pintareaktioita.
10
Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että laitteiston sisäpinta pinnoitetaan eli päällystetään synnyttämällä kappaleen sisätilasta suljettu, kontrolloitu kaasutilavuus, jonka kaasusisältöä kontrolloidaan kappaleen sisätilan sulkemiseen käytettävien venttiilikoneistojen avulla. Venttiilikoneistojen avulla kappaleen sisätilavuus täytetään vuorotellen tarvittavilla rea-15 genssikaasuilla, joiden osapaineet ovat riittävät kyllästämään (saturoimaan) pinnan reak tiiviset kohdat. Toisin sanoen kaasumolekyylien lukumäärä on yhtä suuri tai suurempi kuin reaktiivisten kohtien määrä. Kussakin vaiheessa tilavuuteen syötetty reagenssi synnyttää .! tällöin atomaarisen kerroksen reagenssin luovuttamaa ainetta kappaleen sisäpintaan. Ato- t · maarisen kerroksen tiheyden määrää pinnassa olevien reaktiivisten kohtien tiheys. Kappa- .:. 20 leen sisäpintojen lämpötilaa säädetään pinnoitettavan kappaleen ulkopuolelle sijoitettujen :'. ^ lämmityslaitteiden avulla tai syöttämällä ennen pinnoitusvaiheita kappaleen sisään läm- : *: * mönsiirtonestettä tai kaasua.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle ratkaisulle on tunnusomaista se, mikä on 25 esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
• · · « · ’ · j Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja. Niinpä menetelmä on erityisen käyttökel- :. ’ · poinen putkien ja putkistojen sekä erilaisten säiliöiden sekä putkistoja ja säiliöitä sisältävi- ' en laitosten sisäpintojen pinnoitukseen. Tässä keksinnössä ALE-menetelmää käytetään : : 30 putkien ja säiliöiden sisäpintojen pinnoittamiseen ilman erillisen kasvatuslaitteiston käyt-
» I I
:... töä. Tästä syystä päällystettävän pinnan koko ei ole rajoitettu, vaan menetelmällä voidaan päällystää kokonaisia prosessilaitteistokokonaisuuksia tai jopa tehtaiden putkistot kokonaisuudessaan. Keksinnöllä saadaan edelleen ongelmalliset kohdat kuten kulmakappaleet 4 104383 hyvin pinnoitetuksi. Samoin kalvoja voidaan kasvattaa ei-johtavien materiaalien päälle; näihin kohteisiin sähköiset menetelmät tunnetusti eivät sovellu.
Keksinnön muut ominaispiirteet ja edut käyvät ilmi seuraavasta yksityiskohtaisesta selityk-5 sestä. Selityksessä viitataan oheisiin piirustuksiin, joista kuviossa 1 on esitetty periaatepiirroksena, miten keksintöä voidaan soveltaa putken pinnoitukseen ja kuviossa 2 on vastaava esitys putkia ja säiliöitä sisältävän laitteiston pinnoituksesta.
10
Keksinnössä hyödynnetään tunnettua ALE-tekniikkaa korroosionestokalvojen kasvattamiseen putkien ja putkistojen sisäpintoihin kemiallisesti kaasufaasista. Keksinnön mukaisessa menetelmässä "kasvatuslaite" on päällystettävä putki tai säiliö tai sentapainen prosessilaite, joka yhdistetään lähteisiin, joista kaasupulssit tulevat. Tarvittaessa putket lämmitetään 15 ulkoisesti kasvureaktion edellyttämään lämpötilaan. Lämmitys voidaan myös saada aikaan johtamalla käsiteltävään laitteistoon lämpöä luovuttavaa väliainetta kuten kaasua tai höyryä. Nämä lämmitysmenetelmät voidaan tarvittaessa yhdistää. Ulkoinen lämmitys soveltuu ,! tietenkin parhaiten lämpöä johtaville rakenteille, kuten metalliputkistoille ja -säiliöille.
' ,:. Sisäisen lämmityksen käyttö on edullista ratkaisuissa, jossa putken tai laitteistojen lämpö- .:, 20 kapasiteetti on suurehko, jolloin lämpötila säilyy prosessin ajan.
• * 9
Reaktiothan muodostaa siksi pinnoitettava putkisto tai säiliö, joka varustetaan sisääntulo-ja mahdollisesti poistolaipalla ja joka lämmitetään prosessin vaatimaan lämpötilaan. Läpi-virtauslaitteiston kohdalla laitteiston poistopäätä ei tarvitse sulkea. Läpivirtauslaitteiston 25 lisäksi menetelmässä voidaan käyttää ns. hengittävää laitteistoa, joka sopii erityisesti säili- • · • · * öille. Kyseisessä menetelmässä laitteiston sisätila suljetaan sekä tulo- että poistopäästä ja M· • « ’ · * säiliöön annostellaan juuri riittävä määrä kaasumaista reaktanttia, joka tarvitaan täydellisen pintapeiton aikaansaamiseksi.
: : 30 Varsinainen kalvon kasvu suoritetaan ALE-menetelmän avulla (ks. esimerkiksi US-paten- •,,, tit 4 058 430 ja 4 389 973). ALE:ssa reaktantti kiinnitetään kaasufaasista kiinteän aineen pintaan olosuhteissa, joissa pinta määrää kiinnittyvän reaktantin määrän. Reaktantit syötetään vuorotellen laitteistoon ja erotetaan toisistaan inerttikaasupulssilla. Hengittävässä 104383 5 laitteistossa molempien reaktanttien tarkka annostelu kerros-kerrokselta kasvun aikaansaamiseksi on mahdollista. Tarkalla annostuksella vältytään reagenssien poistolta tai minimoidaan (suojakaasuhuuhtelun tai välipumppauksen) aika. Tarkan annostuksen tapauksessa ei kantajakaasua tarvita lainkaan. Kaasusta reaktantti kiinnittyy "pintasidospaikkaan", joka 5 tässä hakemuksessa on sisäpinnassa oleva kohta, joka kykenee reagoimaan kaasumaisen reagenssin kanssa.
Kasvatettavat kalvot voivat olla koostumukseltaan oksideja, nitridejä, kalkogenidejä jne. eli kaikkia tyyppejä, mitä ALE-menetelmällä kyetään kasvattamaan. Tyypillisesti kuiten-10 kin korroosionestossa käytetään oksidi- ja nitridikalvoja. Samoin reaktantit ovat samoja haihtuvia yhdisteitä, joita ALE-kasvatuksissa on perinteisesti käytetty, ts. metallien osalta haihtuvia epäorgaanisia yhdisteitä (tyypillisesti halogenideja, metallikomplekseja, kuten karboksylaatteja, ketonaatteja, tiokarbamaatteja, amido- tai imidokomplekseja), metallior-gaanisia yhdisteitä (alkyyliyhdisteitä, syklopentadieeniyhdisteitä jne.) ja joissakin tapauk-15 sissa puhtaita metalleja (esim. Zn, Cd ja Hg). Epämetallin osalta lähdeaineina voidaan käyttää oksidien teossa vettä, vetyperoksidia, happea, otsonia, alkoholeja, nitridien teossa ammoniakkia tai typen orgaanisia yhdisteitä.
' . Esimerkkeinä käytetyistä reaktioista yksinkertaistettuina bruttoreaktioina voidaan esittää 20 seuraavat: I I '
• I I I
« I
» ·
TiCl4 + 2H-.0 -> TiO, + 4HC1 i i " 2A1(CH3)3 + 3H20 -> AI203 + 6CH4 2Ta(OEt)5 + 5H20 -> Ta205 + lOEtOH 25 A1C13 + NH3 -> AIN + 3HC1 ~ I*·· TiCl4 + NH3 + 0,5 Zn -> TiN + 3HCI + 0,5 ZnCl2 f · * t t • · : * ·. Viimeinen esimerkki osoittaa, miten kolmannella reaktantilla voidaan edistää reaktion kulkua. Kyseisessä reaktiossa kaasumainen sinkki pelkistää Ti(IV):n Ti(III):ksi ja auttaa « · 30 TiN syntymisessä. Zn-pulssi annetaan TiCl4-pulssin jälkeen. Tällainen lisäpelkistys on :' ” osoittautunut hyväksi juuri siirtymämetallinitridien valmistuksessa, joissa lähtöaine-halo- genidissa metalli on korkeammalla hapetusasteella kuin nitridi-tuotteessa (esim. M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala, P. Haussalo, Journal of the Electrochemical Society 142 (1995) 2731).
104383 6
Eräs tapa parantaa kalvojen kestävyyttä ja tiiviyttä on monikalvorakenteiden käyttö. ALE-menetelmä mahdollistaa helposti erilaisten kerrosten teon samassa prosessissa. Kahta eri ψ 5 oksidia, esim. Ta205-Hfö2, Al203-Ti02, kasvattamalla vuorotellen muutaman nanometrin paksuisina kerroksina voidaan eristeominaisuuksia parantaa (nämä korreloivat myös korroosio-ominaisuuksien kanssa).
Kuviossa 1 esitetyn keksinnön ensimmäisen sovellutusmuodon mukaan suoritetaan putkis-10 torakenteen pinnoitus siten, että a. putken 1 pinnoitettavan pinnan 2 rajoittama tilavuus tyhjennetään pinnoitusreaktioita mahdollisesti häiritsevistä kaasuista pumpulla 3, b. pinta 2 saatetaan pinnoitusprosessissa käytettävien pintareaktioiden edellyttämään 15 lämpötilaan kappaleen 1 ulkopuolelle sijoitettujen lämmittimien 4 avulla, c. putki 1 on laipan 5 kautta yhdistetty venttiiliin 6, josta johdetaan reagenssia A tilavuuteen vähintään sellainen määrä, että se riittää pinnalla 2 olevien pintasidospaikko-
I I
j en täyttämiseen, ' , d. mahdollinen ylimäärä reagenssia A poistetaan putkeen laipan 10 välityksellä pump- 20 puun 3, I » I | : . e. venttiilistä 9 johdetaan reagenssia B tilavuuteen vähintään sellainen määrä, että se • · • V riittää pinnalla 2 olevien pintasidospaikkojen täyttämiseen f. mahdollinen ylimäärä reagenssia B poistetaan pumppuun 3 g. vaiheita c...f toistetaan syklisesti tarvittava määrä niin, että pinnoite saavuttaa halutun 25 paksuuden.
• · • · « t
Mf • · * * Kuten edellä esitetystä käy ilmi putken päällystäminen suoritetaan pääosin samalla tavalla kuin kalvon kasvu ALE-reaktorissa, eli reaktantit syötetään vuorotellen laitteistoon ja ':" kulkevat jatkuvana virtana sen läpi.
ΓΙ' 30
Kuviossa 2 on esitetty menetelmän sovellus putkia ja säiliöitä sisältävälle laitteistolle. Viitenumerot 11-18 vastaavat edellisessä kuviossa mainittuja laiteosia 1 - 8. Edellä kuvattuja toimenpiteitä voidaan soveltaa myös kuvion 2 mukaiselle laitteistolle sillä erolla, että 104383 7 säiliöön 11 annostellaan riittävä määrä kaasumaista reaktanttia, joka tarvitaan täydellisen pintapeiton aikaansaamiseksi. Säiliö kaasutilavuus suljetaan sulkemalla laipan 18 ja pumpun 13 välisessä putkessa oleva venttiili 19. Edullisesti säiliöön 11 annostellaan ylimäärä reaktanttia. Reaktantin annetaan reagoida säiliön seinämän 12 kanssa haluttu reaktioaika, 5 minkä jälkeen säiliö tyhjennetään kaasumaisesta reaktantista avaamalla pumpulle 13 johta va venttiili 19. Tämän jälkeen venttiili 19 suljetaan ja säiliöön syötetään seuraava reaktant-ti.
Vaihtoehtoisen sovellutusmuodon mukaisesti 2-vaiheessa pinta saatetaan pinnoitusproses-10 sissa käytettävien pintareaktioiden edellyttämään lämpötilaan pinnoitettavan pinnan rajoit tamaan tilaan johdetun lämmönsiirtonesteen tai kaasun avulla ennen pinnoitusvaiheita. Tarvittaessa, mikäli kappaleen lämpöaikavakio on liian pieni pitämään pinnoitettavan pinnan lämpötila halutuissa lämpötilarajoissa koko pinnoitusprosessin ajan, 2-vaihe toistetaan tällöin yhden tai useamman kerrran vaiheiden c...f muodostaman syklisen jakson jälkeen.
15
Keksinnön kolmannessa edullisessa sovellutusmuodossa d-ja vastaavasti f-vaiheessa reagenssien ylimäärien poistoa tehostetaan suojakaasuvirtauksen avulla.
I (
I I
I I I i ' , Keksinnön neljännen edullisen sovellutusmuodon mukaan reagenssien syöttö- ja poistovai- " ]! 20 heitä on useampia kuin edellä esityt vaiheet e, d ja e, f. Lisävaiheilla voidaan varmistaa 1 I I I # t ; , reagenssien synnyttämät pintareaktiot tai täydentää niitä.
» t 9 9 9 9 « ·
Seuraava ei-rajoittava esimerkki havainnollistaa keksintöä: 25 Esimerkki 1 • * * ’· Putkiston pinnotus • · · 9 · 9 9 9 : Esimerkkiputkiston pituus on 100 m, putken halkaisija 50 mm. Tällöin pinnoitettavan *; ’ sisäpinnan pinta-ala on 100 x 0,157 = 15,7 m2. Putkiston tilavuus on noin 0,2 m3. Keksin- « · :' ‘ 30 nön mukaisella menetelmällä kasvatetaan 0,2 pm:n paksuinen A1203 kerros putkiston 9 : [" sisäpintaan. Reagenssina (a) käytetään trimetyylialumiinia ja reagenssina (b) vesihöyryä.
Ennen varsinaisen prosessin aloitusta varmistaudutaan putkiston sisäpintojen puhtaudesta 8 104383 ja mikäli tarpeellista suoritetaan ko pintojen puhdistus esim. johtamalla sopivaa liuotinta putkiston lävitse. Putkisto kuivataan mahdollisen märkäpesun jälkeen esim. kaasuvirtauk-sen ja lämmityksen avulla.
5 Vaiheessa a putkisto pumpataan oleellisesti ottaen tyhjäksi ilmakaasuista sekä putkiston seinämistä mahdollisesti irtaantuvista kaasuista.
Vaiheessa b putkisto lämmitetään ulkopuolelta putkien ympärille asetetun lämmitysvir-tauksen avulla 200 °C lämpötilaan. Pumppausta ja sitä mahdollisesti täydentävää suoja-10 kaasuvirtausta jatketaan lämmitysvaiheen ajan. Ennen seuraavien vaiheiden aloitusta var mistaudutaan siitä, että hapen ja vesihöyryn sekä muiden mahdollisesti reagenssien A tai B kanssa reagoivien kaasujen osapaineet putkistossa ovat alle 10‘3 mb. Reagenssien etenemisen nopeuttamiseksi putkistossa on edullista, jos kokonaispaine putkistossa pidetään alle 1 mb:n paineessa.
15
Vaiheessa c putkistoon johdetaan reagenssia A höyryfaasissa vähintään noin 0,02 g.
Vaiheessa d putkistosta poistetaan ylimäärä reagenssia A pumppaamalla kunnes reagenssin A osapaine putkistossa on alle 10'3 mb.
20
Vaiheessa e putkistoon johdetaan reagenssia B höyryfaasissa vähintään noin 0,005 g.
» '· * 3 • · » «
Vaiheessa f putkistosta poistetaan ylimäärä reagenssia B pumppaamalla kunnes reagenssin 10 osapaine putkistossa on alle 10'3 mb.
25 • ’·, Vaiheita c...f toistetaan syklisesti 2000 kertaa.
• IM I f • t • · Lämmitysvaiheen vaatima aika riippuu käytettävästä lämmitystehosta ja putkiston lämpö-kapasiteetista. Käytännössä lämmitys ja sen aikana suoritettu pumppaus parantaa saavutet-f · · * 30 tavaa pinnan puhtautta, jolloin on edullista käyttää lämmitys- ja tyhjennysjaksoon useita • 9 tunteja tai muutama vuorokausi. Pinnoituksen vaiheiden c ...f suorittaminen vie 10 - 100 sekuntia, jolloin 0,2 pm:n pinnotuksen valmistus kestää muutamasta tunnista pariin vuorokautta.
Claims (14)
- 9 104383
- 1. Menetelmä laitteiston sisäpintojen päällystämiseksi materiaalikerroksella, tunnettu siitä,että 5. suljetaan ainakin osa laitteiston sisäpintojen rajoittamasta sisätilasta, - sanottuun suljettuun sisätilaan syötetään ainakin kahden eri reaktantin höyryfaasipulsseja vuorottaisesti ja toistuvasti ja - sisätilan pintojen päälle kasvatetaan materiaalikerros ALE-tekniikan mukaisesti saattamalla pinnat alttiiksi reaktanttien vuorottaisille pintareaktioille. 10
- 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktantteina käytetään haihtuvia yhdisteitä, kuten metallien epäorgaanisia yhdisteitä, metalliorgaanisia yhdisteitä tai puhtaita metalleja, vettä, vetyperoksidia, happea, otsonia, alkoholeja, ammoniakkia tai typen orgaanisia yhdisteitä. 15
- 3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu seuraavien vaiheiden yhdistelmästä: a. sisäpintojen (2; 13) rajoittama tilavuus tyhjennetään pinnoitusreaktioita mahdollisesti häiritsevistä kaasuista pumpulla (3; 13), 20 b. pinnat (2; 12) saatetaan pinnoitusprosessissa käytettävien pintareaktioiden edellyttämään lämpötilaan, ... c. pintojen (2; 12) rajoittamaan tilavuuteen johdetaan ensimmäistä reagenssia (A) ···· •;. vähintään sellainen määrä, että se riittää pinnoilla olevien pintasidospaikkojen IMI täyttämiseen, « 25 d. mahdollinen ylimäärä ensimmäistä reagenssia (A) poistetaan sanotusta tilavuudesta, n. · · · · e. pintojen rajoittamaan tilavuuteen johdetaan toista reagenssia (B) vähintään • · · r *. * ’ sellainen määrä, että se riittää pinnoilla (2; 12) olevien pintasidospaikkojen :' ,, täyttämiseen, 30 f. mahdollinen ylimäärä toista reagenssia poistetaan sanotusta tilavuudesta ja ; 1; * j g. vaiheita c - f toistetaan syklisesti tarvittava määrä niin, että pinnoite saavuttaa • « :' ·, halutun paksuuden. 104383
- 4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että päällystettävä pinta saatetaan pinnoitusprosessissa käytettävien pintareaktioiden edellyttämään lämpötilaan kappaleen ulkopuolelle sijoitettujen lämmittimien avulla.
- 5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, t u n n e 11 u siitä, että päällystettävä pinta saatetaan pinnoitusprosessissa käytettävien pintareaktioiden edellyttämään lämpötilaan j ohtamalla pinnoitettavan pinnan (2; 12) raj oittamaan tilaan lämmönsiirtonestettä tai kaasua ennen pinnoitusvaiheita.
- 6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pinnoitettavan pinnan (2; 12) rajoittamaan tilaan johdetaan lämmönsiirtonestettä tai kaasua useamman kerran vaiheiden c - f muodostaman syklisen jakson jälkeen.
- 7. Jonkin patenttivaatimuksen 3-6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että 15 d- ja f-vaiheissa reagenssien (A, B) ylimäärien poistoa tehostetaan suojakaasuvirtauksen avulla.
- 8. Jonkin patenttivaatimuksen 3 - 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että päällystettävän pinnan (2; 12) rajoittamaan tilaan syötetään ensimmäisen ja toisen reagenssin 20 lisäksi vielä ainakin yksi reagenssi ensimmäisen ja toisen reagenssien synnyttämien pinta- reaktioiden varmistamiseksi ja/tai täydentämiseksi. • · · **" 9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, t u n n e 11 u siitä, että « j"' laitteistoon muodostetaan päällystettävien sisäpintojen rajoittama sisä- eli kaasutila, joka • · I 25 suljetaan venttiilikoneistojen (6, 7; 16,17,19) avulla. • · a * . ’ j \ 10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ainakin yhtä r * · *: venttiilikoneistoa (6,7; 16,17) käytetään reaktanttien syöttämiseen, jolloin kyseiseen : venttiilikoneistoon yhdistetään ainakin kaksi reaktanttilähdettä (A, B). : 30 . ’. 11. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ainakin i « 1/. yhtä venttiilikoneistoa (18) käytetään kaasun ylimäärän poistamiseen. « · · 104383
- 12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että päällystetään prosessilaitteiston, kuten putkiston tai säiliön (1, 11) sisäpintaa.
- 13. Jonkin patenttivaatimuksen 1-12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että 5 päällystämiselllä parannetaan laitteiston sisäpinnan korroosion- tai rasituksenkestokykyä, optisia tai sähköisiä ominaisuuksia tai vähennetään kitkaa.
- 14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sisäpintaan kasvatetaan oksidi-, nitridi- ja/tai kalkogenidikerros. • · · m • · · ··<« • · • 1 « · « m 1 r • « · • 4 · f ' · · I • ♦ · ··« • · · • « • · · • 4 4 · f · 104383
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI974472A FI104383B (fi) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi |
| PCT/FI1998/000955 WO1999029924A1 (fi) | 1997-12-09 | 1998-12-09 | Method for coating inner surfaces of equipment |
| US09/581,020 US6416577B1 (en) | 1997-12-09 | 1998-12-09 | Method for coating inner surfaces of equipment |
| AU14898/99A AU1489899A (en) | 1997-12-09 | 1998-12-09 | Method for coating inner surfaces of equipment |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI974472A FI104383B (fi) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi |
| FI974472 | 1997-12-09 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI974472A0 FI974472A0 (fi) | 1997-12-09 |
| FI974472L FI974472L (fi) | 1999-06-10 |
| FI104383B true FI104383B (fi) | 2000-01-14 |
Family
ID=8550093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI974472A FI104383B (fi) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6416577B1 (fi) |
| AU (1) | AU1489899A (fi) |
| FI (1) | FI104383B (fi) |
| WO (1) | WO1999029924A1 (fi) |
Families Citing this family (195)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
| TW432488B (en) * | 1999-04-12 | 2001-05-01 | Mosel Vitelic Inc | Reaction facility for forming film and method of air intake |
| DE10049257B4 (de) * | 1999-10-06 | 2015-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Verfahren zur Dünnfilmerzeugung mittels atomarer Schichtdeposition |
| US6319766B1 (en) * | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6936538B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US20020036780A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-03-28 | Hiroaki Nakamura | Image processing apparatus |
| EP1327010B1 (en) * | 2000-09-28 | 2013-12-04 | President and Fellows of Harvard College | Vapor deposition of silicates |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US6811814B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| FI109770B (fi) * | 2001-03-16 | 2002-10-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6596643B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | CVD TiSiN barrier for copper integration |
| US7037574B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| US6849545B2 (en) | 2001-06-20 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US20030198754A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-10-23 | Ming Xi | Aluminum oxide chamber and process |
| US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
| WO2003030224A2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-10 | Applied Materials, Inc. | Barrier formation using novel sputter-deposition method |
| US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
| US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| DE10138696A1 (de) * | 2001-08-07 | 2003-03-06 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Beschichten und Formen eines dreidimensionalen Körpers |
| US6718126B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US6773507B2 (en) * | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
| US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
| US6939801B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material |
| AU2003238853A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6972267B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
| JP4959921B2 (ja) | 2002-03-28 | 2012-06-27 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 二酸化珪素ナノラミネートの蒸着 |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US6720027B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
| US6875271B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
| US7279432B2 (en) * | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US7041335B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
| US20030232501A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-18 | Kher Shreyas S. | Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials |
| US7067439B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | ALD metal oxide deposition process using direct oxidation |
| US6858547B2 (en) * | 2002-06-14 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming a gate dielectric |
| US6838125B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US20040009336A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium silicon nitride (TISIN) barrier layer for copper diffusion |
| US20040013803A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
| US6955211B2 (en) | 2002-07-17 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system |
| US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
| US7066194B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Valve design and configuration for fast delivery system |
| US6772072B2 (en) | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
| US6915592B2 (en) | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US6905737B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
| EP1420080A3 (en) | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7244683B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials |
| US6753248B1 (en) | 2003-01-27 | 2004-06-22 | Applied Materials, Inc. | Post metal barrier/adhesion film |
| US20040198069A1 (en) | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
| JP4959333B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2012-06-20 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 化学的不活性化を通じたリアクタ表面のパシベーション |
| US7914847B2 (en) * | 2003-05-09 | 2011-03-29 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| US7211508B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
| US20050067103A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Applied Materials, Inc. | Interferometer endpoint monitoring device |
| US7071118B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US7405143B2 (en) * | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Asm International N.V. | Method for fabricating a seed layer |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| US20050281958A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-22 | Walton Scott G | Electron beam enhanced nitriding system (EBENS) |
| US20070218290A1 (en) * | 2004-06-24 | 2007-09-20 | Beneq Oy | Method for Doping Material and Doped Material |
| US7241686B2 (en) | 2004-07-20 | 2007-07-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA |
| US20060093756A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Nagarajan Rajagopalan | High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films |
| US7429402B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
| US20060216548A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Ming Mao | Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition |
| US20060272577A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Ming Mao | Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film |
| US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
| US8993055B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| WO2007142690A2 (en) | 2005-11-04 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US7795160B2 (en) * | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
| US7521379B2 (en) | 2006-10-09 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers |
| US8268409B2 (en) * | 2006-10-25 | 2012-09-18 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition of metal carbide films |
| US20080176149A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-07-24 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
| US20080099436A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Michael Grimbergen | Endpoint detection for photomask etching |
| US7775508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
| US7611751B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| US7713874B2 (en) * | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| US7638170B2 (en) | 2007-06-21 | 2009-12-29 | Asm International N.V. | Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition |
| US8017182B2 (en) * | 2007-06-21 | 2011-09-13 | Asm International N.V. | Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD |
| US7585762B2 (en) | 2007-09-25 | 2009-09-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials |
| US7678298B2 (en) | 2007-09-25 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes |
| US7824743B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| WO2009129332A2 (en) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of metal carbide films using aluminum hydrocarbon compounds |
| US7666474B2 (en) | 2008-05-07 | 2010-02-23 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films |
| US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
| US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
| WO2012047945A2 (en) | 2010-10-05 | 2012-04-12 | Silcotek Corp. | Wear resistant coating, article, and method |
| US8293658B2 (en) * | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| US8778204B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process |
| US9223203B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-29 | Asm International N.V. | Microcontact printed films as an activation layer for selective atomic layer deposition |
| US8961804B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for photomask etching |
| US8808559B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for reflective multi-material layers etching |
| US9112003B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-08-18 | Asm International N.V. | Selective formation of metallic films on metallic surfaces |
| US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
| US9805939B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-10-31 | Applied Materials, Inc. | Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks |
| US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
| US9412602B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| KR20150139861A (ko) * | 2013-04-10 | 2015-12-14 | 피코순 오와이 | Ald 코팅에 의한 목표 펌프의 내부 보호 |
| US20150024152A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Agilent Technologies, Inc. | Metal components with inert vapor phase coating on internal surfaces |
| US10767259B2 (en) | 2013-07-19 | 2020-09-08 | Agilent Technologies, Inc. | Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same |
| US9745658B2 (en) | 2013-11-25 | 2017-08-29 | Lam Research Corporation | Chamber undercoat preparation method for low temperature ALD films |
| US9328416B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-05-03 | Lam Research Corporation | Method for the reduction of defectivity in vapor deposited films |
| US9394609B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films |
| KR102286345B1 (ko) * | 2014-03-03 | 2021-08-06 | 피코순 오와이 | Ald 코팅에 의한 중공 몸체 내부의 보호 방법 |
| EP3114250B1 (en) * | 2014-03-03 | 2024-05-01 | Picosun Oy | Protecting an interior of a gas container with an ald coating |
| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US9548188B2 (en) | 2014-07-30 | 2017-01-17 | Lam Research Corporation | Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102216575B1 (ko) | 2014-10-23 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 티타늄 알루미늄 및 탄탈륨 알루미늄 박막들 |
| DE102014016410A1 (de) | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Linde Aktiengesellschaft | Gasbehälter |
| EP3245315B1 (en) * | 2015-01-14 | 2021-12-01 | Agilent Technologies, Inc. | Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same |
| CN109023303A (zh) | 2015-02-13 | 2018-12-18 | 恩特格里斯公司 | 衬底部分上的复合原子层沉积ald涂层及在衬底部分上形成经图案化ald涂层的方法 |
| US9490145B2 (en) | 2015-02-23 | 2016-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Removal of surface passivation |
| US9828672B2 (en) | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
| US10023956B2 (en) | 2015-04-09 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Eliminating first wafer metal contamination effect in high density plasma chemical vapor deposition systems |
| US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
| US10121699B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-11-06 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10566185B2 (en) | 2015-08-05 | 2020-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| WO2017040623A1 (en) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Silcotek Corp. | Thermal chemical vapor deposition coating |
| JP6662520B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2020-03-11 | 国立大学法人山形大学 | 内面コーティング方法及び装置 |
| US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10814349B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US20160046408A1 (en) * | 2015-10-27 | 2016-02-18 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Internally coated vessel for housing a metal halide |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US10087521B2 (en) * | 2015-12-15 | 2018-10-02 | Silcotek Corp. | Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating |
| US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
| KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US9803277B1 (en) | 2016-06-08 | 2017-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films |
| US10014212B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metallic films |
| US10186420B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of silicon-containing thin films |
| US11430656B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
| US10211099B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-02-19 | Lam Research Corporation | Chamber conditioning for remote plasma process |
| JP7169072B2 (ja) | 2017-02-14 | 2022-11-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US11501965B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films |
| KR102805403B1 (ko) | 2017-05-05 | 2025-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 산소 함유 박막의 형성을 제어하기 위한 플라즈마 강화 증착 공정 |
| WO2018213018A1 (en) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Asm Ip Holding B.V. | Selective peald of oxide on dielectric |
| US10900120B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Passivation against vapor deposition |
| US11161324B2 (en) | 2017-09-13 | 2021-11-02 | Silcotek Corp. | Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| CN120497124A (zh) | 2017-12-07 | 2025-08-15 | 朗姆研究公司 | 在室调节中的抗氧化保护层 |
| US10760158B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
| JP6582075B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-25 | ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ | Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護 |
| JP7146690B2 (ja) | 2018-05-02 | 2022-10-04 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 堆積および除去を使用した選択的層形成 |
| JP6595671B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2019-10-23 | ピコサン オーワイ | Ａｌｄコーティングによる中空ボディ内面の保護 |
| US12482648B2 (en) | 2018-10-02 | 2025-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| JP2020056104A (ja) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
| WO2020081303A1 (en) | 2018-10-19 | 2020-04-23 | Lam Research Corporation | In situ protective coating of chamber components for semiconductor processing |
| US12359315B2 (en) | 2019-02-14 | 2025-07-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxides and nitrides |
| US11371145B2 (en) * | 2019-03-15 | 2022-06-28 | Halliburton Energy Services, Inc. | Depositing coatings on and within a housing, apparatus, or tool using a coating system positioned therein |
| US11371137B2 (en) * | 2019-03-15 | 2022-06-28 | Halliburton Energy Services, Inc. | Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools |
| US11965238B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metal oxides on metal surfaces |
| WO2020252306A1 (en) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Silcotek Corp. | Nano-wire growth |
| US12037923B2 (en) * | 2019-07-08 | 2024-07-16 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Pulse-managed plasma method for coating on internal surfaces of workpieces |
| US11332822B2 (en) * | 2019-10-25 | 2022-05-17 | GM Global Technology Operations LLC | Systems and methods for improved vapor deposition on complex geometry components |
| US11139163B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of SiOC thin films |
| US12142479B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-11-12 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US12341005B2 (en) | 2020-01-17 | 2025-06-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiCN thin films |
| TW202140832A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積 |
| TWI865747B (zh) | 2020-03-30 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料 |
| TWI862807B (zh) | 2020-03-30 | 2024-11-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積 |
| US12473635B2 (en) | 2020-06-03 | 2025-11-18 | Silcotek Corp. | Dielectric article |
| US11788189B2 (en) * | 2020-08-27 | 2023-10-17 | Halliburton Energy Services, Inc. | Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools utilizing pressurized cells |
| US11788187B2 (en) * | 2020-08-27 | 2023-10-17 | Halliburton Energy Services, Inc. | Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools utilizing counter current flow of reactants |
| KR102555693B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2023-07-14 | (주)티티에스 | 원자층 박막 증착을 이용한 쿼츠튜브 코팅 장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4145456A (en) * | 1974-09-14 | 1979-03-20 | Dieter Kuppers | Method of producing internally coated glass tubes for the drawing of fibre optic light conductors |
| SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| FI57975C (fi) * | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
| US4389973A (en) | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| GB2162207B (en) * | 1984-07-26 | 1989-05-10 | Japan Res Dev Corp | Semiconductor crystal growth apparatus |
| US4636402A (en) * | 1986-02-13 | 1987-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of coating hollow massive objects with plastisols and organosol |
| US4879140A (en) * | 1988-11-21 | 1989-11-07 | Deposition Sciences, Inc. | Method for making pigment flakes |
| DE4437050A1 (de) * | 1994-10-17 | 1996-04-18 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks |
-
1997
- 1997-12-09 FI FI974472A patent/FI104383B/fi not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-12-09 WO PCT/FI1998/000955 patent/WO1999029924A1/fi not_active Ceased
- 1998-12-09 AU AU14898/99A patent/AU1489899A/en not_active Abandoned
- 1998-12-09 US US09/581,020 patent/US6416577B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI974472A0 (fi) | 1997-12-09 |
| WO1999029924A1 (fi) | 1999-06-17 |
| US6416577B1 (en) | 2002-07-09 |
| AU1489899A (en) | 1999-06-28 |
| FI974472L (fi) | 1999-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI104383B (fi) | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi | |
| FI118342B (fi) | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| KR100291692B1 (ko) | 박막의 화학적 증착용 장치 및 그 장치에 의한 복합물질 | |
| FI117978B (fi) | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle | |
| KR101090895B1 (ko) | 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션 | |
| JP5362941B2 (ja) | 改善された耐薬品性を有する複合材料 | |
| US7344755B2 (en) | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers | |
| JP4388804B2 (ja) | 基体材料およびバリヤー層材料からなる複合材料 | |
| FI118343B (fi) | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| KR102197576B1 (ko) | 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들 | |
| US20060205187A1 (en) | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces | |
| KR20200020608A (ko) | 고체 소스 승화기 | |
| CA2690978A1 (en) | Method in depositing metal oxide materials | |
| KR20190126202A (ko) | 기판 제품 및 장치의 특성 및 성능을 향상시키기 위한 코팅 | |
| KR960023228A (ko) | 화학 증착에 의한 박막 형성 장치 및 방법 | |
| JPS6258639A (ja) | 化学的蒸着装置及びその方法 | |
| JP2016540124A (ja) | 改善されたプラズマ強化ａｌｄシステム | |
| KR20120109989A (ko) | 웹 기판 증착 시스템 | |
| EA022723B1 (ru) | Многослойное покрытие, способ изготовления многослойного покрытия | |
| US20050103264A1 (en) | Atomic layer deposition process and apparatus | |
| KR20020008395A (ko) | 화학 증착 시스템 및 방법 | |
| US12065730B2 (en) | Coating of fluid-permeable materials | |
| JPH11286779A (ja) | 支持体上にガス状及び／又は液状物質のためのバリヤ―層を製造する方法及びそのようなバリヤ―層 | |
| WO2004045248B1 (en) | Barrier coatings and methods in discharge lamps | |
| Vandenbulcke et al. | Low-pressure gas-phase pack cementation coating of complex-shaped alloy surfaces |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GB | Transfer or assigment of application |
Owner name: NESTE OY |
|
| MA | Patent expired |